JPH04134644A - 光学情報記録部材 - Google Patents
光学情報記録部材Info
- Publication number
- JPH04134644A JPH04134644A JP2255831A JP25583190A JPH04134644A JP H04134644 A JPH04134644 A JP H04134644A JP 2255831 A JP2255831 A JP 2255831A JP 25583190 A JP25583190 A JP 25583190A JP H04134644 A JPH04134644 A JP H04134644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- recording layer
- thickness
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 34
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 33
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 33
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 13
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 97
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 nitride salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241000345998 Calamus manan Species 0.000 description 1
- 229910021570 Manganese(II) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021587 Nickel(II) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L difluoromanganese Chemical compound F[Mn]F CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- DBJLJFTWODWSOF-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) fluoride Chemical compound F[Ni]F DBJLJFTWODWSOF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000005324 oxide salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 235000012950 rattan cane Nutrition 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザー光線等の光学的手段を用いて情報を高
密度かつ高速に記録 再生および書換えを行う光学情報
記録部材に関するものであム従来の技術 レーザー光線等を利用して光デイスク上に高密度な情報
の記録再生を行う技術は公知であり、現在文書ファイノ
ｋ 静止画ファイノｋ コンピュータ用外部メモリ等へ
の応用が行われていも また書換え可能型の情報記録シ
ステムの研究開発も進められており、その中の一つに相
変化光ディスクがあム 相変化光ディスクは記録層がレ
ーザー光線の照射によってアモルファスと結晶間（ある
いは結晶とさらに異なる構造の結晶間）で可逆的に状態
変化を起こすことを利用して信号を記録 消去するもの
である。状態変化をつかさどる記録物質としてはＴｅ、
Ｓｅ、 Ｉｎ、 Ｓｂの合金が主に用いられていも
これらの物質では加熱して溶融した後急冷することでア
モルファス状態となり、アモルファス状態を加熱して結
晶化温度以上に保つ力＼ あるいは溶融した後徐冷する
ことにより結晶状態となる。
密度かつ高速に記録 再生および書換えを行う光学情報
記録部材に関するものであム従来の技術 レーザー光線等を利用して光デイスク上に高密度な情報
の記録再生を行う技術は公知であり、現在文書ファイノ
ｋ 静止画ファイノｋ コンピュータ用外部メモリ等へ
の応用が行われていも また書換え可能型の情報記録シ
ステムの研究開発も進められており、その中の一つに相
変化光ディスクがあム 相変化光ディスクは記録層がレ
ーザー光線の照射によってアモルファスと結晶間（ある
いは結晶とさらに異なる構造の結晶間）で可逆的に状態
変化を起こすことを利用して信号を記録 消去するもの
である。状態変化をつかさどる記録物質としてはＴｅ、
Ｓｅ、 Ｉｎ、 Ｓｂの合金が主に用いられていも
これらの物質では加熱して溶融した後急冷することでア
モルファス状態となり、アモルファス状態を加熱して結
晶化温度以上に保つ力＼ あるいは溶融した後徐冷する
ことにより結晶状態となる。
アモルファスと結晶では反射率が異なるためこれを光学
的に検出して情報の再生を行う。
的に検出して情報の再生を行う。
相変化光ディスクの構造としては記録層を誘電体物質か
らなる保護層でサンドイッチして基板上に設けた３層構
造と、さらにその上に反射層を設けた４層構造が一般的
であも ３層構造では記録層の層厚は結晶状態とアモルファス状
態間の反射率変化が大きくなるように７０ｎｍから１２
０ｎｍ程度の範囲で形成されるのが一般的であ４ また
