JP2006155794A - 光記録媒体及びその試験方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高温下で長時間に渡って保存した場合における再生信号の劣化を防止し、高温保存の前後において安定した記録再生を行うことができる上に、記録の高速化や記録密度の向上が可能な光記録媒体及びその試験方法を提供する。
【解決手段】６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後に記録層２０に記録される、高温保存後の記録マークの再生信号出力が、高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、高温保存前に記録層２０に記録される、高温保存前の記録マークの再生信号出力の０．９倍以上である光記録媒体とした。
【選択図】図１
【解決手段】６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後に記録層２０に記録される、高温保存後の記録マークの再生信号出力が、高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、高温保存前に記録層２０に記録される、高温保存前の記録マークの再生信号出力の０．９倍以上である光記録媒体とした。
【選択図】図１
Description
本発明は、相変化型の記録層を有する光記録媒体及びその試験方法に関する。
従来、基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体が広く知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような光記録媒体の情報層は、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層にデータを記録再生するときにレーザビームが通過するため、レーザビームに対して高い光透過性を有していることが要求され、情報層における記録層、反射層の膜厚を薄く形成する必要があった。
しかしながら、相変化材料で形成された薄い記録層にデータを記録し、光記録媒体を高温下で長時間に渡って保存（例えば８０℃で２４時間保存）した後に、保存前に記録したデータ部分に１回オーバーライト（上書き）を行うと、再生信号のジッタ値が大きく悪化してしまうといった問題点があった。
更に、このような問題は、記録速度が速いほど、又、記録層の厚さが薄いほど顕著となる傾向があり、光記録媒体における記録の高速化や多層化による記録密度の向上などを妨げる要因ともなっていた。
本発明は、このような問題点を解決するためのものであって、高温下で長時間に渡って保存した場合における再生信号の劣化を防止し、高温保存の前後において安定した記録再生を行うことができる上に、記録の高速化や記録密度の向上が可能な光記録媒体及びその試験方法を提供することを目的とする。
本発明の発明者は、鋭意研究の結果、高温下で長時間に渡って保存した場合における再生信号の劣化を防止し、高温保存の前後において安定した記録再生を行うことができる光記録媒体及びその試験方法を見出した。
より具体的には、本発明の発明者は、従来の問題点が、高温保存後の記録における記録マーク（アモルファスマーク）の形成過程によることを見出した。従来は、高温保存後のジッタ値の悪化は、高温保存により記録マークがより安定な状態に変化して、高温保存後では記録マークが消去（結晶化）しにくくなるためであると考えられていた。しかしながら、詳細な解析の結果、高温保存後の記録により形成される記録マークの大きさが、高温保存前の記録マークの大きさと比較して小さくなっていることを発見すると共に、この高温保存前後における記録マークの大きさの変動が再生信号のジッタ値の悪化の要因となっていることを突き止めた。
更には、この記録マークの大きさの変動は、非結晶質部分よりも結晶質部分への記録時により顕著に現れることも見出され、高温保存後にデータの上書きを行うと、結晶部分と非結晶質部分とで上書きされた記録マークの大きさが異なってしまい、その結果、ジッタ値が悪化してしまうことが判明した。
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
(１) 基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体であって、６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後に前記記録層に記録される、高温保存後の記録マークの再生信号出力が、前記高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、前記高温保存前に前記記録層に記録される、高温保存前の記録マークの再生信号出力の０．９倍以上であることを特徴とする光記録媒体。
