JPH0516528A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH0516528A JPH0516528A JP3335842A JP33584291A JPH0516528A JP H0516528 A JPH0516528 A JP H0516528A JP 3335842 A JP3335842 A JP 3335842A JP 33584291 A JP33584291 A JP 33584291A JP H0516528 A JPH0516528 A JP H0516528A
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 情報の高速書換えが可能であり、しかも、記
録情報を長期間に亘って保存することができる光記録媒
体を提供する。 【構成】 光、熱等の手段によりその光学的性質が可逆
的に変化する記録材料で形成された記録層を基板上に備
え、その光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生
・消去を行う光記録媒体において、上記記録材料が、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩｎの４元素を主成分とし、かつ、
Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｘ≦０．
６）との混合体に相当する組成を有する光記録媒体であ
る。
録情報を長期間に亘って保存することができる光記録媒
体を提供する。 【構成】 光、熱等の手段によりその光学的性質が可逆
的に変化する記録材料で形成された記録層を基板上に備
え、その光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生
・消去を行う光記録媒体において、上記記録材料が、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩｎの４元素を主成分とし、かつ、
Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｘ≦０．
６）との混合体に相当する組成を有する光記録媒体であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーザ光等の光ビー
ムを照射してその照射部位の光学的性質を変化させ、こ
の光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生・消去
を行う光記録媒体に係り、特に、情報の高速書換えが可
能でしかも記録情報を長期に亘って保存できる光記録媒
体の改良に関するものである。
ムを照射してその照射部位の光学的性質を変化させ、こ
の光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生・消去
を行う光記録媒体に係り、特に、情報の高速書換えが可
能でしかも記録情報を長期に亘って保存できる光記録媒
体の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光記録媒体としては『結
晶−アモルファス』間の相変化を利用して光学的記録を
行う相変化型光記録媒体が知られており、この様な相変
化型光記録媒体に使用される記録材料についてはＧｅＴ
ｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−ＣｏあるいはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
等が提案されている（特開昭６４−１４，０８３号公
報）。そして、この様な光記録媒体において、情報を記
録するには、通常、記録材料で形成された記録層上に半
導体レーザ等の光ビームを照射し、溶融後急冷してアモ
ルファス相を形成せしめ、また、記録された情報を消去
するには、記録時より低いパワーの光ビームを照射し、
所定時間結晶化温度に保持してアモルファス相を結晶相
に戻し、更に、記録された情報を再生するには、消去時
より更に低いパワーの光ビームを照射し、反射してくる
光ビームを検出するという方法で行われている。
晶−アモルファス』間の相変化を利用して光学的記録を
行う相変化型光記録媒体が知られており、この様な相変
化型光記録媒体に使用される記録材料についてはＧｅＴ
ｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−ＣｏあるいはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
等が提案されている（特開昭６４−１４，０８３号公
報）。そして、この様な光記録媒体において、情報を記
録するには、通常、記録材料で形成された記録層上に半
導体レーザ等の光ビームを照射し、溶融後急冷してアモ
ルファス相を形成せしめ、また、記録された情報を消去
するには、記録時より低いパワーの光ビームを照射し、
所定時間結晶化温度に保持してアモルファス相を結晶相
に戻し、更に、記録された情報を再生するには、消去時
より更に低いパワーの光ビームを照射し、反射してくる
光ビームを検出するという方法で行われている。
【０００３】ところで、この様な相変化型光記録媒体に
使用される記録材料については、光学系の簡素化、転送
速度の向上等を図るという観点から、その結晶化時間に
ついては比較的短いものが好ましく、また、記録された
情報を長期に亘って保存するという観点からはそのアモ
ルファス相における安定性が高いもの（すなわち、その
結晶化温度が高いもの）が好ましいとされていた。そこ
で、上述した従来の記録材料においては、この様な２つ
の条件を具備するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅが最も優れた記録材
料の１つであると考えられていた。すなわち、特開昭６
３−２２５，９３４号公報に開示されているＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅは、結晶化時間は短いがアモルファス相の安定性
が充分でないＳｂ2 Ｔｅ3 とアモルファス相の安定性は
高いが結晶化時間が長いＧｅＴｅとを混合して合成され
ており、上記Ｓｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅとの中間的な性質
を具備するものであるとされている。
使用される記録材料については、光学系の簡素化、転送
速度の向上等を図るという観点から、その結晶化時間に
ついては比較的短いものが好ましく、また、記録された
情報を長期に亘って保存するという観点からはそのアモ
ルファス相における安定性が高いもの（すなわち、その
結晶化温度が高いもの）が好ましいとされていた。そこ
で、上述した従来の記録材料においては、この様な２つ
の条件を具備するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅが最も優れた記録材
料の１つであると考えられていた。すなわち、特開昭６
３−２２５，９３４号公報に開示されているＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅは、結晶化時間は短いがアモルファス相の安定性
が充分でないＳｂ2 Ｔｅ3 とアモルファス相の安定性は
高いが結晶化時間が長いＧｅＴｅとを混合して合成され
ており、上記Ｓｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅとの中間的な性質
を具備するものであるとされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＧ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅは、上記Ｓｂ2 Ｔｅ3 に比べてアモルフ
ァス相の安定性において若干の改良は認められるもの
の、以前としてそのアモルファス相の安定性が充分では
なく、記録情報の保存寿命が比較的短いという問題があ
った。本発明は、この様な従来の問題点に着目してなさ
れたものであり、その目的とするところは、情報の高速
書換えが可能であり、しかも、記録情報を長期間に亘っ
て保存することができる光記録媒体を提供することにあ
る。
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅは、上記Ｓｂ2 Ｔｅ3 に比べてアモルフ
ァス相の安定性において若干の改良は認められるもの
