JPS61269247A - 可逆的光学情報記録媒体および記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光学的な記録媒体を用いて、情報を可逆的に
記録し、再生する方法に関する。

従来の技術 レーザー光線を用いて記録媒体上に情報信号を繰り返し
記録、消去する技術は即に公知である。

記録媒体として例えばＴ　＠　ｓ　１Ｇ　＠　１ｓ　Ｓ
　ｂ　２　Ｓ　２１Ｔ　＠　ｅ　ｏＧ　＠　２０　Ｓ　
＠　２０　（特公昭５４−４１９０２号公報）等のカル
コゲナイドガラス薄膜、Ｔｏ−８ｅ−０（特開昭５５−
２８５３０号公報）、　　Ｔｏ　−Ｇｏ　−５ｎ結晶状
態が変化し、その結果ｎ、　　ｋ等の光学定数が変化す
るものが知られており、これらは通常、Ｐ　ＭＭＡ、　
ポリカーボネイト等の樹脂基材、ガラス等の透明基板上
に蒸着、スパッタリング等の方法で着けて用いる。記録
、再生方法としては上記、記録膜の微少部分にレーザー
光線を照射して光学定数の変化を生じさせ、周囲との差
を反射率変化として検出するわけであるが、この反射率
変化の大きさは記録材料のｎ、　　ｋ及び厚みの関数と
して決定される（特開昭５５−４５１６６号公報）。こ
の際、記録媒体としては記録前の反射率が小さく光の吸
収効率が高いこと記録前後の反射率変化が大きいことが
望ましいが、一般的にＴｅ−Ｇｅをペースとするカルコ
ゲナイドガラス薄膜、Ｔｅ−Ｇ。

−０をベースとする酸化物薄膜等においては形成された
時の膜の屈折率は３．０〜６．０１又、消衰係　　数は
０．５〜１．０の範囲と考えて良く上記条件を満足する
膜厚は例えば半導体レーザー波長８４０ｎｍに対して８
０ｎｍ〜１４０ｎｍが適当であり、これよシ更に薄い領
域では反射率変化が小さい、又は初期反射率が大きすぎ
るとの理由で適用がむつかしかった。このことは記録媒
体の設計に一つの制限を与える。即ち、記録媒体の感度
を決定する要因の一つに照射部分の熱容量があるが、記
録膜の膜厚の制限が熱容量の低減化に限界を与え、更な
る高感度化の妨げとなっていた。

そこで記録膜の膜厚をより広範囲に選べる方法が提案さ
れている。例えば特開昭５７−１１１８９号公報の明細
書の中の実施例の方法がそれにあたる。この方法の一つ
は、基板上にＡｌ、Ａｕ等の金属薄膜又は誘電体材料薄
膜で形成される反射層を設け、その上に記録層と上部被
覆層を積層した構造であり、もう一つは更に反射層と記
録層との間に光の光路長を調整するために光学的に透明
な挿間層を追加した構造である。これらの構成によれば
各層の膜厚を適当に選定することで記録媒体の初期反射
率を最少になるようにも、あるいは記録前後の反射率変
化を最大になるようにもできる、即ち記録層を従来より
薄く選んで記録感度を大幅に改善できる可能性が有った
。

発明が解決しようとする問題点 ところが、この従来例の記録媒体の構造を用いて、これ
までのところ実用化に供することのできる可逆的光学情
報記録媒体は得られていない。これは、以下の理由によ
る。

（１）上記記録媒体の構成上、記録層の両側に誘電体層
を密着して形成するが、このため記録層において生じた
熱が容易に周囲へ拡散しやすい。

例えばアモルファスを結晶化する過程においては、漸時
、結晶化温度に保ってやる必要があるが、この構造にお
いては特に、この過程においてエネルギーロスを生じや
すい。

（２）上記記録媒体の構成上、記録層を薄くすることが
大切な要件の一つであるが、その結果従来のアモルファ
ス−結晶の相変態型の記録材料では、記録層の光吸収係
数は非常に小さくなり、多重干渉の結果光エネルギーは
例えば反射層の中においてその多くが消費されてしまう
。特に、アモルファス−結晶間の相変態を応用する場合
においては、これまでのところアモルファス状態におけ
る光吸収効率が悪く、記録層内での熱発生が、さらに小
さくなっていた。

