JP5398741B2 - 光学的情報記録媒体及びその記録再生方式 - Google Patents

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Description

本発明は、レーザビームの照射によって情報の記録及び／又は再生を行う光学的情報記録媒体と、その記録再生方式とに関するものである。
カルコゲン材料等の薄膜にレーザビームを照射して局所的な加熱を行い、照射条件の違いにより光学定数の異なる状態間で相変化させて信号を記録・消去する情報記録媒体が、広く研究開発・商品化されている。
一般に、情報を記録する場合は、高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して、記録層を溶融して急冷することによって、照射部を非晶質相にして情報を記録する。一方、情報を消去する場合は、記録時よりも低パワー（消去パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することにより、照射部を結晶相にして前に記録されている情報を消去する。従って、相変化形光学的情報記録媒体では、高パワーレベルと低パワーレベルとの間でパワーを変調させたレーザビームを記録層に照射することによって、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録する（書き換える）ことが可能である。
すなわち、相変化型情報記録媒体は、特定波長の光に対する反射光量が、結晶状態と非晶質状態とで異なることを記録・再生として利用しているものであり、レーザビームの出力パワーを変調させることにより記録の消去と記録とを同時に行なっている。
近年、光学的情報記録媒体を大容量化するための技術として、様々な技術が検討されている。例えば、従来の赤色レーザよりも短波長の青紫色レーザを用いたり、レーザビームが入射する側の基板の厚さを薄くして開口数（ＮＡ）が大きい対物レンズを使用したりすることによって、レーザビームのスポット径をより小さくして高密度の記録を行う技術が検討されている。
また、２つの情報層を備える光学的情報記録媒体を用いて、その片側から入射するレーザビームによって、２つの情報層の記録再生を行う情報記録媒体（特許文献１参照）がすでに商品化されている。
例えば、波長４０５ｎｍのレーザビームを用いて記録再生を行ない、直径１２０ｍｍのディスク片面あたり（２つの情報層で）５０ＧＢの記録容量を有するＢＤ−ＲＥメディアが商品化されている。
記録及び再生可能な情報層を２つ備えた光学的情報記録媒体においては、レーザビーム入射側から遠い情報層（第一の情報層）の記録及び再生は、入射側の情報層（第二の情報層）を透過したレーザビームによって行われる。
特許第３８０１６１２号公報
本発明者らは、背景技術で説明した現行商品（２つの情報層を有する光学的情報記録媒体）以上の高容量の光学的情報記録媒体、すなわち、直径１２０ｍｍのディスクサイズに片面あたり５０ＧＢの記録容量よりも大きな容量を有する光学的情報記録媒体について、検討を行った。
具体的には、従来２層であった情報層の数を３層以上に増やし、且つ、１つの情報層の記録容量を、従来２５ＧＢであったものから３３．４ＧＢへと高めた光学的情報記録媒体について検討を行った。
その結果、第一の情報層において、以下の課題が生じることが判明した。
１）光学的情報記録媒体に備わった情報層の数が多いほど、第一の情報層を再生する際のレーザビーム光量の減衰量が大きくなり、充分な再生光量を確保しづらくなること。
２）記録密度を高めることによって記録部と未記録部との間隔が狭くなり、記録部とほぼ同じサイズのレーザ焦点スポットで再生を行う場合、レーザスポット内に記録部と未記録部とが存在する確率が上がるために、信号の識別が困難となること。
３）光学的情報記録媒体の情報層の数が多いほど、第一の情報層以外の情報層に形成されたトラック溝によって、レーザビーム光の直進性・指向性が乱されやすくなり、このことが記録部と未記録部との識別をより一層困難とさせること。
上記１）の課題を克服する方法のひとつとして、第一の情報層への入射光量に対する第一の情報層からの反射光量の比率（反射率）を、従来の２つの情報層を有する光学的情報記録媒体に用いられる第一の情報層の反射率以上に高めることが有効である。なお、ここで言う反射率とは、記録層が結晶状態（未記録状態）のときの反射率（以後、Ｒｃと表記する）のことである。
Ｒｃを高めることによって、第一の情報層を再生する際のレーザビーム光量を高めることができる。なお、記録層が非晶質状態（記録した状態）のときの反射率（以後、Ｒａと表記する）は、次に説明する高コントラスト実現のために、むしろ下げた方が望ましい。
上記２）に示した課題を克服する方法のひとつとしては、ＲｃとＲａとの差を大きくし（コントラストをより明瞭にする）、且つ、Ｒａを小さくする（ノイズを低く抑える）ことが有効である。すなわち、（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒａを高くすることが有効であり、Ｒｃ／Ｒａを高めることが望まれる。高コントラストとすることによって、上記３）に示した記録部と未記録部との識別をより一層困難とさせる問題も、低減される。
しかしながら、情報層の書換え性能を考慮し、書換え性能を満足させた上で、Ｒｃを高めることとＲｃ／Ｒａを高めることとを同時に満足させることは、容易ではない。
情報層の書換え性能は、記録層の材料について述べれば、主に、非晶質状態から結晶状態へと転移する温度及び時間と、結晶状態から非晶質状態へと転移する温度及び時間と、記録材料の熱伝導率と、により決定づけられる。記録層以外の層を構成する材料について述べれば、主に、当該材料の熱伝導率、隣接する層との密着性、ならびに当該材料自体の耐熱性能により決定づけられる。
情報層を構成する膜自体の物性と、光学的な特性とを同時に充分に満足させることは、容易なことでない。
本発明は、良好な記録再生特性、長期保存性能及び書換え性能を共に実現でき、大容量化が可能な光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。
本発明の第一の光学的情報記録媒体は、レーザビームの照射によって情報を記録再生し得る情報層を含み、前記情報層は、レーザビーム入射側と反対側から、少なくとも、反射層と、第一の誘電体層と、前記レーザビームの照射によって相変化を起こし得る記録層と、第二の誘電体層と、をこの順に備え、
前記記録層は、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを含み、前記記録層に含まれるＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを、原子数比でＧｅxＳｂyＴｅzと表したとき、ｘ、ｙ及びｚが、０．３９≦ｘ＜０．４８、０．０２≦ｙ＜０．１１、０．４０≦ｚ＜０．５６、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たし、
前記記録層の厚さが１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、且つ、
前記レーザビームの前記情報層への入射光量に対する、前記レーザビームの前記情報層からの反射光量の比率をＲ（％）とし、前記記録層が結晶状態である時の前記ＲをＲｃ（％）、前記記録層が非晶質状態である時の前記ＲをＲａ（％）とした場合に、Ｒｃ及びＲａが、６．０≦Ｒｃ／Ｒａ≦１２．０、且つ、１．０≦Ｒｃ≦３．０を満たす。
また、本発明の第二の光学的情報記録媒体は、レーザビームの照射によって情報を記録再生し得る情報層を含み、前記情報層は、レーザビーム入射側と反対側から、少なくとも、反射層と、第一の誘電体層と、前記レーザビームの照射によって相変化を起こし得る記録層と、第二の誘電体層と、をこの順に備え、
前記記録層は、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを含み、前記記録層に含まれるＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを、原子数比でＧｅxＳｂyＴｅzと表したとき、ｘ、ｙ及びｚが、０．０５≦ｘ≦０．１５、０．７０≦ｙ≦０．８０、０．０５≦ｚ≦０．２５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たし、
前記記録層の厚さが７．０ｎｍ以上１２．０ｎｍ以下であり、
前記第二の誘電体層の屈折率が１．８以上２．４以下であって、前記第二の誘電体層の膜厚が３５ｎｍ以上５５ｎｍ以下であり、且つ、
前記レーザビームの前記情報層への入射光量に対する、前記レーザビームの前記情報層からの反射光量の比率をＲ（％）とし、前記記録層が結晶状態である時の前記ＲをＲｃ（％）、前記記録層が非晶質状態である時の前記ＲをＲａ（％）とした場合に、Ｒｃ及びＲａが、４．０≦Ｒｃ／Ｒａ≦５．０、且つ、１．０≦Ｒｃ≦３．０を満たす。
本発明の光学的情報記録媒体の記録再生方式は、上記第一の光学的情報記録媒体又は上記第二の光学的情報記録媒体の記録再生方式であって、前記光学的情報記録媒体の前記情報層に対し、線速度６．９ｍ／ｓ以上８．８ｍ／ｓ以下で情報の記録再生を行う方式である。
本発明によれば、記録再生特性、記録再生寿命（長期保存性能）及び書換え性能に優れた、大容量の光学的情報記録媒体を提供できる。さらに、本発明の記録再生方式によれば、このような光学的情報記録媒体の良好な記録再生が可能である。
図１は、本発明の実施の形態における光学的情報記録媒体についての一部断面図である。
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は本発明の一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。
本実施の形態の光学的情報記録媒体１００について、一部断面図を図１に示す。光学的情報記録媒体１００では、レーザビーム０４０の照射によって記録再生が行われる。本実施の形態の光学的情報記録媒体１００は、本発明の光学的情報記録媒体において３個の情報層を備えた構成である。すなわち、光学的情報記録媒体１００は、本発明の光学的情報記録媒体において、レーザビーム入射側と反対側から順に第一の情報層〜第Ｎの情報層を備え、且つ、Ｎ＝３の場合の構成を有している。
光学的情報記録媒体１００は、基板００１と、第一の光学分離層００８と、光学分離層００８を挟むように配置された第一の情報層０１１及び第二の情報層０２０と、第二の光学分離層００９と、第二の情報層０２０との間で光学分離層００９を挟むように配置された第三の情報層０３０と、カバー層０１０と、を備える。
第二の情報層０２０は、第一の情報層０１１よりもレーザビーム０４０の入射側に配置され、第三の情報層０３０は、第二の情報層０２０よりもレーザビーム０４０の入射側に配置している。
第一の情報層０１１は、レーザビーム０４０の入射側と反対側から順に配置された、反射層００２、第一の誘電体層００３、第一の界面層００４、記録層００５、第二の界面層００６及び第二の誘電体層００７を備える。
第三の情報層０３０及び第二の情報層０２０は、図には示さないが、例えば、レーザビーム０４０の入射側と反対側から順に配置された、透過率調整層、反射層、第一の誘電体層、記録層、界面層及び第二の誘電体層を備える。
第三の情報層０３０のレーザビーム０４０に対する透過率を、例えば５０％程度として膜構成を設計し、同様に、第二の情報層０２０のレーザビーム０４０に対する透過率を、例えば５０％程度として膜構成を設計する。
レーザビーム０４０は、カバー層０１０側から入射する。第一の情報層０１１は、第三の情報層０３０、第二の光学分離層００９、第二の情報層０２０及び第一の光学分離層００８を透過したレーザビーム０４０によって、記録再生が行われる。
レーザビーム０４０の強度をＩ（ｍＷ）とすると、第一の情報層０１１を記録再生するレーザビームの強度は、０．２５×Ｉ（ｍＷ）となる。
一方で、第一の情報層０１１の反射率をＲ’とすると、第一の情報層０１１を反射し、第一の光学分離層００８、第二の情報層０２０、第二の光学分離層００９及び第三の情報層０３０を透過して還されるレーザビーム強度は、０．０６２５×Ｉ×Ｒ’（ｍＷ）となり、入射光の強度に対し、約１／１６にまで減衰する。
基板００１は、たとえば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン及びＰＭＭＡ（polymethylmethacrylate）等の樹脂、又はガラスを用いて形成できる。
基板００１の内側（第一の光学分離層００８側）の表面には、必要に応じて、レーザビーム０４０を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板００１の外側の表面は、平滑であることが好ましい。基板００１は、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。基板００１の材料としては、転写性・量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。基板００１の厚さは、たとえば８００μｍ〜１３００μｍ（好ましくは、１０５０μｍ〜１１５０μｍ）の範囲内である。