の、以前としてそのアモルファス相の安定性が充分では
なく、記録情報の保存寿命が比較的短いという問題があ
った。本発明は、この様な従来の問題点に着目してなさ
れたものであり、その目的とするところは、情報の高速
書換えが可能であり、しかも、記録情報を長期間に亘っ
て保存することができる光記録媒体を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
光、熱等の手段によりその光学的性質が可逆的に変化す
る記録材料で形成された記録層を基板上に備え、その光
学的性質の変化を利用して情報の記録・再生・消去を行
う光記録媒体において、上記記録材料が、Ｇｅ、Ｓｂ、
Ｔｅ及びＩｎの４元素を主成分とし、かつ、Ｇｅ−Ｓｂ
−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｘ≦０．６）との混
合体に相当する組成を有する光記録媒体である。また、
本発明は、上記光記録媒体において、その記録材料が
（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a とＩｎ
1-x Ｔｅx （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．
５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５）との混
合体に相当する組成を有するものであり、また、その記
録材料が｛（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）
1-a ｝1-b （Ｉｎ1-x Ｔｅx ）b （０．４≦ｙ≦０．
６、０．３≦ｚ≦０．５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１
≦ａ≦０．５、０．０１≦ｂ≦０．３）なる組成を有す
るものであり、更に、その記録材料が｛（ＧｅＴｅ）A
（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B 〔０．２５
≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル比）〕
なる組成を有するものである。更に、本発明は、光、熱
等の手段によりその光学的性質が可逆的に変化する記録
材料で形成された記録層を基板上に備え、その光学的性
質の変化を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記
録媒体において、上記記録材料が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及
びＩｎの４元素を主成分とし、かつ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
とＩｎ3ＳｂＴｅ2 との混合体に相当する組成を有する
光記録媒体である。
光、熱等の手段によりその光学的性質が可逆的に変化す
る記録材料で形成された記録層を基板上に備え、その光
学的性質の変化を利用して情報の記録・再生・消去を行
う光記録媒体において、上記記録材料が、Ｇｅ、Ｓｂ、
Ｔｅ及びＩｎの４元素を主成分とし、かつ、Ｇｅ−Ｓｂ
−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｘ≦０．６）との混
合体に相当する組成を有する光記録媒体である。また、
本発明は、上記光記録媒体において、その記録材料が
（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a とＩｎ
1-x Ｔｅx （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．
５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５）との混
合体に相当する組成を有するものであり、また、その記
録材料が｛（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）
1-a ｝1-b （Ｉｎ1-x Ｔｅx ）b （０．４≦ｙ≦０．
６、０．３≦ｚ≦０．５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１
≦ａ≦０．５、０．０１≦ｂ≦０．３）なる組成を有す
るものであり、更に、その記録材料が｛（ＧｅＴｅ）A
（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B 〔０．２５
≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル比）〕
なる組成を有するものである。更に、本発明は、光、熱
等の手段によりその光学的性質が可逆的に変化する記録
材料で形成された記録層を基板上に備え、その光学的性
質の変化を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記
録媒体において、上記記録材料が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及
びＩｎの４元素を主成分とし、かつ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
とＩｎ3ＳｂＴｅ2 との混合体に相当する組成を有する
光記録媒体である。
【０００６】本発明において、上記Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅと
しては、２つの化学量論的化合物であるＧｅＴｅとＳｂ
2 Ｔｅ3 との混合体に相当する組成を有する材料、例え
ばＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 とをモル比２：１で混合した
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 や、ＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 とＳｂ
との混合体に相当する組成を有する材料等が挙げられ
る。このＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅについては、特に図４に示す
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成図において、斜線部に相当する
（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a （０．４
≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．５、０．１≦ａ≦０．
５）で表現される組成範囲のものが好ましい。この組成
範囲には、ＮａＣｌ型の結晶相を有する３元化合物Ｇｅ
2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 、ＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 、ＧｅＳｂ4 Ｔｅ7
等が存在し、これらはその結晶化速度が速いという性質
を有する。
しては、２つの化学量論的化合物であるＧｅＴｅとＳｂ
2 Ｔｅ3 との混合体に相当する組成を有する材料、例え
ばＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 とをモル比２：１で混合した
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 や、ＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 とＳｂ
との混合体に相当する組成を有する材料等が挙げられ
る。このＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅについては、特に図４に示す
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成図において、斜線部に相当する
（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a （０．４
≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．５、０．１≦ａ≦０．
５）で表現される組成範囲のものが好ましい。この組成
範囲には、ＮａＣｌ型の結晶相を有する３元化合物Ｇｅ