即ち、これまでのところ、前述の可逆的光学情報記録媒
体においては、構造に伴なう利点が十分生かされず、そ
の欠点が強調されることになっていた。

そこで、本発明においては前記、記録媒体の構造を生か
すべく、構造に適する材料特性及び材料組成を提供する
ことを目的とする。又、本発明は上記、記録材料を用い
た真に感度の向上した可逆的光学情報記録部材の構成条
件の提供をもう一つの目的とする。さらに、本発明は上
記、記録媒体の特徴を生かす記録消去方法の提供をもう
一つの目的とする。

問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、記録媒体の記録層
として、光照射により昇温し、急冷する場合と徐冷する
場合とで、その結晶状態に差が生じ、その結果として光
学定数、ｎ、ｋに差を生ずる物質、例えばアモルファス
−結晶の相変態を生じやすい材料の中でそのいずれの状
態においても消衰係数が十分大きく、特にアモルファス
状態において消衰係数ｋが２よりも大きい可逆性記録材
料を適用する。具体的には例えばＴｏ、Ｇｏ、Ａｕを更
に記録層の厚さを５０〜３００人とするとともに、記録
層の両側に少くとも誘電体層を設け、それらの厚みの関
係を、記録再生及び消去に用いるレーザー光線の波長に
おいて記録前後の反射率変化及び吸収率が最大となるよ
う設定する。

作　　用 記録層の消衰係数がアモルファス状態においても十分に
大きく、その結果として、５０人〜３００人といった非
常に薄い記録層を形成した場合においても十分に高い吸
収率が得られる。従って記録層そのものにおける光エネ
ルギーの熱変換効率が上昇する。

実施例 以下、図面を参照しつつ本発明を説明する。

第１図は本発明の可逆的光学情報記録部材の基本構成を
示す断面図である。

本発明の光学情報記録部材は光学的に平滑な表面１を有
する基材２．基材の表面を覆う誘電体層３、誘電体層の
表面を覆う光吸収性の記録層４゜記録層の表面を覆う誘
電体層６．誘電体層の表面を覆う反射膜層６で形成され
る。誘電体層６と反射層６とを一体化して、一層の誘電
体層で置き代えることも可能である。

基材２としては通常の光ディスクに用いるものであれば
よく、ＰＭＭＡ、　ポリカーボネイト、塩化ビニール等
の樹脂基材あるいはガラス基材を円盤状に整形して用い
る。

誘電体層としては、熱的、化学的に比較的安定な材料と
して例えばＳ　ｉ　Ｏ、Ｓ　１０２　、　Ｇ　ｅ　０２
　ｔ　Ａ　Ｎ　２ｏ３゜Ｚ　ｒ　０２　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏ
２＋　Ｚ　ｎ　Ｓ　、　Ｚ　ｎ　Ｓ　ｅ　、　Ｓ　ｉ　
Ｃ、Ｓ　ｉ　ｓ　Ｎ４等を蒸着、スパッタリング等の方
法で形成する。前述のように、この誘電体層は記録層と
直接に接触することから、あまり熱伝達率が大きいと記
録層からの熱の放散が大きくなりすぎ感度の低下を招く
。

従って熱伝達率はなるべく小さい方が望ましいが後述の
ように、記録、消去時におけるレーザー光線の照射条件
を工夫することで熱伝達率の比較的大きい誘電体層にも
対応可能となる。また製造上の問題として形成しやすい
というのも重要である。

つまり本発明の記録媒体においては望ましい反射率や反
射率変化を得るために各層の屈折率、消衰係数と関連し
て各層の膜厚を選ぶが、この結果、記録層の厚さに比べ
て誘電体層の厚さがはるかに厚くなる場合が多い。従っ
て形成時に非常に高温になる、あるいは長時間必要とい
うことになると記録層及び基材への熱的損傷が大きく記
録媒体の構成が困難になる。発明者等の研究によれば上
記物質群中で、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＳｉＣ等が形成が容
易でかつ熱的、化学的にも安定であった。