反射層００２の材料には、たとえばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕ等の熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、これらの金属元素の１つ又は複数を主成分とし、耐湿性の向上又は熱伝導率の調整等のために、１つ又は複数の他の元素を添加した合金を用いることもできる。具体的には、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕ及びＣｕ−Ｓｉ等の合金を用いることができる。これらの合金は、いずれも耐食性に優れ、且つ急冷条件を満足する優れた材料である。特に、Ａｇを主成分とする材料（Ａｇ又はＡｇ合金）は、熱伝導率が大きく、光の透過率も高いため、反射層００２の材料として好ましい。ここで、Ａｇを主成分とする材料とは、Ａｇを９０重量％以上含む材料のことである。例えば、Ａｇを９５重量％以上含み、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｇａ及びＮｄから選択される少なくとも何れか１種の元素をさらに含む材料は、高い熱伝導性、ならびに優れた耐食性を確保できるので、好適に用いられる。
反射層００２の厚さは、３０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。反射層００２が３０ｎｍより薄い場合には、その熱拡散機能が不充分となり、記録層００５が非晶質化しにくくなる場合がある。また、反射層００２が１５０ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて、第一の情報層０１１の記録感度が低下する場合がある。例えば、反射層００２がＡｇを主成分とする材料によって形成されている場合、反射層００２の好適な膜厚範囲は、６０ｎｍ〜２００ｎｍである。
反射層００２は、例えばスパッタリングにより形成することができる。
第一の誘電体層００３及び第二の誘電体層００７は、いずれも誘電体からなる。これらの誘電体層は、光学距離を調整して記録層００５の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。これらの誘電体層には、たとえばＳｉＯx（ｘは０．５〜２．５）、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＺｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂｉ4Ｔ3Ｏ12、ＣｅＯ2、Ｃｕ2Ｏ、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｇＳｉＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｎＯ2、ＷＯ3、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＳｉＯ4及びＴｅ−Ｏ等の酸化物を用いることができる。また、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ及びＧｅ−Ｎ等の窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳ等の硫化物やＳｉＣ等の炭化物を用いることもできる。また、上記材料の混合物を用いることもできる。
第一の誘電体層００３及び第二の誘電体層００７の厚さは、記録層００５が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合とで反射光量の変化が大きく、且つ記録層００５の光吸収効率が大きくなるように決定することができる。具体的には、これらの厚さは、たとえばマトリクス法に基づく計算を用いて決定できる。
例えば、記録層００５が後述の形態１である場合について、第一の誘電体層００３及び第二の誘電体層００７の好適な膜厚等を説明する。
レーザビーム０４０の第一の情報層０１１への入射光量に対する、レーザビーム０４０の第一の情報層０１１からの反射光量の比率をＲ（％）とし、記録層００５が結晶状態である時の前記ＲをＲｃ（％）、記録層００５が非晶質状態である時の前記ＲをＲａ（％）とした場合に、Ｒｃ及びＲａが、６．０≦Ｒｃ／Ｒａ≦１２．０、且つ、１．０≦Ｒｃ≦３．０を満たすように、第一の誘電体層００３及び第二の誘電体層００７の厚さを調整する。
例えば、第一の誘電体層００３の屈折率を２．５以上２．８以下とし、第一の誘電体層００３の膜厚を９ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることが好ましい。このような第一の誘電体層００３は、例えば、Ｔｉを含む酸化物材料、ＢｉとＴｉとを含む酸化物材料、又は、ＮｂとＴｉとを含む酸化物材料によって形成できる。
また、第二の誘電体層００７は、例えば屈折率を１．８以上２．４以下とし、膜厚を４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下とすることが好ましい。このような第二の誘電体層００７は、例えば、Ｚｎの硫化物とＳｉの酸化物とを含む材料によって形成できる。
また、記録層００５が後述の形態２である場合についても、同様に、第一の誘電体層００３及び第二の誘電体層００７の好適な膜厚等を説明する。
この場合、Ｒｃ及びＲａが、４．０≦Ｒｃ／Ｒａ≦５．０、且つ、１．０≦Ｒｃ≦３．０を満たすように、第一の誘電体層００３及び第二の誘電体層００７の厚さを調整する。
例えば、第一の誘電体層００３の屈折率を１．４以上２．３未満とし、第一の誘電体層００３の膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることが好ましい。このような第一の誘電体層００３は、例えば、Ｚｒ及びＣｒを含む酸化物材料によって形成できる。
また、第二の誘電体層００７は、例えば屈折率を１．８以上２．４以下とし、膜厚を３５ｎｍ以上５５ｎｍ以下とする。このような第二の誘電体層００７は、例えば、Ｚｎの硫化物とＳｉの酸化物とを含む材料によって形成できる。
第一の界面層００４及び第二の界面層００６は、それぞれ、第一の誘電体層００３と記録層００５との間、及び、第二の誘電体層００７と記録層００５との間で、物質が移動することを防止する働きがある。これらの界面層は、特に、繰り返し記録によって生じる物質移動を防止する。これらの界面層には、たとえばＳｉＯx（ｘは０．５〜２．５）、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＺｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂｉ4Ｔ3Ｏ12、ＣｅＯ2、Ｃｕ2Ｏ、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｇＳｉＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｎＯ2、ＷＯ3、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＳｉＯ4及びＴｅ−Ｏ等の酸化物を用いることができる。また、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ及びＧｅ−Ｎ等の窒化物、これらを含む窒化酸化物を用いることもできる。また、ＳｉＣ等の炭化物を用いることもできる。また、これらの混合物を用いることもできる。
界面層が厚いと、情報層の反射率や吸収率が大きく変化して記録・消去性能に影響を与える。従って、界面層の厚さは、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが望ましく、２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
第一の界面層００４及び第二の界面層００６は、それぞれ異なる材料・組成で形成してもよいし、同一の材料・組成で形成してもよい。これらの界面層は、例えばスパッタリングにより形成することができる。
例えば、記録層００５が後述の形態１又は形態２によって形成されている場合、第一の界面層００４及び第二の界面層００６は、屈折率が１．８以上２．５未満であって、且つ膜厚が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。このような第一の界面層００４及び第二の界面層００６は、例えば、Ｚｒ及びＣｒを含む酸化物材料によって形成できる。
記録層００５は、レーザビーム０４０の照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料からなり、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを含んでいる。なお、記録層００５は、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅ以外の他の成分（例えば、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ）を含んでいてもよいが、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分として含んでいることが好ましい。また、記録層００５が、実質的にＧｅ、Ｓｂ及びＴｅからなるものであってもよい。ここで、記録層００５がＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分として含むとは、記録層００５に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅの原子の合計が９５原子％以上、好ましくは９８原子％以上であることをいう。また、記録層００５が実質的にＧｅ、Ｓｂ及びＴｅからなる場合であっても、これら以外の元素（例えばＣ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ）が微量に（例えば０．３原子％以下で）混入していてもよい。
記録層００５の、ひとつの形態としては、記録層００５が、ＧｅＴｅ化合物とＳｂ2Ｔｅ3化合物とから成る、又は、ＧｅＴｅ化合物とＳｂ2Ｔｅ3化合物とＳｂとから成り、記録層００５に含まれるＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを原子数比でＧｅxＳｂyＴｅzと記したとき、ｘ、ｙ及びｚが、０．３９≦ｘ＜０．４８、０．０２≦ｙ＜０．１１、０．４０≦ｚ＜０．５６、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足する形態が挙げられる（以後、形態１と略す）。
本組成をより詳細に説明すると、ＧｅＴｅ化合物とＳｂ2Ｔｅ3化合物とのモル比率、すなわち（ＧｅＴｅ）／（Ｓｂ2Ｔｅ3）の値が９以上５９以下であることが好ましく、もしくは、（ＧｅＴｅ）／（Ｓｂ2Ｔｅ3）の値が９以上５９以下である組成に、さらにＳｂが添加された組成であってもよく、好ましい。
ＧｅＴｅ化合物とＳｂ2Ｔｅ3化合物とＳｂとが含まれる組成である場合、記録層００５に含まれるＳｂ量が２原子％以上１１原子％未満となるようにすることが好ましい。
また、形態１の記録材料が用いられる場合、記録層００５の膜厚は１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下とする。
記録層００５に形態１の材料組成を用いて、その膜厚を１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすることによって、レーザビームの照射によって情報を記録再生し得る情報層を３以上含む大容量の光学的情報記録媒体であっても、レーザビームに対して最も奥側の情報層（ここでは、第一の情報層０１１）の反射率を高めると同時に、反射率比を高めることが可能となる。これにより、充分な再生光量を確保でき、記録密度の高い記録再生においても、記録部と未記録部とをより明瞭に識別することが可能となる。
良好な反射率と反射率比とが同時に両立できる要因としては、記録層が結晶状態の時の屈折率と消衰係数の値、ならびに非晶質状態の時の屈折率と消衰係数の値によるところが大きく、記録層００５の膜厚、先に述べた第一の誘電体層００３及び第二の誘電体層００７の材料及び膜厚を調整することによって、比較的大きな反射率と反射率比が両立されやすいことに起因する。
形態１の記録材料の中心的な組成、すなわち、原子数比でＧｅxＳｂyＴｅzと記したときにｘ＝０．４４、ｙ＝０．０５及びｚ＝０．５１となる組成の場合、波長４０５ｎｍのレーザビーム０４０に対する記録層００５の屈折率をｎ、消衰係数をｋとすると、結晶状態の時のｎが１．６であり、ｋは３．６となる。また、非晶質状態のときのｎは３．０であり、ｋは２．２となる。
記録層００５に形態１の記録材料を用いて、その膜厚を１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすれば、記録層００５以外の膜の材料及び膜厚を適宜調整することにより、光学的情報記録媒体１００の光学特性を充分に満たすことが可能となる。
さらには、形態１の記録材料を用いて、その膜厚を１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすることによって、従来以上に記録密度を高めて記録再生を行うことが容易となり、情報記録媒体の書換え性能を充分に満足することができる。
この原因としては、理由は定かではないが、記録層００５が非晶質状態から結晶状態へと転移する温度と時間、及び、結晶状態から非晶質状態へと転移する温度と時間、ならびに、記録材料の熱伝導率が高密度記録にとって最適化されており、安定に記録マークが形成されることが考えられる。
また、形態１の記録材料及び膜厚を適用した場合、記録層００５の結晶化能と非晶質化能とのバランスが保たれており、非晶質記録マークの長期保存性能も充分に確保することができる。
すなわち、形態１の記録材料の組成及び記録層００５の膜厚を適用することによって、記録媒体の光学的特性と、記録再生特性と、長期保存性能とを、すべて同時に満たすことが可能となる。
ここで、ＧｅＴｅ化合物とＳｂ2Ｔｅ3化合物とのモル比率、すなわち（ＧｅＴｅ）／（Ｓｂ2Ｔｅ3）の値は、光学的な観点から９以上が好ましい。その比率が高くなるほど、記録層が結晶状態の時の消衰係数の値を大きくすることができるために、高反射率と高反射率比とを両立しやすくできるからである。