2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 、ＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 、ＧｅＳｂ4 Ｔｅ7
等が存在し、これらはその結晶化速度が速いという性質
を有する。
【０００７】一方、上記Ｉｎ1-x Ｔｅx としては、代表
的には化学量論的化合物であるＩｎＴｅが挙げられ、ま
たこれに加えて、このＩｎＴｅを中心とし、かつ、この
ＩｎＴｅの結晶構造が保持されてこのＩｎＴｅとほぼ同
様の性質を示す組成物、例えばＩｎ2 Ｔｅ3 等、そのｘ
の値が０．４≦ｘ≦０．６の範囲内にあるＩｎ1-x Ｔｅ
xが挙げられる。
的には化学量論的化合物であるＩｎＴｅが挙げられ、ま
たこれに加えて、このＩｎＴｅを中心とし、かつ、この
ＩｎＴｅの結晶構造が保持されてこのＩｎＴｅとほぼ同
様の性質を示す組成物、例えばＩｎ2 Ｔｅ3 等、そのｘ
の値が０．４≦ｘ≦０．６の範囲内にあるＩｎ1-x Ｔｅ
xが挙げられる。
【０００８】これらＧｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx
（０．４≦ｘ≦０．６）との混合体に相当する組成を有
する記録材料として、好ましいのは、（Ｇｅy Ｔ
ｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a とＩｎ1-x Ｔｅ
x （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．５、０．４
≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５）との混合体に相当
する組成を有するものであり、結晶化時間をより短い範
囲、例えば１００ｎｓ以下に維持しつつその結晶化温度
を高くしてアモルファス相の安定性を高くするという観
点から、より好ましくは、これら（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a
（Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a とＩｎ1-x Ｔｅxとが混合比
（１−ｂ）：ｂ（０．０１≦ｂ≦０．３）の割合で含ま
れているもの、すなわち、｛（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓ
ｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b （Ｉｎ1-x Ｔｅx ）b （０．
４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．５、０．４≦ｘ≦
０．６、０．１≦ａ≦０．５、０．０１≦ｂ≦０．３）
なる組成を有するものであり、更に好ましくは、｛（Ｇ
ｅＴｅ）A （Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B
〔０．２５≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５
（モル比）〕なる組成を有するものであり、このものは
図５に示す組成図においてその斜線部分に含まれる。こ
の様な組成を有する記録材料としては、例えばＧｅ2 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ5 とＩｎＴｅとを混合して得られる組成の材料
や、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＳｂとＩｎＴｅとを混合して
得られる組成の材料や、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＩｎ2 Ｔ
ｅ3 とを混合して得られる組成の材料等を挙げることが
でき、また、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＩｎ3 ＳｂＴｅ2 と
を混合して得られる組成の材料等も使用できる。なお、
特開昭６４−１４０８３号公報においては、本発明と同
じくＩｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの４元素からなる記録材料
が開示されているが、ここで開示されている記録材料は
本発明の場合とその組成範囲が異なり、本発明の光記録
媒体より結晶化速度が遅い。これは、用いられるＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅの組成が比較的結晶化速度の遅い範囲である
ことに加えて、このＧｅ−Ｓｂ−ＴｅにＩｎ単体を添加
する組成範囲で構成されていることから、ＮａＣｌ構造
が不安定化し易く、本発明より結晶化速度が遅くなるも
のと考えられる。
（０．４≦ｘ≦０．６）との混合体に相当する組成を有
する記録材料として、好ましいのは、（Ｇｅy Ｔ
ｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a とＩｎ1-x Ｔｅ
x （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．５、０．４
≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５）との混合体に相当
する組成を有するものであり、結晶化時間をより短い範
囲、例えば１００ｎｓ以下に維持しつつその結晶化温度
を高くしてアモルファス相の安定性を高くするという観
点から、より好ましくは、これら（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a
（Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a とＩｎ1-x Ｔｅxとが混合比
（１−ｂ）：ｂ（０．０１≦ｂ≦０．３）の割合で含ま
れているもの、すなわち、｛（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓ
ｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b （Ｉｎ1-x Ｔｅx ）b （０．
４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．５、０．４≦ｘ≦
０．６、０．１≦ａ≦０．５、０．０１≦ｂ≦０．３）
なる組成を有するものであり、更に好ましくは、｛（Ｇ
ｅＴｅ）A （Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B
〔０．２５≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５
（モル比）〕なる組成を有するものであり、このものは
図５に示す組成図においてその斜線部分に含まれる。こ
の様な組成を有する記録材料としては、例えばＧｅ2 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ5 とＩｎＴｅとを混合して得られる組成の材料
や、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＳｂとＩｎＴｅとを混合して
得られる組成の材料や、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＩｎ2 Ｔ
ｅ3 とを混合して得られる組成の材料等を挙げることが
でき、また、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＩｎ3 ＳｂＴｅ2 と
を混合して得られる組成の材料等も使用できる。なお、
特開昭６４−１４０８３号公報においては、本発明と同
じくＩｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの４元素からなる記録材料
が開示されているが、ここで開示されている記録材料は
本発明の場合とその組成範囲が異なり、本発明の光記録
媒体より結晶化速度が遅い。これは、用いられるＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅの組成が比較的結晶化速度の遅い範囲である
ことに加えて、このＧｅ−Ｓｂ−ＴｅにＩｎ単体を添加
する組成範囲で構成されていることから、ＮａＣｌ構造
が不安定化し易く、本発明より結晶化速度が遅くなるも
のと考えられる。
【０００９】また、本発明においては、これら記録材料