（２）基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体であって、６０℃〜９０℃の温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後に前記記録層に記録される、高温保存後の記録マークの面積が、前記高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、前記高温保存前に前記記録層に記録される、高温保存前の記録マークの面積の０．８５倍以上であることを特徴とする光記録媒体。
（３）前記記録層は、少なくともＳｂとＧｅを含有することを特徴とする前記（１）又は（２）記載の光記録媒体。
（４）前記記録層は、１〜１５、１７、１８族から選択される元素からなることを特徴とする前記（３）記載の光記録媒体。
（５）前記半透過性を有する情報層の前記レーザビームに対する光透過率は、３０％〜８０％の範囲内にあることを特徴とする前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の光記録媒体。
（６）基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体の試験方法であって、前記記録層に第１の記録マークを記録するステップと、前記第１の記録マークの再生信号出力を測定するステップと、前記光記録媒体を約６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存するステップと、前記高温保存後の前記記録層に、前記第１の記録マークと同一のビット長を有する第２の記録マークを記録するステップと、前記第２の記録マークの再生信号出力を測定するステップと、前記第２の記録マークの再生信号出力が、前記第１の記録マークの再生信号出力の０．９倍以上であるか否かを判定するステップと、を含んでなる光記録媒体の試験方法。
（７）基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体の試験方法であって、前記記録層に第１の記録マークを記録するステップと、前記第１の記録マークの面積を測定するステップと、前記光記録媒体を約６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存するステップと、前記高温保存後の前記記録層に、前記第１の記録マークと同一のビット長を有する第２の記録マークを記録するステップと、前記第２の記録マークの面積を測定するステップと、前記第２の記録マークの面積が、前記第１の記録マークの面積の０．８５倍以上であるか否かを判定するステップと、を含んでなる光記録媒体の試験方法。
本発明に係る光記録媒体及びその試験方法によれば、高温下で長時間に渡って保存した場合における再生信号の劣化を防止し、高温保存の前後において安定した記録再生を行うことができる上に、記録の高速化や記録密度の向上が可能となるという優れた効果を有する。
本発明は、基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体であって、６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後に前記記録層に記録される、高温保存後の記録マークの再生信号出力が、前記高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、前記高温保存前に前記記録層に記録される、高温保存前の記録マークの再生信号出力の０．９倍以上である光記録媒体によって、高温下で長時間に渡って保存した場合における再生信号の劣化を防止し、高温保存の前後において安定した記録再生を行うことを可能としたものである。
又、本発明は、基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体であって、６０℃〜９０℃の温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後に前記記録層に記録される、高温保存後の記録マークの面積が、前記高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、前記高温保存前に前記記録層に記録される、高温保存前の記録マークの面積の０．８５倍以上である光記録媒体によって、上記同様の課題を解決したものである。
本発明に係る光記録媒体における情報層の構成例としては、基板上に、第１誘電体層、反射層、第２誘電体層、記録層、第３誘電体層、放熱層を順次積層したものが挙げられる。
第１誘電体層は反射層の保護及び透過率調整のために設けられ、材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。本発明の実施形態では酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって形成される。主成分とは、全体に占めるモル比が６０％以上のことである。第１誘電体層の膜厚Ｄ１は、１ｎｍ≦Ｄ１≦６０ｎｍが好ましい。１ｎｍ未満では反射層の保護が不十分であり、６０ｎｍより厚いと透過率が好ましい範囲を外れる。