また、（ＧｅＴｅ）／（Ｓｂ2Ｔｅ3）の値は、５９以下とすることが書換え性能を確保する上で好ましい。５９以下とすることにより、非晶質能が高まり、記録媒体の長期保存性能も確保しやすくできる。
また、形態１の記録材料におけるＳｂ量の範囲内、すなわちＳｂ量を２原子％以上１１未満％以下の範囲内で、ＧｅＴｅ化合物とＳｂ2Ｔｅ3化合物とに、適度にＳｂを含ませてもよい。これにより、記録層００５の非晶質化能を高めることができる。また、Ｓｂ量を１１原子％未満とすることにより、記録層００５が結晶状態のときの消衰係数が低下することを抑制でき、記録媒体の高反射率比を維持しやすくできる。
形態１において、記録層００５の膜厚は１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。膜厚を１０ｎｍ以上とすることで、反射率比を極大化し易いためである。また、１５ｎｍ以下とすることで、記録層の非晶質化能を高めることができ、記録媒体の長期保存性能を確保することができる。
また、記録層００５の、別の側面の形態としては、記録層００５がＧｅとＳｂとＴｅとから成り、記録層００５の組成をモル比率でＧｅxＳｂyＴｅzと記したとき、ｘ、ｙ及びｚが、０．０５≦ｘ≦０．１５、０．７０≦ｙ≦０．８０、０．０５≦ｚ≦０．２５及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たす形態が挙げられる（以後、形態２と略す）。この形態２の場合、記録層００５の膜厚は、７．０ｎｍ以上１２．０ｎｍ以下である。
形態２の上記記録材料においても、その膜厚を７ｎｍ以上１２ｎｍ以下とすることによって、レーザビームの照射によって情報を記録再生し得る情報層を３以上含む大容量の光学的情報記録媒体であっても、レーザビームに対して最も奥側の情報層（ここでは、第一の情報層０１１）の反射率を高めると同時に、反射率比をも高めることが可能となる。これにより、充分な再生光量を確保でき、記録密度の高い記録再生においても、記録部と未記録部とをより明瞭に識別することが可能となる。
反射率と反射率比とが同時に両立できる要因としては、形態１で説明したのと同様に、記録層００５が結晶状態の時の屈折率と消衰係数の値、ならびに非晶質状態の時の屈折率と消衰係数の値によるところが大きく、記録層００５の膜厚、先に述べた第一の誘電体層００３及び第二の誘電体層００７の材料及び膜厚を調整することによって、比較的大きな反射率と反射率比とが両立されやすいことに起因する。
波長４０５ｎｍのレーザビームに対する記録層００５の屈折率をｎ、消衰係数をｋとすると、形態２の記録材料の中心組成、すなわちｘ＝０．１０、ｙ＝０．７５、ｚ＝０．１５となる記録材料における、結晶状態の時のｎが１．３であり、ｋは３．５となる。また、非晶質状態のときのｎは２．６であり、ｋは３．１となる。
また、形態２の記録材料を適用し、その膜厚を７ｎｍ以上１２ｎｍ以下とすることによって、光学的情報記録媒体の書換え性能を充分に満足することができる。
すなわち、記録層００５の結晶化能と非晶質化能とを高密度記録に適したものとでき、書換え性能のみならず、記録した信号の長期保存性能も充分に確保することができる。
形態２において、記録層００５に含まれるＳｂは、７０原子％以上８０原子％以下である。Ｓｂを７０原子％以上とすることにより、記録層００５の結晶化能を高めることができ、消去特性が確保しやすくなる。また、Ｓｂを８０原子％以下とすることにより、記録層００５の非晶質化能を高め、長期保存性能を確保しやすくなる。
記録層００５に形態２の記録材料を適用した場合、その膜厚は７ｎｍ以上１２ｎｍ以下である。７ｎｍ以上とすることにより、反射率を１％以上とすることができ、１２ｎｍ以下とすることにより、反射率比を４．０以上に保つことができる。これにより、記録部と未記録部とをより明瞭に識別できやすくなる。
なお、形態１で説明した記録材料を記録層００５に適用した場合においては、第一の情報層０１１に必要とされる反射率比は６．０以上１２．０以下であり、形態２で説明した記録材料を記録層００５に適用した場合においては、第一の情報層０１１に必要とされる反射率比は４．０以上５．０以下であり、形態１と形態２とでは、必要とされる反射率比が大きく異なる。
この原因は、推測ではあるが、化合物系の材料を用いた形態１においては、非晶質ならびに結晶の形成時において、互いに熱的に干渉しやすく、非晶質記録マークのエッジが乱れやすいために、比較的大きな反射率比が必要であることに対して、共晶系の材料を用いた形態２においては、非晶質ならびに結晶の形成時において、互いに熱的に干渉しにくいため、非晶質記録マークのエッジが乱れにくいことが考えられる。従って、比較的小さな反射率比においても、非晶質部と結晶部とを明瞭に識別できるものと考える。
なお、記録層００５が形態２である場合、例えば、第一の界面層００４は省略されていてもよい。この場合は、第一の情報層０１１の膜構成は、レーザビーム入射側と反対側から順に、反射層、第一の誘電体層、記録層、界面層、第二の誘電体層となる。
次に、第一の光学分離層００８及び第二の光学分離層００９について説明する。第一の光学分離層００８は、第一の情報層０１１のフォーカス位置と第二の情報層０２０のフォーカス位置とを区別するために設けられる。第二の光学分離層００９は、第二の情報層０２０のフォーカス位置と第三の情報層０３０のフォーカス位置とを区別するために設けられる。
第一の光学分離層００８及び第二の光学分離層００９の材料としては、光硬化性樹脂又は遅効性熱硬化型樹脂を用いることができる。その材料は、記録再生に用いられるレーザビーム０４０の波長における光吸収が小さいことが好ましい。第一の光学分離層００８及び第二の光学分離層００９の厚さは、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザビーム０４０の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦光点の強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。λ＝４００ｎｍ、ＮＡ＝０．６のとき、ΔＺ＝０．５５６μｍとなり、±０．６μｍ以内は焦点深度内となる。そのため、この場合には、第一の光学分離層００８及び第二の光学分離層００９の厚さは、１．２μｍ以上であることが必要である。
第一の情報層０１１と第二の情報層０２０との間の距離、及び、第二の情報層０２０と第三の情報層０３０との間の距離は、対物レンズを用いてレーザビーム０４０を集光可能な範囲内にあることが必要である。従って、第一の光学分離層００８の厚さと、第二の光学分離層００９の厚さと、カバー層００４の厚さとの合計は、対物レンズが許容できる基板厚さの公差内にすることが好ましい。このため、第一の光学分離層００８の厚さと、第二の光学分離層００９の厚さは、１．２μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。
第一の光学分離層００８及び第二の光学分離層００９の形成は、例えば、第一の情報層０１１の第二の誘電体層００７上及び第二の情報層０２０の第二の誘電体層（図示せず）上に、それぞれ、光硬化性樹脂又は遅効性熱硬化型樹脂をスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、第一の光学分離層００８及び第二の光学分離層００９がレーザビーム０４０の入射側の表面に案内溝を備える場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。
カバー層０１０は、第三の情報層０３０の薄膜材料を保護する機能を有する。ポリエステルアクリレート系等の紫外線硬化性樹脂をスピンコート法により塗布した後、紫外線硬化させることによって形成できる。
図示されていないが、カバー層０１０の替わりに、光学分離層として機能する基板を配置し、そのレーザビーム入射側に、光透過型の情報層がさらに設けられてもよい。すなわち、図１には情報層を３層備えた光学的情報記録媒体を示したが、情報層が４層以上設けられた場合であっても、本発明の構成を適用できる。なお、本実施の形態では、３つの情報層が設けられた光学的情報記録媒体において、レーザビーム入射側からみて最も奥に位置する第一の情報層に本発明における情報層を適用した例を説明したが、これに限定されない。例えば、１層又は２層の情報層を備えた光学的情報記録媒体に本発明の情報層を適用してもよい。また、本発明の情報層の構成を、レーザビーム入射側からみて最も奥に位置する情報層以外の他の情報層に適用することも可能である。これらの場合でも、本発明の効果は損なわれることはない。
本実施の形態の光学的情報記録媒体１００は、線速度６．９ｍ／ｓ以上８．８ｍ／ｓ以下で情報の記録再生を行う記録再生方式を利用することにより、良好な記録再生を行うことが可能である。
以下に、本発明の光学的情報記録媒体について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
本実施例で作製した光学的情報記録媒体は、図１に示された光学的情報記録媒体１００と同じ構成を有していた。以下、図１に示した符号を用いながら、本実施例の光学的情報記録媒体について説明する。
（実施例１）
実施例１の光学的情報記録媒体は、実施の形態で説明した形態１の記録層を有する光学的情報記録媒体であり、以下のようにして製造した。
まず、基板００１として、案内溝が転写された厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ）を用いた。
そして、そのポリカーボネート基板００１上に、第一の情報層０１１を順次スパッタリングにより形成した。反射層００２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１００ｎｍ）、第一の誘電体層００３としてＴｉＯ2層（厚さ：１５ｎｍ）、第一の界面層００４として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）（厚さ２ｎｍ）、記録層００５としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層（厚さ：１２ｎｍ）、第二の界面層００６として（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）（厚さ２ｎｍ）、第二の誘電体層００７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2層（ＺｎＳ：８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法によって形成した。第二の誘電体層００７の膜厚は、適宜調整した。
反射層００２は、Ａｇ97Ｐｄ2Ｃｕ1（重量％）材料を用いて、Ａｒガスを導入してＤＣスパッタリングにより形成した。
第一の誘電体層００３は、ＴｉＯ2ターゲットを用いて、Ａｒガスを導入してＤＣパルススパッタリングにより形成した。
第一の界面層００４及び第二の界面層００６は、（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）ターゲットを用いて、Ａｒガスを導入してＲＦスパッタリングにより形成した。
記録層００５としては、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3の一定の比率で混合させた材料を用いた。Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの混合材料に、Ａｒガスを２．０×１０-7ｍ3／ｓ（１２ｓｃｃｍ）で導入して、ＤＣパルススパッタリングにより形成した。このときの成膜室の真空度は、おおよそ１．２×１０-1Ｐａであった。スパッタリングパワーは、０．６５Ｗ／ｃｍ2とした。
スパッタリングによって形成される記録層００５の組成として、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3とが一定の比率となるように、あらかじめスパッタ膜組成とターゲット組成とのずれ量を補正する補正係数を経験則から求めて、所望の膜組成が得られるようなターゲットを用いた。
次いで、第二の誘電体層００７は、ＺｎＳとＳｉＯ2を４：１（モル比）で混合した材料を用いて、Ａｒガスを導入してＲＦスパッタリングにより形成した。
実施例１では、記録層００５の組成が媒体特性に及ぼす影響を調べる目的で、記録層００５の組成を種々変えたサンプルを作製した。
記録層００５の組成としては、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3とのモル比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）が８となるように形成したサンプル１−１、モル比率が１０となるように形成したサンプル１−２、モル比率が２２となるように形成したサンプル１−３、モル比率が５０となるように形成したサンプル１−４、モル比率が７０となるように形成したサンプル１−５を、それぞれに形成した。記録層００５の組成は、別途それぞれの記録層のみを形成した元素分析用のサンプルを作製し、ＩＣＰ発光分光分析法により調べた。表１に、目標とする元素比率とスパッタ膜の膜組成を分析した結果について示す。
Figure 0005398741
表１中、例えば、ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3のモル比率が８である場合について、「目標とする元素比率」が「Ｇｅ38.1Ｓｂ9.5Ｔｅ52.4（原子％）」とは、「Ｇｅ」原子と「Ｓｂ」原子と「Ｔｅ」原子とを合わせた数を基準（１００原子％）として表された組成式であることを示している。
その結果、作製されたスパッタ膜では、Ｇｅが３８．５原子％、Ｓｂが９．２原子％、Ｔｅが５２．３原子％、であった。これを原子数比で示す組成で表すと、Ｇｅ0.385Ｓｂ0.092Ｔｅ0.523となる。