４層構造では誘電体と反射層によるエンハンス効果を利
用するた敦 層厚は２０ｎｍから５０ｎｍの範囲で形成
されるのが一般的であも発明が解決しようとする課題 相変化光ディスクに要求される特性の一つに記録・消去
感度が高いことが上げられも これは低パワーのレーサ
ー照射によって信号の記録・消去が行えるということで
あり、記録装置の価格を低くできるということを意味す
４ 最も大きなレーザーパワーを必要とするのは、 た
とえばアモルファスと結晶の間で状態変化を起こす媒体
では、 結晶からアモルファスへ変化させる場合（一般
的には信号の記録過程）であム アモルファスは加熱し
て溶融した後急冷することで得られるためであも しか
しアモルファス化しやすい媒体は結晶化しにくいのが一
般的であり、信号の消去が困難であっ九 そこで結晶化
感度の高い媒体を用いて消去感度を確保した上で、記録
時には大きなレーザーパワーを投入して信号を記録する
という手段がとられてき九 つまり大きな出力のレーザ
ーが必要であるという課題があった 本発明は上記課題を解決する光学情報記録部材を提供す
ることを目的とすム 課題を解決するための手段 基板上？ミ 誘電体層 記録層 誘電体層 反射層の順
もしく１よ 反射層 誘電体層 記録層 誘電体層の順
に設けた光学情報記録部材であって、記録層はレーザー
光線等の照射によって光学的に識別可能な状態間で可逆
的に変化し かつ層厚が１ｎｍ以上１０ｒ＋ｍ以下とす
４ さらには前記記録層を、ガラス基板上に８０ｎｍの膜厚
で設けた場合！；； １００ｎｓ以下のレーザー光線
の照射によって可逆的な状態変化が可能である材料とす
ム 作用 基板上番へ 誘電体層 記録層 誘電体層 反射層の
順もしく（上 反射層 誘電体層 記録層 誘電体層の
順に設けた光学情報記録部材で（上 記録層の層厚を１
ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることでアモルファス化パワ
ーを小さくできるた数 記録感度が向上すム この作用ζよ ガラス基板上に８０ｎｍの膜厚で設けた
場合番へ １００ｎｓ以下のレーザー光線の照射によっ
て可逆的な状態変化が可能である材料を記録層として用
いた場合に特に大きｔ、％ 実施例 相変化光ディスクにおいて、記録感度は記録装置に要求
される半導体レーザーの出力を決定する大きな要因にな
る。半導体レーザーは出力が大きくなるほど高価になる
た八 光ディスクの感度を上げることが記録装置の価格
低減に不可欠な要因となる。
らなる保護層でサンドイッチして基板上に設けた３層構
造と、さらにその上に反射層を設けた４層構造が一般的
であも ３層構造では記録層の層厚は結晶状態とアモルファス状
態間の反射率変化が大きくなるように７０ｎｍから１２
０ｎｍ程度の範囲で形成されるのが一般的であ４ また
４層構造では誘電体と反射層によるエンハンス効果を利
用するた敦 層厚は２０ｎｍから５０ｎｍの範囲で形成
されるのが一般的であも発明が解決しようとする課題 相変化光ディスクに要求される特性の一つに記録・消去
感度が高いことが上げられも これは低パワーのレーサ
ー照射によって信号の記録・消去が行えるということで
あり、記録装置の価格を低くできるということを意味す
４ 最も大きなレーザーパワーを必要とするのは、 た
とえばアモルファスと結晶の間で状態変化を起こす媒体
では、 結晶からアモルファスへ変化させる場合（一般
的には信号の記録過程）であム アモルファスは加熱し
て溶融した後急冷することで得られるためであも しか
しアモルファス化しやすい媒体は結晶化しにくいのが一
般的であり、信号の消去が困難であっ九 そこで結晶化
感度の高い媒体を用いて消去感度を確保した上で、記録
時には大きなレーザーパワーを投入して信号を記録する
という手段がとられてき九 つまり大きな出力のレーザ
ーが必要であるという課題があった 本発明は上記課題を解決する光学情報記録部材を提供す
ることを目的とすム 課題を解決するための手段 基板上？ミ 誘電体層 記録層 誘電体層 反射層の順
もしく１よ 反射層 誘電体層 記録層 誘電体層の順
に設けた光学情報記録部材であって、記録層はレーザー
光線等の照射によって光学的に識別可能な状態間で可逆
的に変化し かつ層厚が１ｎｍ以上１０ｒ＋ｍ以下とす
４ さらには前記記録層を、ガラス基板上に８０ｎｍの膜厚
で設けた場合！；； １００ｎｓ以下のレーザー光線
の照射によって可逆的な状態変化が可能である材料とす
ム 作用 基板上番へ 誘電体層 記録層 誘電体層 反射層の
順もしく（上 反射層 誘電体層 記録層 誘電体層の
順に設けた光学情報記録部材で（上 記録層の層厚を１
ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることでアモルファス化パワ
ーを小さくできるた数 記録感度が向上すム この作用ζよ ガラス基板上に８０ｎｍの膜厚で設けた
場合番へ １００ｎｓ以下のレーザー光線の照射によっ
て可逆的な状態変化が可能である材料を記録層として用
いた場合に特に大きｔ、％ 実施例 相変化光ディスクにおいて、記録感度は記録装置に要求
される半導体レーザーの出力を決定する大きな要因にな
る。半導体レーザーは出力が大きくなるほど高価になる
た八 光ディスクの感度を上げることが記録装置の価格
低減に不可欠な要因となる。
相変化光ディスクの場合、記録感度とは安定相から準安
定相への状態変化に必要なレーザーの出力であり、結晶
とアモルファスの間の状態変化を利用する場合、結晶か
らアモルファスへの状態変化に必要なアモルファス化パ
ワーをいう。したがって記録感度を向上させるにはアモ
ルファス化しやすい材料で記録膜を構成刷ればよし〜
しかしなか収 アモルファス化しやすい材料は 逆に結