反射層は、放熱と光干渉効果のために設けられ、材料として好ましくはＡｇ合金が用いられ、その膜厚Ｔｒは、半透過構造とするために０＜Ｔｒ＜３０ｎｍである。より好ましくは０＜Ｔｒ＜２０ｎｍである。記録層の好ましい膜厚Ｔｒｅｃは、２≦Ｔｒｅｃ≦１２ｎｍであり、好ましくは３≦Ｔｒｅｃ≦８ｎｍである。
これらにより、情報層全体の記録波長における光透過率が３０％以上８０％以下となるようにされている。情報層の光透過率が３０％未満であると、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層への記録が困難となり、８０％を越えると情報層への記録が困難となるためである。
記録層は、少なくともＳｂ及びＧｅから構成される。又Ｍｇを含んでも良い。その他に更にＮ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ等から選ばれる少なくとも１種の添加物を含んでも良い。
Ｓｂの好ましい原子重量比は、６０≦Ｓｂ≦９５である。Ｓｂが６０ａｔ％未満では、結晶化速度が低下してしまい、マークの消去が困難となる。９５ａｔ％よりも多いと、結晶化速度が速すぎてしまい、低速での記録が困難となる。又、マークの熱安定性が損なわれてしまう。Ｇｅの好ましい原子重量比は、０＜Ｇｅ≦２０である。Ｇｅが０ａｔ％では、マークの熱安定性が損なわれてしまう。又、２０ａｔ％よりも多いと、結晶化速度が低下して消去困難となる。Ｍｇの好ましい原子重量比は、０≦Ｍｇ≦２０である。Ｍｇが２０ａｔ％より多いと、結晶化速度が低下し消去困難となる。
第２誘電体層は、記録層と反射層の保護及び記録層から反射層への放熱性を制御する。材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。本発明の実施形態では酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって形成される。主成分とは、全体に占めるモル比が６０％以上のことである。膜厚Ｄ２は、２ｎｍ≦Ｄ２≦２０ｎｍが好ましい。２ｎｍ未満では記録層及び反射層の保護が不十分であり、２０ｎｍより厚いと記録層からの熱が速やかに反射層へと逃げることができず、冷却速度が低下して正確にアモルファスマークを形成することが困難となる。
第３誘電体層は、記録層の保護、光学特性の調整及び記録層から放熱層への放熱性の制御を行なう。材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。好ましくは、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって形成される。好ましいＺｎＳとＳｉＯ２のモル比は、５０：５０から９５：５である。この範囲を外れると、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物の屈折率、吸収率が変化し、光学特性の調整が困難となる。第３誘電体層の膜厚Ｄ３は、５ｎｍ≦Ｄ３≦５０ｎｍが好ましい。５ｎｍより薄いと記録層の保護及び光学特性の調整が困難となり、５０ｎｍより厚いと記録層から放熱層への放熱性が低下する。本発明の実施の形態では、第３誘電体層は、記録層側に酸化ジルコニウムを主成分とする材料と、光入射面側にＺｎＳとＳｉＯ２の混合物により形成している。
放熱層は、記録層からの放熱を制御し、記録層の冷却効果を高めて正確にアモルファスマークを形成し易くするためのものである。材料は特に限定されないが、第３誘電体層の材料よりも熱伝導率の高い材料が好ましく、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＢＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が好ましい。本発明の実施形態では、ＡｌＮによって形成される。放熱層の好ましい膜厚Ｔｈｅａｔは、１５≦Ｔｈｅａｔ＜１５０ｎｍであり、更に好ましくは２０≦Ｔａｌｎ＜１２０ｎｍである。放熱層の膜厚が１５ｎｍ未満であると、記録層からの放熱効果が小さくなり、又、１５０ｎｍ以上になると成膜に要する時間が長くなり生産性の低下を引き起こす。
なお、第１、第２、第３誘電体層は、単層でも２層以上の複数の誘電体層から構成されても良い。
以下、図面を用いて、本発明の実施例について詳細に説明する。
