JPH08287515A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH08287515A JPH08287515A JP8018015A JP1801596A JPH08287515A JP H08287515 A JPH08287515 A JP H08287515A JP 8018015 A JP8018015 A JP 8018015A JP 1801596 A JP1801596 A JP 1801596A JP H08287515 A JPH08287515 A JP H08287515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical information
- recording medium
- dielectric layer
- information recording
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25708—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 13 elements (B, Al, Ga)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25711—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing carbon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25713—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25716—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing sulfur
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25718—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing halides (F, Cl, Br, l)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/005—Reproducing
- G11B7/0052—Reproducing involving reflectivity, absorption or colour changes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高線速・高密度のオーバーライトにおいてジッ
タの増大しない良好な記録消去特性を有し、繰り返し特
性の良好な光学的情報記録媒体を提供する。 【解決手段】基板(1)上に少なくともレーザー光の照射
により光学的特性の異なる結晶相とアモルファス相との
間を可逆的に変化する記録層(3)、記録層の上下に第1
の誘電体層(2)及び第2の誘電体層(4)、第1または第2
の誘電体層の記録層と反対の側に第3の誘電体層(5)を
積層し、第3の誘電体層として第1、第2の誘電体層よ
り熱膨張係数の小さい材料を用いる。これにより第1及
び第2の誘電体層の熱変形を小さくし、記録薄膜の物質
移動を抑制し、繰り返し特性を向上させることができ
る。
タの増大しない良好な記録消去特性を有し、繰り返し特
性の良好な光学的情報記録媒体を提供する。 【解決手段】基板(1)上に少なくともレーザー光の照射
により光学的特性の異なる結晶相とアモルファス相との
間を可逆的に変化する記録層(3)、記録層の上下に第1
の誘電体層(2)及び第2の誘電体層(4)、第1または第2
の誘電体層の記録層と反対の側に第3の誘電体層(5)を
積層し、第3の誘電体層として第1、第2の誘電体層よ
り熱膨張係数の小さい材料を用いる。これにより第1及
び第2の誘電体層の熱変形を小さくし、記録薄膜の物質
移動を抑制し、繰り返し特性を向上させることができ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶相・アモルフ
ァス相との間で光学的特性が異なる記録層を用いた記録
媒体に関し、とくに基板上に形成された相変化材料薄膜
に、たとえばレーザービーム等の高エネルギービームを
照射することにより、信号品質の高い情報信号をオーバ
ーライトすることのできる書換可能な光学的情報記録媒
体に関するものである。
ァス相との間で光学的特性が異なる記録層を用いた記録
媒体に関し、とくに基板上に形成された相変化材料薄膜
に、たとえばレーザービーム等の高エネルギービームを
照射することにより、信号品質の高い情報信号をオーバ
ーライトすることのできる書換可能な光学的情報記録媒
体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】基板上に形成したカルコゲン材料等の薄
膜にレーザー光線を照射して局所的な加熱を行い、照射
条件の違いにより光学定数(屈折率n、消衰係数k)の
異なるアモルファス相と結晶相との間で可逆的に相変化
させることが可能であり、特定の波長の光に対する反射
光量あるいは透過光量の差を信号として検出する高速・
高密度情報記録を行う方法の一つとして応用開発が行わ
れてきた。
膜にレーザー光線を照射して局所的な加熱を行い、照射
条件の違いにより光学定数(屈折率n、消衰係数k)の