記録材料層３には、レーザー光線の照射に応じてその光
学定数ｎ、　　ｋに可逆的な差を生ずる材料、例えば光
吸収の結果、昇温し、急冷された場合の状態と徐冷され
た場合の状態との間で屈折率ｎ及び消衰係数ｋが変化す
る材料薄膜の中でも、変化　　゛の前後で消衰係数が十
分大きく、望ましくは２以上であるものを用いる。

一般に記録層に入射した光は、その記録層の消衰係数に
で定まる割合でその強度を減衰する。従って消衰係数が
十分大きければ例え記録層の膜厚が薄くても、その膜中
を通過する間に十分な光吸収が得られる。逆にいえば消
衰係数が大きい物質においてはあまり厚くすると光の減
衰が大きく十分な光の干渉効果を得ることができないた
め、むしろ積極的に薄い膜厚で利用すべきである。前述
のように、これまでに得られている材料組成において相
変態の可逆性に優れ、かつ変態後のいずれの状態もが熱
的に安定とされているものの中にはこのような特性をも
ったものは無い。本発明においては記録層としてＴｏを
ベースとし、Ｇｏ及びＡｕを主成分とする材料組成を適
用して上記条件を満足した。材料組成中Ｇｏは特にＴｏ
の結合中に介在し、アモルファスネットワーク構造を強
化するものであり、ＡｕはＴ・と一部置き代わって共晶
を形成しやすく、構造の可逆性を高める。発明者等はＡ
ｕの添加によってアモルファス状態においても飛躍的に
消衰係数が高まりその結果、例えば５０人〜３００人程
度の極めて薄い記録層を構成しても十分な吸収効率が確
保できることを見出した。即ち、この材料組成を用いて
従来例の記録媒体を構成した場合において、記録状態、
消去状態のいずれの場合においても記録層自体の内部で
光が熱に変換される効率が高まり、高い記録感度及び消
去感度が得られ、従来例の記録媒体構造が生かされるも
のである。記録材料組成としては、添加物として、更に
Ｓｏ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｂｌ、Ｐｂ等の半金属物質を添加し
て一部Ａｕ又はＧｏ　と置き換えることも可能である。

更に酸素の添加によって他の特性、例えば耐熱性、耐湿
性等を改良した組成をも適用可能である。

反射層６は入射光線の吸収効率を高める目的で使用され
通常Ａｕ、Ａ１等の反射係数の高い金属で形成される。

この層のもう一つの目的としては他の層の屈折率ｎ、消
衰係数に、膜厚ｄと関連して本発明の光学情報記録媒体
の設計範囲を拡大することにある。例えば各層の膜厚を
適当に選んで反射率変化の方向を、記録時に増大するよ
うにも減少するようにも比較的自由に設定できるように
なる。この結果として例えば消去状態の反射率を低くす
るように選んだ条件では次の記録時の光線が入射しやす
く特に記録感度が向上できる。又逆に記録状態の反射率
を低くするように選んだ条件では次の消去時の光線が入
射しやすく特に消去感度が向上できる。いずれの方向を
選ぶかは、機器設計上の問題である。

次に、本発明の光学情報記録媒体の設計条件について説
明する。本発明の光学情報記録媒体の誘電体層、記録層
２反射層の厚さの最適値は、例えば１９６６年ドーパ−
社発行のヘプンズの著書「固体薄膜の光学的性質Ｊ　（
ＯＰＴＩＣＡＬＰＲＯＰＥＲＴｌｌｉ：Ｓ　ＯＦ　ＴＨ
ＩＮ　５ＯＬＩＤ　ＦＩＬＭＳ）第６９頁記載のマトリ
ックス法を用いて予想することができる。ただし、実際
に各種の物質を用いて記録媒体を形成する場合には各層
の界面での例えば相互拡散の影響等から必ずしも計算通
りとはいかず、実際に各層の厚さをパラメーターにして
記録体を形成し、実験的に最適点を定めることが必要と
なる。実際に実験的に測定を行なった結果については後
述する。