図１に示されるように、本実施例１に係る光記録媒体１０は、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製の基板１２上に、第１誘電体層１４と、反射層１６と、第２誘電体層１８と、記録層２０と、第３誘電体層２２と、放熱層２４と、からなる情報層３４をスパッタ法により形成し、これらを初期化機によって全面結晶化した後、最後に厚さ０．１ｍｍの光透過層２６を形成して構成されている。なお、本実施例１では、実験の都合上、光記録媒体１０を単一の情報層３４によって構成したが、本発明は、例えば、図２に示される光記録媒体３０のように、基板３２上に複数の情報層３４、３６を備え、レーザビームＬＢの光入射面３０Ａから最も遠い情報層３６以外の少なくとも一つの情報層３４が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体に適用される。
この光記録媒体３０の基板３２（光記録媒体１０の基板１２も以下同様）は、約１．１ｍｍの厚さを有している。また、レーザビームＬＢは、基板３２とは反対側に位置する光透過層３７を介して（光入射面３０Ａ側から）照射されるため、基板３２が、光透過性を有していることは必ずしも必要ではない。
又、基板３２は、その表面にグルーブが形成されている。このグルーブは、情報層３６にデータを記録し、情報層３６からデータを再生する場合に、レーザビームＬＢのガイドトラックとしての役割を果たす。なお、グルーブは、例えば、スタンパを用いた射出成形法などによって作製される。
スペーサ層３５は、情報層３４と情報層３６とを、物理的に、かつ、光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。このスペーサ層３５は、情報層３６にデータを記録し、情報層３６からデータを再生する場合に、レーザビームＬＢが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。したがって、スペーサ層３５を形成するための材料は、光学的に透明で、光学吸収や反射が少なく、複屈折率が小さいことが要求されるが、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂などの紫外線硬化性樹脂によって、形成されることが好ましい。
又、スペーサ層３５の表面には、グルーブが形成されている。このスペーサ層３５の表面に形成されたグルーブは、情報層３４にデータを記録し、情報層３４からデータを再生する場合において、レーザビームＬＢのガイドトラックとして機能する。
更に、スペーサ層３５は、情報層３６上に、紫外線硬化性樹脂の溶液をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、基板３２を作製するのに用いたスタンパと同様の凹凸パターンが形成されたスタンパを被せた状態で、スタンパを介して、紫外線を照射することによって、形成されることが好ましい。
光透過層３７（光記録媒体１０の光透過層２６も以下同様）は、レーザビームＬＢが透過する層であり、その一方の表面が光入射面となっている。光透過層３７を形成するための材料は、光学的に透明で、光学吸収や反射が少なく、複屈折率が小さいことが要求されるが、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではなく、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などを含有する樹脂組成物が、光透過層３７を形成するために、好ましく使用され、紫外線硬化型アクリル樹脂を含有する樹脂組成物がより好ましい。光透過層３７は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
又、光透過層３７は、樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、情報層３４の表面上に塗布して、形成されることが好ましいが、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、情報層３４の表面に接着して、光透過層３７を形成することもできる。
又、情報層３６の記録層については、相変化材料でも、色素材料、無機のライトワンス材料であっても、ＲＯＭ（再生専用）タイプであってもよく、特に限定されるものではない。
なお、光記録媒体３０の構成としては、例えば、１．１ｍｍの基板３２上に情報層３６、厚さ２５μｍのスペーサ層３５、情報層３４、厚さ７５μｍの光透過層３７を順次設け、情報層３６は、基板３２上に、反射層としてＡｇＮｄＣｕ（Ａｇ：Ｎｄ：Ｃｕ＝９８原子％：１原子％：１原子％）を１００ｎｍ、第１誘電体としてＣｅＯ2を１０ｎｍとＺｎＳ：ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝５０モル％：５０モル％）を１０ｎｍ、記録層としてＳｂＴｅＧｅ（Ｓｂ：Ｔｅ：Ｇｅ＝７５原子％：１９原子％：６原子％）を１２ｎｍ、第２誘電体としてＺｎＳ：ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０モル％：２０モル％）を４０ｎｍ、放熱層としてＡｌＮを３０ｎｍをこの順で積層して構成することができる。