晶化しにくいことが多１．％ つまりアモルファスか
ら結晶への相変化に時間を要するた敦 信号の消去が不
十分になって、大きな消し残りを生じてしまう。そこで
結晶化速度が十分に速い打器 たとえばＧｅ５ｂＴａ、
Ｉｎ５ｂＴｅ等を用いて消去特性を向上させて、信
号の記録は大きなレーザーパワーを投入することにより
おこなわれも つまり記録感度が悪く、大きな出力の半
導体レーザーが必要となり、記録装置の価格が高くなっ
てしまう。
定相への状態変化に必要なレーザーの出力であり、結晶
とアモルファスの間の状態変化を利用する場合、結晶か
らアモルファスへの状態変化に必要なアモルファス化パ
ワーをいう。したがって記録感度を向上させるにはアモ
ルファス化しやすい材料で記録膜を構成刷ればよし〜
しかしなか収 アモルファス化しやすい材料は 逆に結
晶化しにくいことが多１．％ つまりアモルファスか
ら結晶への相変化に時間を要するた敦 信号の消去が不
十分になって、大きな消し残りを生じてしまう。そこで
結晶化速度が十分に速い打器 たとえばＧｅ５ｂＴａ、
Ｉｎ５ｂＴｅ等を用いて消去特性を向上させて、信
号の記録は大きなレーザーパワーを投入することにより
おこなわれも つまり記録感度が悪く、大きな出力の半
導体レーザーが必要となり、記録装置の価格が高くなっ
てしまう。
そこで発明者らは結晶化速度が速い材料を用いた場合に
おいても良好な記録感度を示す記録媒体を得る手段につ
いて検討した結果 特定層厚の記録層を誘電体でサンド
イッチレ さらに反射層設けた構造とすることで、消去
特性をあまり低下させることな（、記録感度を大きくで
きることを見いだした 以下図面を用いて本発明の詳細な説明すも第１図に本発
明による光学情報記録部材の基本的構造を示す。 １は
基板 ２は記録層であも 基板１としては金入 ガラス
樹脂等が使用可能である力士 一般的には透明なガラ
ス 石見 ポリカーボネート、ポリメチルメタアクリレ
ート等が用いられも 記録層２は相変化物質として一般
的に知られているものが使用できも すなわ杖 アモル
ファスと結晶阻 あるいは結晶とさらに異なる結晶間で
状態変化を起こすＴｅ、 Ｓｅ、 Ｓｂ、 Ｉｎ、 Ｇ
ｅ等の合金であａ しかしなか収 後述するように記録
感度を向上させるという効果は材料組成によって異なり
、特に効果が大きいのＩｔ Ｇｅ５ｂＴｅ、Ｉｎ５ｂ
Ｔｅ、ＧａＳｂ、 ＩｎＧａＳｂ、 Ｇｅ５ｎＴｅ、
Ａｇ５ｂＴｅのいずれかの合金を用いた場合であっ九
３は誘電体層であり、半金属の酸化塩 窒化塩 カルコ
ゲン化法 フッ化法 炭化物等が使用でき、さらにはこ
れらを混合して用いてもよｔ〜 具体的には５ｉ０２．
Ｓｉｎ、 Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ２，Ｉｎ２Ｏ３、Ｔｅ
Ｏ２，ＴｉＯ２，ＭｏＯ３，１０３，ＺｒＯ２，Ｓｉ３
Ｎ４ 、 ＡＩＮ、 ＢＮ、 ＴｉＮ、 ＺｎＳ、 Ｃ
ｄＳ、 ＣｄＳｅ、 Ｚｎ５ｅ、 ＺｎＴｅ、 ＡｇＦ
、 ＰｂＦ２． ＭｎＦ２． ＮｉＦ２． ＳｉＣの単
体あるいはこれらの混合物等であ２１ｏ４は反射膜であ
って、金属薄膜で構成され 材料としては例えばＡｕ、
Ａｌ、 Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｃｒ等の単体あるいはこれ
らの合金を用いることができも 本発明による最大の特徴は記録層を誘電体層でサンドイ
ッチしてさらに反射膜を設（す、かつ記録層の層厚を１
ｎｍ以上１０ｎｍ以下に特定したことにあも層厚を１０
ｎｍより小さくしていくと、記録感度は向上しはじＷ％
５ｎｍあたりにピークを時板 さらに薄くすると逆
に低下を始めも 記録感度は膜厚が５ｎｍ近傍で層厚が
１０ｎｍを越える場合に比べて最高で３０％以上向上し
た このように記録感度が向上した原因は以下の２つが
考えられも 一つ６上 記録層が非常に薄くて熱容量が小さいにも係
わら哄 反射層を設けてレーザー光の吸収率を高めてい
るた取 記録層が昇温しやすくなっており低いパワーで
融点に達することができ、また熱容量が小さいために記
録膜は冷却されやすく、アモルファス化しやすくなって
いためと考えられも もう一つは結晶化速度の低下（結晶化時間の長期化）で
あも 結晶化速度が速い場合に記録層は溶融後冷却され
る過程において結晶化してしまいアモルファス化されに
くくなる力士 本発明による構造にしたことにより結晶
化速度が遅くなり結果としてアモルファス化しやすくな
ったものと考えられふ な叙 結晶化速度が遅くなった
原因は記録層が薄くなったことにより原子の動き易さが
制限されてい４ などが考えられる力士 詳細は不明で
あも 実際には上記二つの原因の相乗効果により記録感度が向
上したものと考えられる力交 従来結晶化速度が速いと
されていた材料はど有効であることを考えると、後者の
作用によるところが大きいものと思われも まＬ ５ｎｍ以下において記録感度が低下するのζよ
記録層が薄いためレーザー光の吸収率が低下するためと
考えられも な耘 以下の具体的実施例においては レーザー光は基
板側から照射したた数 基板上に誘電体層 記録層 誘
電体層 反射層の順に積層したカミ基板と反対側から照
射する場合に４！ 基板上に反射層 誘電体層 記録
層 誘電体層の順に積層すればよ（一 実施例１ 最初に記録層厚とアモルファス化感度および結晶化時間
の関係について示す。１２ｘ１８ｍｍのアクリル（ＰＭ
ＭＡ）基板上に誘電体層 記録層 誘電体層 反射層の
順に真空蒸着法により成膜してサンプルとしｋ ここで
記録層厚のみ変化させて記録層厚とアモルファス化感度
および結晶化時間の関係を調べた 誘電体層としては２
０ｍｏ１％の割合で８１０２を添加したＺｎＳを採用し
層厚は基板側が１１００ｎ。