次いで、サンプル１−１〜１−５それぞれについて、第二の誘電体層００７上にスピンコート法によって紫外線硬化性樹脂を塗布した後、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、当該樹脂を硬化させた。その後、基板（型）を硬化後の樹脂から剥がすことによって、案内溝が設けられた第一の光学分離層００８を２５μｍの厚さで形成した。
次いで、基板００１上に反射層００２から第一の光学分離層００８までを形成した媒体を、真空装置に投入して、第二の情報層０２０を構成する各層をスパッタリングにより形成した。
第二の情報層０２０としては、順次、透過率調整層としてのＴｉＯ2層（厚さ：１８ｎｍ）、反射層としてのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、第一の誘電体層としてのＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3層（厚さ：１２ｎｍ）、記録層としてのＧｅ22Ｓｂ2Ｔｅ25層（厚さ：７ｎｍ）、界面層としてのＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3層（厚さ：５ｎｍ）、第二の誘電体層としてのＺｎＳ−ＳｉＯ2層（厚さ：４５ｎｍ、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）を積層した。
次いで、紫外線硬化性樹脂を第二の情報層０２０上に塗布した後、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させた。その後、基板（型）を硬化後の樹脂から剥がすことによって、案内溝が設けられた第二の光学分離層００９を１８μｍの厚さで形成した（図１に各層は図示されていない）。
別途、透明基板上に、上記第二の情報層０２０と同じ膜構成を有する情報層を形成し、初期化装置にて記録層を結晶化させた部分と初期化を行わない非晶質の部分において、それぞれ透過率を測定した。透過率の測定には分光器を用い、波長λ＝４０５ｎｍにおける透過率の値を調べた。その結果、透過率は、結晶化させた部分で４８％、非晶質の部分で５０％であった。
次いで、基板００１上に第一の情報層０１１から第二の光学分離層００９までを形成した媒体を真空装置に投入して、第三の情報層０３０を構成する各層をスパッタリングにより形成した。第三の情報層０３０としては、順次、透過率調整層としてのＴｉＯ2層（厚さ：１６ｎｍ）、反射層としてのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第一の誘電体層としてのＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3層（厚さ：９ｎｍ）、記録層としてのＧｅ22Ｓｂ2Ｔｅ25層（厚さ：６ｎｍ）、界面層としてのＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3層（厚さ：３ｎｍ）、第二の誘電体層としてのＺｎＳ−ＳｉＯ2層（厚さ：３５ｎｍ、ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）を積層した。
別途、透明基板上に、上記第三の情報層０３０と同じ膜構成を有する情報層を形成し、初期化装置にて記録層を結晶化させた部分と初期化を行わない非晶質の部分において、それぞれ波長λ＝４０５ｎｍにおける透過率を測定したところ、透過率は結晶化させた部分で５２％、非晶質の部分で５３％であった。
次いで、紫外線硬化性樹脂を第三の情報層０３０上に塗布してスピンコートした後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、カバー層０１０（５７μｍ）を形成し、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体１００を得た。
カバー層０１０は、ポリエステルアクリレート系材料を用いて形成した。
このように形成した本実施例の光学的情報記録媒体を、初期化装置を用いてそれぞれ第一の情報層０１１の記録層００５、第二の情報層０２０の記録層、第三の情報層０３０の記録層を初期化し、第一の情報層０１１の記録再生特性を評価した。評価方法を以下に示す。
光学的情報記録媒体を回転させるためのスピンドルモータと、半導体レーザを備える光学ヘッドと、半導体レーザから出射されるレーザビームを集光する対物レンズとを備える記録再生装置を、記録再生特性の評価に用いた。
光学的情報記録媒体への情報の記録、消去及び上書き記録は、レーザビームのパワーを、高パワーのピークパワー（Ｐｐ（ｍＷ））と低パワーのバイアスパワー（Ｐｂ（ｍＷ））とに変調させることによって行う。ピークパワーのレーザビームを照射することによって、記録層００５の局所的な一部分に非晶質相が形成され、その非晶質相が記録マークとなる。記録マーク間では、バイアスパワーのレーザビームが照射され、結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワーのレーザビームを照射する場合には、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。なお、マルチパルスは、ピークパワーとバイアスパワーのパワーレベルだけで変調されてもよいし、０ｍＷ〜ピークパワーの範囲のパワーレベルによって変調されてもよい。
また、ピークパワー、バイアスパワーのいずれのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザビームの照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ光学的情報記録媒体から記録マーク再生のための充分な反射光量が得られるパワーを再生パワー（Ｐｒ（ｍＷ））とし、再生パワーのレーザビームを照射することによって得られる光学的情報記録媒体からの信号を検出器で読みとることにより、情報の再生が行われる。
対物レンズの開口数（ＮＡ）は、レーザビームのスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．１の範囲内（より好ましくは、０．６〜１．０の範囲内）であることが好ましい。レーザビーム０４０の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内）であることが好ましい。情報を記録する際の光学的情報記録媒体の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ充分な消去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内（より好ましくは、４ｍ／秒〜１５ｍ／秒の範囲内）であることが好ましい。
本実施例では、記録再生特性の評価としては、レーザビームの波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．８５、測定時のサンプルの線速度は７．４ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１１１μｍ、最長マーク長（９Ｔ）は０．５０２μｍ、基板００１に形成された案内溝のトラックピッチは０．３２μｍであり、情報はグルーブに記録して評価を行った。
第一の情報層０１１に対して記録を行う際には、レーザビームの焦点を記録層００５に合わせ、カバー層０１０と、第三の情報層０３０と、第二の情報層０２０とを透過したレーザビーム０４０によって記録層００５に情報を記録する。再生は、記録層００５によって反射され、第二の情報層０２０と、第三の情報層０３０と、カバー層０１０とを透過してきたレーザビームを用いて行う。
反射率の測定は、第一の情報層０１１における初期化した溝トラック及び初期化していない溝トラックに、それぞれ１．０ｍＷの再生パワーでレーザビームを照射して、第一の情報層０１１の初期化部分からの反射率をＲｃ（％）、未初期化部分からの反射率をＲａ（％）として測定した。
また、Ｒｃ／Ｒａを反射率比として算出した。
記録性能（記録再生特性）は、１−７ｐｐ変調方式で９Ｔ長さのマークを記録し、この振幅（Ａｍｐ）ならびに振幅対雑音比（Carrier to Noise Ratio：ＣＮＲ）をスペクトラムアナライザーで測定することによって評価した。９ＴＡｍｐが−５ｄＢｍ以上であったものを◎、−８ｄＢｍ以上−５ｄＢｍ未満であったものを○、−１０ｄＢｍ以上−８ｄＢｍ未満であったものを△、−１０ｄＢｍ未満であったものを×とした。また、ＣＮＲが５６ｄＢ以上であったものを◎、５３ｄＢ以上５６ｄＢ未満であったものを○、５１ｄＢ以上５３ｄＢ未満であったものを△、５１ｄＢ未満であったものを×とした。
消去性能（書換え性能）は、１−７ｐｐ変調方式で９Ｔ長さのマークを記録して振幅をスペクトラムアナライザーで測定し、その上から２Ｔ長さのマークをオーバーライトして再度９Ｔ信号の振幅を測定し、９Ｔ信号の減衰率を計算することによって評価した。以下、この９Ｔ信号の減衰率を消去率という。
消去率がー４５ｄＢ未満であったものを◎、−４５ｄＢ以上−４０ｄＢ未満であったものを○、−４０ｄＢ以上−３５ｄＢ未満であったものを△、−３５ｄＢ以上であったものを×とした。
また、９Ｔ信号を記録したときのＲＦレベルをオシロスコープから読み取り、結晶部からの反射光量レベル（Ｉｃ（ｍＶ））と非晶質からの反射光量レベル（Ｉａ（ｍＶ））との差（Ｉｃ−Ｉａ）と、Ｉａとの比率（（Ｉｃ−Ｉａ）／Ｉａ）を、９Ｔ変調度として算出した（記録再生特性）。
変調度が４５％以上であったものを◎、４２％以上４５％未満であったものを○、４０％以上４２％未満であったものを△、４０％未満であったものを×とした。
記録信号の寿命試験（長期保存性能の評価）としては、あらかじめ２Ｔ信号を記録した媒体を、８０℃、２０％ＲＨ（Relative Humidity）の環境下で５０時間加速試験を行った後に、同じトラックを再生し、加速試験前とのＣＮＲの差分を評価した（アーカイバル劣化量）。
アーカイバル劣化量が０．５ｄＢ以下であったものを◎、０．５ｄＢ以上１．０ｄＢ未満であったものを○、１．０ｄＢ以上１．５ｄＢ未満であったものを△、１．５ｄＢ以上であったものを×とした。
また、寿命試験後における書換え性能の評価は、あらかじめ９Ｔ信号を記録した媒体を、８０℃、２０％ＲＨの環境下で５０時間加速試験を行った後、その上から２Ｔ長さのマークをオーバーライトし、その後で再度９Ｔ信号の振幅を測定することで９Ｔ信号の消去率（加速試験後における消去率）を測定し、加速試験前における消去率と比較することによって行った（アーカイバルオーバーライト劣化量）。
その差分が１．５ｄＢ以下であったものを◎、１．５ｄＢ以上３．０ｄＢ未満であったものを○、３．０ｄＢ以上５．０ｄＢ未満であったものを△、５．０ｄＢ以上であったものを×とした。
表２にサンプル１−１〜１−５の評価結果を示す。
Figure 0005398741
なお、表２中には、上記した評価結果を基に、各サンプルを総合的に評価した結果を併せて示す。総合評価の判断基準としては、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ、９Ｔ／２Ｔ消去率、９Ｔ変調度、アーカイバル劣化量、アーカイバルオーバーライト劣化量の、それぞれの評価結果がすべて○以上（○もしくは◎）であった場合には総合評価を○とし、それぞれの評価結果に、ひとつでも△があった場合には総合評価を△とし、それぞれの評価結果に、ひとつでも×があった場合には総合評価を×とした。
総合評価が○もしくは△であったサンプルは、本発明における記録層の要件を満たしており、実施例として示したサンプルである。これに対し、総合評価が×であったサンプルは、記録層の組成が本発明の記録層の要件（記録材料の組成）を満たしておらず、比較例として示したサンプルである。
なお、各サンプルにおける第二の誘電体層００７の膜厚は、Ｒｃを１％以上確保することができ、可能な限り高Ｒｃを維持できる範囲内で、Ｒｃ／Ｒａを高くできるように決定した。
記録層００５の組成を、モル比率ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3が８となるようにしたサンプル１−１では、第二の誘電体層００７の膜厚を５４ｎｍ以上とするとＲｃ１％以上を確保することができ、それ以上厚くするとＲｃは向上するがＲｃ／Ｒａが減少するため、膜厚を５４ｎｍとした。
このときのＲｃ／Ｒａが５．８と低く、その結果９ＴＡｍｐと９ＴＣ／Ｎで×であった。また、９Ｔ変調度も×であった。その他の評価項目では×となる項目がなかったものの、総合評価としては×であった。
記録層００５の組成を、モル比率ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3が１０となるようにしたサンプル１−２では、第二の誘電体層００７の膜厚を５３ｎｍとすることで高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立することができた。Ｒｃ／Ｒａは６．５に改善し、９ＴＡｍｐと９ＴＣ／Ｎ、９Ｔ変調度が△に改善した。その他の評価項目にも×となる項目がなく、総合評価としては△であった。
記録層００５の組成を、モル比率ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3が２２となるようにしたサンプル１−３では、第二の誘電体層００７の膜厚を５５ｎｍとすることで、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａを両立できた。Ｒｃ／Ｒａは８．２に改善し、９ＴＡｍｐと９ＴＣ／Ｎ、９Ｔ変調度が○に改善した。その他の評価項目にも×となる項目がなく、総合評価としては○であった。