次に本発明の光学情報記録媒体に情報信号を効率良く記
録し、消去する方法について説明する。

第２図は本発明の光学情報記録媒体に情報信号を記録消
去し評価するための光学系を簡単に示したものである。

半導体レーザー１２を発した光は第１のレンズ１３で平
行光とされた後、第２のレンズ系１４で円いビームに整
形され、ビームスプリッタ−１６，λ／４板１板金６し
て第３のレンズ１７で収束され記録媒体１８上に照射さ
れる。反射光１９は、入射光と反対の経路をたどりビー
ムスプリッタ−１６で曲げられ、第４のレンズ２゜で収
束され光デイテクタ−２１に入り記録状態の確認がおこ
なわれる。

又、第３図は記録前後の反射率変化の様子を示している
。記録層４は、レーザー照射、熱処理等の方法であらか
じめ結晶化され光学定数の高い状態にされ、各層の厚さ
は結晶状態において反射光９が最小になるように設計さ
れている。これを未記録状態又は消去状態８とするこの
記録媒体に基材側から例えば１μｍφ程度の微少スポッ
トに絞シ込んだレーザー光線をごく短い時間（例えば数
１００ｎ　ｓｅａ　　）照射すると、照射された微少部
分のみが急速に昇温しで瞬時溶融状態となるが、レーザ
ー照射が終了すると今度は熱拡散により急速に冷却され
照射部はアモルファス状態となって記録ビット１１が形
成される。アモルファス状態の光学定数は結晶状態よシ
も小さいためこの照射領域では周囲の結晶状態の部分よ
りも反射光１ｏが多くなり、反射光量差を生じる。この
反射光量差を例えばフォトダイオード等を用いて電気信
号に変換して取り出す。この信号ビットを消去する際の
１つの方法は記録時と同様に微少スポットに絞り込んだ
レーザ光線を今度は記録時よりもやや光量を下げ、記録
時よりもやや長目の時間（例えば数μｓｅａ　）照射す
る。その結果、照射部はややゆるやかに昇温し周囲への
熱拡散と平衡した温度に漸次保たれ結晶化が進行して元
の状態へ復帰する。

即ち、消去が行なわれる。上記信号ビットを消去するも
う一つの方法は、やはり記録時と同様に微少スポットに
絞り込んだレーザー線を記録時と同様の光量でひとまず
照射して照射部を瞬時溶融状態にした後、直ちにレーザ
光線の光量を下げて照射し、照射部をゆっくりと冷却し
て結晶化し、消去を行なうことができる。この２番目の
方法は、発明者等の発明に係る出願であるところの特願
昭５９−８６４７４号に記載の記録消去方法を全くその
まま応用できるものであるが、本発明の光学情報記録媒
体のように記録層の熱が周囲に拡散しやすい構造におい
ては極めて効果的であシ、１番目の方法に比べて短時間
に消去を完了することができる。

次に更に具体的な例をもって本発明を詳述する。

（実施例１） 第４図に示す構成のテストピースを多数用意した。基材
としては厚さ１．２ｗのＰＭＭＡ樹脂２２、第１及び第
２の誘電体層としてはＺｎ５ｅ層、記録層としては、Ｔ
ｏ、Ｇｏ、ＡｕにＳｎを添加した系で、Ｔ　＠　ｓ　ｓ
Ｇ　ｅ　１ｏ　Ｓ　ｎ　、ｏＡ　ｕ　２５　Ｏ組成の７
モ／１ｚ７７ス薄膜を用い、反射層は無いものＡと、Ａ
ｕを用いたものＢの両方を用意した。各層はそれぞれ２
　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ以下の高真空槽内で電子ビーム
蒸着法により形成した。記録層は４元のソースからそれ
ぞれの蒸着レートを制御しながら同時蒸着して形成する
。各層の膜厚は、記録消去に用いるレーザー波長λ（〜
８４００人）と、各層の屈折率ｎとを基準に選ぶ。例え
ば第１のＺｎ５ｅ層の膜厚をλ／４ｎ（〜８４０人）、
　６λ／１６−（〜１０５０人）。