中に結晶粒径を制御する等の目的でその記録材料の性質
を損なわない範囲内でＴｉ，Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、
Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｇａ，Ｔｌ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｓ
ｎ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓ、Ｎ、Ｃ、Ｆ等の元素を添加
あるいは置換することも可能である。この場合、記録材
料の性質を損なわない添加範囲としては、添加あるいは
置換する元素の種類に大きく依存するが、通常５原子％
以下である。
中に結晶粒径を制御する等の目的でその記録材料の性質
を損なわない範囲内でＴｉ，Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、
Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｇａ，Ｔｌ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｓ
ｎ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓ、Ｎ、Ｃ、Ｆ等の元素を添加
あるいは置換することも可能である。この場合、記録材
料の性質を損なわない添加範囲としては、添加あるいは
置換する元素の種類に大きく依存するが、通常５原子％
以下である。
【００１０】次に、上記記録材料を使用して構成した光
記録媒体の基本構造について説明すると、本発明の光記
録媒体は、基本的には、光透過性のガラスや、アクリ
ル、ポリカーボネート、エポキシ等の合成樹脂で形成さ
れた基板と、上記記録材料によりこの基板上に積層され
た記録層と、記録層が溶融後固化するまで記録層の変形
を防止し、また、記録層の機械的損傷や酸化等を防止す
る目的でこの記録層の上に積層されるＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 、ＳｉＯ2 、ＺｎＳ、ＺｒＯ2 等の光透過側保護層
とで構成される。また、上記基板を保護する目的あるい
は入射光の表面反射を低下させる目的等のために基板と
記録層との間にＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＺｎＳ、
ＺｒＯ2 等の光入射側保護層を設けてもよく、更に、上
記光透過側保護層の機能を強化する目的でこの光透過側
保護層の上に紫外線硬化樹脂層や、更に保護板を設けて
もよい。更に、記録層の冷却速度を大きくする目的ある
いは記録層を透過した光ビームを反射させてその光吸収
率を高める目的で、上記光透過側保護層の上にＡｌ−Ｔ
ｉ、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ等の反射層を設けてもよい。な
お、上記光透過側保護層、光入射側保護層、反射層等の
各層については、一種類の材料で構成してもよく、ま
た、複数の材料を積層して構成してもよい。また、上記
基板についても、基板の反対側から光ビームを照射して
記録・再生・消去を行う光記録媒体を構成する場合に
は、アルミニウム等の光不透過性の材料により構成する
こともできる。
記録媒体の基本構造について説明すると、本発明の光記
録媒体は、基本的には、光透過性のガラスや、アクリ
ル、ポリカーボネート、エポキシ等の合成樹脂で形成さ
れた基板と、上記記録材料によりこの基板上に積層され
た記録層と、記録層が溶融後固化するまで記録層の変形
を防止し、また、記録層の機械的損傷や酸化等を防止す
る目的でこの記録層の上に積層されるＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 、ＳｉＯ2 、ＺｎＳ、ＺｒＯ2 等の光透過側保護層
とで構成される。また、上記基板を保護する目的あるい
は入射光の表面反射を低下させる目的等のために基板と
記録層との間にＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＺｎＳ、
ＺｒＯ2 等の光入射側保護層を設けてもよく、更に、上
記光透過側保護層の機能を強化する目的でこの光透過側
保護層の上に紫外線硬化樹脂層や、更に保護板を設けて
もよい。更に、記録層の冷却速度を大きくする目的ある
いは記録層を透過した光ビームを反射させてその光吸収
率を高める目的で、上記光透過側保護層の上にＡｌ−Ｔ
ｉ、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ等の反射層を設けてもよい。な
お、上記光透過側保護層、光入射側保護層、反射層等の
各層については、一種類の材料で構成してもよく、ま
た、複数の材料を積層して構成してもよい。また、上記
基板についても、基板の反対側から光ビームを照射して
記録・再生・消去を行う光記録媒体を構成する場合に
は、アルミニウム等の光不透過性の材料により構成する
こともできる。
【００１１】更に、上記記録層の形成方法としては、ス
パッタリング法や真空蒸着法を採用できる。すなわち、
上記スパッタリング法としては、複数のターゲットを用
い、それぞれのターゲットに加える電力量を適宜調整
し、これによって目的の組成を有する記録材料の組成物
を調製すると同時にこの組成物を記録層として基板上に
着膜させる同時スパッタリングのほか、目的の組成物に
対応して１つの合金ターゲットを用いてスパッタリング
を行うこともできる。また、真空蒸着法としては、複数
の蒸着源を使用し、それぞれの蒸着速度を調整すること
により、目的の組成を有する記録材料の組成物を調製す
ると同時にこの組成物を記録層として基板上に着膜させ
る共蒸着法等で行うことができる。
パッタリング法や真空蒸着法を採用できる。すなわち、
上記スパッタリング法としては、複数のターゲットを用
い、それぞれのターゲットに加える電力量を適宜調整
し、これによって目的の組成を有する記録材料の組成物
を調製すると同時にこの組成物を記録層として基板上に
着膜させる同時スパッタリングのほか、目的の組成物に
対応して１つの合金ターゲットを用いてスパッタリング
を行うこともできる。また、真空蒸着法としては、複数
の蒸着源を使用し、それぞれの蒸着速度を調整すること
により、目的の組成を有する記録材料の組成物を調製す
ると同時にこの組成物を記録層として基板上に着膜させ
る共蒸着法等で行うことができる。
【００１２】
【作用】本発明によれば、記録層を形成する記録材料が
Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩｎの４元素を主成分とし、か
つ、Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｘ≦
０．６）との混合体に相当する組成を有することから、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅと同じＮａＣｌ型の結晶構造を有して
その結晶化速度が速く、また、構成元素のＩｎが結晶化
の抑制剤として作用するためその結晶化温度を上昇さ
せ、アモルファス相を安定化させる。特に、Ｉｎ1-x Ｔ
ｅx （０．４≦ｘ≦０．６）は、ＩｎＴｅがＧｅＴｅと
容易に固溶してＮａＣｌ型の結晶構造を形成すると報告
されているように、ＮａＣｌ型の結晶構造をとり易い化
合物であり、このためにＧｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔ
ｅx （０．４≦ｘ≦０．６）との混合体もＮａＣｌ型の
結晶構造を容易に形成し、この結果、結晶加速度が速い
というＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの性質をそのまま具備し、ま
た、ＩｎＴｅその結晶化温度が２６０℃と極めて高く、
Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｘ≦０．
６）との混合体の結晶化温度を高くし、アモルファス相
を安定化させるものと考えられる。
Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩｎの４元素を主成分とし、か
つ、Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｘ≦
０．６）との混合体に相当する組成を有することから、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅと同じＮａＣｌ型の結晶構造を有して
