JPH10112028A - 光学的情報記録用媒体 - Google Patents
光学的情報記録用媒体Info
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- JPH10112028A JPH10112028A JP8264357A JP26435796A JPH10112028A JP H10112028 A JPH10112028 A JP H10112028A JP 8264357 A JP8264357 A JP 8264357A JP 26435796 A JP26435796 A JP 26435796A JP H10112028 A JPH10112028 A JP H10112028A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度記録が可能な光学的情報記録用媒体を
提供する。 【解決手段】 基板上に、少なくとも下部保護層、相変
化型光記録層、上部保護層、反射層からなる多層構成を
有し、該相変化型光記録層の組成がＧｅy（ＳｂxＴｅ
1ーx）1-y （ただし、０．６０≦ｘ≦０．８５、０．０
１≦ｙ≦０．２０）で厚みが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以
下、該上部保護層の厚みが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、
該反射層がＡｕ、Ａｇ、またはＡｌを９０原子％以上含
む金属からなり厚みが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であ
り、線速度１ｍ／ｓ以上７ｍ／ｓ以下において所定の記
録方式によりマーク長変調記録及び消去を行う光学的情
報記録用媒体。
提供する。 【解決手段】 基板上に、少なくとも下部保護層、相変
化型光記録層、上部保護層、反射層からなる多層構成を
有し、該相変化型光記録層の組成がＧｅy（ＳｂxＴｅ
1ーx）1-y （ただし、０．６０≦ｘ≦０．８５、０．０
１≦ｙ≦０．２０）で厚みが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以
下、該上部保護層の厚みが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、
該反射層がＡｕ、Ａｇ、またはＡｌを９０原子％以上含
む金属からなり厚みが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であ
り、線速度１ｍ／ｓ以上７ｍ／ｓ以下において所定の記
録方式によりマーク長変調記録及び消去を行う光学的情
報記録用媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光照射に
よる相変化によって生じる反射率差または反射光位相差
を利用した記録消去可能な光学的情報記録用媒体に関す
る。
よる相変化によって生じる反射率差または反射光位相差
を利用した記録消去可能な光学的情報記録用媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは再生専用型、記録可能型
（書換可能型を含む）に分けられ、再生専用型はビデオ
ディスク、オーディオディスク、さらには大容量コンピ
ューター用ディスクメモリーとしてすでに実用化されて
いる。記録可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、
有機色素型、光磁気型、相変化型がある。孔あけ・変形
型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録層が
用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱され、孔
もしくは凹凸部が形成される。
（書換可能型を含む）に分けられ、再生専用型はビデオ
ディスク、オーディオディスク、さらには大容量コンピ
ューター用ディスクメモリーとしてすでに実用化されて
いる。記録可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、
有機色素型、光磁気型、相変化型がある。孔あけ・変形
型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録層が
用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱され、孔
もしくは凹凸部が形成される。
【０００３】有機色素型としては色素または色素を含む
ポリマー等からなる記録層が用いられ、記録前後で反射
率（屈折率）が変化する。ＣＤフォーマット信号の記録
をおこなう光記録媒体として実用化されている。光磁気
型は記録層の磁化の向きにより記録や消去を行い、磁気
光学効果によって再生を行う。
ポリマー等からなる記録層が用いられ、記録前後で反射
率（屈折率）が変化する。ＣＤフォーマット信号の記録
をおこなう光記録媒体として実用化されている。光磁気
型は記録層の磁化の向きにより記録や消去を行い、磁気
光学効果によって再生を行う。
【０００４】一方、相変化型は相変化前後で反射率また
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。さら
に、レーザー光のパワーを変調するだけで、記録・消去
が可能であり、消去と再記録を単一ビームで同時に行
う、１ビームオーバーライトも可能であるという利点を
有する。
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。さら
に、レーザー光のパワーを変調するだけで、記録・消去
が可能であり、消去と再記録を単一ビームで同時に行
う、１ビームオーバーライトも可能であるという利点を
有する。
【０００５】相変化記録方式に用いられる記録層材料と
しては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。例
えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系合金薄膜等の使用が試みられている。１ビームオー
バーライト可能な相変化記録方式では、結晶状態の記録
膜を非晶質化させることによって記録ビットを形成し、
結晶化させることによって消去を行う場合が一般的であ
る。
しては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。例
えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系合金薄膜等の使用が試みられている。１ビームオー
バーライト可能な相変化記録方式では、結晶状態の記録
膜を非晶質化させることによって記録ビットを形成し、
結晶化させることによって消去を行う場合が一般的であ
る。
【０００６】この場合、ａｓ−ｄｅｐｏ状態はアモルフ
ァスである場合が一般的であるため、初期状態を結晶状
態とするために媒体全面を短時間で結晶化させる。この
工程を初期結晶化とよぶ。通常この初期結晶化は数十〜
百μｍ程度に絞ったレーザービームを回転する媒体に照
射することにより行なう。
ァスである場合が一般的であるため、初期状態を結晶状
態とするために媒体全面を短時間で結晶化させる。この
工程を初期結晶化とよぶ。通常この初期結晶化は数十〜
百μｍ程度に絞ったレーザービームを回転する媒体に照
射することにより行なう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来、共晶組成近傍の
合金材料は、非晶質形成能は高いものの結晶化の際に相
分離を伴うため、１００ナノ秒未満の短時間の加熱では
結晶化できず、オーバーライト可能な光記録媒体の記録
層としては不適当であると考えられてきた（文献Appl.
Phys. Lett., vol.49(1986), p502等）。
合金材料は、非晶質形成能は高いものの結晶化の際に相
分離を伴うため、１００ナノ秒未満の短時間の加熱では
結晶化できず、オーバーライト可能な光記録媒体の記録
層としては不適当であると考えられてきた（文献Appl.
Phys. Lett., vol.49(1986), p502等）。
【０００８】特に、ＧｅＳｂＴｅ３元合金に注目した場
合、Ｔｅ85Ｇｅ15共晶組成近傍では実用的な結晶化速度
は得られていない。一方、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍で
は、反射率変化のみをモニタした極めて初歩的な方法で
あるけれども、ＳｂxＴｅ1-x（０．５８＜ｘ＜０．７
５）２元合金が結晶−非晶質状態間で繰り返し記録消去
可能であることが米国特許第５０１５５４８号において
開示されている。
合、Ｔｅ85Ｇｅ15共晶組成近傍では実用的な結晶化速度
は得られていない。一方、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍で
は、反射率変化のみをモニタした極めて初歩的な方法で
あるけれども、ＳｂxＴｅ1-x（０．５８＜ｘ＜０．７
５）２元合金が結晶−非晶質状態間で繰り返し記録消去
可能であることが米国特許第５０１５５４８号において
開示されている。
【０００９】Ｓｂ70Ｔｅ30に第３元素、特にＧｅを加え
た組成範囲を含む先願としては特開平１−１１５６８
５、特開平１−２５１３４２、特開平１−３０３６４
３、特開平４−２８５８７各号公報等が挙げられる。し
かしながら、それ以後ＳｂＴｅ共晶組成近傍の相変化媒
体に関しては実用化にむけての進展はなかった。殊に、
成膜後の記録層を結晶化させる初期化操作が困難である
ために生産性が低く実用に供されないという深刻な問題
があった。
た組成範囲を含む先願としては特開平１−１１５６８
５、特開平１−２５１３４２、特開平１−３０３６４
３、特開平４−２８５８７各号公報等が挙げられる。し
かしながら、それ以後ＳｂＴｅ共晶組成近傍の相変化媒
体に関しては実用化にむけての進展はなかった。殊に、
成膜後の記録層を結晶化させる初期化操作が困難である
ために生産性が低く実用に供されないという深刻な問題
があった。
【００１０】このため、初期化の容易な金属間化合物組
成近傍の材料、あるいはその擬似２元合金のみが実用的
な特性を示すと考えられていた（特開平２−２４３３８
８、特開平２−２４３３８９、特開平２−２４３３９
０、特開平２−２５５３７８、特開昭６３−２２８４３
３、特開昭６１−８９８８９各号公報、文献 Jpn. J. A
ppl. Phys., vol.69(1991), p2849）。
成近傍の材料、あるいはその擬似２元合金のみが実用的
な特性を示すと考えられていた（特開平２−２４３３８
８、特開平２−２４３３８９、特開平２−２４３３９
０、特開平２−２５５３７８、特開昭６３−２２８４３
３、特開昭６１−８９８８９各号公報、文献 Jpn. J. A
ppl. Phys., vol.69(1991), p2849）。
【００１１】例えばＧｅＳｂＴｅ３元合金については、
近年、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似２元合金近傍組成のみ
が注目され実用化されてきた。こうした動向は、例えば
１９９１年より毎年開催されている、「相変化光メモリ
シンポジウム」の発表論文（予稿集に掲載されている）
に顕著にあらわれている。
近年、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似２元合金近傍組成のみ
が注目され実用化されてきた。こうした動向は、例えば
１９９１年より毎年開催されている、「相変化光メモリ
シンポジウム」の発表論文（予稿集に掲載されている）
に顕著にあらわれている。
【００１２】本発明者らは、単純化のためＳｂＴｅから
なる２元合金に注目し、従来の説にとらわれず共晶組成
組成近傍の結晶化／非晶質化特性につき、より高密度記
録に適した光ディスク評価機を用い、マーク長記録への
適性の観点から再検討を行った。その結果、Ｓｂ70Ｔｅ
30共晶組成近傍のＳｂＴｅ合金を主成分とする記録層
は、初期結晶化は困難であるものの一旦初期結晶化して
しまえば以後の非晶質−結晶相変化による記録消去は極
めて高速に行なうことができることを見出した。
なる２元合金に注目し、従来の説にとらわれず共晶組成
組成近傍の結晶化／非晶質化特性につき、より高密度記
録に適した光ディスク評価機を用い、マーク長記録への
適性の観点から再検討を行った。その結果、Ｓｂ70Ｔｅ
30共晶組成近傍のＳｂＴｅ合金を主成分とする記録層
は、初期結晶化は困難であるものの一旦初期結晶化して
しまえば以後の非晶質−結晶相変化による記録消去は極
めて高速に行なうことができることを見出した。
【００１３】さらにこの共晶組成近傍でＧｅを添加した
材料につき評価したところ、ＳｂＴｅ共晶近傍のＧｅＳ
ｂＴｅ３元合金は、特定の記録パルスパターンを用いた
場合、繰り返しオーバーライトにおいて広く知られてい
るＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3疑似２元合金近傍の材料より劣
化が少ない、あるいは、マーク長記録したときのマーク
エッジのジッタが小さいという利点があることを見出し
た。
材料につき評価したところ、ＳｂＴｅ共晶近傍のＧｅＳ
ｂＴｅ３元合金は、特定の記録パルスパターンを用いた
場合、繰り返しオーバーライトにおいて広く知られてい
るＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3疑似２元合金近傍の材料より劣
化が少ない、あるいは、マーク長記録したときのマーク
エッジのジッタが小さいという利点があることを見出し
た。
【００１４】また、結晶化温度がＳｂ70Ｔｅ30２元共晶
合金より高く、経時安定性に優れていることもわかっ
た。しかしながら、ＳｂＴｅ共晶近傍のＧｅＳｂＴｅ３
元合金は記録パルスパターン依存性及び線速依存性が強
く、通常利用されている記録パワ−と消去パワーの２値
の変調でオーバーライトした場合、例えば、中心線速