３λ／８ｎ（〜１２θ０人）、記録層の厚さは５０，１
００゜２００．３００，４００人、第２のＺｎ５ｅ層の
膜厚をλ／４ｎ（〜８４０人）、３λ／８ｎ（〜１０５
０人）、λ／２　ｎ（〜１６８０人）、Ａｕ層の厚さを
〜２５０人に選んで第３図の系を用いて記録層がアモル
ファス状態（ｎユ４．ｅｅ、に＝２．３２）の場合と結
晶状態の場合（ｎ！４．８５．ｋ　４．２Ｅ５）の両方
の場合の反射率を測定した。第５図に第１のＺｎ５ｅ層
の厚さをλ／４ｎとした場合の結果を示す。図中Ａは反
射層を特につけない場合、Ｂは反射層としてＡｕの層を
つけた場合である。各曲線のうち実線で示したものは、
記録層がアモルファス状態での媒体の反射率、破線で示
したものは記録層が結晶状態での媒体の反射率を表わし
、画線の差が反射率変化の大きさを表わしている。又、
曲線ａ、　　ｂ、　　Ｃは第２のＺｎＳ　ｅ層の厚さを
それぞれλ／４ｎ　、　３λ／８ｎ、λ／２　ｎとした
場合に相当する。この図から反射層の有無にかかわらず
、５０人〜５００人という非常に薄い記録層を用いて記
録媒体として適正な反射率（即ちトラッキング、フォー
カッシング等のサーボのために１０％前後の反射率が必
要）と、十分な反射率変化を持つ条件の存在が確認され
た。

第６図は、アモルファス状態の上記サンプルを２ｍＷの
レーザ光で照射した場合の記録開始に要するレーザー照
射時間を示す。図中Ａは反射層をつけない場合、Ｂは反
射層をつけた場合である。

ａ、ｂ、ｃは上記条件に対応している。第６図およびこ
の図から、照射前の反射率が１ｏチ前後と低ければ１μ
東以下の短パルス光に応答して結晶化が可能であること
がわかる。又、同様照射後の反射率が１０％前後と低け
れば次のアモルファス化のためのレーザ照射効率が高く
、記録感度が向上することがわかった。

第１のＺｎ５ｅ層の厚さを例えば５λ／１ｅｎ、３λ／
８ｎ等に選んだ場合においてもｎ／４ｎの場合と同様、
記録媒体に適する条件がみつかった。第１表に具体的な
条件例を示す。

第　１　表　　Ｚｎ５ｅを誘電体層として用いた記録媒
体の構成条件例 （実施例２） 実施例１におけるＺｎ５ｅを、ＺｎＳ、ＳｉＣに置き換
えて同様の実験を行なった。第７図〜第８図にその結果
の一部を示す。

第７図Ａは第１のＺｎＳ層の厚さをλ／４　ｎとし、反
射層を設けない場合、Ｂは第２のＺｎＳ層の厚さをλ／
２　ｎとし反射層としてＡｕをつけた場合の結果を示す
。各曲線のうち実線で示したものは記録層がアモルファ
ス状態での媒体の反射率、破線で示したものは記録層が
結晶状態での媒体の反射率を表わし、両線の差が反射率
変化の大きさを表わしている。Ａにおいてａ、ｂ、ａは
第２のＺｎＳ層の厚さをそれぞれλ／４ｍ、３λ／８ｎ
、λ／２　ｎとした場合、Ｂにおいてｄ、ｅ、ｆは第１
のＺｎＳ層の厚さをそれぞれλ／４ｎ、５λ／１６ｎｔ
３λ／８ｎとした場合に相当する。

第８図Ａは第１のＳｉＣ層の厚さを５λ／１６ｎとし、
反射層を設けない場合、Ｂは第２のＳｉＣ層の厚さをλ
／２ｎとし反射層としてＡｕをつけた場合の結果を示す
。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆの示す意味は実施例１と同様
である。