異なるアモルファス相と結晶相との間で可逆的に相変化
させることが可能であり、特定の波長の光に対する反射
光量あるいは透過光量の差を信号として検出する高速・
高密度情報記録を行う方法の一つとして応用開発が行わ
れてきた。
【0003】相変化記録においては単一のレーザービー
ムのみを使い、レーザー出力を記録レベルと消去レベル
の2レベル間で情報信号に応じて変調し情報トラック上
に照射すると、既存の信号を消去しつつ新しい信号を記
録することが可能である(特開昭56−145530号
公報)。この方法は光磁気記録のように磁気回路部品が
不要なことからヘッドが簡素化できる点、消去と記録が
同時に行えるため書換時間を短縮できる点が情報の記録
に有利であると考えられる。
ムのみを使い、レーザー出力を記録レベルと消去レベル
の2レベル間で情報信号に応じて変調し情報トラック上
に照射すると、既存の信号を消去しつつ新しい信号を記
録することが可能である(特開昭56−145530号
公報)。この方法は光磁気記録のように磁気回路部品が
不要なことからヘッドが簡素化できる点、消去と記録が
同時に行えるため書換時間を短縮できる点が情報の記録
に有利であると考えられる。
【0004】前記のような光学的情報記録媒体において
は、繰り返し使用する際の記録層の蒸発等を防止する目
的でZnS、SiO2 等の耐熱性に優れた誘電体層を記
録層の上下に設け、更に、基板と反対側の誘電体層の上
に入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させてアモル
ファス化しやすくする目的で金属材料等の反射層を設け
るのが一般的である。
は、繰り返し使用する際の記録層の蒸発等を防止する目
的でZnS、SiO2 等の耐熱性に優れた誘電体層を記
録層の上下に設け、更に、基板と反対側の誘電体層の上
に入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させてアモル
ファス化しやすくする目的で金属材料等の反射層を設け
るのが一般的である。
【0005】ところが、単一ビームによるオーバーライ
トの場合、アモルファス部と結晶部とで光吸収率が異な
り、結晶部では融解潜熱が必要であるため両者の間に光
吸収感度の差が生じ、オーバーライト時に新旧の記録マ
ークの重なり具合によってマークの形状が微妙に歪んで
しまう。これにより再生信号の時間軸方向の誤差(ジッ
タ)の増大や消去率の低下が起こり、記録の高線速・高
密度化、とりわけマークエッジ記録方式の導入に際して
大きな課題となる。
トの場合、アモルファス部と結晶部とで光吸収率が異な
り、結晶部では融解潜熱が必要であるため両者の間に光
吸収感度の差が生じ、オーバーライト時に新旧の記録マ
ークの重なり具合によってマークの形状が微妙に歪んで
しまう。これにより再生信号の時間軸方向の誤差(ジッ
タ)の増大や消去率の低下が起こり、記録の高線速・高
密度化、とりわけマークエッジ記録方式の導入に際して
大きな課題となる。
【0006】この課題を解決するには、結晶部とアモル
ファス部の光吸収感度を等しくする必要がある。そのた
めには、波長λのレーザー光線の照射における結晶部の
吸収率及び反射率をそれぞれAcry及びRcry、アモルフ
ァス部のそれらをそれぞれAamo及びRamoとして、吸収
率差ΔA=Acry−Aamoが結晶部の融解潜熱分をキャン
セルする意味で5%以上であることが必要である。加え
て、十分なC/N比を得るために反射率差ΔR=Rcry
−Ramoが15%以上であるのが望ましい(特開平5−
298747号公報及び特開平5−298748号公
報)。
ファス部の光吸収感度を等しくする必要がある。そのた
めには、波長λのレーザー光線の照射における結晶部の
吸収率及び反射率をそれぞれAcry及びRcry、アモルフ
ァス部のそれらをそれぞれAamo及びRamoとして、吸収
率差ΔA=Acry−Aamoが結晶部の融解潜熱分をキャン
セルする意味で5%以上であることが必要である。加え
て、十分なC/N比を得るために反射率差ΔR=Rcry
−Ramoが15%以上であるのが望ましい(特開平5−
298747号公報及び特開平5−298748号公
報)。
【0007】ところが、反射層の反射率が高いか、記録
層が厚すぎて入射光が基板と反対の側へほとんど透過し
ない場合、ΔAとΔRの和がほぼ0になってしまい前記
の条件を満たさなくなる。従って、適度に光を透過する
材料及び構成が必要となり、記録層及びその上下の第
1、第2の誘電体層からなり、反射層を有さない3層構
成(特開平3−113844号公報及び特開平5−29
8748号公報)、反射率の低い材料を用いた反射層、
あるいは膜厚が十分薄い反射層を有する4層構成(特開
平4−102243号公報及び特開平5−298747
号公報)が開示されている。なかでも、特開平5−29
8747号公報及び特開平5−298748号公報にお
いてはΔA≧5%及びΔR≧15%を同時に満足する構
成が開示されている。他に反射層を用いた一般的な例と
しては、米国特許第5,395,669号等が提案されている。
層が厚すぎて入射光が基板と反対の側へほとんど透過し
ない場合、ΔAとΔRの和がほぼ0になってしまい前記
の条件を満たさなくなる。従って、適度に光を透過する
材料及び構成が必要となり、記録層及びその上下の第
1、第2の誘電体層からなり、反射層を有さない3層構
成(特開平3−113844号公報及び特開平5−29
8748号公報)、反射率の低い材料を用いた反射層、