図１に戻って、本実施例１に係る光記録媒体１０では、第１誘電体層１４には厚さ５ｎｍのＺｒＯ２を、反射層１６には厚さ１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９８原子％：１原子％：１原子％）を、第２誘電体層１８には厚さ４ｎｍのＺｒＯ２を、第３誘電体層２２には厚さ５ｎｍのＺｒＯ２及び厚さ１０ｎｍのＺｎＳ−Ｓｉ０２（ＺｎＳ：Ｓｉ０２＝８０モル％：２０モル％）を、放熱層２４には厚さ４０ｎｍのＡｌＮを、それぞれ適用した。又、光透過層２６は、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いて、スピンコート法によって形成した。
更に、記録層２０は、厚さ６ｎｍとし、その材料としてＳｂＧｅＭｇ（Ｓｂ：Ｇｅ：Ｍｇ＝８３原子％：１５原子％：２原子％）とＳｂＴｅＧｅ（Ｓｂ：Ｔｅ：Ｇｅ＝７６原子％：１９原子％：５原子％）の２種類の相変化材料を用意した。
本発明に係る光記録媒体のサンプルＮｏ．１として、ＳｂＧｅＭｇからなる記録層２０を有する光記録媒体を、又、サンプルＮｏ．２として、ＳｂＴｅＧｅからなる記録層２０を有する光記録媒体をそれぞれ用いた。そして、これらのサンプルＮｏ．１及びＮｏ．２を光記録媒体評価装置に順次載せ、レーザ波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５、記録信号：（１，７）ＲＬＬ変調信号、ビット長：０．１２μｍ／ｂｉｔ、記録線速度：１０．５ｍ／ｓの記録条件下で、２Ｔ（Ｔは１クロック周期）又は７Ｔのビット長を有する混合記録マークを記録層２０に記録すると共に、その混合記録マークをＴＥＭにより観察した。その結果を表１に示す。
表中の「Ａｒｃｈｉｖａｌ信号」は、混合記録マークを記録層２０に記録した後、光記録媒体１０を約８０℃で約２４時間高温保存し、高温保存後の２Ｔ及び７Ｔの記録マークの幅及び長さをそれぞれ測定したものである。又、表中の「１回記録信号」は、記録層２０にマークを記録していない状態で光記録媒体１０を約８０℃で約２４時間高温保存し、高温保存後における記録層２０の結晶質部分（記録マークが記録されていない部分）に混合記録マークを１回記録して２Ｔ及び７Ｔの記録マークの幅及び長さをそれぞれ測定したものである。なお、レーザビームの記録パワー、消去パワー、バイアスパワーは高温保存前後で同一とし、それぞれ９．５ｍＷ、３．４ｍＷ、０．３ｍＷに設定した。
表に示されるように、サンプルＮｏ．１及びＮｏ．２共に、高温保存前後での記録パワーは同一であるにも関わらず、「１回記録信号」における記録マークの幅及び長さは、「Ａｒｃｈｉｖａｌ信号」における記録マークの幅及び長さに比べ、いずれも同一若しくは短くなっていることが分かる。
具体的には、サンプルＮｏ．１では、２Ｔの記録マークの幅の変化率（１回記録信号における記録マークの幅／Ａｒｃｈｉｖａｌ信号における記録マークの幅）が０．９３８、２Ｔの記録マークの長さの変化率（１回記録信号における記録マークの長さ／Ａｒｃｈｉｖａｌ信号における記録マークの長さ）が０．９４１、２Ｔの記録マークの面積の変化率（１回記録信号における記録マークの面積／Ａｒｃｈｉｖａｌ信号における記録マークの面積）が０．８８、７Ｔの記録マークの幅の変化率が０．９８８、７Ｔの記録マークの長さの変化率が０．９１５、７Ｔの記録マークの面積の変化率が０．９０であった。なお、本実施例１では、「記録マークの幅」と「記録マークの長さ」との積によって各記録マークの面積を算出し、面積の変化率を計算したが、記録マークの面積の算出方法はこれに限定されるものではない。
このように、サンプルＮｏ．１では、高温保存後の２Ｔ（又は７Ｔ）の記録マークの面積が、高温保存前の２Ｔ（又は７Ｔ）記録マークの面積の０．８５倍以上となっていることが理解できる。
一方、サンプルＮｏ．２では、２Ｔの記録マークの幅の変化率が０．７７５、２Ｔの記録マークの長さの変化率が０．７８６、２Ｔの記録マークの面積の変化率が０．６１、７Ｔの記録マークの幅の変化率が０．７３３、７Ｔの記録マークの長さの変化率が１．０００、７Ｔの記録マークの面積の変化率が０．７３であった。このように、サンプルＮｏ．２では、高温保存後の２Ｔ（又は７Ｔ）の記録マークの面積が、高温保存後の２Ｔ（又は７Ｔ）の記録マークの面積の０．８５倍未満となっていることが理解できる。
この表２は、上述の記録条件下において、２Ｔ〜８Ｔのビット長を有する混合記録マークを記録層２０に記録した後、光記録媒体１０を８０℃で２４時間高温保存し、高温保存後の非結晶質部分（記録マークが記録されている部分）に新たに混合記録マークを１回上書きした場合における、結晶質部分と非結晶質部分の反射率差（ＰＰ）の変化率とジッタ値の測定結果を示したものである。