これらの図からＺｎＳ、ＳｉＣを誘電体層に用いた場合
にも、反射層の有無に関わらず、５０〜ＳｏＯ人という
非常に薄い記録層を用い、記録媒体として適正な反射率
と、十分な反射率変化を持つ条件が得られた。

第２表、第３表に具体的な条件例を示す。

ａＩ２　　表　　ＺｎＳを誘電体層として用いた第　３
　表　　ｓｉｃを誘電体層として用いた記録媒体の構成
条件例 （実施例３） 実施例１で説明した条件のうち、第１表の条件６を用い
て光ディスクを作成しそのダイナミックな特性を測定し
た。第９図にディスクの断面図を示す。

基板にはインジェクション法で作られたポリカーボネイ
ト樹脂基板を用いた。厚さは１．２鴫でその上面にはレ
ーザー光線のガイドのためには深さ約７００人９幅６５
００人のトラック２７が設けられている。

まず、この上にＺｎ５ｅ層２８を蒸着する。真空度は１
０−６Ｔｏｒｒ　（各層とも、この程度で十分である。

）蒸着レートは１ｏＡ／Ｓで約８９０への厚さにした。

この上にＴｏ、Ｇｏ、Ａｕと、添加物としてＳｎを用い
、４つのソースから各ソースの蒸着レートを制御しなが
ら記録層２９を蒸着した。蒸着レートは水晶振動子を用
いてコントロー化し、トータルとして約１０Ａ／Ｓで、
約１００人の厚さにつけた。この上にＺｎ５ｅ層３ｏを
先程と同様にして８９０人の厚さにつけ、更に反射層３
１としてＡｕを１ｏＡ／Ｓの蒸着レートで２５０Ａつけ
た。最後に紫外線硬化樹脂３２を用いて保護基材３３を
貼り合わせ完成した。紫外線硬化樹脂層の厚さは約０．
１咽で、保護基材の厚さを１．１鴎とし、上下対称とし
た。

この光ディスクに、特願昭５９−８６４７４号記載の方
法を用いて信号を記録、消去した。第１０図にレーザス
ポットの配置を示す。１本のトラック上には記録用のレ
ーザスポット３８と、消去用のレーザスポットがディス
クの進行方向３９に対して消去用レーザスポットが先に
照射されるように配置する。又消去用レーザスポットは
光パワー密度が高い円いスポット（溶融用光スポット）
３５と、光パワー密度が低い、ややトラック方向に長い
楕円形のスポット（アニール用光スポット）３６の２つ
に分かれており、溶融用光スポットが先にくるように配
置されている。消去用光スポットの波長は）　８０　ａ
ｍであり、溶融用光スポットの大きさは半値で約０．９
μｍφ、アニール用光スポットの大きさは半値で１μｍ
Ｘ８μｍであり両者の間隔は中心部と中心部が１０μｍ
程度になるように調整する。記録用光スポットの波長は
８３０ｎｍであり大きさは半値で約０．９μｍφ、アニ
ール用光スポットとの間隔は中心部と中心部が１６μｍ
程度になるように調整する。

光ディスクを１８０ＯＲＰＭの回転速度で回しながらφ
１８０の辺シのトラックに５ＭＨｚの信号を記録し、消
去することを繰シ返し試みた。

記録時は、全部のスポットを用いる。溶融用スポットの
出力を６ｍＷ、　　アニール用スポットの出力を１２ｍ
Ｗ、記録用スポットの出力を６ｍＷとし、消去用スポッ
トで未処理トラックを無変調で照射して反射率を低い状
態とし、直　に記録用スポットを変調して照射して、照
射部のみを反射率の高い状態とする。即ち、未処理の状
態から１回転の間に記録を完了した。記録信号のＣハを
ＨＰ社のスペクトルアナナイザーで測定し５４　ｄＢを
得た。

消去する場合は、消去スポットのみを１回転の間熱　　
で照射し、消去後の記録信号は、記録時のＣレベルから
−５６ｄＢに下がっていることを確認できた。その後、
１ｏｏＯ回の繰シ返しを行なったがＣ／Ｎは６４　ｄＢ
と変わらないことが確かめられた。