おいても良好な記録感度を示す記録媒体を得る手段につ
いて検討した結果 特定層厚の記録層を誘電体でサンド
イッチレ さらに反射層設けた構造とすることで、消去
特性をあまり低下させることな（、記録感度を大きくで
きることを見いだした 以下図面を用いて本発明の詳細な説明すも第１図に本発
明による光学情報記録部材の基本的構造を示す。 １は
基板 ２は記録層であも 基板１としては金入 ガラス
樹脂等が使用可能である力士 一般的には透明なガラ
ス 石見 ポリカーボネート、ポリメチルメタアクリレ
ート等が用いられも 記録層２は相変化物質として一般
的に知られているものが使用できも すなわ杖 アモル
ファスと結晶阻 あるいは結晶とさらに異なる結晶間で
状態変化を起こすＴｅ、 Ｓｅ、 Ｓｂ、 Ｉｎ、 Ｇ
ｅ等の合金であａ しかしなか収 後述するように記録
感度を向上させるという効果は材料組成によって異なり
、特に効果が大きいのＩｔ Ｇｅ５ｂＴｅ、Ｉｎ５ｂ
Ｔｅ、ＧａＳｂ、 ＩｎＧａＳｂ、 Ｇｅ５ｎＴｅ、
Ａｇ５ｂＴｅのいずれかの合金を用いた場合であっ九
３は誘電体層であり、半金属の酸化塩 窒化塩 カルコ
ゲン化法 フッ化法 炭化物等が使用でき、さらにはこ
れらを混合して用いてもよｔ〜 具体的には５ｉ０２．
Ｓｉｎ、 Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ２，Ｉｎ２Ｏ３、Ｔｅ
Ｏ２，ＴｉＯ２，ＭｏＯ３，１０３，ＺｒＯ２，Ｓｉ３
Ｎ４ 、 ＡＩＮ、 ＢＮ、 ＴｉＮ、 ＺｎＳ、 Ｃ
ｄＳ、 ＣｄＳｅ、 Ｚｎ５ｅ、 ＺｎＴｅ、 ＡｇＦ
、 ＰｂＦ２． ＭｎＦ２． ＮｉＦ２． ＳｉＣの単
体あるいはこれらの混合物等であ２１ｏ４は反射膜であ
って、金属薄膜で構成され 材料としては例えばＡｕ、
Ａｌ、 Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｃｒ等の単体あるいはこれ
らの合金を用いることができも 本発明による最大の特徴は記録層を誘電体層でサンドイ
ッチしてさらに反射膜を設（す、かつ記録層の層厚を１
ｎｍ以上１０ｎｍ以下に特定したことにあも層厚を１０
ｎｍより小さくしていくと、記録感度は向上しはじＷ％
５ｎｍあたりにピークを時板 さらに薄くすると逆
に低下を始めも 記録感度は膜厚が５ｎｍ近傍で層厚が
１０ｎｍを越える場合に比べて最高で３０％以上向上し
た このように記録感度が向上した原因は以下の２つが
考えられも 一つ６上 記録層が非常に薄くて熱容量が小さいにも係
わら哄 反射層を設けてレーザー光の吸収率を高めてい
るた取 記録層が昇温しやすくなっており低いパワーで
融点に達することができ、また熱容量が小さいために記
録膜は冷却されやすく、アモルファス化しやすくなって
いためと考えられも もう一つは結晶化速度の低下（結晶化時間の長期化）で
あも 結晶化速度が速い場合に記録層は溶融後冷却され
る過程において結晶化してしまいアモルファス化されに
くくなる力士 本発明による構造にしたことにより結晶
化速度が遅くなり結果としてアモルファス化しやすくな
ったものと考えられふ な叙 結晶化速度が遅くなった
原因は記録層が薄くなったことにより原子の動き易さが
制限されてい４ などが考えられる力士 詳細は不明で
あも 実際には上記二つの原因の相乗効果により記録感度が向
上したものと考えられる力交 従来結晶化速度が速いと
されていた材料はど有効であることを考えると、後者の
作用によるところが大きいものと思われも まＬ ５ｎｍ以下において記録感度が低下するのζよ
記録層が薄いためレーザー光の吸収率が低下するためと
考えられも な耘 以下の具体的実施例においては レーザー光は基
板側から照射したた数 基板上に誘電体層 記録層 誘
電体層 反射層の順に積層したカミ基板と反対側から照
射する場合に４！ 基板上に反射層 誘電体層 記録
層 誘電体層の順に積層すればよ（一 実施例１ 最初に記録層厚とアモルファス化感度および結晶化時間
の関係について示す。１２ｘ１８ｍｍのアクリル（ＰＭ
ＭＡ）基板上に誘電体層 記録層 誘電体層 反射層の
順に真空蒸着法により成膜してサンプルとしｋ ここで
記録層厚のみ変化させて記録層厚とアモルファス化感度
および結晶化時間の関係を調べた 誘電体層としては２
０ｍｏ１％の割合で８１０２を添加したＺｎＳを採用し
層厚は基板側が１１００ｎ。
反射層側が２５ｎｍであも 記録層の組成はＧｅ１４Ｓ
ｂ２９Ｔ５７を用いた力（これらはａｓ−ｄｅｐｏ状態
ではアモルファスである。記録層厚は１ｎｍから４０ｎ
ｍまで変化させた 反射層はＡｕであり、層厚は５０ｎ
ｍとしな 作製したサンプルはすべて結晶化時間とアモルファス化
感度を測定した 結晶化時間は 上記サンプルに波長限
界まで絞り込んだ８３０ｎｍのレーザーパルスをパルス
幅とパワーを変えながら照射した丸 反射率変化の有無
を測定し 結晶化が初めて観測されたパルス幅をもって
定義すも 結晶化が開始するパルス幅はパワーが強くな
ると短くなるものへ あるパワー以上では結晶化する前
に記録膜が溶融するようになるた数 結晶化しなくな４
したがってここで定義した結晶化時間はパワーに係わら
ず最も早く結晶化が確認されたパルス幅をい う。
ｂ２９Ｔ５７を用いた力（これらはａｓ−ｄｅｐｏ状態
ではアモルファスである。記録層厚は１ｎｍから４０ｎ
ｍまで変化させた 反射層はＡｕであり、層厚は５０ｎ
ｍとしな 作製したサンプルはすべて結晶化時間とアモルファス化
感度を測定した 結晶化時間は 上記サンプルに波長限
界まで絞り込んだ８３０ｎｍのレーザーパルスをパルス
幅とパワーを変えながら照射した丸 反射率変化の有無
を測定し 結晶化が初めて観測されたパルス幅をもって
定義すも 結晶化が開始するパルス幅はパワーが強くな