又、図３は、この測定結果に基づくＰＰ変化率とジッタ値との関係を示すグラフである。なお、同グラフにおける横軸の「ＰＰ変化率」とは、レーザビームの記録パワーを８．０ｍＷ〜１０．５ｍＷまで変化させながら記録マークを記録した時における、結晶質部分と非結晶質部分の反射率の差を、高温保存前に記録パワー９．５ｍＷで記録された記録マークを高温保存後に再生した時における、結晶質部分と非結晶質部分の反射率の差で割った値である。このＰＰ変化率は、高温保存後の記録マークの再生信号出力を、高温保存前の記録マークの再生信号出力で割った値と等価なものとして考えることができる。
表２及び図３に示されるように、ＰＰ変化率が１．００である場合、即ち、高温保存前後において記録マークの面積（大きさ）に変化が無い場合のジッタ値は約６．１％であり良好な特性を示す。
又、ＰＰ変化率が１．００よりも小さくなるにつれて、即ち、高温保存後における記録マークの面積が高温保存前における記録マークの面積より小さくなるにつれて、ジッタ値は徐々に悪化していくが、ＰＰ変化率が０．９０以上（記録マークの面積の変化率が０．８５倍以上）であれば、ジッタ値を約１１％以下に抑えることができ、概ね良好な特性を得ることができる。
サンプルＮｏ．１の光記録媒体によれば、約８０℃で約２４時間高温保存した後に記録層２０に記録される、高温保存後の記録マークの面積が、高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、高温保存前に記録層２０に記録される、高温保存前の記録マークの面積の０．８５倍以上であるため、高温下で長時間に渡って保存した場合における再生信号の劣化を防止し、高温保存の前後において安定した記録再生を行うことができる上に、記録の高速化や記録密度の向上が可能である。
又、サンプルＮｏ．１の光記録媒体は、高温保存後の記録マークの再生信号出力が、高温保存前の記録マークの再生信号出力の０．９倍以上でもあるため（ＰＰ変化率が０．９０以上であるため）、同様の効果を得ることができる。
しかも、サンプルＮｏ．１の光記録媒体の記録層２０は、少なくともＳｂとＧｅを含有しているため、再生信号の劣化をより一層効果的に防止することができる。
又、サンプルＮｏ．１の光記録媒体の記録層２０は、１〜１５、１７、１８族から選択される元素からなるため（非カルコゲナイド材料からなるため）、１６族（カルコゲン族）の元素（本実施例１ではＴｅ）を含有するサンプルＮｏ．２の光記録媒体に比べ、再生信号の劣化の防止効果が高い。
更に、半透過性を有する情報層３４のレーザビームに対する光透過率は、３０％〜８０％の範囲内にあるため、情報層を多層化した場合においてもレーザビームを効率的に透過させることができ、安定した記録再生を行うことができる。
なお、本発明に係る光記録媒体は、上記実施例１に係る光記録媒体１０に限定されるものではなく、例えば、上記実施例１においては、光記録媒体１０を約８０℃で約２４時間高温保存した例を示したが、光記録媒体１０の保存条件（保存温度、保存時間）はこれに限定されるものではない。
本発明者の実験によれば、図４の斜線部分に示されるように、光記録媒体１０を６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後、記録層２０に記録マークを上書きした場合、高温保存の前後における光記録媒体１０のジッタ値の劣化量は約２％を超えてしまうことが分かった。そのため、かかる保存条件下において本発明を適用するのが好ましく、この場合、高温保存の前後におけるジッタ値の劣化量を約２％未満に抑えることができる。しかしながら、その他の保存条件（例えば、保存温度が６０℃未満の場合や９０℃を超える場合、又、保存時間が５０−（４／３）（ｔ−６０）時間未満である場合）であっても高温保存の前後におけるジッタ値の劣化量を低減することは可能である。
又、本発明に係る光記録媒体の構造は、上記実施例１に示した構造に特に限定されない。従って、例えば、基板を介してレーザビームを照射する構成を採用することもできる。この場合、基板側から、誘電体層、記録層、誘電体層および反射層の順に積層し、最後に保護層を積層する。更に、いずれの媒体構造においても、誘電体層は単層および複数の誘電体層から構成されていても構わない。又、反射層の両界面に誘電体層を設けても構わない。
なお、図５に示されるように、記録層２０に第１の記録マークを記録するステップＳ１０と、第１の記録マークの再生信号出力ＭＳ１を測定するステップＳ１１と、光記録媒体を約６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存するステップＳ１２と、高温保存後の記録層２０に、第１の記録マークと同一のビット長を有する第２の記録マークを記録するステップＳ１３と、第２の記録マークの再生信号出力ＭＳ２を測定するステップＳ１４と、第２の記録マークの再生信号出力ＭＳ２が、第１の記録マークの再生信号出力ＭＳ１の０．９倍以上であるか否かを判定するステップＳ１５と、を含んでなる光記録媒体の試験方法とすれば、高温下で長時間に渡って保存した場合における再生信号の劣化を防止し、高温保存の前後において安定した記録再生を行うことができる光記録媒体（例えば、上記実施例１におけるサンプルＮｏ．１の光記録媒体）を容易に選別することができる。