（実施例４） 実施例３と同様に第１表の条件１３の光ディスクを作成
し、その特性を測定したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢ、（シ
返し１０００回に対して信号品質に劣化が認められない
ことが確認できた。

発明の効果 以上、述べたように、本発明によって従来の光記録媒体
より、大幅に記録感度が高く、かつ消去速度が速く、さ
らに繰り返しても特性が劣化しない可逆性光学情報記録
媒体が提供された。

この効果に基づき、例えば画像処理用のコンピューター
用ファイルメモリー等への応用が可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光学情報記録媒体の基本構成を示す断
面図、第２図は本発明の光学情報記録媒体にレーザー光
線を照射する光学系の基本構成の断面図、第３図は記録
後の記録媒体の反射率変化を表わす断面図、第４図は本
発明の光学情報記録媒体の設計に用いたテストサンプル
の断面図、第６図は本発明の光学情報記録媒体の一実施
例において、記録層の厚さと、誘電体層の厚さを変えた
時の反射率変化の大きさを表わしたグラフ、第６図は本
発明の光学情報記録媒体の一実施例において、記録層と
誘電体層の厚さを変えた時の記録量体のそれぞれ別の実
施例において、記録層の厚さと誘電体層の厚さを変えた
時の反射率変化の大きさを表わしたグラフ、第９図は本
発明の光学情報記録媒体の動特性を測定する光ディスク
の断面図、第１０図は本発明の光学情報記録部材に記録
、消去を行なうための光スポットの構成を示す図である
。 ２・・・・・・基材、３，６・・・・・・誘電体層、４
・・・・・・記録層、６・・・・・・反射層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 第３図 ／／官じ膨艮ビット 第４図 （Ａ） （Ｂン ２、Ｓ　Ａｖ漕 第５図 （へン 記録層の１″：（Ａ） 第５図 ＋３７ 記罰し畳の湿ぎ（”ａ） 第６図 （Ａ） 記頽し皆の厚ご（’、ｑ） 第７図 ＜Ａ） 記刺し■の淳ぎ（′Ａ） 第７図 記秦λ層の漂ご（四） 第８図 ＜Ａ） θ　α　Ｊ　α　り　Ｗ 記録層の湿ご（′Ａ） 第８図 ＣＢ） 記禄層の厚ご（′Ａ） 第９図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基材上に、第１の誘電体層、光吸収性の記録層、
   第２の誘電体層、さらに必要に応じて反射層を積層して
   構成された記録媒体を用い、上記光吸収性の記録層が、
   光照射により昇温し、急冷する場合と徐冷する場合にお
   いてその屈折率ｎ、及び消衰係数ｋに可逆的な差を生じ
   、かつ、その変化後のいずれの状態においても消衰係数
   ｋが２よりも大なる特性を有する厚さ５０〜３００Åの
   薄膜で構成されるとともに、上記各層の膜厚を記録層の
   膜厚に応じて記録再生及び消去に用いるレーザー光線の
   波長において記録前後の反射率変化及び吸収率が最大と
   なるように選ぶことを特徴とする可逆的光学情報記録再
   生方法。
2. （２）記録層が、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｕを主成分とし、必要
   に応じてＯ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｐｂの中から選
   ばれる添加物を含んだ系で構成されることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の可逆的光学情報記録再生方
   法。
3. （３）誘電体層が、比較的熱伝達率の小さい物質として
   ＺｎＳｅ、ＺｎＳの中から選ばれる物質を用いて構成さ
   れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の可逆
   的光学情報記録再生方法。
4. （４）誘電体層が比較的熱伝達率の高い物質としてＳｉ
   Ｃを用いて構成されることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の可逆的光学情報記録再生方法。
5. （５）記録時は光照射パワーを高めて照射部を溶融させ
   た後急冷し、消去時は光照射パワーを高めて照射部を溶
   融させた後、直ちに光照射パワーを低くして照射を行な
   い徐冷する方法を適用することを特徴とする特許請求の
   範囲第１項又は第４項記載の可逆的光学情報記録再生方
   法。