ると短くなるものへ あるパワー以上では結晶化する前
に記録膜が溶融するようになるた数 結晶化しなくな４
したがってここで定義した結晶化時間はパワーに係わら
ず最も早く結晶化が確認されたパルス幅をい う。
また アモルファス化感度は結晶化時間と同様の装置で
測定したカミ この場合は一定のパルス幅のレーサーパ
ルスを結晶状態に照射したときにアモルファス化に必要
な最小のパワーで定義し九第２図に記録層厚と結晶化時
間およびアモルファス化感度の関係を示す。記録層厚が
１Ｏｎ＋ｎより厚いところではアモルファス化感度およ
び結晶化時間は共に一定である力＜、 １０ｎｍ以下
の領域では結晶化時間が長くなると同時にアモルファス
化パワーが低下すべ つまり記録感度が高くなることか
分かも 記録パワーは記録層厚を薄くしていくと１０ｎ
ｍで低下しはじＷ） ８ｎｍで大きく低下Ｌ５ｎｍあ
たりで最小になム これは結晶化時間が長くなる現象と
同時に起きていることか収 結晶化速度が遅くなること
によって、アモルファス化しやすくなったことが最大の
原因と考えられも 記録層厚をさらに薄くするとアモル
ファス化パワーは逆に増加しはじＷｚ ３Ｂ１を越え
ると急激に大きくなる。これは記録層厚が薄くなるため
に記録層に吸収されるパワーが減少するためと考えられ
る。
測定したカミ この場合は一定のパルス幅のレーサーパ
ルスを結晶状態に照射したときにアモルファス化に必要
な最小のパワーで定義し九第２図に記録層厚と結晶化時
間およびアモルファス化感度の関係を示す。記録層厚が
１Ｏｎ＋ｎより厚いところではアモルファス化感度およ
び結晶化時間は共に一定である力＜、 １０ｎｍ以下
の領域では結晶化時間が長くなると同時にアモルファス
化パワーが低下すべ つまり記録感度が高くなることか
分かも 記録パワーは記録層厚を薄くしていくと１０ｎ
ｍで低下しはじＷ） ８ｎｍで大きく低下Ｌ５ｎｍあ
たりで最小になム これは結晶化時間が長くなる現象と
同時に起きていることか収 結晶化速度が遅くなること
によって、アモルファス化しやすくなったことが最大の
原因と考えられも 記録層厚をさらに薄くするとアモル
ファス化パワーは逆に増加しはじＷｚ ３Ｂ１を越え
ると急激に大きくなる。これは記録層厚が薄くなるため
に記録層に吸収されるパワーが減少するためと考えられ
る。
従って、この実施例から記録層厚を１０ｎｍ以下にする
と記録感度が向上すること、特に３ｎｍ以上８ｎｍ以下
で大きく向上Ｌ５ｎｍ近傍で記録パワーは最小値になる
ことが分かも な耘 本実施例では記録層組成としてＧｅ１４Ｓｂ２９
Ｔ５７を用いた場合について示した力＜、 Ｇｅ５ｂ
Ｔｅの３元系の別の組成を用いた場合でＬ あるいは異
なる材料系を用いた場合でＬ その割合は違ってＬ約１
０ηｍ以下において記録感度は向上しへ その場合でも
記録感度が最大になるのは記録層厚が約５ｎ幻近傍であ
った 次に本発明による記録感度の向上方法がどの様な材料に
特に有効であるかを調べるために以下のような実験を行
っ九 実施例２ それぞれの材料が本発明による構造にしたとき、どの程
度記録感度が向上するかを明らかにするたべ ２種類の
構造のサンプルを作製し九 一つは１２ｘ１８ｎｍのガ
ラス基板上に記録層を直接８０ｎｍ設けた構造であり、
もう一つは１２ｘ１８ｍｍのアクリル基板上に誘電体層
１１００ｎ、 記録層５ｎ［ｎ、誘電体層２５ｎ取 反
射層５０ｎｍの順に設けた構造であム 成膜はすべて真
空蒸着法により行っ九 誘電体層 反射層の材料は実施
例１と同じとじへ この２種類のサンプルにおいて実施
例１と同様の方法で結晶化時間とアモルファス化感度を
求めｋ （結晶と異なる構造の結晶間で状態変化を起こ
す材料では準安定な結晶から安定な結晶への転移時間と
、安定な結晶から準安定な結晶への転移に必要なパワー
が記しである） 第１表に記録層組成と結晶化時間の関
係を、第２表に記録層組成とアモルファス化パワーの関
係を示す。
と記録感度が向上すること、特に３ｎｍ以上８ｎｍ以下
で大きく向上Ｌ５ｎｍ近傍で記録パワーは最小値になる
ことが分かも な耘 本実施例では記録層組成としてＧｅ１４Ｓｂ２９
Ｔ５７を用いた場合について示した力＜、 Ｇｅ５ｂ
Ｔｅの３元系の別の組成を用いた場合でＬ あるいは異
なる材料系を用いた場合でＬ その割合は違ってＬ約１
０ηｍ以下において記録感度は向上しへ その場合でも
記録感度が最大になるのは記録層厚が約５ｎ幻近傍であ
った 次に本発明による記録感度の向上方法がどの様な材料に
特に有効であるかを調べるために以下のような実験を行
っ九 実施例２ それぞれの材料が本発明による構造にしたとき、どの程
度記録感度が向上するかを明らかにするたべ ２種類の
構造のサンプルを作製し九 一つは１２ｘ１８ｎｍのガ
ラス基板上に記録層を直接８０ｎｍ設けた構造であり、
もう一つは１２ｘ１８ｍｍのアクリル基板上に誘電体層
１１００ｎ、 記録層５ｎ［ｎ、誘電体層２５ｎ取 反
射層５０ｎｍの順に設けた構造であム 成膜はすべて真
空蒸着法により行っ九 誘電体層 反射層の材料は実施
例１と同じとじへ この２種類のサンプルにおいて実施
例１と同様の方法で結晶化時間とアモルファス化感度を
求めｋ （結晶と異なる構造の結晶間で状態変化を起こ
す材料では準安定な結晶から安定な結晶への転移時間と
、安定な結晶から準安定な結晶への転移に必要なパワー
が記しである） 第１表に記録層組成と結晶化時間の関
係を、第２表に記録層組成とアモルファス化パワーの関
係を示す。
第１表および第２表か収 全での材料において、本発明
の構成に基づいた記録層の薄膜化により、結晶化時間の
長期化とアモルファス化パワーの低下が起こることが分
かも その中でアモルファス化パワーの低下ということ
に注目した場合、Ｇａ５０Ｓｂ５Ｑ、 Ａｇ２５Ｓｂ