その結晶化速度が速く、また、構成元素のＩｎが結晶化
の抑制剤として作用するためその結晶化温度を上昇さ
せ、アモルファス相を安定化させる。特に、Ｉｎ1-x Ｔ
ｅx （０．４≦ｘ≦０．６）は、ＩｎＴｅがＧｅＴｅと
容易に固溶してＮａＣｌ型の結晶構造を形成すると報告
されているように、ＮａＣｌ型の結晶構造をとり易い化
合物であり、このためにＧｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔ
ｅx （０．４≦ｘ≦０．６）との混合体もＮａＣｌ型の
結晶構造を容易に形成し、この結果、結晶加速度が速い
というＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの性質をそのまま具備し、ま
た、ＩｎＴｅその結晶化温度が２６０℃と極めて高く、
Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｘ≦０．
６）との混合体の結晶化温度を高くし、アモルファス相
を安定化させるものと考えられる。
【００１３】
【実施例】以下、実施例、比較例及び試験例に基づい
て、本発明を具体的に説明する。なお、以下の実施例に
おいて、記録層のアモルファス化を記録状態に、その結
晶化を消去状態にそれぞれ対応させて説明しているが、
便宜的にこの様に説明しているにすぎず、逆の関係でも
対応させることができるものであり、例えば、オーバー
ライトを行う場合においてはその一方の状態が０信号
に、また、他方の状態が１信号に対応し、記録、消去の
区別はない。
て、本発明を具体的に説明する。なお、以下の実施例に
おいて、記録層のアモルファス化を記録状態に、その結
晶化を消去状態にそれぞれ対応させて説明しているが、
便宜的にこの様に説明しているにすぎず、逆の関係でも
対応させることができるものであり、例えば、オーバー
ライトを行う場合においてはその一方の状態が０信号
に、また、他方の状態が１信号に対応し、記録、消去の
区別はない。
【００１４】実施例１
図１に示すように、厚さ１．２ｍｍのガラス製基板１の
上に厚さ１００ｎｍのＺｎＳ製光入射側保護層２を積層
し、この光入射側保護層２の上に厚さ１００ｎｍの（Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）90（ＩｎＴｅ）10製の記録層３を積
層し、更に、この記録層３の上に厚さ２００ｎｍのＺｎ
Ｓ製の光透過側保護層４を積層し、この光透過側保護層
４の上に厚さ５〜１０μｍのアクリレート系紫外線硬化
樹脂層５を介して厚さ１．２ｍｍのアクリル製保護板６
を積層して光記録媒体が構成されている。ここで、上記
記録層３はＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＩｎＴｅの２枚のター
ゲットを用いて２元同時スパッタリング法で積層し、ま
た、保護板６については加熱装置で３００℃まで加熱し
て記録層３の記録材料を結晶化（初期化）させた後に室
温に戻し、アクリレート系紫外線硬化樹脂層５を用いて
接着しており、更に、その他の各層についてはいずれも
高周波スパッタリング法で積層した。
上に厚さ１００ｎｍのＺｎＳ製光入射側保護層２を積層
し、この光入射側保護層２の上に厚さ１００ｎｍの（Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）90（ＩｎＴｅ）10製の記録層３を積
層し、更に、この記録層３の上に厚さ２００ｎｍのＺｎ
Ｓ製の光透過側保護層４を積層し、この光透過側保護層
４の上に厚さ５〜１０μｍのアクリレート系紫外線硬化
樹脂層５を介して厚さ１．２ｍｍのアクリル製保護板６
を積層して光記録媒体が構成されている。ここで、上記
記録層３はＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＩｎＴｅの２枚のター
ゲットを用いて２元同時スパッタリング法で積層し、ま
た、保護板６については加熱装置で３００℃まで加熱し
て記録層３の記録材料を結晶化（初期化）させた後に室
温に戻し、アクリレート系紫外線硬化樹脂層５を用いて
接着しており、更に、その他の各層についてはいずれも
高周波スパッタリング法で積層した。
【００１５】ここで、記録層３を形成する記録材料の
（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）90（ＩｎＴｅ）10は、化合物Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 と化合物ＩｎＴｅとがモル比９０：１
０の割合で混合されているものであり、｛（ＧｅＴｅ）
A （Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B 〔０．２
５≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル
比）〕の組成を示す式においてＡ＝０．６７及びＢ＝
０．０４の場合に相当する。従って、各元素の原子比率
を換算すると，Ｉｎが１．２％、Ｇｅが２２％、Ｓｂが
２２％、及びＴｅが５５％となる。また、このものは
｛（ＧｅyＴｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b
（Ｉｎ1-x Ｔｅx）b （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦
ｚ≦０．５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．
５、０．０１≦ｂ≦０．３）の組成を示す式において、
ｙ＝０．５、ｚ＝０．４、ｘ＝０．５、ａ＝０．４４、
及びｂ＝０．０２となる。
（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）90（ＩｎＴｅ）10は、化合物Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 と化合物ＩｎＴｅとがモル比９０：１
０の割合で混合されているものであり、｛（ＧｅＴｅ）
A （Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B 〔０．２
５≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル
比）〕の組成を示す式においてＡ＝０．６７及びＢ＝
０．０４の場合に相当する。従って、各元素の原子比率
を換算すると，Ｉｎが１．２％、Ｇｅが２２％、Ｓｂが
２２％、及びＴｅが５５％となる。また、このものは
｛（ＧｅyＴｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b
（Ｉｎ1-x Ｔｅx）b （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦
ｚ≦０．５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．
５、０．０１≦ｂ≦０．３）の組成を示す式において、
ｙ＝０．５、ｚ＝０．４、ｘ＝０．５、ａ＝０．４４、
及びｂ＝０．０２となる。
【００１６】実施例２
記録層３を形成する記録材料が（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5）
67（ＩｎＴｅ）33である以外は上記実施例１と全く同様
にして実施例２の光記録媒体を形成した。この記録材料
（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）67（ＩｎＴｅ）33は、化合物Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 と化合物ＩｎＴｅとがモル比６７：３
３の割合で混合されているものであり、｛（ＧｅＴｅ）
A （Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B（ＩｎＴｅ）B 〔０．２
５≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル
比）〕の組成を示す式においてＡ＝０．６７及びＢ＝
０．１４の場合に相当する。従って、各元素の原子比率
を換算すると，Ｉｎが５％、Ｇｅが２０％、Ｓｂが２０
％、及びＴｅが５５％となる。また、このものは｛（Ｇ
ｅyＴｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b （Ｉｎ