２．８ｍ／ｓの±５０％程度しか正常なオーバーライト
ができなかった。すなわち、低線速では再結晶化が著し
く非晶質マークの形成が阻害され、高線速では逆に結晶
化速度が十分でなく消去が不十分であった。
合金より高く、経時安定性に優れていることもわかっ
た。しかしながら、ＳｂＴｅ共晶近傍のＧｅＳｂＴｅ３
元合金は記録パルスパターン依存性及び線速依存性が強
く、通常利用されている記録パワ−と消去パワーの２値
の変調でオーバーライトした場合、例えば、中心線速
２．８ｍ／ｓの±５０％程度しか正常なオーバーライト
ができなかった。すなわち、低線速では再結晶化が著し
く非晶質マークの形成が阻害され、高線速では逆に結晶
化速度が十分でなく消去が不十分であった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に、少なくとも下部保護層、相変化型光記録層、上部保
護層、反射層からなる多層構成を有し、該相変化型光記
録層の組成がＧｅy（ＳｂxＴｅ1ーx）1-y （ただし、
０．６０≦ｘ≦０．８５、０．０１≦ｙ≦０．２０）で
厚みが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下、該上部保護層の厚み
が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、該反射層がＡｕ、Ａｇ、
またはＡｌを９０原子％以上含む金属からなり厚みが５
０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、線速度１ｍ／ｓ以上
７ｍ／ｓ以下において、レーザーパワーをクロック周期
Ｔに従って少なくとも３値の間で変調することでマーク
長変調記録及び消去を行う光学的情報記録用媒体であっ
て、マーク間部を形成する際には非晶質マーク部を１０
０ナノ秒未満の照射で再結晶化させうる消去パワーＰｅ
を照射し、長さｎＴ(ｎは２以上の整数)のマーク部を形
成する際には、記録パワーＰｗを印加する期間をα
1Ｔ、α2Ｔ、・・・、αmＴとし、かつバイアスパワー
Ｐｂを印加する期間をβ1Ｔ、β2Ｔ、・・・、βmＴと
して、レーザパワーのための印加期間を順次にα1Ｔ、
β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・・、αmＴ、βmＴとして
レーザーパワーをｍ個のパルスに分割するとともに、２
≦ｉ≦ｍ−１においてはαi≦βiとし、ｋを０から２ま
での整数から成るパラメータ、ｊを０から２までの実数
からなるパラメータとし、かつ前記ｎの最小値をｎmin
としてｎmin−ｋ≧１、ｍ＝ｎ−ｋ、α1＋β1＋・・・
・・＋αm＋βm＝ｎ−ｊとしたとき、Ｐｗ＞Ｐｅ、０＜
Ｐｂ≦０．５Ｐｅ（ただし、βmＴにおいては０＜Ｐｂ
≦Ｐｅとなりうる）であることを特徴とする光学的情報
記録用媒体に存する。
に、少なくとも下部保護層、相変化型光記録層、上部保
護層、反射層からなる多層構成を有し、該相変化型光記
録層の組成がＧｅy（ＳｂxＴｅ1ーx）1-y （ただし、
０．６０≦ｘ≦０．８５、０．０１≦ｙ≦０．２０）で
厚みが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下、該上部保護層の厚み
が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、該反射層がＡｕ、Ａｇ、
またはＡｌを９０原子％以上含む金属からなり厚みが５
０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、線速度１ｍ／ｓ以上
７ｍ／ｓ以下において、レーザーパワーをクロック周期
Ｔに従って少なくとも３値の間で変調することでマーク
長変調記録及び消去を行う光学的情報記録用媒体であっ
て、マーク間部を形成する際には非晶質マーク部を１０
０ナノ秒未満の照射で再結晶化させうる消去パワーＰｅ
を照射し、長さｎＴ(ｎは２以上の整数)のマーク部を形
成する際には、記録パワーＰｗを印加する期間をα
1Ｔ、α2Ｔ、・・・、αmＴとし、かつバイアスパワー
Ｐｂを印加する期間をβ1Ｔ、β2Ｔ、・・・、βmＴと
して、レーザパワーのための印加期間を順次にα1Ｔ、
β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・・、αmＴ、βmＴとして
レーザーパワーをｍ個のパルスに分割するとともに、２
≦ｉ≦ｍ−１においてはαi≦βiとし、ｋを０から２ま
での整数から成るパラメータ、ｊを０から２までの実数
からなるパラメータとし、かつ前記ｎの最小値をｎmin
としてｎmin−ｋ≧１、ｍ＝ｎ−ｋ、α1＋β1＋・・・
・・＋αm＋βm＝ｎ−ｊとしたとき、Ｐｗ＞Ｐｅ、０＜
Ｐｂ≦０．５Ｐｅ（ただし、βmＴにおいては０＜Ｐｂ
≦Ｐｅとなりうる）であることを特徴とする光学的情報
記録用媒体に存する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。図１は、本発明の光学的情報記録用媒体の記録層
の組成範囲を説明する図である。本発明のＧｅＳｂＴｅ
３元合金薄膜の組成範囲はＳｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍を
ベースに図１の如くＧｅを添加したものである。
する。図１は、本発明の光学的情報記録用媒体の記録層
の組成範囲を説明する図である。本発明のＧｅＳｂＴｅ
３元合金薄膜の組成範囲はＳｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍を
ベースに図１の如くＧｅを添加したものである。
【００１７】本記録層材料を用いる最大の利点は、非晶
質マークの周辺部あるいは消去されたマーク内に、初期
化状態と反射率の異なる粗大グレインが生じにくいとい
うことである。これは結晶成長が相分離によって律速さ
れている共晶点近傍の合金に特有の現象である。しか
し、この記録層には、固相での結晶化速度を高めると非
晶質マーク形成時の再凝固時の再結晶速度まで極端に速
くなってしまい、溶融領域の外周部が再結晶化して非晶
質マークの形成が不十分になりやすいという特徴があ
る。
質マークの周辺部あるいは消去されたマーク内に、初期
化状態と反射率の異なる粗大グレインが生じにくいとい
うことである。これは結晶成長が相分離によって律速さ
れている共晶点近傍の合金に特有の現象である。しか
し、この記録層には、固相での結晶化速度を高めると非
晶質マーク形成時の再凝固時の再結晶速度まで極端に速
くなってしまい、溶融領域の外周部が再結晶化して非晶
質マークの形成が不十分になりやすいという特徴があ
る。
【００１８】すなわちこの記録層は共晶点近傍の組成で
あるため、結晶化速度は相分離のための原子の拡散速度
によって支配されており、拡散速度が最大となる融点直
下まで加熱しないと結晶化による高速消去ができない。
つまり、現在広く使用されているＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3
擬似２元合金組成近傍の記録層にくらべて、高結晶化速
度が得られる温度範囲が狭く、かつ高温に偏っているの
である。
あるため、結晶化速度は相分離のための原子の拡散速度
によって支配されており、拡散速度が最大となる融点直
下まで加熱しないと結晶化による高速消去ができない。
つまり、現在広く使用されているＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3
擬似２元合金組成近傍の記録層にくらべて、高結晶化速
度が得られる温度範囲が狭く、かつ高温に偏っているの
である。
【００１９】従って本記録層を光記録媒体に適用するた
めには、高結晶化速度と十分な大きさの非晶質マークの
形成とを両立させるため、再凝固時の融点近傍での冷却
速度をとりわけ大きくしてやる必要がある。そこで、本
発明の光学的情報記録用媒体においては、記録層材料が
Ｓｂ7Ｔｅ3比を一定とする線上では基本的にＳｂ相とＳ
ｂ2Ｔｅ3相とに相分離することを利用した。
めには、高結晶化速度と十分な大きさの非晶質マークの
形成とを両立させるため、再凝固時の融点近傍での冷却
速度をとりわけ大きくしてやる必要がある。そこで、本
発明の光学的情報記録用媒体においては、記録層材料が
Ｓｂ7Ｔｅ3比を一定とする線上では基本的にＳｂ相とＳ
ｂ2Ｔｅ3相とに相分離することを利用した。
【００２０】平衡状態で熱アニールした場合には、相分
離がＸ線回折で確認できている。しかし、光記録媒体に
おいて非晶質マークを形成するような非平衡な過冷却状
態では、過剰のＳｂが含まれると再凝固時にまず微小Ｓ
ｂクラスタが析出する。このＳｂクラスタが結晶核とな
って非晶質マーク中に残存するため、以後の非晶質膜の
消去（再結晶化）は相分離に時間をかけることなく短時
間で終了するものと考えられる（過剰Ｓｂの添加効果に
ついては、奥田等、Proc. Int. Symp. onOptical Memor
y, 1991, p73 に詳しい）。
離がＸ線回折で確認できている。しかし、光記録媒体に
おいて非晶質マークを形成するような非平衡な過冷却状
態では、過剰のＳｂが含まれると再凝固時にまず微小Ｓ
ｂクラスタが析出する。このＳｂクラスタが結晶核とな
って非晶質マーク中に残存するため、以後の非晶質膜の
消去（再結晶化）は相分離に時間をかけることなく短時
間で終了するものと考えられる（過剰Ｓｂの添加効果に
ついては、奥田等、Proc. Int. Symp. onOptical Memor
y, 1991, p73 に詳しい）。
【００２１】本発明は、本記録層組成のこうした特徴に
関する考察に基づいてなされた。すなわち、上記Ｓｂク
ラスタ析出による高速結晶化メカニズムを保持し、か
つ、Ｓｂ70Ｔｅ30２元共晶系で問題となる非晶質マーク
の不安定性（結晶化温度が１００−１５０℃と低く、保
存安定性が不十分）という問題を解決するために種々の
添加元素について検討した結果、適量のＧｅの添加が高
速結晶化を損ねることなく、かつ、結晶化温度を１５０
℃以上に高め、非晶質マークを安定化させる効果がある
ことが判明した。
関する考察に基づいてなされた。すなわち、上記Ｓｂク
ラスタ析出による高速結晶化メカニズムを保持し、か
つ、Ｓｂ70Ｔｅ30２元共晶系で問題となる非晶質マーク
の不安定性（結晶化温度が１００−１５０℃と低く、保
存安定性が不十分）という問題を解決するために種々の
添加元素について検討した結果、適量のＧｅの添加が高
速結晶化を損ねることなく、かつ、結晶化温度を１５０
℃以上に高め、非晶質マークを安定化させる効果がある
ことが判明した。
【００２２】なお、Ｇｅの添加量が１原子％未満では効
果が無く、かえって結晶化温度を低下させる場合もあ
る。Ｇｅ添加量が２０原子％を超えると、ＧｅＴｅ等の
他の安定相が析出するため、高速結晶化がさまたげら
れ、また、結晶粒が粗大化して非晶質マークの輪郭がぼ
け、ジッタが増加するため好ましくない。 特に、繰り
返しオーバーライトによる組成変動の原因となるので好
ましくない。繰り返しオーバーライト１万回後でも良好
な特性を維持するため、一層好ましいのは、２原子％以
上であり、１５原子％以下である。
果が無く、かえって結晶化温度を低下させる場合もあ
る。Ｇｅ添加量が２０原子％を超えると、ＧｅＴｅ等の
他の安定相が析出するため、高速結晶化がさまたげら
れ、また、結晶粒が粗大化して非晶質マークの輪郭がぼ
け、ジッタが増加するため好ましくない。 特に、繰り
返しオーバーライトによる組成変動の原因となるので好
ましくない。繰り返しオーバーライト１万回後でも良好
な特性を維持するため、一層好ましいのは、２原子％以
上であり、１５原子％以下である。
【００２３】本発明における光学的情報記録用媒体の層
構成は、基板上に少なくとも下部保護層、相変化型記録
層、上部保護層、反射層を設けてなる。保護層、記録
層、反射層はスパッタリング法などによって形成され
る。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必要な
場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー
内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが各層
間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面
からもすぐれている。
構成は、基板上に少なくとも下部保護層、相変化型記録
層、上部保護層、反射層を設けてなる。保護層、記録
層、反射層はスパッタリング法などによって形成され
る。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必要な
場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー
内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが各層
間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面
からもすぐれている。
【００２４】さらに、傷防止、繰返しオーバーライトに
よる変形防止、耐腐食性向上のために、紫外線もしくは
熱硬化性樹脂からなる保護層を設けることが望ましい。
保護層は通常スピンコート法により塗布され、１ｍｍ以
上、１０ｍｍ以下の厚みとすることが望ましい。本発明
における記録媒体の基板としては、ガラス、プラスチッ
ク、ガラス上に光硬化性樹脂を設けたもの等のいずれで
あってもよいが、コストを含む生産性の面ではプラスチ
ックが好ましく、中でもポリカーボネート樹脂が好まし
い。
よる変形防止、耐腐食性向上のために、紫外線もしくは
熱硬化性樹脂からなる保護層を設けることが望ましい。
保護層は通常スピンコート法により塗布され、１ｍｍ以
上、１０ｍｍ以下の厚みとすることが望ましい。本発明
における記録媒体の基板としては、ガラス、プラスチッ
ク、ガラス上に光硬化性樹脂を設けたもの等のいずれで
あってもよいが、コストを含む生産性の面ではプラスチ