記録層００５の組成を、モル比率ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3が５０となるようにしたサンプル１−４では、第二の誘電体層００７の膜厚を５１ｎｍのとき高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａを両立でき、Ｒｃ／Ｒａはさらに９．０に改善し、９ＴＡｍｐと９ＴＣ／Ｎ、９Ｔ変調度が◎に改善した。その他の評価項目については、アーカイバルオーバーライト劣化量が△となった以外は○であり、総合評価としては△であった。
記録層００５の組成を、モル比率ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3が７０となるようにしたサンプル１−５では、第二の誘電体層００７の膜厚を５２ｎｍのとき高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａを両立でき、９ＴＡｍｐと９ＴＣ／Ｎ、９Ｔ変調度が◎であったが、アーカイバルオーバーライト劣化量が×となり、総合評価としては×であった。
ここで、サンプル１−１の９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ、９Ｔ変調度を改善する目的で、記録層００５の膜厚を１６ｎｍとした以外は、サンプル１−１と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した（サンプル１−６）。
また、サンプル１−５のアーカイバルオーバーライト劣化量を改善する目的で、記録層００５の膜厚を１６ｎｍとした以外は、サンプル１−５と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した（サンプル１−７）。
サンプル１−６及びサンプル１−７の評価結果を表３に示す。
Figure 0005398741
サンプル１−６では、サンプル１−１と比較して、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ、９Ｔ変調度が△に改善したものの、アーカイバル劣化量が×となり、総合評価は×であった。
また、サンプル１−７では、サンプル１−５と比較して、アーカイバルオーバーライト劣化量が△に改善したものの、アーカイバル劣化量が×となり、総合評価は×であった。
以上、実施例１の結果をまとめると、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3のモル比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）を１０、２２、５０として形成した記録層００５を用いた第一の情報層０１１では、総合評価が○もしくは△であり、比率を８又は７０としたものでは総合評価が×であった。
具体的には、記録層００５の元素分析結果で、Ｇｅ量が３９．８原子％、４４．８原子％又は４７．５原子％であったものは総合評価が○もしくは△であり、Ｇｅ量が３８．５原子％又は４８．３原子％であったものは総合評価が×であった。
なお、Ｓｂ量について言えば、Ｓｂ量が２．０〜８．１原子％では総合評価が○、もしくは△であることが分かる。
また、記録層００５の膜厚が１６ｎｍ以上であると、サンプル１−６とサンプル１−７の結果から、アーカイバル劣化量が×となり、総合評価が×となることがわかった。
（実施例２）
記録層００５をＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3とのモル比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）が２２となるように形成し、さらに記録層００５の膜厚を１２ｎｍとは異なる厚さとした以外は、実施例１と同様に、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した。この光学的情報記録媒体について、記録層００５の膜厚が媒体特性に及ぼす影響を調べた。記録層００５の膜厚を８ｎｍとしたものをサンプル２−１、１０ｎｍとしたものをサンプル２−２、１５ｎｍとしたものをサンプル２−３、１７ｎｍとしたものをサンプル２−４とし、それぞれについて実施例１と同様の評価を行った。結果を表４に示す。なお、表４には記録層００５の膜厚に対する媒体の評価結果が整理しやすいよう、実施例１で作製したサンプル１−３も併せて示している。
Figure 0005398741
サンプル２−１では、第二の誘電体層００７の膜厚が５６ｎｍのとき、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立できた。しかしながら、Ｒｃ／Ｒａが５．２と低く、９Ｔ変調度及びアーカイバルオーバーライト劣化量が×であり、総合評価は×であった。
サンプル２−２では、第二の誘電体層００７の膜厚が５５ｎｍのとき、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立できた。サンプル２−１と比べて、９Ｔ変調度は×から△になった。それ以外の項目も×ではなく、総合評価は△であった。
サンプル２−３でも同様に、第二の誘電体層００７の膜厚が５５ｎｍのとき、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立できた。サンプル２−３は、サンプル２−２及び１−３よりも９Ｔ変調度が改善し、◎であった。アーカイバル劣化量が△であったが、それ以外の項目で×はなく、総合評価は△であった。
このようにサンプル２−２、１−３、２−３を比較すると、第二の誘電体層００７の膜厚を一定として記録層００５の膜厚を厚くすると、Ｒｃ／Ｒａが改善し、９Ｔ変調度が改善することがわかる。
記録層００５の膜厚を１７ｎｍとしたサンプル２−４では、第二の誘電体層００７の膜厚が５４ｎｍとのときに、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立できた。しかしながら、アーカイバル劣化が×となり、総合評価では×となった。
以上示したサンプル２−１から２−４の結果から、良好な記録再生特性、長期保存性能及び書換え性能を共に実現するために、記録層００５の膜厚を１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下とする必要があることがわかった。
ここで、サンプル２−４のアーカイバル劣化量を改善する目的で、記録層００５の組成としてＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3のモル比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）が３１となるように形成した以外は、サンプル２−４と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した（サンプル２−５）。評価結果を表５に示す。
Figure 0005398741
このとき、第二の誘電体層００７の膜厚を５２ｎｍとした。本結果によると、目的に反してアーカイバル劣化は改善せず、評価結果は×であり、総合評価は×であった。
よって、本実験でも、記録層００５の膜厚は１０〜１５ｎｍが適切であることが確かめられた。
（実施例３）
本実施例では、第二の誘電体層００７の膜厚が媒体特性に及ぼす影響を調べた。サンプル１−３の第二の誘電体層００７の膜厚を種々変えて、サンプル３−１から３−４までを作製した以外は、実施例１と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した。
第二の誘電体層００７の膜厚を４２ｎｍとしたものをサンプル３−１とし、４５ｎｍとしたものをサンプル３−２とし、６５ｎｍとしたものをサンプル３−３とし、６８ｎｍとしたものをサンプル３−４とした。評価結果を表６に示す。
Figure 0005398741
サンプル３−１では、Ｒｃ／Ｒａが１０．３と高いが、Ｒｃが０．９％と低く、反射光量が足りないために９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
サンプル３−２では、サンプル３−１と比べてＲｃ／Ｒａがやや低下したものの、Ｒｃが向上し、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△となり、その他項目にも×はなく、総合評価は△であった。
サンプル３−３では、Ｒｃは向上するものの、Ｒｃ／Ｒａがやや低下するために、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△となった。その他項目には×がなく、総合評価は△であった。
サンプル３−４では、Ｒｃは高いが、Ｒｃ／Ｒａが４．８にまで低下し、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎ及び９Ｔ変調度が×となった。総合評価は×であった。
ここで、サンプル３−１の９ＴＡｍｐと９ＴＣ／Ｎとを改善する目的で、記録層００５の膜厚を１５ｎｍとした以外は、サンプル３−１と同様に作製した３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した（サンプル３−５）。
また、サンプル３−４の９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ及び９Ｔ変調度を改善する目的で、記録層００５の膜厚を１５ｎｍとした以外はサンプル３−４と同様に作製した３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した（サンプル３−６）。
また、サンプル３−４の９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ及び９Ｔ変調度を改善する目的で、記録層００５の組成を、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）が８０となるようにし、記録層００５の膜厚を１５ｎｍとした以外は、サンプル３−４と同様に作製した３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した（サンプル３−７）。
表７にサンプル３−５、３−６、３−７の評価結果を示す。
Figure 0005398741
サンプル３−５では、サンプル３−１と同様に９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが×であった。また、アーカイバル劣化が×となった。総合評価は×であった。
サンプル３−６では、サンプル３−４と比べると、Ｒｃ／Ｒａが６．８に改善し、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△であったが、アーカイバル劣化が×となり、総合評価は×であった。
サンプル３−７では、サンプル３−４と比べるとＲｃ／Ｒａが７．０に改善し、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△となったが、アーカイバルオーバーライト劣化量が×となり、総合評価は×であった。
以上、実施例３をまとめると、サンプル３−１、サンプル３−２、サンプル１−３、サンプル３−３、サンプル３−４の結果から、記録層００５の組成として、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3の比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）が２２となるように形成し、第一の誘電体層の膜厚を１５ｎｍとし、第二の誘電体層００７としてＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2を用いた場合においては、第二の誘電体層００７の膜厚は、４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下が良いことがわかる。
また、サンプル３−１及びサンプル３−４の×であった項目の改善を図ったサンプル３−５、サンプル３−６、サンプル３−７においては、一部改善が見られたものの、他の項目が×であり、総合評価は×であった。
ところで、本実施例では、第二の誘電体層００７にＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2（レーザビーム波長４０５ｎｍに対する屈折率は２．２０、消衰係数は０．０２）を用いたが、例えば、上記材料と同等の屈折率を有する材料、例えば、ＺｒＯ2とＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3とをそれぞれ２５ｍｏｌ％、２５ｍｏｌ％、５０ｍｏｌ％で混合させた材料（レーザビーム波長４０５ｎｍに対する屈折率は２．３０、消衰係数は０．０５）を用いてもよい。
しかしながら、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2は、スパッタレートが高速であり、耐食性も優れることから、量産性と信頼性の点で、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2が望ましい。
（実施例４）
記録層００５を、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3とのモル比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）が１０となる組成、２２となる組成、５０となる組成をベースとして、それぞれにＳｂを添加した材料を用いて形成した以外は、実施例１と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した。ただし、第二の誘電体層の膜厚は、表９に示すとおりにした。