1-x Ｔｅx）b （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦
０．５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５、
０．０１≦ｂ≦０．３）の組成を示す式において、ｙ＝
０．５、ｚ＝０．４、ｘ＝０．５、ａ＝０．４４、及び
ｂ＝０．１となる。
67（ＩｎＴｅ）33である以外は上記実施例１と全く同様
にして実施例２の光記録媒体を形成した。この記録材料
（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）67（ＩｎＴｅ）33は、化合物Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 と化合物ＩｎＴｅとがモル比６７：３
３の割合で混合されているものであり、｛（ＧｅＴｅ）
A （Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B（ＩｎＴｅ）B 〔０．２
５≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル
比）〕の組成を示す式においてＡ＝０．６７及びＢ＝
０．１４の場合に相当する。従って、各元素の原子比率
を換算すると，Ｉｎが５％、Ｇｅが２０％、Ｓｂが２０
％、及びＴｅが５５％となる。また、このものは｛（Ｇ
ｅyＴｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b （Ｉｎ
1-x Ｔｅx）b （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦
０．５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５、
０．０１≦ｂ≦０．３）の組成を示す式において、ｙ＝
０．５、ｚ＝０．４、ｘ＝０．５、ａ＝０．４４、及び
ｂ＝０．１となる。
【００１７】実施例３
記録層３を形成する記録材料が（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5）
50（ＩｎＴｅ）50である以外は上記実施例１と全く同様
にして実施例３の光記録媒体を形成した。この記録材料
（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）50（ＩｎＴｅ）50は、化合物Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 と化合物ＩｎＴｅとがモル比５０：５
０の割合で混合されているものであり、｛（ＧｅＴｅ）
A （Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B（ＩｎＴｅ）B 〔０．２
５≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル
比）〕の組成を示す式においてＡ＝０．６７及びＢ＝
０．２５の場合に相当する。従って、各元素の原子比率
を換算すると，Ｉｎが９％、Ｇｅが１８％、Ｓｂが１８
％、及びＴｅが５５％となる。また、このものは｛（Ｇ
ｅyＴｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b （Ｉｎ
1-x Ｔｅx）b （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦
０．５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５、
０．０１≦ｂ≦０．３）の組成を示す式において、ｙ＝
０．５、ｚ＝０．４、ｘ＝０．５、ａ＝０．４４、及び
ｂ＝０．１８となる。
50（ＩｎＴｅ）50である以外は上記実施例１と全く同様
にして実施例３の光記録媒体を形成した。この記録材料
（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）50（ＩｎＴｅ）50は、化合物Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 と化合物ＩｎＴｅとがモル比５０：５
０の割合で混合されているものであり、｛（ＧｅＴｅ）
A （Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B（ＩｎＴｅ）B 〔０．２
５≦Ａ≦０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル
比）〕の組成を示す式においてＡ＝０．６７及びＢ＝
０．２５の場合に相当する。従って、各元素の原子比率
を換算すると，Ｉｎが９％、Ｇｅが１８％、Ｓｂが１８
％、及びＴｅが５５％となる。また、このものは｛（Ｇ
ｅyＴｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b （Ｉｎ
1-x Ｔｅx）b （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦
０．５、０．４≦ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５、
０．０１≦ｂ≦０．３）の組成を示す式において、ｙ＝
０．５、ｚ＝０．４、ｘ＝０．５、ａ＝０．４４、及び
ｂ＝０．１８となる。
【００１８】実施例４
記録層３を形成する記録材料が（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5）
75（Ｉｎ3 ＳｂＴｅ2 ）25である以外は上記実施例１と
全く同様にして実施例４の光記録媒体を形成した。ここ
で記録層３を形成する記録材料（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）
75（Ｉｎ3 ＳｂＴｅ2 ）25は、化合物Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 と化合物Ｉｎ3 ＳｂＴｅ2 とがモル比７５：２５の割
合で混合されているものであり、従って各元素の原子比
率を換算するとＩｎが９％、Ｇｅが１８％、Ｓｂが２１
％、及びＴｅが５２％となる。
75（Ｉｎ3 ＳｂＴｅ2 ）25である以外は上記実施例１と
全く同様にして実施例４の光記録媒体を形成した。ここ
で記録層３を形成する記録材料（Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ）
75（Ｉｎ3 ＳｂＴｅ2 ）25は、化合物Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 と化合物Ｉｎ3 ＳｂＴｅ2 とがモル比７５：２５の割
合で混合されているものであり、従って各元素の原子比
率を換算するとＩｎが９％、Ｇｅが１８％、Ｓｂが２１
％、及びＴｅが５２％となる。
【００１９】比較例１
図１に示す構成の光記録媒体において、その記録層３を
形成する記録材料としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を用いた以
外は、上記実施例１と同様にして比較例１の光記録媒体
を形成した。なお、この場合には、記録層３のスパッタ
リングターゲットとしてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の１枚ター
ゲットを使用した。
形成する記録材料としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を用いた以
外は、上記実施例１と同様にして比較例１の光記録媒体
を形成した。なお、この場合には、記録層３のスパッタ
リングターゲットとしてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の１枚ター
ゲットを使用した。
【００２０】比較例２
図１に示す構成の光記録媒体において、その記録層３を
形成する記録材料としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 −Ｓｂを用
いた以外は、上記実施例１と同様にして比較例２の光記
録媒体を形成した。なお、この場合には、記録層３のス
パッタリングターゲットとしてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＳ
ｂの２枚ターゲットを使用した。
形成する記録材料としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 −Ｓｂを用