なお、本発明に係る光記録媒体の試験方法は、図５に示した試験方法に限定されるものではなく、例えば、記録層２０に第１の記録マークを記録するステップと、第１の記録マークの面積ＭＡ１を測定するステップと、光記録媒体１０を約６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存するステップと、高温保存後の記録層２０に、第１の記録マークと同一のビット長を有する第２の記録マークを記録するステップと、第２の記録マークの面積ＭＡ２を測定するステップと、第２の記録マークの面積ＭＡ２が、第１の記録マークの面積ＭＡ１の０．８５倍以上であるか否かを判定するステップと、を含んでなる光記録媒体の試験方法であっても、上記図５に示した試験方法と同様の効果を得ることができる。
本発明は、例えばＤＶＤ−ＲＷやブルーレイディスク等に代表される、相変化型の記録層を有する光記録媒体に適用することができる。
１０、３０…光記録媒体
１２、３２…基板
１４…第１誘電体層
１６…反射層
１８…第２誘電体層
２０…記録層
２２…第３誘電体層
２４…放熱層
２６、３７…光透過層
３５…スペーサ層
３４、３６…情報層
１２、３２…基板
１４…第１誘電体層
１６…反射層
１８…第２誘電体層
２０…記録層
２２…第３誘電体層
２４…放熱層
２６、３７…光透過層
３５…スペーサ層
３４、３６…情報層
Claims (7)
- 基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体であって、６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後に前記記録層に記録される、高温保存後の記録マークの再生信号出力が、前記高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、前記高温保存前に前記記録層に記録される、高温保存前の記録マークの再生信号出力の０．９倍以上であることを特徴とする光記録媒体。
- 基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体であって、６０℃〜９０℃の温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存した後に前記記録層に記録される、高温保存後の記録マークの面積が、前記高温保存後の記録マークと同一のビット長を有し、且つ、前記高温保存前に前記記録層に記録される、高温保存前の記録マークの面積の０．８５倍以上であることを特徴とする光記録媒体。
- 請求項１又は２において、
前記記録層は、少なくともＳｂとＧｅを含有することを特徴とする光記録媒体。 - 請求項３において、
前記記録層は、１〜１５、１７、１８族から選択される元素からなることを特徴とする光記録媒体。 - 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記半透過性を有する情報層の前記レーザビームに対する光透過率は、３０％〜８０％の範囲内にあることを特徴とする光記録媒体。 - 基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体の試験方法であって、前記記録層に第１の記録マークを記録するステップと、前記第１の記録マークの再生信号出力を測定するステップと、前記光記録媒体を約６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存するステップと、前記高温保存後の前記記録層に、前記第１の記録マークと同一のビット長を有する第２の記録マークを記録するステップと、前記第２の記録マークの再生信号出力を測定するステップと、前記第２の記録マークの再生信号出力が、前記第１の記録マークの再生信号出力の０．９倍以上であるか否かを判定するステップと、を含んでなる光記録媒体の試験方法。
- 基板上に複数の情報層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層が、半透過性を有し、且つ、相変化材料で形成された記録層を含んでなる光記録媒体の試験方法であって、前記記録層に第１の記録マークを記録するステップと、前記第１の記録マークの面積を測定するステップと、前記光記録媒体を約６０℃〜９０℃の保存温度ｔで少なくとも５０−（４／３）（ｔ−６０）時間高温保存するステップと、前記高温保存後の前記記録層に、前記第１の記録マークと同一のビット長を有する第２の記録マークを記録するステップと、前記第２の記録マークの面積を測定するステップと、前記第２の記録マークの面積が、前記第１の記録マークの面積の０．８５倍以上であるか否かを判定するステップと、を含んでなる光記録媒体の試験方法。
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