２５Ｔｅ５Ｑ、 Ｉｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３３． Ｇ
ｅ１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７、Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５．
Ｇｅ４０ＳｎｌＯＴｅ５０ではその割合が大きく、
５ｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＱ、 Ｇｅ５０Ｔｅ４０Ｓ
ｅｌＱ、Ｉｎ５０Ｓｂ５０゜Ｔｅ６０Ｇｅ５ＳｎｌＯＡ
ｕ２５では小さいことが分かも この原因としては第１
表に示したようく 膜厚が厚くても結晶化時間が長いも
へ すなわち結晶化速度が遅いもの４友 元々アモルフ
ァス化しやすいためにあえて薄膜化しなくても低いパワ
ーでアモルファス化できるため版 本発明による効果は
少ないカミ膜厚が厚いときに結晶化速度が速いものは、
薄膜化することで結晶化速度が遅くなり低いパワーで
アモルファス化できるようになるために 本発明による
効果が大きいものと思われも すなわ板 本実施例か社 本発明に用いて特に有効な記
録層材料の特性といては、 記録層をガラス基板上に８
０ｎｍの膜厚で直接設けた場合へ１００ｎＳ以下のレー
ザー光線の照射によって可逆的な状態変化が可能である
こと、と定義付けることができも 具体的材料としてｉ
ｔ Ｇｅ５ｂＴｅ、Ｉｎ５ｂＴｅ、ＧａＳｂ、ＩｎＧ
ａ５ｂ、 Ｇｅ５ｎＴｅ、 Ａｇ５ｂＴｅのいずれかの
合金を主成分とするものであ４ 記録層組成 Ｇａ５０Ｓｂ５０ Ａｇ２５Ｓｂ２５Ｔｅ５０ Ｉｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３３ Ｇｅ１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７ Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５ Ｇｅ４０ＳｎｌＯＴｅ５０ Ｓｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＯ Ｇｅ５０Ｔｅ４０ＳｅｌＧ ａ５０Ｓｂ５０Ａ 第 １ 表 結晶化時間（ｎｓ） （以下余白） 記録層組成 第 ２ 表 アモルファス化へ°ワー（ｍＷ） Ｇａ５０Ｓｂ５０ Ａｇ２５Ｓｂ２５Ｔｅ５０ Ｉｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３３ Ｇｅ１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７ Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５ Ｇｅ４０ＳｎｌＯＴｅ５０ Ｓｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＯ Ｇｅ５０Ｔｅ４０ＳｅｌＯ Ｉｎ５０Ｓｂ５０ （以下余白） 発明の効果 本発明によゑ 基板上盛ミ 誘電体層 記録籐誘電体層
反射層の順もしく（上 反射層 誘電体層 記録層
誘電体層の順に設置す、かつ記録層の層厚を１ｎｍ以上
１０ｎｍ以下とすることでアモルファス化パワーを小さ
くできるた数 記録感度が向上すム したがって、記録
装置に搭載する半導体レーザーの出力を小さくすること
ができ、結果として記録装置を低価格にすることができ
も
の構成に基づいた記録層の薄膜化により、結晶化時間の
長期化とアモルファス化パワーの低下が起こることが分
かも その中でアモルファス化パワーの低下ということ
に注目した場合、Ｇａ５０Ｓｂ５Ｑ、 Ａｇ２５Ｓｂ
２５Ｔｅ５Ｑ、 Ｉｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３３． Ｇ
ｅ１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７、Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５．
Ｇｅ４０ＳｎｌＯＴｅ５０ではその割合が大きく、
５ｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＱ、 Ｇｅ５０Ｔｅ４０Ｓ
ｅｌＱ、Ｉｎ５０Ｓｂ５０゜Ｔｅ６０Ｇｅ５ＳｎｌＯＡ
ｕ２５では小さいことが分かも この原因としては第１
表に示したようく 膜厚が厚くても結晶化時間が長いも
へ すなわち結晶化速度が遅いもの４友 元々アモルフ
ァス化しやすいためにあえて薄膜化しなくても低いパワ
ーでアモルファス化できるため版 本発明による効果は
少ないカミ膜厚が厚いときに結晶化速度が速いものは、
薄膜化することで結晶化速度が遅くなり低いパワーで
アモルファス化できるようになるために 本発明による
効果が大きいものと思われも すなわ板 本実施例か社 本発明に用いて特に有効な記
録層材料の特性といては、 記録層をガラス基板上に８
０ｎｍの膜厚で直接設けた場合へ１００ｎＳ以下のレー
ザー光線の照射によって可逆的な状態変化が可能である
こと、と定義付けることができも 具体的材料としてｉ
ｔ Ｇｅ５ｂＴｅ、Ｉｎ５ｂＴｅ、ＧａＳｂ、ＩｎＧ
ａ５ｂ、 Ｇｅ５ｎＴｅ、 Ａｇ５ｂＴｅのいずれかの