いた以外は、上記実施例１と同様にして比較例２の光記
録媒体を形成した。なお、この場合には、記録層３のス
パッタリングターゲットとしてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＳ
ｂの２枚ターゲットを使用した。
【００２１】試験例
上記各実施例及び比較例で用いた記録材料について、以
下に示す方法で、その結晶化温度（すなわち、アモルフ
ァス相の安定性に対応）と結晶化時間（ＲＵ０Ａ，書換
え速度に対応）とを測定し、また、各実施例の光記録媒
体における記録層の結晶構造を調べた。 〔結晶化時間〕各実施例及び比較例で得られた光記録媒
体を使用し、開口数０．５の対物レンズにより静止した
光記録媒体上に波長８３０ｎｍの半導体レーザ光パルス
を集束して記録（アモルファス化）と消去（結晶化）を
行い、それぞれの特性を測定した。この時、初期化を行
った後に記録を行うと反射率が低下するが、更に消去を
行うと反射率が再び増加する。この初期化時の反射率ま
でほぼ完全に回復させるのに必要なパルス幅を結晶化時
間とした。結果を表１に示す。 〔結晶化温度〕各実施例及び比較例で用いたと同じ記録
材料を使用し、光透過側保護層４間での各層、すなわち
光入射側保護層２、記録層３及び光透過側保護層４まで
形成した媒体をサンプルとして形成し、昇温速度２０℃
／分で加熱しながらその反射率を測定し、図２に示すよ
うに、結晶化に対応して反射率が増加し始める時の温度
を測定し、この時の温度を結晶化温度とした。結果を表
１に示す。 〔結晶構造〕ガラス基板上に実施例２と同じ記録材料を
使用して厚さ１００ｎｍの記録層を積層してサンプルを
作成し、３００℃まで加熱して記録層を形成する記録材
料を結晶化させ、このサンプルを室温まで冷却した後、
Ｘ線回折装置によりその結晶構造を調べた。得られたＸ
線回折スペクトルを図３に示す。なお、他の実施例１、
３及び４に係る光記録媒体の記録材料についてもこの実
施例２の場合と同様にその結晶構造を調べたところ、そ
の結晶相は何れも図３と同様にＮａＣｌ型の結晶構造を
示し、このことが結晶化時間が短くなる理由であると考
えられる。
下に示す方法で、その結晶化温度（すなわち、アモルフ
ァス相の安定性に対応）と結晶化時間（ＲＵ０Ａ，書換
え速度に対応）とを測定し、また、各実施例の光記録媒
体における記録層の結晶構造を調べた。 〔結晶化時間〕各実施例及び比較例で得られた光記録媒
体を使用し、開口数０．５の対物レンズにより静止した
光記録媒体上に波長８３０ｎｍの半導体レーザ光パルス
を集束して記録（アモルファス化）と消去（結晶化）を
行い、それぞれの特性を測定した。この時、初期化を行
った後に記録を行うと反射率が低下するが、更に消去を
行うと反射率が再び増加する。この初期化時の反射率ま
でほぼ完全に回復させるのに必要なパルス幅を結晶化時
間とした。結果を表１に示す。 〔結晶化温度〕各実施例及び比較例で用いたと同じ記録
材料を使用し、光透過側保護層４間での各層、すなわち
光入射側保護層２、記録層３及び光透過側保護層４まで
形成した媒体をサンプルとして形成し、昇温速度２０℃
／分で加熱しながらその反射率を測定し、図２に示すよ
うに、結晶化に対応して反射率が増加し始める時の温度
を測定し、この時の温度を結晶化温度とした。結果を表
１に示す。 〔結晶構造〕ガラス基板上に実施例２と同じ記録材料を
使用して厚さ１００ｎｍの記録層を積層してサンプルを
作成し、３００℃まで加熱して記録層を形成する記録材
料を結晶化させ、このサンプルを室温まで冷却した後、
Ｘ線回折装置によりその結晶構造を調べた。得られたＸ
線回折スペクトルを図３に示す。なお、他の実施例１、
３及び４に係る光記録媒体の記録材料についてもこの実
施例２の場合と同様にその結晶構造を調べたところ、そ
の結晶相は何れも図３と同様にＮａＣｌ型の結晶構造を
示し、このことが結晶化時間が短くなる理由であると考
えられる。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１に示すように、各実施例に係る光記録
媒体は、そのＩｎＴｅの比率が増加するにつれてその結
晶化温度が上昇し、比較例１に比べてそのアモルファス
相の安定性が増加していることが確認できる。また、そ
の結晶化時間については、ＩｎＴｅの比率が増加するに
つれて幾分長くなるが、実用的には１００ｎｓ以下であ
れば充分であり、比較例２との比較からすれば結晶化温
度と結晶化時間の両方が大幅に改善されていることが判
る。なお、特開昭６３−２２５９３４号公報に開示され
ているように、３つの３元化合物Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 、
ＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 及びＧｅＳｂ4 Ｔｅ7 は互いにその性
質が類似している。このため、上記のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 に代えてＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 やＧｅＳｂ4 Ｔｅ7 を使用
し、これにＩｎＴｅを添加した場合においても、結晶化
速度を悪化させることなく、アモルファス相の安定性を
増すことができる。
媒体は、そのＩｎＴｅの比率が増加するにつれてその結
晶化温度が上昇し、比較例１に比べてそのアモルファス
相の安定性が増加していることが確認できる。また、そ
の結晶化時間については、ＩｎＴｅの比率が増加するに
つれて幾分長くなるが、実用的には１００ｎｓ以下であ
れば充分であり、比較例２との比較からすれば結晶化温
度と結晶化時間の両方が大幅に改善されていることが判
る。なお、特開昭６３−２２５９３４号公報に開示され
ているように、３つの３元化合物Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 、
ＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 及びＧｅＳｂ4 Ｔｅ7 は互いにその性
質が類似している。このため、上記のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 に代えてＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 やＧｅＳｂ4 Ｔｅ7 を使用
し、これにＩｎＴｅを添加した場合においても、結晶化
速度を悪化させることなく、アモルファス相の安定性を
増すことができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明で使用する記録材料は、結晶化速
度が速いというＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅが有する特性を失うこ
となく、その結晶化温度が高くてアモルファス相の安定
性に優れたものである。従って、本発明の光記録媒体
は、情報の高速書換えが可能であり、しかも、情報を長
期に亘って保存できるという保存安定性に優れたもので
ある。
度が速いというＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅが有する特性を失うこ
となく、その結晶化温度が高くてアモルファス相の安定
性に優れたものである。従って、本発明の光記録媒体
は、情報の高速書換えが可能であり、しかも、情報を長
期に亘って保存できるという保存安定性に優れたもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の実施例及び比較例に係る媒
体構造を示す説明図である。
体構造を示す説明図である。
【図２】 図２は、実施例３で使用した記録材料の温度
と平均反射率との関係を示すグラフ図である。
と平均反射率との関係を示すグラフ図である。
【図３】 図３は、実施例２に係る記録材料による記録
層のＸ線回折スペクトルを示すグラフ図である。
層のＸ線回折スペクトルを示すグラフ図である。
【図４】 図４は、（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a （Ｓｂz Ｔｅ
1-z ）1-a （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．
５、０．１≦ａ≦０．５）で示される組成範囲を示す組
成図である。
1-z ）1-a （０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．