ックが好ましく、中でもポリカーボネート樹脂が好まし
い。
【００２５】記録層の膜厚は１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以
下である。１５ｎｍ未満ではコントラストが取りにく
く、また結晶化速度が遅く、消去が困難となる。３０ｎ
ｍを超えるとやはりコントラストが得にくく、また記録
感度が悪くなる。上下の保護層の材料は、屈折率、熱伝
導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して
決定される。一般的には透明性が高く高融点であるＭ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍ
ｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの
酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論
的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成
を制御したり、混合して用いることも有効である。
下である。１５ｎｍ未満ではコントラストが取りにく
く、また結晶化速度が遅く、消去が困難となる。３０ｎ
ｍを超えるとやはりコントラストが得にくく、また記録
感度が悪くなる。上下の保護層の材料は、屈折率、熱伝
導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して
決定される。一般的には透明性が高く高融点であるＭ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍ
ｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの
酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論
的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成
を制御したり、混合して用いることも有効である。
【００２６】繰返し記録特性を考慮すると誘電体混合物
が好ましい。具体的にはＺｎＳや希土類硫化物と酸化
物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられ
る。下部保護層は特に、プラスチック基板の熱変形を抑
える機能も求められるので、少なくともその膜厚は５０
ｎｍ以上が好ましい。また、５００ｎｍを超えると内部
応力によりクラックが生じ易くなるので５００ｎｍ以下
であるのが好ましい。
が好ましい。具体的にはＺｎＳや希土類硫化物と酸化
物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられ
る。下部保護層は特に、プラスチック基板の熱変形を抑
える機能も求められるので、少なくともその膜厚は５０
ｎｍ以上が好ましい。また、５００ｎｍを超えると内部
応力によりクラックが生じ易くなるので５００ｎｍ以下
であるのが好ましい。
【００２７】好ましい膜厚範囲は５０ｎｍ以上５００ｎ
ｍ以下と広いが、通常はこの範囲から、光干渉効果を考
慮して反射率や、記録前後の反射率差、位相差が適当な
値になるように選ばれる。特に好ましい構造としては、
該下部保護層の記録層、または後で詳細に説明する結晶
化促進層に接する側の１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の部分が
カルコゲン化合物と分解温度または融点が１０００℃以
上のカルコゲン化物ではない耐熱性化合物との混合物か
らなり、残部が上記耐熱性化合物と異種又は同種の耐熱
性化合物からなるものが挙げられる。
ｍ以下と広いが、通常はこの範囲から、光干渉効果を考
慮して反射率や、記録前後の反射率差、位相差が適当な
値になるように選ばれる。特に好ましい構造としては、
該下部保護層の記録層、または後で詳細に説明する結晶
化促進層に接する側の１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の部分が
カルコゲン化合物と分解温度または融点が１０００℃以
上のカルコゲン化物ではない耐熱性化合物との混合物か
らなり、残部が上記耐熱性化合物と異種又は同種の耐熱
性化合物からなるものが挙げられる。
【００２８】カルコゲン化合物としては、ＭｇＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳ、ＢａＳなどのIIａ属元素の硫化物や、Ｍｇ
Ｓｅ、ＣａＳｅ、ＳｒＳｅ、ＢａＳｅなどのIIａ属元素
のセレン化物が挙げられる。上記硫化物又はセレン化物
はカルコゲン元素を含むため相変化型記録層に主として
含まれるカルコゲン及びその周辺元素との密着性も良
い。
Ｓ、ＳｒＳ、ＢａＳなどのIIａ属元素の硫化物や、Ｍｇ
Ｓｅ、ＣａＳｅ、ＳｒＳｅ、ＢａＳｅなどのIIａ属元素
のセレン化物が挙げられる。上記硫化物又はセレン化物
はカルコゲン元素を含むため相変化型記録層に主として
含まれるカルコゲン及びその周辺元素との密着性も良
い。
【００２９】単なる酸化物よりなる誘電体層を用いた場
合に比べ大幅な改善が見られる。カルコゲン化物ではな
い耐熱性化合物としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｂａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｈｆ、Ｓｃ又はランタ
ノイドの酸化物、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｂの窒化
物、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｌａの弗化物、Ｓｉ、Ｂ
の炭化物等が挙げられる。
合に比べ大幅な改善が見られる。カルコゲン化物ではな
い耐熱性化合物としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｂａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｈｆ、Ｓｃ又はランタ
ノイドの酸化物、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｂの窒化
物、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｌａの弗化物、Ｓｉ、Ｂ
の炭化物等が挙げられる。
【００３０】これらのうち、弗化物を用いる場合には、
酸化物も合わせて用いた方が脆性が改善される傾向にあ
るので好ましい。コスト、ターゲット製造の容易さ等の
観点から、二酸化珪素、酸化イットリウム、酸化バリウ
ム、酸化タンタル、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＴｂＦ3、ＳｉＣ、
Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮを用いるが好ましい。
酸化物も合わせて用いた方が脆性が改善される傾向にあ
るので好ましい。コスト、ターゲット製造の容易さ等の
観点から、二酸化珪素、酸化イットリウム、酸化バリウ
ム、酸化タンタル、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＴｂＦ3、ＳｉＣ、
Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮを用いるが好ましい。
【００３１】上記２種の物質の膜中の合計量は含有率に
して５０ｍｏｌ％以上が好ましく、さらに好ましくは８
０ｍｏｌ％以上である。この含有率が５０ｍｏｌ％を下
回ると、基板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、
保護層としての役目をなさない傾向がある。またカルコ
ゲン化合物の含有率は保護層全体の１０ｍｏｌ％以上、
９５ｍｏｌ％以下が好ましい。１０ｍｏｌ％未満では望
みの特性が発揮されない。また９５ｍｏｌ％を超えると
光学吸収係数が大きくなり、好ましくなく、より好まし
くは１５ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下である。
して５０ｍｏｌ％以上が好ましく、さらに好ましくは８
０ｍｏｌ％以上である。この含有率が５０ｍｏｌ％を下
回ると、基板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、
保護層としての役目をなさない傾向がある。またカルコ
ゲン化合物の含有率は保護層全体の１０ｍｏｌ％以上、
９５ｍｏｌ％以下が好ましい。１０ｍｏｌ％未満では望
みの特性が発揮されない。また９５ｍｏｌ％を超えると
光学吸収係数が大きくなり、好ましくなく、より好まし
くは１５ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下である。
【００３２】また上記耐熱性化合物の含有率は誘電体層
全体の５ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましく、
より好ましくは１０ｍｏｌ％以上である。これ以外の範
囲では望みの特性が得られないことがある。耐熱性化合
物は１０００℃以上の耐熱性と共に記録再生に用いるレ
ーザー光に対して光学的に十分透明であることが必要と
なる。
全体の５ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましく、
より好ましくは１０ｍｏｌ％以上である。これ以外の範
囲では望みの特性が得られないことがある。耐熱性化合
物は１０００℃以上の耐熱性と共に記録再生に用いるレ
ーザー光に対して光学的に十分透明であることが必要と
なる。
【００３３】すなわち、５０ｎｍ程度の厚さで約６００
ｎｍ以上の波長領域で複素屈折率の虚部が０．０５以下
であることが望ましい。この光学的透明性を得るため
に、スパッタ成膜時に、Ａｒと酸素及び／又は窒素との
混合ガスを用いると好ましい。特に、硫化物、及びセレ
ン化物中のＳやＳｅは蒸気圧が高いために、スパッタ中
に一部が分解、蒸発する傾向がある。
ｎｍ以上の波長領域で複素屈折率の虚部が０．０５以下
であることが望ましい。この光学的透明性を得るため
に、スパッタ成膜時に、Ａｒと酸素及び／又は窒素との
混合ガスを用いると好ましい。特に、硫化物、及びセレ
ン化物中のＳやＳｅは蒸気圧が高いために、スパッタ中
に一部が分解、蒸発する傾向がある。
【００３４】このように、保護層中にＳやＳｅの欠損が
多いと、光吸収性の欠陥となり、また、化学的にも不安
定であるために好ましくない。上記のように、酸素や窒
素をスパッタガスに添加することは、この欠損を酸素や
窒素で置き換えることを目的としている。このとき上記
カルコゲン化合物の金属元素の酸化物や窒化物が膜中に
一部形成されるが、耐熱性化合物の一部として働くため
に、膜の特性は特に損なわれない。
多いと、光吸収性の欠陥となり、また、化学的にも不安
定であるために好ましくない。上記のように、酸素や窒
素をスパッタガスに添加することは、この欠損を酸素や
窒素で置き換えることを目的としている。このとき上記
カルコゲン化合物の金属元素の酸化物や窒化物が膜中に
一部形成されるが、耐熱性化合物の一部として働くため
に、膜の特性は特に損なわれない。
【００３５】ところで、本誘電体層は、一般に高周波放
電スパッタで製造されるため、成膜速度が遅い傾向があ
り、生産性の面からは２００ｎｍ以上の厚膜を設けるこ
とは好ましくはない。従って、厚膜を形成する必要があ
る場合には、全膜厚のうち記録層または結晶化促進層に
接する側の１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の部分がカルコゲン
化合物と分解温度または融点が１０００℃以上のカルコ
ゲン化物ではない耐熱性化合物との混合物からなり、残
部が上記耐熱性化合物と異種又は同種の耐熱性化合物か
らなる保護膜とするのがよい。
電スパッタで製造されるため、成膜速度が遅い傾向があ
り、生産性の面からは２００ｎｍ以上の厚膜を設けるこ
とは好ましくはない。従って、厚膜を形成する必要があ
る場合には、全膜厚のうち記録層または結晶化促進層に
接する側の１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の部分がカルコゲン
化合物と分解温度または融点が１０００℃以上のカルコ
ゲン化物ではない耐熱性化合物との混合物からなり、残
部が上記耐熱性化合物と異種又は同種の耐熱性化合物か
らなる保護膜とするのがよい。
【００３６】少なくとも記録層または結晶化促進層界面
側に本組成の誘電体層を適用すれば、全膜厚を本発明で
特徴とする組成の誘電体層とした場合と同様の効果が得
られる。ただし、記録層または結晶化促進層界面側の複
合誘電体層と、その上に設ける耐熱化合物保護膜との密
着性が良くなければ、剥離を生じやすいので、両者の組
み合わせには注意を要する。最も問題の少ない組み合わ
せは、記録層または結晶化促進層界面側の複合誘電体層
に含まれる耐熱性化合物と同種の材料を上に設ける耐熱
性化合物保護膜として用いることである。
側に本組成の誘電体層を適用すれば、全膜厚を本発明で
特徴とする組成の誘電体層とした場合と同様の効果が得
られる。ただし、記録層または結晶化促進層界面側の複
合誘電体層と、その上に設ける耐熱化合物保護膜との密
着性が良くなければ、剥離を生じやすいので、両者の組
み合わせには注意を要する。最も問題の少ない組み合わ
せは、記録層または結晶化促進層界面側の複合誘電体層
に含まれる耐熱性化合物と同種の材料を上に設ける耐熱
性化合物保護膜として用いることである。
【００３７】上部保護層も上述のような材料が使用され
るが、その膜厚範囲は１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下に限
られる。その最大の理由は、反射層への放熱を有効に作