合金を主成分とするものであ４ 記録層組成 Ｇａ５０Ｓｂ５０ Ａｇ２５Ｓｂ２５Ｔｅ５０ Ｉｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３３ Ｇｅ１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７ Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５ Ｇｅ４０ＳｎｌＯＴｅ５０ Ｓｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＯ Ｇｅ５０Ｔｅ４０ＳｅｌＧ ａ５０Ｓｂ５０Ａ 第 １ 表 結晶化時間（ｎｓ） （以下余白） 記録層組成 第 ２ 表 アモルファス化へ°ワー（ｍＷ） Ｇａ５０Ｓｂ５０ Ａｇ２５Ｓｂ２５Ｔｅ５０ Ｉｎ５０Ｓｂ１７Ｔｅ３３ Ｇｅ１４Ｓｂ２９Ｔｅ５７ Ｉｎ５０Ｇａ２５Ｓｂ２５ Ｇｅ４０ＳｎｌＯＴｅ５０ Ｓｂ４０Ｔｅ５０ＳｅｌＯ Ｇｅ５０Ｔｅ４０ＳｅｌＯ Ｉｎ５０Ｓｂ５０ （以下余白） 発明の効果 本発明によゑ 基板上盛ミ 誘電体層 記録籐誘電体層
反射層の順もしく（上 反射層 誘電体層 記録層
誘電体層の順に設置す、かつ記録層の層厚を１ｎｍ以上
１０ｎｍ以下とすることでアモルファス化パワーを小さ
くできるた数 記録感度が向上すム したがって、記録
装置に搭載する半導体レーザーの出力を小さくすること
ができ、結果として記録装置を低価格にすることができ
も
第１図は本発明による光学情報記録部材の一例を示す断
面医 第２図は記録層厚と結晶化時間およびアモルファ
ス化パワーの関係を示す図であも１・・・基板 ２・・
・記録Ｎ！、３・・・誘電体＃ ４・・・反射層 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名 第 図 ２範φ層 トＩ４Ｉ峙トド ぜ ひ−會゛ 恰 ｇ ｌＩｇ ｉ ｔ’ｌｉ：兄
面医 第２図は記録層厚と結晶化時間およびアモルファ
ス化パワーの関係を示す図であも１・・・基板 ２・・
・記録Ｎ！、３・・・誘電体＃ ４・・・反射層 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名 第 図 ２範φ層 トＩ４Ｉ峙トド ぜ ひ−會゛ 恰 ｇ ｌＩｇ ｉ ｔ’ｌｉ：兄
Claims (5)
- （１）基板上に、誘電体層、記録層、誘電体層、反射層
の順もしくは、反射層、誘電体層、記録層、誘電体層の
順に設けた光学情報記録部材において、前記記録層はレ
ーザー光線等の照射によって光学的に識別可能な状態間
で可逆的に変化し、かつ層厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下
であることを特徴とする光学情報記録部材。 - （２）録層の層厚が３ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを
特徴とする請求項１記載の光学情報記録部材。 - （３）記録層の層厚が略５ｎｍであることを特徴とする
請求項１または２記載の光学情報記録部材。 - （４）記録層は、ガラス基板上に８０ｎｍの膜厚で設け
た場合に、１００ｎｓ以下のレーザー光線の照射によっ
て可逆的な状態変化が可能であることを特徴とする請求
項１、２または３記載の光学情報記録部材。 - （５）記録層が、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＧａＳ
ｂ、ＩｎＧａＳｂ、ＧｅＳｎＴｅ、ＡｇＳｂＴｅのいず
れかの合金を主成分とすることを特徴とする請求項１、
２、３または４記載の光学情報記録部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2255831A JPH04134644A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 光学情報記録部材 |
| US07/765,514 US5346740A (en) | 1990-09-25 | 1991-09-25 | Optical information recording medium |
| US08/067,146 US5348783A (en) | 1990-09-25 | 1993-05-26 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2255831A JPH04134644A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 光学情報記録部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134644A true JPH04134644A (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17284213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2255831A Pending JPH04134644A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04134644A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06338064A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光情報記録媒体および光学的情報記録／再生装置 |
| JPH0863781A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-08 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
| GB2274658B (en) * | 1993-01-27 | 1996-10-23 | Jenoptik Jena Gmbh | Optical store |