５、０．１≦ａ≦０．５）で示される組成範囲を示す組
成図である。
【図５】 図５は、｛（ＧｅＴｅ）A （Ｓｂ2 Ｔｅ3）
1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B 〔０．２５≦Ａ≦０．７５、
０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル比）〕で示される組成範
囲を示す組成図である。
1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B 〔０．２５≦Ａ≦０．７５、
０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル比）〕で示される組成範
囲を示す組成図である。
１…基板、２…光入射側保護層、３…記録層、４…光透
過側保護層。
過側保護層。
Claims (5)
- 【請求項１】 光、熱等の手段によりその光学的性質が
可逆的に変化する記録材料で形成された記録層を基板上
に備え、その光学的性質の変化を利用して情報の記録・
再生・消去を行う光記録媒体において、 上記記録材料が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩｎの４元素を
主成分とし、かつ、Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ1-x Ｔｅx
（０．４≦ｘ≦０．６）との混合体に相当する組成を有
することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 記録材料が、（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）a（Ｓ
ｂz Ｔｅ1-z ）1-a とＩｎ1-x Ｔｅx （０．４≦ｙ≦
０．６、０．３≦ｚ≦０．５、０．４≦ｘ≦０．６、
０．１≦ａ≦０．５）との混合体に相当する組成を有す
る請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録材料が、｛（Ｇｅy Ｔｅ1-y ）
a （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-a ｝1-b （Ｉｎ1-x Ｔｅx ）b
（０．４≦ｙ≦０．６、０．３≦ｚ≦０．５、０．４≦
ｘ≦０．６、０．１≦ａ≦０．５、０．０１≦ｂ≦０．
３）なる組成を有する請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 記録材料が、｛（ＧｅＴｅ）A （Ｓｂ2
Ｔｅ3 ）1-A ｝1-B （ＩｎＴｅ）B 〔０．２５≦Ａ≦
０．７５、０．０２≦Ｂ≦０．３５（モル比）〕なる組
成を有する請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 光、熱等の手段によりその光学的性質が
可逆的に変化する記録材料で形成された記録層を基板上
に備え、その光学的性質の変化を利用して情報の記録・
再生・消去を行う光記録媒体において、 上記記録材料が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩｎの４元素を
主成分とし、かつ、Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅとＩｎ3 ＳｂＴｅ
2 との混合体に相当する組成を有することを特徴とする
光記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-325938 | 1990-11-29 | ||
| JP32593890 | 1990-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0516528A true JPH0516528A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=18182275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3335842A Pending JPH0516528A (ja) | 1990-11-29 | 1991-11-27 | 光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5254382A (ja) |
| JP (1) | JPH0516528A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999006220A1 (fr) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'informations |
| JP2005117030A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-28 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| WO2008001411A1 (fr) * | 2006-06-23 | 2008-01-03 | Renesas Technology Corp. | Procédé de production de dispositif mémoire à semi-conducteur |
| US7333414B2 (en) | 1999-05-19 | 2008-02-19 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium, recording method on the same, and optical disc recording/retrieving apparatus |
| US7498069B2 (en) | 2004-07-15 | 2009-03-03 | Nec Corporation | Optical recording medium, optical recording method, and optical recording apparatus |
| US7566523B2 (en) | 2003-02-21 | 2009-07-28 | Nec Corporation | Optical information-recording media and optical information-recording/reproduction apparatus |
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| US5514635A (en) * | 1993-12-29 | 1996-05-07 | Optum Corporation | Thermal writing surface and method for making the same |
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| US5688574A (en) * | 1995-03-14 | 1997-11-18 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical recording medium |
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| KR0179259B1 (ko) * | 1996-04-13 | 1999-04-15 | 구자홍 | 상변화형 광기록매체 및 그의 제조방법 |
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| KR100248299B1 (ko) * | 1997-09-24 | 2000-03-15 | 구자홍 | 광기록매체의초기화방법및그의장치 |
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-
1991
- 1991-11-25 US US07/796,827 patent/US5254382A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-27 JP JP3335842A patent/JPH0516528A/ja active Pending
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