用させるためである。放熱を促進し、記録層再凝固時の
冷却速度を高める層構成を採用することで、再結晶化の
問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現す
る。
るが、その膜厚範囲は１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下に限
られる。その最大の理由は、反射層への放熱を有効に作
用させるためである。放熱を促進し、記録層再凝固時の
冷却速度を高める層構成を採用することで、再結晶化の
問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現す
る。
【００３８】上部保護層の膜厚が３０ｎｍより厚くなる
と、記録層の熱が反射層に到達する時間が長くなり、反
射層による放熱効果が有効に作用しない。すなわち、反
射層は熱を汲みだすポンプであり、上部保護層はポンプ
へ熱流を伝える配管であると見なせる。保護層が厚いと
いうことは配管が長いということであり、いくらポンプ
の性能が高くても（反射層の熱伝導が大きくても）、有
効に作用しない。
と、記録層の熱が反射層に到達する時間が長くなり、反
射層による放熱効果が有効に作用しない。すなわち、反
射層は熱を汲みだすポンプであり、上部保護層はポンプ
へ熱流を伝える配管であると見なせる。保護層が厚いと
いうことは配管が長いということであり、いくらポンプ
の性能が高くても（反射層の熱伝導が大きくても）、有
効に作用しない。
【００３９】配管の流量は配管の太さ、つまり上部保護
層の熱伝導率にも作用されるが、一般に、１００ｎｍ未
満の薄膜の熱伝導率は同じ物質のバルクの熱伝導率より
２−３桁以上小さく、物質による差が小さくなるから、
厚さが重要な因子となる。一方、上部保護層が１０ｎｍ
より薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊されや
すく好ましくない。また、放熱効果が大きすぎて記録に
要するパワーが不必要に大きくなる点でも好ましくな
い。
層の熱伝導率にも作用されるが、一般に、１００ｎｍ未
満の薄膜の熱伝導率は同じ物質のバルクの熱伝導率より
２−３桁以上小さく、物質による差が小さくなるから、
厚さが重要な因子となる。一方、上部保護層が１０ｎｍ
より薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊されや
すく好ましくない。また、放熱効果が大きすぎて記録に
要するパワーが不必要に大きくなる点でも好ましくな
い。
【００４０】ここで提案した層構成は、相変化媒体では
「急冷構造」と呼ばれ、それ自体は公知である（特開平
２−５６７４６号公報、文献Jpn. J. Appl. Phys., Vo
l.28(1989), suppl.28-3, p123）。ただし、本発明記録
層にとっては、この層構成は従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔ
ｅ3系にくらべ必然性が高く、急冷の範囲がより限定さ
れ、より急冷であることが必要である。
「急冷構造」と呼ばれ、それ自体は公知である（特開平
２−５６７４６号公報、文献Jpn. J. Appl. Phys., Vo
l.28(1989), suppl.28-3, p123）。ただし、本発明記録
層にとっては、この層構成は従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔ
ｅ3系にくらべ必然性が高く、急冷の範囲がより限定さ
れ、より急冷であることが必要である。
【００４１】反射層は反射率の大きい物質が好ましく、
本発明では特に熱伝導率が大きく上部誘電体層を介して
も、放熱効果が期待できるＡｕ、Ａｇ、Ａｌを９０原子
％以上含む金属を用いる。反射層自体の熱伝導度制御、
耐腐蝕性改善のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ等を少量加えてもよい。特にＡｌxＴａ
1-x（０．０１＜ｘ≦０．１０）なる合金は、耐腐蝕性
に優れており本光学的情報記録用媒体の信頼性を向上さ
せる上で効果がある。
本発明では特に熱伝導率が大きく上部誘電体層を介して
も、放熱効果が期待できるＡｕ、Ａｇ、Ａｌを９０原子
％以上含む金属を用いる。反射層自体の熱伝導度制御、
耐腐蝕性改善のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ等を少量加えてもよい。特にＡｌxＴａ
1-x（０．０１＜ｘ≦０．１０）なる合金は、耐腐蝕性
に優れており本光学的情報記録用媒体の信頼性を向上さ
せる上で効果がある。
【００４２】反射層の膜厚としては、透過光がなく完全
に入射光を反射させるために５０ｎｍ以上必要である。
膜厚５００ｎｍより大では、放熱効果に変化はなくいた
ずらに生産性を悪くし、また、クラックが発生しやすく
なるので５００ｎｍ以下とする必要がある。本発明で
は、この急冷構造にさらに、以下の記録方法を合わせ用
い、記録層の再凝固時の冷却速度を正確に制御すること
で、マーク長記録に適した本発明記録層材料の特徴をい
かんなく発揮させることが可能となる。
に入射光を反射させるために５０ｎｍ以上必要である。
膜厚５００ｎｍより大では、放熱効果に変化はなくいた
ずらに生産性を悪くし、また、クラックが発生しやすく
なるので５００ｎｍ以下とする必要がある。本発明で
は、この急冷構造にさらに、以下の記録方法を合わせ用
い、記録層の再凝固時の冷却速度を正確に制御すること
で、マーク長記録に適した本発明記録層材料の特徴をい
かんなく発揮させることが可能となる。
【００４３】図２は、光記録時のレーザーパワーの照射
パターンの一例を示す図である。長さｎＴ（Ｔは基準ク
ロック周期、ｎはマーク長変調記録において取りうるマ
ーク長であり、２以上の自然数をとる）にマーク長変調
された非晶質マークを形成する。図では例としてｎ＝７
の場合を示している。本発明記録媒体に対しては、長さ
ｎＴのマークに記録する際に、ｍ＝ｎ−ｋ（０≦ｋ≦２
なる整数、ただしｎの最小値をｎminとしてｎmin−ｋ≧
１）個の記録パルスに分割し、個々の記録パルス幅をα
iＴとし、個々の記録パルスにβiＴ（ただし、２≦ｉ≦
ｍ−１においてαi≦βi）なる時間のオフパルス区間が
付随する。オフパルス区間では０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅな
るバイアスパワーを照射する。
パターンの一例を示す図である。長さｎＴ（Ｔは基準ク
ロック周期、ｎはマーク長変調記録において取りうるマ
ーク長であり、２以上の自然数をとる）にマーク長変調
された非晶質マークを形成する。図では例としてｎ＝７
の場合を示している。本発明記録媒体に対しては、長さ
ｎＴのマークに記録する際に、ｍ＝ｎ−ｋ（０≦ｋ≦２
なる整数、ただしｎの最小値をｎminとしてｎmin−ｋ≧
１）個の記録パルスに分割し、個々の記録パルス幅をα
iＴとし、個々の記録パルスにβiＴ（ただし、２≦ｉ≦
ｍ−１においてαi≦βi）なる時間のオフパルス区間が
付随する。オフパルス区間では０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅな
るバイアスパワーを照射する。
【００４４】ここで、マーク長を検出した際に、正確な
ｎＴマークが得られるよう、Σαi＋Σβiはｎ−ｊ（ｊ
は０≦ｊ≦２なる実数）のように調整できるものとす
る。本発明媒体は、これまでＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似
２元合金系で用いられてきたような記録パワーＰｗと消
去パワーＰｅの２値変調よりも、上記オフパルス区間を
設けバイアスパワーＰｂを照射する３値変調により記録
消去を行うことが望ましい。２値変調のオーバーライト
も可能ではあるが、３値変調方式を用いることで、パワ
ーマージン、記録時線速マージンを広げることができ
る。
ｎＴマークが得られるよう、Σαi＋Σβiはｎ−ｊ（ｊ
は０≦ｊ≦２なる実数）のように調整できるものとす
る。本発明媒体は、これまでＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似
２元合金系で用いられてきたような記録パワーＰｗと消
去パワーＰｅの２値変調よりも、上記オフパルス区間を
設けバイアスパワーＰｂを照射する３値変調により記録
消去を行うことが望ましい。２値変調のオーバーライト
も可能ではあるが、３値変調方式を用いることで、パワ
ーマージン、記録時線速マージンを広げることができ
る。
【００４５】特に本発明記録層ではオフパルス時のバイ
アスパワーＰｂを０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅなるように十分
低くとることが必要である。ただし、βmＴにおいては
０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなってよい。なお、消去パワーＰｅは
非晶質マーク部を１００ナノ秒未満の照射で再結晶化さ
せうるパワー、記録パワーＰｗはαiＴなる時間で記録
層を溶融させるに足るパワーであり、Ｐｗ＞Ｐｅであ
る。
アスパワーＰｂを０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅなるように十分
低くとることが必要である。ただし、βmＴにおいては
０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなってよい。なお、消去パワーＰｅは
非晶質マーク部を１００ナノ秒未満の照射で再結晶化さ
せうるパワー、記録パワーＰｗはαiＴなる時間で記録
層を溶融させるに足るパワーであり、Ｐｗ＞Ｐｅであ
る。
【００４６】図３は、本発明の媒体に光記録を行ったと
きの記録層の温度変化の模式図である。記録パルス幅を
ｍ＝２として分割し、１番目の記録パルス（記録パワ
ー）、１番目のオフパルス（バイアスパワー）、２番目
の記録パルス、２番目のオフパルスを順に照射して非晶
質マークを形成する場合であって、（ａ）αi＝βi＝
０．５でＰｂ＝Ｐｅとした場合と、（ｂ）αi＝βi＝
０．５でＰｂ≒０（≠０）とした場合である。
きの記録層の温度変化の模式図である。記録パルス幅を
ｍ＝２として分割し、１番目の記録パルス（記録パワ
ー）、１番目のオフパルス（バイアスパワー）、２番目
の記録パルス、２番目のオフパルスを順に照射して非晶
質マークを形成する場合であって、（ａ）αi＝βi＝
０．５でＰｂ＝Ｐｅとした場合と、（ｂ）αi＝βi＝
０．５でＰｂ≒０（≠０）とした場合である。
【００４７】記録層の位置としては、１番目の記録パル
スの後端が照射される位置の記録層を想定している。
（ａ）ではオフパルス区間でもＰｅが照射されるため、
後続の記録パルスによる加熱の影響が前方に及び、１番
目の記録パルス照射後の冷却速度が遅く、かつオフパル
ス区間での温度降下で到達する最低温度ＴLaが融点近傍
に留まっている。
スの後端が照射される位置の記録層を想定している。
（ａ）ではオフパルス区間でもＰｅが照射されるため、
後続の記録パルスによる加熱の影響が前方に及び、１番
目の記録パルス照射後の冷却速度が遅く、かつオフパル
ス区間での温度降下で到達する最低温度ＴLaが融点近傍
に留まっている。
【００４８】一方（ｂ）では、オフパルス区間のＰｂが
ほとんど０のため、最低温度ＴLbは融点より十分低い点
まで下がり、かつ途中の冷却速度も大きい。非晶質マー
クは１番目の記録パルス照射時に溶解し、その後のオフ
パルス時の急冷によって形成される。前述のように、本
発明媒体における記録層は融点近傍でのみ大きな結晶化
速度を示す。
ほとんど０のため、最低温度ＴLbは融点より十分低い点
まで下がり、かつ途中の冷却速度も大きい。非晶質マー
クは１番目の記録パルス照射時に溶解し、その後のオフ
パルス時の急冷によって形成される。前述のように、本
発明媒体における記録層は融点近傍でのみ大きな結晶化
速度を示す。
【００４９】従って図３（ｂ）に示す温度プロファイル
をとることは、再結晶化を抑制し、良好な非晶質マーク
を得る上で重要なことである。逆に、冷却速度及び最低
温度ＴLを制御することで再結晶化をほぼ完全に抑制
し、溶融領域とほぼ一致するクリアな輪郭を有する非晶
質マークが得られるためマーク端において低ジッタが得
られる。
をとることは、再結晶化を抑制し、良好な非晶質マーク
を得る上で重要なことである。逆に、冷却速度及び最低
温度ＴLを制御することで再結晶化をほぼ完全に抑制
し、溶融領域とほぼ一致するクリアな輪郭を有する非晶
質マークが得られるためマーク端において低ジッタが得
られる。
【００５０】一方、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似２元系合
金では、図３（ａ）、（ｂ）いずれの温度プロファイル
でも非晶質マーク形成プロセスに大差がない。なぜな
ら、広い温度範囲で速度は若干遅いものの再結晶化を示
すからである。この場合、パルス分割方法によらずある
程度の再結晶化が生じ、これが非晶質マーク周辺の粗大
グレインとなってマーク端でのジッタを悪化させる傾向
がある。この記録層組成では、オフパルスは必須ではな
く、むしろ従来の２値変調によるオーバーライトが単純
で望ましい。
金では、図３（ａ）、（ｂ）いずれの温度プロファイル
でも非晶質マーク形成プロセスに大差がない。なぜな
ら、広い温度範囲で速度は若干遅いものの再結晶化を示
すからである。この場合、パルス分割方法によらずある
程度の再結晶化が生じ、これが非晶質マーク周辺の粗大
グレインとなってマーク端でのジッタを悪化させる傾向
がある。この記録層組成では、オフパルスは必須ではな
く、むしろ従来の２値変調によるオーバーライトが単純
で望ましい。
【００５１】すなわち、本発明記録層にとってオフパル
スは必須要件であるが、従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3系
記録層あるいは本記録層を特開平１−３０３６４３号公
報の実施例に示されたようなマーク位置記録に適用した