本実施例の目的は、上記それぞれの組成にＳｂを添加して結晶化速度を低下させたときの、媒体評価結果の組成依存性を調べることにある。
ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3のモル比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）が２２となる組成にＳｂを添加した組成を例に説明すると、ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3の比率が２２となる組成は「Ｇｅ22Ｓｂ2Ｔｅ25」と表記でき、その組成に例えば３．０のＳｂを添加した組成は、「Ｇｅ22Ｓｂ2+3Ｔｅ25」と表記でき、これを原子数比で計算すると、Ｇｅ0.423Ｓｂ0.096Ｔｅ0.481となる。
表８に、本実施例で作製したサンプル４−１〜サンプル４−６について、ベース組成となったＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3のモル比率及び添加したＳｂ量を示し、目標とする元素比率と、別途それぞれの記録層のみを形成した元素分析用のサンプルを作製し、ＩＣＰ発光分光分析法により調べた組成分析の結果を示す。
Figure 0005398741
表９に各サンプルの評価結果を示す。
Figure 0005398741
サンプル４−１は、第二の誘電体層００７の膜厚を４９ｎｍとし、ＲｃとＲｃ／Ｒａを両立させた。Ｓｂ添加のないサンプル１−２と比べると、アーカイバルオーバーライト劣化量が○から△になるが、他の評価項目には×がなく、総合評価は△であった。
サンプル４−２は、第二の誘電体層００７の膜厚を４７ｎｍとし、ＲｃとＲｃ／Ｒａを両立させた。添加Ｓｂのないサンプル１−２と比べると、アーカイバルオーバーライト劣化量が○から×となり、総合評価は×であった。
サンプル４−３は、第二の誘電体層００７の膜厚を５２ｎｍとし、ＲｃとＲｃ／Ｒａを両立させた。添加Ｓｂのないサンプル１−３と比べると、アーカイバルオーバーライト劣化量が○から△となるが、他の評価項目には×がなく、総合評価は△であった。
サンプル４−４は、第二の誘電体層００７の膜厚を５０ｎｍとし、ＲｃとＲｃ／Ｒａを両立させた。添加Ｓｂのないサンプル１−３と比べると、アーカイバルオーバーライト劣化量が○から×となり、総合評価は×であった。
サンプル４−５は、第二の誘電体層００７の膜厚を４７ｎｍとし、ＲｃとＲｃ/Ｒａを両立させた。添加Ｓｂのないサンプル１−４と比べると、アーカイバルオーバーライト劣化量が○から△となるが、他の評価項目には×がなく、総合評価は△であった。
サンプル４−６は、第二の誘電体層００７の膜厚を４７ｎｍとし、ＲｃとＲｃ／Ｒａを両立させた。添加Ｓｂのないサンプル１−４と比べると、アーカイバルオーバーライト劣化量が○から×となり、総合評価は×であった。
ここで、サンプル４−２、サンプル４−４、サンプル４−６のアーカイバルオーバーライト劣化量を改善する目的で、それぞれの記録層００５の膜厚を１５ｎｍにした以外はサンプル４−２、サンプル４−４、サンプル４−６と同様に、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を作製した（それぞれ、サンプル４−７、サンプル４−８、サンプル４−９とする）。
いずれのサンプルでも、第二の誘電体層００７の膜厚は、ＲｃとＲｃ／Ｒａが両立できるような膜厚とした。評価結果を表１０に示す。
Figure 0005398741
サンプル４−７、４−８、４−９のいずれも、アーカイバルオーバーライト劣化量は×であり、総合評価は×であった。
以上、実施例４の結果をまとめると、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3の比率（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2Ｔｅ3）が１８となる組成、２２となる組成、３１となる組成をベースとして、それぞれにＳｂを添加した材料によって形成された記録層００５を用いたサンプル、すなわち、記録層００５を原子数比でＧｅｘＳｂｙＴｅｚと記したとき、ｘ、ｙ及びｚが、０．３９≦ｘ＜０．４８、０．０２≦ｙ＜０．１１、０．４０≦ｚ＜０．５６及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たすサンプルでは、総合評価は△であった。ｙ≧０．１１となるサンプル４−２、サンプル４−４、サンプル４−６においては、いずれのサンプルもアーカイバルオーバーライト劣化量が×であった。
（実施例５）
第一の誘電体層００３の膜厚に対する媒体特性の依存性を調べる目的で、第一の誘電体層００３の膜厚を１５ｎｍとは異なる膜厚とした以外は、実施例１のサンプル１−３と同様に、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した。第一の誘電体層の膜厚を２２ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ、８ｎｍとしたものを、それぞれ、サンプル５−１、５−２、５−３、５−４とした。
評価結果を表１１に示す。なお、すべてのサンプルで、第二の誘電体層００７の膜厚は５５ｎｍとした。
Figure 0005398741
サンプル５−１では、Ｒｃを１％以上とすることが困難であり、且つＲｃ／Ｒａが５．８であった。９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ及び９Ｔ変調度は×であり、総合評価は×であった。
サンプル５−２は、サンプル５−１と比べて、Ｒｃ、Ｒｃ／Ｒａは共に向上し、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎが×から△になり、９Ｔ変調度が×から○になった。他の評価項目にも×が無く、総合評価は△であった。
サンプル５−３では、サンプル１−３と比べて、Ｒｃは向上するが、Ｒｃ／Ｒａはやや低下し、６．０になった。しかし、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ及び９Ｔ変調度は△であり、他の評価項目にも×が無く、総合評価は△であった。
サンプル５−４では、サンプル５−３と比べて、Ｒｃは向上するものの、Ｒｃ／Ｒａは低下し、４．２となった。９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
また、サンプル５−４の９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎを改善する目的で、サンプル５−４の第二の誘電体層００７の膜厚を５０ｎｍとした以外は、サンプル５−４と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した（サンプル５−５）。評価結果を表１２に示す。
Figure 0005398741
サンプル５−５では、サンプル５−４に対して、Ｒｃが低下し、Ｒｃ／Ｒａが向上したものの、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
以上、実施例５の結果をまとめると、第一の誘電体層００３の膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるサンプル５−２、サンプル１−３、サンプル５−３では、総合評価が○もしくは△となった。
なお、本実施例では、第一の誘電体層００３にはＴｉＯ2（レーザ波長４０５ｎｍに対する屈折率は２．５０、消衰係数は０．０３）を用いたが、上記ＴｉＯ2と同等以上の屈折率を有する材料、例えば、ＢｉとＴｉとを含む酸化物材料や、ＮｂとＴｉとを含む酸化物材料であってもよい。
第一の誘電体層００３に用いる材料の屈折率が高いほど、Ｒｃ／Ｒａを高くすることができる。
第一の誘電体層００３に、ＢｉとＴｉとを含む酸化物材料を用いる場合には、例えば、Ｂｉ2Ｏ3とＴｉＯ2との混合比がモル濃度の比率で２：３となるように混合させた材料が、量産性、ディスクの信頼性、ディスク特性の観点から好ましい。Ｂｉ2Ｏ3混合比を高めるほど、スパッタレートを速くすることができ、且つ、薄膜の光学定数を高くすることができる。
上記、（Ｂｉ2Ｏ3）40（ＴｉＯ2）60（ｍｏｌ％）の薄膜材料の屈折率は２．７５、消衰係数は０．０２である。
上記材料の屈折率は、ＴｉＯ2の屈折率（２．５０）よりも高く、上記材料を第一の誘電体層００３に用いた場合には、その最適な膜厚は９ｎｍ以上１８ｎｍ以下となる。
また、ＮｂとＴｉとを含む酸化物材料を用いる場合には、例えば、Ｎｂ2Ｏ5とＴｉＯ2との混合比が、モル濃度の比率で１：１となるように混合させた材料が、量産性、ディスクの信頼性、ディスク特性の観点から好ましい。Ｎｂ2Ｏ5混合比を高めるほど、スパッタレートを速くすることができ、且つ、薄膜の光学定数を高くすることができる。
上記、（Ｎｂ2Ｏ5）50（ＴｉＯ2）50（ｍｏｌ％）の薄膜材料の屈折率は２．５５、消衰係数は０．０７である。
また、ＴｉＯ2の混合比を高めるほど、第一の誘電体層００３に用いたときの媒体の耐食性を高めることができる。
上記材料の屈折率はＴｉＯ2の屈折率（２．５）とほぼ同等であり、上記材料を第一の誘電体層００３に用いた場合には、その最適な膜厚は１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下となる。
すなわち、第一の誘電体層００３としては、その屈折率が２．５以上２．８以下であって、その膜厚は９ｎｍ以上２０ｎｍ以下が良いことがわかる。
以降の実施例では、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅから成る共晶系の記録材料（実施の形態における形態２）について、実施を試みた例を示す。
（実施例６）
実施例６では、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ共晶系記録材料を、図１に示す光学的情報記録媒体１００の記録層００５に用いた場合の、Ｇｅ量が媒体特性に及ぼす影響を調べた例を示す。
ここで、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ共晶系記録材料を記録層００５に用いた媒体では、第一の誘電体材料００３と、第一の界面層００４として、（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を用いた。以下、特に説明のない限り、第一の誘電体材料００３の膜厚を１５ｎｍとし、第一の界面層００４の膜厚を２ｎｍとした。
以上述べたように、記録層００５にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ共晶系記録材料を用い、第一の誘電体層００３に、（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を用いた以外は、実施例１と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した。共晶系記録材料の組成は表１３のとおりとし、それぞれ異なる組成に対して、サンプル６−１からサンプル６−５を作製した。
表１３には、本実施例で試みた、記録層００５の目標とする元素比率を示す。さらに、別途それぞれの記録層のみを形成した元素分析用のサンプルを作製し、ＩＣＰ発光分光分析法により調べた組成分析の結果も、表１３に併せて示す。
Figure 0005398741
表１４に評価結果を示す。
Figure 0005398741
サンプル６−１では、第二の誘電体層００７の膜厚が５０ｎｍのとき、Ｒｃが最大ピークとなったが、その値は０．８％と低かった。評価結果は、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
サンプル６−２では、第二の誘電体層００７の膜厚を４８ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。サンプル６−１と比べて、Ｒｃが１．４％に向上し、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△に改善した。その他の項目で×はなく、総合評価は△であった。
サンプル６−３では、第二の誘電体層００７の膜厚を４５ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。全項目で○であり、総合評価は○であった。
サンプル６−４では、第二の誘電体層００７の膜厚を４２ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。サンプル６−３よりもＴｅ量が減少するために、９Ｔ変調度が△となったが、その他の項目で×はなく、総合評価は△であった。
サンプル６−５では、第二の誘電体層００７の膜厚を４１ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。本組成はＧｅ量が上限値の１５原子％を超えているために、９Ｔ変調度が×であり、総合評価は×であった。
ここで、サンプル６−５の９Ｔ変調度を改善する目的で、記録層００５中のＧｅ量がサンプル６−５と同じとなり、Ｔｅ量を増し、その分のＳｂ量を減らした以外は、サンプル６−５と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した（サンプル６-６）。表１５に、記録層００５の目標とする元素比率と、別途それぞれの記録層のみを形成した元素分析用のサンプルを作製し、ＩＣＰ発光分光分析法により調べた組成分析の結果とを示す。
Figure 0005398741
サンプル６−６の評価結果を表１６に示す。
Figure 0005398741
サンプル６−６は、サンプル６−５に比べて９Ｔ変調度が改善し△となったが、Ｇｅ量が上限値の１５原子％を超えているために、アーカイバルオーバーライト劣化量が×となり、総合評価で×であった。