| US5665520A (en) * | 1994-06-13 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6166696A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ−記録媒体 |
| JPS61269247A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可逆的光学情報記録媒体および記録再生方法 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2255831A patent/JPH04134644A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6166696A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ−記録媒体 |
| JPS61269247A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可逆的光学情報記録媒体および記録再生方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2274658B (en) * | 1993-01-27 | 1996-10-23 | Jenoptik Jena Gmbh | Optical store |
| JPH06338064A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光情報記録媒体および光学的情報記録／再生装置 |
| US5665520A (en) * | 1994-06-13 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US5674649A (en) * | 1994-06-13 | 1997-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of recording information |
| JPH0863781A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-08 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2512087B2 (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
| JPH0516528A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH1173692A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH07169094A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH081707B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH0845074A (ja) | 光学的可逆記録方法 | |
| JPH08153339A (ja) | 光ディスク | |
| JPS61269247A (ja) | 可逆的光学情報記録媒体および記録再生方法 | |
| TW200421301A (en) | Method of initializing phase change optical recording medium | |
| KR100753968B1 (ko) | 다시 쓰기 가능한 광학 정보 기록매체 | |
| JP2004528673A (ja) | マルチスタック光学データー記憶媒体及びその利用 | |
| JPH04134644A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JP2003123315A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4127789B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JPH03240590A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2577349B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4272934B2 (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP4227091B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JPH04134645A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPH03152736A (ja) | 光学情報記録媒体と光学情報記録媒体用保護膜 | |
| JP3151848B2 (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| KR20050059098A (ko) | 재기록가능형 광 데이터 저장매체 및 그 매체의 용도 | |
| JP2978652B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0863781A (ja) | 相変化型光ディスク | |
| JPH10188359A (ja) | 相変化型光ディスク |