場合にとっては必ずしも好ましいものではない。本発明
媒体は線速１ｍ／ｓ〜７ｍ／ｓの範囲で使用される。１
ｍ／ｓ未満では再結晶化が著しく、本発明記録方式を用
いても適正な非晶質マークが記録できない。７ｍ／ｓよ
り大であると前述の記録方式では、十分な消去比が得ら
れない。
スは必須要件であるが、従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3系
記録層あるいは本記録層を特開平１−３０３６４３号公
報の実施例に示されたようなマーク位置記録に適用した
場合にとっては必ずしも好ましいものではない。本発明
媒体は線速１ｍ／ｓ〜７ｍ／ｓの範囲で使用される。１
ｍ／ｓ未満では再結晶化が著しく、本発明記録方式を用
いても適正な非晶質マークが記録できない。７ｍ／ｓよ
り大であると前述の記録方式では、十分な消去比が得ら
れない。
【００５２】マージンを大きく取るため、より好ましく
は２ｍ／ｓ〜７ｍ／ｓの範囲である。本発明の記録用媒
体の線速依存性は、ほとんどＳｂ／Ｔｅ比、すなわち母
体となるＳｂ70Ｔｅ30共晶組成に含まれる過剰Ｓｂ量で
決まる。Ｓｂが多くなれば急冷状態で析出するＳｂクラ
スタサイトが増え、結晶核生成が促進されると考えられ
る。これは、各結晶核から同一結晶成長速度を仮定して
も、成長した結晶粒で埋め尽くされるに要する時間が短
縮され、結果として非晶質マークを結晶化するに要する
時間が短縮されることを意味する。従って、高線速度で
短時間のレーザー光照射で消去する場合に有利である。
は２ｍ／ｓ〜７ｍ／ｓの範囲である。本発明の記録用媒
体の線速依存性は、ほとんどＳｂ／Ｔｅ比、すなわち母
体となるＳｂ70Ｔｅ30共晶組成に含まれる過剰Ｓｂ量で
決まる。Ｓｂが多くなれば急冷状態で析出するＳｂクラ
スタサイトが増え、結晶核生成が促進されると考えられ
る。これは、各結晶核から同一結晶成長速度を仮定して
も、成長した結晶粒で埋め尽くされるに要する時間が短
縮され、結果として非晶質マークを結晶化するに要する
時間が短縮されることを意味する。従って、高線速度で
短時間のレーザー光照射で消去する場合に有利である。
【００５３】一方、記録層の冷却速度は記録時の線速度
にも依存する。すなわち、同一層構成であっても低線速
度ほど冷却速度は低下する。従って、低線速度ほど非晶
質形成のための臨界冷却速度が小さい組成、すなわち過
剰Ｓｂ量の少ない組成が望ましい。まとめると、Ｓｂ70
Ｔｅ30共晶組成を基準として、過剰Ｓｂ量が多い組成ほ
ど高線速度に適している。
にも依存する。すなわち、同一層構成であっても低線速
度ほど冷却速度は低下する。従って、低線速度ほど非晶
質形成のための臨界冷却速度が小さい組成、すなわち過
剰Ｓｂ量の少ない組成が望ましい。まとめると、Ｓｂ70
Ｔｅ30共晶組成を基準として、過剰Ｓｂ量が多い組成ほ
ど高線速度に適している。
【００５４】なお、Ｇｅの添加によりＳｂ／Ｔｅ比は７
０／３０ではなく、母体となるＳｂＴｅが共晶となるの
は６０／４０程度が基準となるようである。従って、Ｓ
ｂ／Ｔｅ原子比としては６０／４０以上、８５／１５以
下が好ましい。より好ましくは６５／３５以上、７５／
２５以下である。
０／３０ではなく、母体となるＳｂＴｅが共晶となるの
は６０／４０程度が基準となるようである。従って、Ｓ
ｂ／Ｔｅ原子比としては６０／４０以上、８５／１５以
下が好ましい。より好ましくは６５／３５以上、７５／
２５以下である。
【００５５】本発明の相変化媒体は記録層を結晶化温度
以上で固相にて結晶化させる初期結晶化では結晶化が遅
く生産性が良くないことは既に述べた。これは、本記録
層組成は成膜直後の非晶質状態から、いったん相分離さ
せ安定な結晶状態を形成する必要があるためであり、こ
の相分離には通常、固相（融点以下）では１μ秒以上の
加熱が必要である。
以上で固相にて結晶化させる初期結晶化では結晶化が遅
く生産性が良くないことは既に述べた。これは、本記録
層組成は成膜直後の非晶質状態から、いったん相分離さ
せ安定な結晶状態を形成する必要があるためであり、こ
の相分離には通常、固相（融点以下）では１μ秒以上の
加熱が必要である。
【００５６】例えば記録層としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5を用
いた場合にａｓ−ｄｅｐｏ状態の媒体を十分高速に結晶
化できる条件で、Ｇｅ10Ｓｂ66Ｔｅ24等の記録層の媒体
の初期結晶化を試みると多くの部分が結晶化しないまま
アモルファス状態として残ってしまう。この操作を数十
回繰り返すことにより相分離が完了し、初期化できる場
合もあるがこれでは生産性が低く実用的でない。しかし
ながら、いったん初期化してしまえば、以後は高速で結
晶化（消去）できるようになる。
いた場合にａｓ−ｄｅｐｏ状態の媒体を十分高速に結晶
化できる条件で、Ｇｅ10Ｓｂ66Ｔｅ24等の記録層の媒体
の初期結晶化を試みると多くの部分が結晶化しないまま
アモルファス状態として残ってしまう。この操作を数十
回繰り返すことにより相分離が完了し、初期化できる場
合もあるがこれでは生産性が低く実用的でない。しかし
ながら、いったん初期化してしまえば、以後は高速で結
晶化（消去）できるようになる。
【００５７】この、初期化が困難な傾向は添加Ｇｅ量を
多くすることで一層顕著になる。ａｓ−ｄｅｐｏ状態の
膜が結晶化しにくい原因の一つは、ａｓ−ｄｅｐｏのア
モルファスの状態が記録マークのアモルファスの状態と
異なり結晶化しにくいためと考えられる。また、結晶核
がａｓ−ｄｅｐｏ状態の記録層にはほとんどないことが
結晶化しにくい原因となっていることも考えられる。実
際、光学顕微鏡で初期結晶化を試みた部分の観察をする
と、結晶化のすすんだ部分が島状に観察される。これは
結晶核のできた部分でのみ結晶化がすすんでいるとすれ
ば理解できる。
多くすることで一層顕著になる。ａｓ−ｄｅｐｏ状態の
膜が結晶化しにくい原因の一つは、ａｓ−ｄｅｐｏのア
モルファスの状態が記録マークのアモルファスの状態と
異なり結晶化しにくいためと考えられる。また、結晶核
がａｓ−ｄｅｐｏ状態の記録層にはほとんどないことが
結晶化しにくい原因となっていることも考えられる。実
際、光学顕微鏡で初期結晶化を試みた部分の観察をする
と、結晶化のすすんだ部分が島状に観察される。これは
結晶核のできた部分でのみ結晶化がすすんでいるとすれ
ば理解できる。
【００５８】このように初期結晶化が困難である場合、
生産性は著しく悪化する。本発明者らはさらに、初期化
に要する時間を短縮するための一つの方法として、本発
明記録層には溶融初期化が有効なことを見出した。上記
層構成を有する限り、溶融したからといって記録媒体が
ただちに破壊されるものではない。例えば、直径１００
μｍ程度に集束したガウシアンビーム（ガスもしくは半
導体レーザー光）を用いて局所的に加熱し、ビーム中心
部に限定して溶融させれば、記録媒体は破壊されること
はない。加えて、ビーム周辺部の加熱により、溶融部が
余熱されるため冷却速度が遅くなり、良好な再結晶化が
行われる。
生産性は著しく悪化する。本発明者らはさらに、初期化
に要する時間を短縮するための一つの方法として、本発
明記録層には溶融初期化が有効なことを見出した。上記
層構成を有する限り、溶融したからといって記録媒体が
ただちに破壊されるものではない。例えば、直径１００
μｍ程度に集束したガウシアンビーム（ガスもしくは半
導体レーザー光）を用いて局所的に加熱し、ビーム中心
部に限定して溶融させれば、記録媒体は破壊されること
はない。加えて、ビーム周辺部の加熱により、溶融部が
余熱されるため冷却速度が遅くなり、良好な再結晶化が
行われる。
【００５９】すなわち、溶融初期化自体は公知の方法で
あるが、本発明記録媒体にとっては非常に好適な手法で
あることを見出したのである。この方法を用いれば、例
えば、従来の固相結晶化に対して１０分の１の初期化時
間を短縮でき、生産性が大幅に短縮できるとともに、オ
ーバーライト後の消去時における結晶性の変化を防止で
きる。
あるが、本発明記録媒体にとっては非常に好適な手法で
あることを見出したのである。この方法を用いれば、例
えば、従来の固相結晶化に対して１０分の１の初期化時
間を短縮でき、生産性が大幅に短縮できるとともに、オ
ーバーライト後の消去時における結晶性の変化を防止で
きる。
【００６０】本発明者らはまた、初期化の困難さを解決
するもう一つの方法として、結晶化促進層を設けること
により初期結晶化が短時間で完了することを見出した。
この理由としては、結晶化促進層が結晶核となり結晶化
のきっかけとなる、または、結晶化促進層上に設けられ
る記録層のａｓ−ｄｅｐｏ状態の構造が結晶化促進層の
ない場合と異なり結晶化し易くなる等が考えられる。
するもう一つの方法として、結晶化促進層を設けること
により初期結晶化が短時間で完了することを見出した。
この理由としては、結晶化促進層が結晶核となり結晶化
のきっかけとなる、または、結晶化促進層上に設けられ
る記録層のａｓ−ｄｅｐｏ状態の構造が結晶化促進層の
ない場合と異なり結晶化し易くなる等が考えられる。
【００６１】本発明者らの検討によれば、結晶化促進層
を記録層の下に設けると初期結晶化はスムースに行われ
るが、記録層の上に結晶化促進層を設けた場合は効果が
小さいため、後者の理由の効果が大きいと考えられる。
結晶化促進層としては結晶化し易い金属等、たとえばＡ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等でもよいが、屈折率が記録層と
近いものが好ましいため、本発明組成の記録層を用いる
場合には結晶化促進層はＳｂ2Ｔｅ3付近の組成が好まし
い。Ｓｂ2Ｔｅ3付近の組成はａｓ−ｄｅｐｏ状態から結
晶である場合が多く、初期結晶化時結晶核になりやす
く、またこの上に設けられる記録層のａｓ−ｄｅｐｏ状
態を結晶化しやすい状態にする利点もある。
を記録層の下に設けると初期結晶化はスムースに行われ
るが、記録層の上に結晶化促進層を設けた場合は効果が
小さいため、後者の理由の効果が大きいと考えられる。
結晶化促進層としては結晶化し易い金属等、たとえばＡ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等でもよいが、屈折率が記録層と
近いものが好ましいため、本発明組成の記録層を用いる
場合には結晶化促進層はＳｂ2Ｔｅ3付近の組成が好まし
い。Ｓｂ2Ｔｅ3付近の組成はａｓ−ｄｅｐｏ状態から結
晶である場合が多く、初期結晶化時結晶核になりやす
く、またこの上に設けられる記録層のａｓ−ｄｅｐｏ状
態を結晶化しやすい状態にする利点もある。
【００６２】結晶化促進層の組成範囲はＳｂzＴｅ1-zと
したとき０．３≦ｚ≦０．５が好ましく、特には０．３
５≦ｚ≦０．４５が好ましい。さらに１０原子％以下の
添加元素が加わってもよい。たとえばＧｅ1Ｓｂ4Ｔｅ7
等は結晶化促進層として使用可能である。初期化後に非
晶質マークを記録した後は記録膜作成時に設けた結晶化
促進層は記録層の他の部分と混ざり合うと考えられる。
結晶化促進層は平均記録層組成と組成は異なるため、ま
た、屈折率の関係上、初期結晶化後の反射率が結晶化促
進層のない場合、または１０回程度の書き換えを行なっ
た後と異なってくるため結晶化促進層膜厚は厚すぎると
良くない。
したとき０．３≦ｚ≦０．５が好ましく、特には０．３
５≦ｚ≦０．４５が好ましい。さらに１０原子％以下の
添加元素が加わってもよい。たとえばＧｅ1Ｓｂ4Ｔｅ7
等は結晶化促進層として使用可能である。初期化後に非
晶質マークを記録した後は記録膜作成時に設けた結晶化
促進層は記録層の他の部分と混ざり合うと考えられる。
結晶化促進層は平均記録層組成と組成は異なるため、ま
た、屈折率の関係上、初期結晶化後の反射率が結晶化促
進層のない場合、または１０回程度の書き換えを行なっ
た後と異なってくるため結晶化促進層膜厚は厚すぎると
良くない。
【００６３】結晶化促進層が厚すぎると２〜５回のオー
バーライト時の記録信号がきたなくなる。薄すぎると初
期結晶化を容易にする効果が小さくなる。したがって結
晶化促進層膜厚は０．２ｎｍ以上、より好適には１ｎｍ
以上、また１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下であ
る。また記録層と結晶化促進層の組成の違いを補うため
結晶化促進層に接して組成補正層を設け、結晶化促進層
と組成補正層の組成を平均したとき記録層組成に近くす
ることも有効である。
バーライト時の記録信号がきたなくなる。薄すぎると初
期結晶化を容易にする効果が小さくなる。したがって結
晶化促進層膜厚は０．２ｎｍ以上、より好適には１ｎｍ
以上、また１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下であ
る。また記録層と結晶化促進層の組成の違いを補うため
結晶化促進層に接して組成補正層を設け、結晶化促進層
と組成補正層の組成を平均したとき記録層組成に近くす
ることも有効である。
【００６４】従来、ＧｅＳｂＴｅ３元合金が相変化媒体
に適用された例があるが、基本的にＳｂ2Ｔｅ3−ＧｅＴ
ｅ擬似２元合金をベースとしたもの（特開昭６１−８９
８８９、６２−５３８８６、６２−１５２７８６各号公
報等）であって本発明の組成範囲とは大きく異なり、本
発明組成範囲は実用的な光記録媒体への応用検討からは
実際上、見捨てられていたのである。
に適用された例があるが、基本的にＳｂ2Ｔｅ3−ＧｅＴ
ｅ擬似２元合金をベースとしたもの（特開昭６１−８９
８８９、６２−５３８８６、６２−１５２７８６各号公
報等）であって本発明の組成範囲とは大きく異なり、本
発明組成範囲は実用的な光記録媒体への応用検討からは
実際上、見捨てられていたのである。
【００６５】一部の特許で前述のように、ＳｂＴｅ共晶
近傍組成の合金が開示されており、本発明の記録層組成
範囲を含むものもある（米国特許４６７０３４５号、特
開平１−１１５６８５、平１−２５１３４２、平１−３
０３６４３、平４−２８５８７各号公報）が、本発明で
開示したマーク長記録に適した記録方法を適用すること
については述べられていない。
近傍組成の合金が開示されており、本発明の記録層組成