また、サンプル６−６のアーカイバルオーバーライト劣化量を改善する目的で、サンプル６−６と同じ記録層００５を用いて、その膜厚を１２ｎｍとした以外は、サンプル６−６と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した（サンプル６−７）。
評価結果を表１６に示す。
サンプル６−６と比べて、アーカイバルオーバーライト劣化量は依然として×であり、一方で、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎが◎から○になった。また、アーカイバル劣化量が△となった。総合評価で×であった。
以上示した実施例６の結果をまとめると、記録層００５の組成を原子数比でＧｅxＳｂyＴｅzと記したとき、Ｇｅ量を示すｘの値が、０．０５≦ｘ≦０．１５（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）である場合には、良好なディスク特性を示すことがわかる。
（実施例７）
実施例７では、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ共晶系記録材料を光学的情報記録媒体１００の記録層００５に用いた場合の、Ｓｂ量がディスク特性に及ぼす影響を調べた例を示す。
記録層００５中のＧｅ量がおおよそ１０原子％となるようにし、Ｓｂ量が７５原子％とは異なる量になるようにした以外は、実施例６と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した（サンプル７−１〜サンプル７−４）。
表１７に、本実施例で試みた、記録層００５の目標とする元素比率を示す。さらに、別途それぞれの記録層のみを形成した元素分析用のサンプルを作製し、ＩＣＰ発光分光分析法により調べた組成分析の結果も、表１７に併せて示す。
Figure 0005398741
表１８に評価結果を示す。
Figure 0005398741
サンプル７−１では、第二の誘電体層００７の膜厚を４６ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。９Ｔ／２Ｔ消去率が×であり、アーカイバルオーバーライト劣化量が×であり、総合評価は×であった。
サンプル７−２では、第二の誘電体層００７の膜厚を４５ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。９Ｔ消去率が△であり、アーカイバルオーバーライト劣化量が△であり、その他の項目で×がなかったことから、総合評価は△であった。
サンプル７−３では、第二の誘電体層００７の膜厚を４５ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。９Ｔ消去率が◎、アーカイバルオーバーライト劣化量が◎に改善したものの、９Ｔ変調度とアーカイバル劣化量が△となった。その他の項目で×がなかったことから、総合評価は△であった。
サンプル７−４では、第二の誘電体層００７の膜厚を４４ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａを両立させた。アーカイバル劣化量が×となり、総合評価は×であった。
ここで、サンプル７−１の９Ｔ／２Ｔ消去率と、アーカイバルオーバーライト劣化量の改善を目的に、記録層００５の膜厚を１０ｎｍとした以外は、サンプル７−１と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した（サンプル７−５）。
また、サンプル７−４のアーカイバル劣化量の改善を目的に、記録層００５の膜厚を９ｎｍとした以外は、サンプル７−４と同様に、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した（サンプル７−６）。
表１９に評価結果を示す。
Figure 0005398741
サンプル７−５では、サンプル７−１に対して９Ｔ／２Ｔ消去率が改善し、×から△となったものの、アーカイバルオーバーライト劣化が×となり、総合評価は×であった。
サンプル７−６では、サンプル７−４に対して、評価結果に改善がみられず、総合評価は×であった。
以上、実施例７の結果をまとめると、記録層００５の組成を原子数比でＧｅxＳｂyＴｅzと記したとき、Ｓｂ量を示すｙの値が、０．７０≦ｙ≦０．８０（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）である場合には、良好な媒体特性を示すことがわかる。
（実施例８）
本実施例では、記録層００５の膜厚が媒体特性に及ぼす影響を調べた。記録層００５の膜厚を９．５ｎｍとは異なる膜厚とした以外は、サンプル６−３と同様に、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した。すなわち、記録層００５の組成を、ＩＣＰによる分析組成がＧｅ10.1Ｓｂ75.1Ｔｅ14.8である組成とした。
記録層００５の膜厚を５ｎｍ、７ｎｍ、１２ｎｍ、１４ｎｍとしたものを、それぞれサンプル８−１、サンプル８−２、サンプル８−３、サンプル８−４とした。
評価結果を表２０に示す。
Figure 0005398741
サンプル８−１では、第二の誘電体層００７の膜厚を５５ｎｍとしたとき、Ｒｃを最も高くすることができた。しかし、Ｒｃは０．９％と低い結果であった。評価結果は９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが×であり、また、アーカイバルオーバーライト劣化が×であり、総合評価は×であった。
サンプル８−２では、第二の誘電体層００７の膜厚を５４ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。Ｒｃ１％以上確保することができ、且つ、Ｒｃ／Ｒａを４．１に高めることができた。９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ、アーカイバルオーバーライト劣化が△であり、総合評価は△であった。
サンプル８−３では、第二の誘電体層００７の膜厚を３７ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。アーカイバル劣化量が△となった以外は、すべての項目で×がなく、総合評価は△であった。
サンプル８−４では、第二の誘電体層００７の膜厚を３５ｎｍとして、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させたが、Ｒｃ／Ｒａは３．２と低い値であり、第二の誘電体層００７の膜厚を調整しても、これ以上Ｒｃ／Ｒａを高めることが困難であった。評価結果は９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎ、アーカイバル劣化量が×であり、総合評価は×であった。
ここで、サンプル８−１及びサンプル８−４で、評価項目が×であった箇所の改善を目的に、サンプル８−１及びサンプル８−４の記録層００５の組成を種々変えたサンプルを作製した。これらサンプルの評価結果を表２１に示す。
Figure 0005398741
サンプル８−５は、サンプル８−１の９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎの改善を目的に、記録層００５の組成をサンプル６−４で用いた組成とした以外は、サンプル８−１と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成したものである。
すなわち、サンプル８−５の記録層００５の組成をＧｅ14.9Ｓｂ75.1Ｔｅ10.0（原子％）とし、サンプル８−１における記録層００５の組成であるＧｅ10.1Ｓｂ75.1Ｔｅ14.8（原子％）に対して、Ｇｅ量を増し、Ｔｅ量を減らした組成とした。
サンプル８−５は、第二の誘電体層００７の膜厚を５２ｎｍとして、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。サンプル８−５は、サンプル８−１よりもＲｃ及びＲｃ／Ｒａを高めることができた。その結果、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△に改善したが、アーカイバルオーバーライト劣化量がサンプル８−１と同様×であり、総合評価は×であった。
サンプル８−６は、サンプル８−１のアーカイバルオーバーライト劣化量の改善を目的に、記録層００５の組成をサンプル７−３で用いた組成とした以外は、サンプル８−１と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成したものである。
すなわち、サンプル８−６の記録層００５の組成を、Ｇｅ9.9Ｓｂ80.0Ｔｅ10.1（原子％）とし、サンプル８−１の記録層００５の組成であるＧｅ10.1Ｓｂ75.1Ｔｅ14.8（原子％）に対して、Ｓｂ量を増し、Ｔｅ量を減らした組成とした。
サンプル８−６は、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとの両立が困難であり、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
サンプル８−７は、サンプル８−４のアーカイバル劣化量の改善を目的に、記録層００５の組成をサンプル７−２で用いた組成とした以外は、サンプル８−４と同様に、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成したものである。
すなわち、サンプル８−７の記録層００５の組成をＧｅ10.1Ｓｂ70.1Ｔｅ19.8（原子％）とし、サンプル８−４の記録層００５の組成であるＧｅ10.1Ｓｂ75.1Ｔｅ14.8（原子％）に対して、Ｓｂ量を減らし、Ｔｅ量を増やした組成とした。
サンプル８−７は、高Ｒｃ／Ｒａを得ることが困難であり、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
サンプル８−８は、サンプル８−４の９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎの改善を目的に、記録層００５の組成をサンプル６−４で用いた組成とした以外は、サンプル８−４と同様に、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成したものである。
すなわち、サンプル８−８の記録層００５の組成をＧｅ14.9Ｓｂ75.1Ｔｅ10.0（原子％）とし、サンプル８−４の記録層００５の組成であるＧｅ10.1Ｓｂ75.1Ｔｅ14.8（原子％）に対して、Ｇｅ量を増やし、Ｔｅ量を減らした組成とした。
サンプル８−８は、第二の誘電体層００７の膜厚を４２ｎｍとし、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させた。９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△に改善したものの、アーカイバル劣化量が×であり、総合評価は×であった。
実施例８の結果をまとめると、記録層００５の膜厚が７．０ｎｍ以上１２．０ｎｍ以下の場合に、良好な媒体特性が得られる。記録層００５の膜厚が上記範囲内にない場合は、記録膜００５の組成を変えても、媒体特性の総合評価を○もしくは△とすることができなかった。
（実施例９）
本実施例では、第二の誘電体層００７の膜厚が媒体特性に及ぼす影響を調べた。
第二の誘電体層００７の膜厚を４５ｎｍ以外とした以外は、サンプル６−３と同様に、３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した。膜厚を３３ｎｍ、３５ｎｍ、５５ｎｍ、５７ｎｍとしたものを、それぞれサンプル９−１、サンプル９−２、サンプル９−３、サンプル９−４とした。
これらサンプルの評価結果を表２２に示す。
Figure 0005398741
サンプル９−１では、Ｒｃが０．８％と低く、そのため、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
サンプル９−２では、サンプル９−１に対して、Ｒｃを１．２％に高めることができ、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△に改善した。その他の項目で×が無かったことから、総合評価は△であった。
サンプル９−３では、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎが△であり、その他の項目で×が無かったことから総合評価は△であった。
サンプル９−４では、Ｒｃは高いもののＲｃ／Ｒａを高くすることが困難となり、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
このように、第二の誘電体層００７の膜厚が薄いと、Ｒｃを１％以上に高めることが困難となり、一方で、膜厚が厚いと、Ｒｃ／Ｒａが低下することがわかった。
ここで、サンプル９−１及びサンプル９−４で、評価項目が×であった箇所の改善を目的に、サンプル９−１及びサンプル９−４の記録層００５の組成を種々変えたサンプルを作製した。これらサンプルをサンプル９−５及びサンプル９−６とし、これらの評価結果を表２３に示す。
Figure 0005398741
サンプル９−５では、サンプル９−１のＲｃを高めることを目的に、記録層００５の組成を表１３に示すサンプル６−４と同じにした以外は、サンプル９−１と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した。
すなわち、サンプル９−５の記録層００５の組成をＧｅ14.9Ｓｂ75.1Ｔｅ10.0（原子％）とし、サンプル９−１の記録層００５の組成であるＧｅ10.1Ｓｂ75.1Ｔｅ14.8（原子％）に対して、Ｇｅ量を増やし、Ｔｅ量を減らした組成とした。