範囲を含むものもある（米国特許４６７０３４５号、特
開平１−１１５６８５、平１−２５１３４２、平１−３
０３６４３、平４−２８５８７各号公報）が、本発明で
開示したマーク長記録に適した記録方法を適用すること
については述べられていない。
【００６６】従って、本発明媒体の組成・層構成・記録
法はＳｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍の合金を実用的相変化媒
体とするための欠くべからざる進歩改良である。また、
従来、省みられることの少ない組成でも、いったん初期
化し、本発明の記録方法と組み合わせて使用すればむし
ろ高密度記録に適していることを見出したことは、一定
の思想の飛躍が必要であることは言うまでもない。さら
に、短時間で初期化するために本発明記録媒体に適した
初期化方法を組み合わせたことも産業上重要なことであ
る。
法はＳｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍の合金を実用的相変化媒
体とするための欠くべからざる進歩改良である。また、
従来、省みられることの少ない組成でも、いったん初期
化し、本発明の記録方法と組み合わせて使用すればむし
ろ高密度記録に適していることを見出したことは、一定
の思想の飛躍が必要であることは言うまでもない。さら
に、短時間で初期化するために本発明記録媒体に適した
初期化方法を組み合わせたことも産業上重要なことであ
る。
【００６７】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明する
が、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に限定さ
れるものではない。なお、実施例中の合金薄膜の組成
は、化学分析によって校正された蛍光Ｘ線強度で測定し
た。
が、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に限定さ
れるものではない。なお、実施例中の合金薄膜の組成
は、化学分析によって校正された蛍光Ｘ線強度で測定し
た。
【００６８】実施例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１
ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を１ｎｍ、記録層として
Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１８ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ97.5Ｔａ2.5合金層を１００
ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、
さらに紫外線硬化樹脂層を４μｍ設け光ディスクを作製
した。
層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１
ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を１ｎｍ、記録層として
Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１８ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ97.5Ｔａ2.5合金層を１００
ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、
さらに紫外線硬化樹脂層を４μｍ設け光ディスクを作製
した。
【００６９】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であ
った。
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であ
った。
【００７０】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα1＝１、αi＝０．
５（i≧２）、βi＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ
＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号特
性を示すジッタは最短マーク長でクロック周期の１０％
未満という良好な値が得られ、１０００回オーバーライ
ト後もこの特性は維持された。さらに、記録された信号
は、温度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境下に２０００時
間放置した後にも劣化はみられなかった。
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα1＝１、αi＝０．
５（i≧２）、βi＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ
＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号特
性を示すジッタは最短マーク長でクロック周期の１０％
未満という良好な値が得られ、１０００回オーバーライ
ト後もこの特性は維持された。さらに、記録された信号
は、温度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境下に２０００時
間放置した後にも劣化はみられなかった。
【００７１】実施例２ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１
ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１９ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ97.5Ｔ
ａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタ
リング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂層を４μｍ
設け光ディスクを作製した。
層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１
ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１９ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ97.5Ｔ
ａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタ
リング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂層を４μｍ
設け光ディスクを作製した。
【００７２】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であ
った。
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であ
った。
【００７３】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα1＝１、αi＝０．
５（i≧２）、βi＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ
＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号特
性を示すジッタは最短マーク長でクロック周期の１０％
未満という良好な値が得られ、１０００回オーバーライ
ト後もこの特性は維持された。さらに、記録された信号
は、温度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境下に２０００時
間放置した後にも劣化はみられなかった。
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα1＝１、αi＝０．
５（i≧２）、βi＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ
＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号特
性を示すジッタは最短マーク長でクロック周期の１０％
未満という良好な値が得られ、１０００回オーバーライ
ト後もこの特性は維持された。さらに、記録された信号
は、温度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境下に２０００時
間放置した後にも劣化はみられなかった。
【００７４】実施例３ ポリカーボネート基板上に（Ｚｎ）80（ＳｉＯ2）20層
を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を２
０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａ
ｌ97.5Ｔａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロン
スパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂層
を４μｍ設け光ディスクを作製した。
を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を２
０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａ
ｌ97.5Ｔａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロン
スパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂層
を４μｍ設け光ディスクを作製した。
【００７５】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたが初期結晶化はできなかったた
め、光ディスク評価装置で１トラックごとにＤＣレーザ
ー光を多数回照射することにより溶融初期結晶化を行っ
た。
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたが初期結晶化はできなかったた
め、光ディスク評価装置で１トラックごとにＤＣレーザ
ー光を多数回照射することにより溶融初期結晶化を行っ
た。
【００７６】さらに、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭラ
ンダム信号（クロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を
行なった。記録時にはα1＝１、αi＝０．５（i≧
２）、βi＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．
５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号特性を示
すジッタは最短マーク長でクロック周期の１０％未満と
いう良好な値が得られ、１０００回オーバーライト後も
この特性は維持された。さらに、記録された信号は、温
度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境下に２０００時間放置
した後にも劣化はみられなかった。
ンダム信号（クロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を
行なった。記録時にはα1＝１、αi＝０．５（i≧
２）、βi＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．
５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号特性を示
すジッタは最短マーク長でクロック周期の１０％未満と
いう良好な値が得られ、１０００回オーバーライト後も
この特性は維持された。さらに、記録された信号は、温
度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境下に２０００時間放置
した後にも劣化はみられなかった。
【００７７】実施例４ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ7Ｓｂ65Ｔｅ28層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、
Ａｌ97.5Ｔａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロ
ンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂
層を４μｍ設け光ディスクを作製した。
層を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ7Ｓｂ65Ｔｅ28層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、
Ａｌ97.5Ｔａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロ
ンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂
層を４μｍ設け光ディスクを作製した。
【００７８】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたが初期結晶化はできなかったた
め、光ディスク評価装置で１トラックごとにＤＣレーザ
ー光を多数回照射することにより溶融初期結晶化を行っ
た。
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたが初期結晶化はできなかったた
め、光ディスク評価装置で１トラックごとにＤＣレーザ
ー光を多数回照射することにより溶融初期結晶化を行っ
た。
【００７９】さらに、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭラ
ンダム信号（クロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を
行なった。記録時にはα1＝１、αi＝０．５（i≧
２）、βi＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．
５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号特性を示
すジッタは最短マーク長でクロック周期の１０％未満と
いう良好な値が得られ、１０００回オーバーライト後も
この特性は維持された。さらに、記録された信号は、温
度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境下に１０００時間放置
した後にも劣化はみられなかった。
ンダム信号（クロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を
行なった。記録時にはα1＝１、αi＝０．５（i≧
２）、βi＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．
５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号特性を示
すジッタは最短マーク長でクロック周期の１０％未満と
いう良好な値が得られ、１０００回オーバーライト後も
この特性は維持された。さらに、記録された信号は、温
度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境下に１０００時間放置
した後にも劣化はみられなかった。
【００８０】比較例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ
97.5Ｔａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンス
パッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂層を
４μｍ設け光ディスクを作製した。
層を２３０ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ
97.5Ｔａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンス
パッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂層を
４μｍ設け光ディスクを作製した。
【００８１】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたが初期結晶化することはできな
かったため、光ディスク評価装置で１トラックごとにＤ
Ｃレーザー光を多数回照射することにより溶融初期結晶
化を行った。
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたが初期結晶化することはできな
かったため、光ディスク評価装置で１トラックごとにＤ
Ｃレーザー光を多数回照射することにより溶融初期結晶
化を行った。
【００８２】２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信
号（クロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を行なっ
た。記録時にはα1＝１、αi＝０．５（i≧２）、βi＝
０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ
＝０．８ｍＷとした。実際の信号特性を示すジッタは最
短マーク長でクロック周期の１０％未満という良好な値
が得られ、１０００回オーバーライト後もこの特性は維
持されたが、記録された信号は、温度８０℃、湿度８０
％ＲＨの環境下に５００時間放置した後には劣化し、信
号を読みとることはできなかった。
号（クロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を行なっ
た。記録時にはα1＝１、αi＝０．５（i≧２）、βi＝
０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ
＝０．８ｍＷとした。実際の信号特性を示すジッタは最
短マーク長でクロック周期の１０％未満という良好な値
が得られ、１０００回オーバーライト後もこの特性は維
持されたが、記録された信号は、温度８０℃、湿度８０
％ＲＨの環境下に５００時間放置した後には劣化し、信
号を読みとることはできなかった。
【００８３】比較例２ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ21Ｓｂ61Ｔｅ18層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、
Ａｌ97.5Ｔａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロ
ンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂
層を４μｍ設け光ディスクを作製した。
層を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ21Ｓｂ61Ｔｅ18層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、
Ａｌ97.5Ｔａ2.5合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロ
ンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂
層を４μｍ設け光ディスクを作製した。
【００８４】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたが初期結晶化することはできな
かったため、光ディスク評価装置で１トラックごとにＤ
Ｃレーザー光を多数回照射することにより溶融初期結晶
化を行った。
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り速
度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４０
０ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷで
溶融初期結晶化を試みたが初期結晶化することはできな
かったため、光ディスク評価装置で１トラックごとにＤ
Ｃレーザー光を多数回照射することにより溶融初期結晶
化を行った。
【００８５】２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信
号（クロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を行なっ
た。記録時にはα1＝１、αi＝０．５（i≧２）、βi＝
０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ
＝０．８ｍＷとした。実際の信号特性を示すジッタは最
短マーク長でクロック周期の１０％以上となり良好な特
性は得られなかった。
号（クロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を行なっ
た。記録時にはα1＝１、αi＝０．５（i≧２）、βi＝
０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ
＝０．８ｍＷとした。実際の信号特性を示すジッタは最
短マーク長でクロック周期の１０％以上となり良好な特
性は得られなかった。
【００８６】
【発明の効果】本発明によれば、従来の媒体に比べて劣
化が少なく、マーク長変調記録時にジッターの少ない、
高密度記録に適した光学的情報記録用媒体を提供するこ
とができる。
化が少なく、マーク長変調記録時にジッターの少ない、
高密度記録に適した光学的情報記録用媒体を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の光学的情報記録用媒体の記録層の組成
範囲の説明図
範囲の説明図
【図２】本発明に用いる光記録時のレーザーパワーの照
射パターンの一例を示す説明図
射パターンの一例を示す説明図
【図３】本発明の光学的情報記録用媒体に光記録を行っ
たときの記録層の温度変化の模式図
たときの記録層の温度変化の模式図
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも下部保護層、相変
化型光記録層、上部保護層、反射層からなる多層構成を
有し、該相変化型光記録層の組成がＧｅy（ＳｂxＴｅ
1ーx）1-y （ただし、０．６０≦ｘ≦０．８５、０．０
１≦ｙ≦０．２０）で厚みが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以
下、該上部保護層の厚みが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、
該反射層がＡｕ、Ａｇ、またはＡｌを９０原子％以上含
む金属からなり厚みが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であ
り、 線速度１ｍ／ｓ以上７ｍ／ｓ以下において、レーザーパ
ワーをクロック周期Ｔに従って少なくとも３値の間で変
調することでマーク長変調記録及び消去を行う光学的情
報記録用媒体であって、 マーク間部を形成する際には非晶質マーク部を１００ナ
ノ秒未満の照射で再結晶化させうる消去パワーＰｅを照
射し、 長さｎＴ(ｎは２以上の整数)のマーク部を形成する際に
は、記録パワーＰｗを印加する期間をα1Ｔ、α2Ｔ、・
・・、αmＴとし、かつバイアスパワーＰｂを印加する
期間をβ1Ｔ、β2Ｔ、・・・、βmＴとして、レーザパ
ワーのための印加期間を順次にα1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、
β2Ｔ、・・・・、αmＴ、βmＴとしてレーザーパワー
をｍ個のパルスに分割するとともに、 ２≦ｉ≦ｍ−１においてはαi≦βiとし、 ｋを０から２までの整数から成るパラメータ、ｊを０か
ら２までの実数からなるパラメータとし、かつ前記ｎの
最小値をｎminとしてｎmin−ｋ≧１、ｍ＝ｎ−ｋ、α1
＋β1＋・・・・・＋αm＋βm＝ｎ−ｊとしたとき、 Ｐｗ＞Ｐｅ、０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅ（ただし、βmＴに
おいては０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなりうる）であることを特徴
とする光学的情報記録用媒体。 - 【請求項２】 ０．６５≦ｘ≦０．７５、０．０２≦ｙ
≦０．１５であり、線速度２ｍ／ｓ以上７ｍ／ｓ以下で
記録することを特徴とする請求項１記載の光学的情報記
録用媒体。 - 【請求項３】 相変化型光記録層を成膜後、エネルギー
ビームを照射して結晶化せしめる初期化操作を行うにあ
たり、該記録層を局所的に溶融せしめ、再凝固の際に結
晶化させることを特徴とする請求項１記載の光学的情報
記録用媒体。 - 【請求項４】 相変化型光記録層と下部保護層との間
に、厚さ０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下のそれ自身が成膜
時に結晶質である結晶化促進層を設け、該記録層をエネ
ルギービームを照射して結晶化せしめる初期化操作を行
うことを特徴とする請求項１記載の光学的情報記録用媒
体。 - 【請求項５】 結晶化促進層がＳｂzＴｅ1-z（ただし、
０．３≦ｗ≦０．５）であることを特徴とする請求項４
記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項６】 結晶化促進層に隣接して組成補正層を設
け、結晶化促進層と組成補正層の組成を平均したときの
組成を記録層組成近傍にすることを特徴とする請求項４
記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項７】 下部保護層の膜厚が５０ｎｍ以上５００
ｎｍ以下であり、記録層または結晶化促進層に接する側
の１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の部分がカルコゲン化合物と
分解温度または融点が１０００℃以上のカルコゲン化物
ではない耐熱性化合物との混合物からなり、残部が該耐
熱性化合物と異種又は同種の耐熱性化合物からなること
を特徴とする請求項１または４記載の光学的情報記録用
媒体。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26435796A JP3584634B2 (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 光学的情報記録用媒体 |
| US08/941,720 US6143468A (en) | 1996-10-04 | 1997-10-01 | Optical information recording medium and optical recording method |
| EP03025307A EP1398778B1 (en) | 1996-10-04 | 1997-10-02 | Optical information recording medium and optical recording method |
| EP05025175A EP1630803B1 (en) | 1996-10-04 | 1997-10-02 | Optical information recording medium |