サンプル９−５の評価結果は、サンプル９−１に比べて、Ｒｃが１．２％に改善し、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△に改善した。しかしながら、Ｔｅ量を減らしたために、９Ｔ変調度が低下して×となった。総合評価は×であった。
また、サンプル９−６では、サンプル９−４の９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎの改善を目的に、記録層００５の組成をサンプル６−４と同じにした以外は、サンプル９−４と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した。
すなわち、サンプル９−６の記録層００５の組成をＧｅ14.9Ｓｂ75.1Ｔｅ10.0（原子％）とし、サンプル９−４の記録層００５の組成であるＧｅ10.1Ｓｂ75.1Ｔｅ14.8（原子％）に対して、Ｇｅ量を増やし、Ｔｅ量を減らした組成とした。
サンプル９−６の評価結果は、サンプル９−４に対して、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△に改善した。しかしながら、Ｔｅ量を減らしたために、９Ｔ変調度が低下して×となった。総合評価は×であった。
実施例９の結果をまとめると、第一の誘電体層００３の膜厚を１５ｎｍとし、第二の誘電体層００７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いた場合においては、第二の誘電体層００７の膜厚は、３５ｎｍ以上５５ｎｍ以下が良いことがわかる。
ところで、本実施例では、第二の誘電体層００７にＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2（レーザ波長４０５ｎｍに対する屈折率は２．２０、消衰係数は０．０２）を用いたが、例えば、上記材料と同等の屈折率を有する材料、例えば、ＺｒＯ2とＳｉＯ2とＣｒ2Ｏ3とをそれぞれ２５ｍｏｌ％、２５ｍｏｌ％、５０ｍｏｌ％を混合させた材料（レーザ波長４０５ｎｍに対する屈折率は２．３０、消衰係数は０．０５）を用いてもよい。
しかしながら、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2は、スパッタレートが高速であり、耐食性も優れることから、量産性と信頼性の点で、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2が望ましい。
（実施例１０）
第一の誘電体層００３の膜厚に対する、媒体評価結果依存性を調べる目的で、第一の誘電体層００３の膜厚を１５ｎｍとは異なる膜厚とした以外は、サンプル６−３と同様に３層の情報層を有する光学的情報記録媒体を形成した。膜厚を２２ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ、８ｎｍとしたものを、それぞれサンプル１０−１、サンプル１０−２、サンプル１０−３、サンプル１０−４とした。
評価結果を表２４に示す。本サンプル全てにおいて、第二の誘電体層００７の膜厚は４５ｎｍとした。
Figure 0005398741
サンプル１０−１では、高Ｒｃと高Ｒｃ／Ｒａとを両立させることが困難であり、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
サンプル１０−２では、サンプル１０−１に対してＲｃとＲｃ／Ｒａが改善し、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△となった。その他の項目で×がないことから、総合評価は△であった。
サンプル１０−３では、ＲｃとＲｃ／Ｒａがさらに改善し、９ＴＡｍｐ及び９ＴＣ／Ｎが△であった。その他の項目で×がないことから、総合評価は△であった。
サンプル１０−４においては、Ｒｃ／Ｒａを高めることが困難であり、９ＴＡｍｐ、９ＴＣ／Ｎが×であり、総合評価は×であった。
なお、実施例１０では、第一の誘電体層００３には、（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）（波長４０５ｎｍのレーザビームに対する屈折率は２．３０、消衰係数は０．０５）を用いたが、上記（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50材料と同等以下の屈折率を有する材料、例えば、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）や、ＳｉＯ2であってもよい。
記録層００５に共晶系記録材料を用いた場合には、第一の誘電体層００３に用いる材料の屈折率が低いほど、Ｒｃ／Ｒａを高くすることができる。
（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）の波長４０５ｎｍのレーザビームに対する屈折率は２．１０、消衰係数は０．０２であり、ＳｉＯ2の波長４０５ｎｍのレーザビームに対する屈折率は１．４５、消衰係数は０．０１である。
例えば、第一の誘電体層００３の材料にＳｉＯ2を用いた場合、ＳｉＯ2の屈折率は、本実施例で用いた（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）の屈折率（２．３）よりも低く、その最適な膜厚は１６ｎｍ以上３２ｎｍ以下となることが容易に推測できるが、スパッタ時間を短くし、量産性を確保するためには、第一の誘電体層００３の膜厚の上限は２０ｎｍ以下が好ましい。
なお、第一の誘電体層００３材料には、Ｃｒ2Ｏ3が含まれるほど、ディスクの耐食性が優れる点から好ましく、（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）が、より好ましい。
本発明の光学的情報記録媒体は、記録再生特性、長期保存性能及び書換え性能に優れており、例えばＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ等の大容量の光学的情報記録媒体にも好適に用いられる。

Claims (17)

  1. ４０５ｎｍの波長を有するレーザビームの照射によって情報を記録再生し得る情報層を含み、
    前記情報層は、レーザビーム入射側と反対側から、少なくとも、反射層と、第一の誘電体層と、前記レーザビームの照射によって相変化を起こし得る記録層と、第二の誘電体層と、をこの順に備え、
    前記記録層は、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを含み、前記記録層に含まれるＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを、原子数比でＧｅxＳｂyＴｅzと表したとき、ｘ、ｙ及びｚが、０．３９≦ｘ＜０．４８、０．０２≦ｙ＜０．１１、０．４０≦ｚ＜０．５６、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たし、
    前記記録層の厚さが１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、
    前記第一の誘電体層の屈折率が２．５以上２．８以下であって、前記第一の誘電体層の膜厚が９ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
    前記第二の誘電体層の屈折率が１．８以上２．４以下であって、前記第二の誘電体層の膜厚が４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下であり、且つ、
    前記レーザビームの前記情報層への入射光量に対する、前記レーザビームの前記情報層からの反射光量の比率をＲ（％）とし、前記記録層が結晶状態である時の前記ＲをＲｃ（％）、前記記録層が非晶質状態である時の前記ＲをＲａ（％）とした場合に、Ｒｃ及びＲａが、６．０≦Ｒｃ／Ｒａ≦１２．０、且つ、１．０≦Ｒｃ≦３．０を満たす、
    光学的情報記録媒体。
  2. レーザビーム入射側と反対側から順に、第一の情報層〜第Ｎの情報層（Ｎは３以上の整数）を備え、
    前記第一の情報層が請求項１に記載の情報層である、
    請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  3. 前記第一の誘電体層が、Ｔｉを含む酸化物材料、ＢｉとＴｉとを含む酸化物材料、又は、ＮｂとＴｉとを含む酸化物材料によって形成されている、
    請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  4. 前記第二の誘電体層が、Ｚｎの硫化物とＳｉの酸化物とを含む、
    請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  5. 前記情報層は、前記第一の誘電体層と前記記録層との間に配置された第一の界面層をさらに備え、
    前記第一の界面層は、屈折率が１．８以上２．５未満であって、且つ、膜厚が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、
    請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  6. 前記第一の界面層が、Ｚｒ及びＣｒを含む酸化物材料によって形成されている、
    請求項５に記載の光学的情報記録媒体。
  7. 前記情報層は、前記記録層と前記第二の誘電体層との間に配置された第二の界面層をさらに備え、
    前記第二の界面層は、屈折率が１．８以上２．５未満であって、且つ、膜厚が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、
    請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
  8. 前記第二の界面層が、Ｚｒ及びＣｒを含む酸化物材料によって形成されている、
    請求項７に記載の光学的情報記録媒体。
  9. ４０５ｎｍの波長を有するレーザビームの照射によって情報を記録再生し得る情報層を含み、
    前記情報層は、レーザビーム入射側と反対側から、少なくとも、反射層と、第一の誘電体層と、前記レーザビームの照射によって相変化を起こし得る記録層と、第二の誘電体層と、をこの順に備え、
    前記記録層は、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを含み、前記記録層に含まれるＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを、原子数比でＧｅxＳｂyＴｅzと表したとき、ｘ、ｙ及びｚが、０．０５≦ｘ≦０．１５、０．７０≦ｙ≦０．８０、０．０５≦ｚ≦０．２５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たし、
    前記記録層の厚さが７．０ｎｍ以上１２．０ｎｍ以下であり、
    前記第一の誘電体層の屈折率が１．４以上２．３未満であって、前記第一の誘電体層の膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
    前記第二の誘電体層の屈折率が１．８以上２．４以下であって、前記第二の誘電体層の膜厚が３５ｎｍ以上５５ｎｍ以下であり、且つ、
    前記レーザビームの前記情報層への入射光量に対する、前記レーザビームの前記情報層からの反射光量の比率をＲ（％）とし、前記記録層が結晶状態である時の前記ＲをＲｃ（％）、前記記録層が非晶質状態である時の前記ＲをＲａ（％）とした場合に、Ｒｃ及びＲａが、４．０≦Ｒｃ／Ｒａ≦５．０、且つ、１．０≦Ｒｃ≦３．０を満たす、
    光学的情報記録媒体。
  10. レーザビーム入射側と反対側から順に第一の情報層〜第Ｎの情報層（Ｎは３以上の整数）を備え、
    前記第一の情報層が請求項９に記載の情報層である、
    請求項９に記載の光学的情報記録媒体。
  11. 前記第一の誘電体層が、Ｚｒ及びＣｒを含む酸化物材料によって形成されている、
    請求項９に記載の光学的情報記録媒体。
  12. 前記情報層は、前記記録層と前記第二の誘電体層との間に設けられた界面層をさらに含み、
    前記界面層は、屈折率が１．８以上２．５未満であって、膜厚が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、
    請求項９に記載の光学的情報記録媒体。
  13. 前記界面層が、Ｚｒ及びＣｒを含む酸化物材料によって形成されている、
    請求項１２に記載の光学的情報記録媒体。
  14. 前記第二の誘電体層が、Ｚｎの硫化物とＳｉの酸化物とを含む、
    請求項９に記載の光学的情報記録媒体。
  15. 前記反射層が、Ａｇを主成分とする材料によって形成されており、
    前記反射層の膜厚が、６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、
    請求項１又は９に記載の光学的情報記録媒体。
  16. 前記反射層は、Ａｇを９５重量％以上含み、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｇａ及びＮｄから選択される少なくとも何れか１種の元素をさらに含む、
    請求項１又は９に記載の光学的情報記録媒体。
  17. 請求項１又は９に記載の光学的情報記録媒体の記録再生方式であって、
    前記光学的情報記録媒体の前記情報層に対し、線速度６．９ｍ／ｓ以上８．８ｍ／ｓ以下で情報の記録再生を行う、
    光学的情報記録媒体の記録再生方式。
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