| DE69737045T DE69737045T2 (de) | 1996-10-04 | 1997-10-02 | Optischer Datenaufzeichnungsträger und Verfahren für optische Aufzeichnung |
| DE69740104T DE69740104D1 (de) | 1996-10-04 | 1997-10-02 | Medium für optische Datenaufzeichnung und optisches Aufzeichnungsverfahren |
| EP97117162A EP0834874B1 (en) | 1996-10-04 | 1997-10-02 | Optical information recording medium and optical recording method |
| DE69732330T DE69732330T2 (de) | 1996-10-04 | 1997-10-02 | Medium für optische Datenaufzeichnung und optisches Aufzeichnungsverfahren |
| US09/551,566 US6294310B1 (en) | 1996-10-04 | 2000-04-18 | Optical information recording medium and optical recording method |
| US09/919,846 US6811949B2 (en) | 1996-10-04 | 2001-08-02 | Optical information recording medium and optical recording method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26435796A JP3584634B2 (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 光学的情報記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112028A true JPH10112028A (ja) | 1998-04-28 |
| JP3584634B2 JP3584634B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=17402040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26435796A Expired - Fee Related JP3584634B2 (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 光学的情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3584634B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014735A1 (fr) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Support et procede d'enregistrement optique |
| US6567367B2 (en) | 1998-10-26 | 2003-05-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Multilevel recording and reproduction method and phase change multilevel recording medium |
| US6670014B2 (en) | 2000-08-31 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same, and method for recording/reproducing information thereon |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| US7333414B2 (en) | 1999-05-19 | 2008-02-19 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium, recording method on the same, and optical disc recording/retrieving apparatus |
| US7384678B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, sputtering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
| KR100906056B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2009-07-03 | 파나소닉 주식회사 | 정보 기록매체와 그 제조 방법 |
| JP2010030303A (ja) * | 2002-03-05 | 2010-02-12 | Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd | 情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及びそれを用いた情報記録媒体 |
| WO2010070901A1 (ja) * | 2008-12-16 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 光学的情報記録媒体及びその記録再生方式 |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP26435796A patent/JP3584634B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7539110B2 (en) | 1998-09-09 | 2009-05-26 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical information recording medium and optical recording method |
| US6996052B1 (en) | 1998-09-09 | 2006-02-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| WO2000014735A1 (fr) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Support et procede d'enregistrement optique |
| US6567367B2 (en) | 1998-10-26 | 2003-05-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Multilevel recording and reproduction method and phase change multilevel recording medium |
| US7333414B2 (en) | 1999-05-19 | 2008-02-19 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium, recording method on the same, and optical disc recording/retrieving apparatus |
| US7561502B2 (en) | 1999-05-19 | 2009-07-14 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium, recording method on the same, and optical disc recording/retrieving apparatus |
| US7452582B1 (en) | 1999-05-19 | 2008-11-18 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium recording method on the same and optical disc recording/retrieving apparatus |
| US7408852B2 (en) | 1999-05-19 | 2008-08-05 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium, recording method on the same, and optical disc recording/retrieving apparatus |
| EP1936612A1 (en) | 1999-05-19 | 2008-06-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording at constant angular velocity |
| US7345977B2 (en) | 1999-05-19 | 2008-03-18 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd | Recording and retrieving method on rewritable optical recording medium |
| US6794006B2 (en) | 2000-08-31 | 2004-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same, and method for recording/reproducing information thereon |
| US7035190B2 (en) | 2000-08-31 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of recording/reproducing information on a recording medium with plural phase change recording layers |
| US7002896B2 (en) | 2000-08-31 | 2006-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same, and method for recording/reproducing information thereon |
| US6890613B2 (en) | 2000-08-31 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same, and method for recording/reproducing information thereon |
| US6743496B2 (en) | 2000-08-31 | 2004-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same, and method for recording/reproducing information thereon |
| US6670014B2 (en) | 2000-08-31 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same, and method for recording/reproducing information thereon |
| JP2010030303A (ja) * | 2002-03-05 | 2010-02-12 | Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd | 情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及びそれを用いた情報記録媒体 |
| KR100906056B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2009-07-03 | 파나소닉 주식회사 | 정보 기록매체와 그 제조 방법 |
| US7384678B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, sputtering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
| US7485357B2 (en) | 2003-11-26 | 2009-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| WO2010070901A1 (ja) * | 2008-12-16 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 光学的情報記録媒体及びその記録再生方式 |
| US8437235B2 (en) | 2008-12-16 | 2013-05-07 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and recording/reproducing method therefor |
| JP5398741B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2014-01-29 | パナソニック株式会社 | 光学的情報記録媒体及びその記録再生方式 |
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