あるいは膜厚が十分薄い反射層を有する4層構成(特開
平4−102243号公報及び特開平5−298747
号公報)が開示されている。なかでも、特開平5−29
8747号公報及び特開平5−298748号公報にお
いてはΔA≧5%及びΔR≧15%を同時に満足する構
成が開示されている。他に反射層を用いた一般的な例と
しては、米国特許第5,395,669号等が提案されている。
【0008】図5は前記従来から一般的である反射層を
用いた光学的情報記録媒体の断面図である。透明なポリ
カーボネート樹脂基板の表面に、厚さ約160nmのZ
nS−SiO2 からなる第1の誘電体層、厚さ約25n
mのGe−Sb−Te合金からなる記録層3、厚さ約3
0nmのZnS−SiO2 からなる第2の誘電体層4、
厚さ約100nmのアルミニウム等の金属反射層7がこ
の順序に積層されている。
用いた光学的情報記録媒体の断面図である。透明なポリ
カーボネート樹脂基板の表面に、厚さ約160nmのZ
nS−SiO2 からなる第1の誘電体層、厚さ約25n
mのGe−Sb−Te合金からなる記録層3、厚さ約3
0nmのZnS−SiO2 からなる第2の誘電体層4、
厚さ約100nmのアルミニウム等の金属反射層7がこ
の順序に積層されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】前記従来例のうち繰り
返し特性に関する開示のあるものとして、例えば特開平
3−113844号公報が挙げられる。この場合には繰
り返し特性向上の要因としてジッタの増大を抑制するこ
とが挙げられているだけで、ビットエラーレートが線速
7.5m/sでパルス幅90nsの3.70MHz及び
1.39MHzの信号を交互に1万回繰り返し記録した
場合において劣化が見られないというものであった。繰
り返し特性の劣化については、レーザー光の照射による
急速な加熱により誘電体層が熱変形し、ディスクの回転
方向への記録薄膜の物質移動を生じることが主な原因と
考えられており、光吸収率差を補正してジッタの増大を
抑制しただけではこの問題は解決されない。
返し特性に関する開示のあるものとして、例えば特開平
3−113844号公報が挙げられる。この場合には繰
り返し特性向上の要因としてジッタの増大を抑制するこ
とが挙げられているだけで、ビットエラーレートが線速
7.5m/sでパルス幅90nsの3.70MHz及び
1.39MHzの信号を交互に1万回繰り返し記録した
場合において劣化が見られないというものであった。繰
り返し特性の劣化については、レーザー光の照射による
急速な加熱により誘電体層が熱変形し、ディスクの回転
方向への記録薄膜の物質移動を生じることが主な原因と
考えられており、光吸収率差を補正してジッタの増大を
抑制しただけではこの問題は解決されない。
【0010】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、高線速・高密度のオーバーライトにおいてジッタの
増大しない良好な記録消去特性を有し、なおかつ繰り返
し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供することを目
的とする。
め、高線速・高密度のオーバーライトにおいてジッタの
増大しない良好な記録消去特性を有し、なおかつ繰り返
し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供することを目
的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の光学的情報記録媒体は、基板上に、光ビー
ムの照射により光学的に検出可能な2状態間で可逆的に
変化する記録層と、前記記録層の両面側にそれぞれ第1
の誘電体層及び第2の誘電体層を備えた光学的情報記録
媒体であって、前記第1の誘電体層及び第2の誘電体層
から選ばれる少なくとも一方の層の外側に第3の誘電体
層を備え、前記第3の誘電体層が前記第1、第2の誘電
体層より熱膨張係数が小さい材料であり、かつ金属反射
層を設けないことを特徴とする。
め、本発明の光学的情報記録媒体は、基板上に、光ビー
ムの照射により光学的に検出可能な2状態間で可逆的に
変化する記録層と、前記記録層の両面側にそれぞれ第1
の誘電体層及び第2の誘電体層を備えた光学的情報記録
媒体であって、前記第1の誘電体層及び第2の誘電体層
から選ばれる少なくとも一方の層の外側に第3の誘電体
層を備え、前記第3の誘電体層が前記第1、第2の誘電
体層より熱膨張係数が小さい材料であり、かつ金属反射
層を設けないことを特徴とする。
【0012】前記光学的情報記録媒体においては、第3
の誘電体層の熱膨張係数が、2.0×10-6K-1以下の
材料であることが好ましい。また前記光学的情報記録媒
体においては、第3の誘電体層が、SiO2 、Ta
2O5,Nb2O5から選ばれる少なくとも一つの無機酸化
物を主成分とすることが好ましい。ここで主成分とは、
70〜100モル%程度が好ましい。副成分としては、
N,S,C,F,H等を適宜添加してもよい。ここで副
成分とは、0〜30モル%程度が好ましい。
の誘電体層の熱膨張係数が、2.0×10-6K-1以下の
材料であることが好ましい。また前記光学的情報記録媒
体においては、第3の誘電体層が、SiO2 、Ta
2O5,Nb2O5から選ばれる少なくとも一つの無機酸化
物を主成分とすることが好ましい。ここで主成分とは、
70〜100モル%程度が好ましい。副成分としては、
N,S,C,F,H等を適宜添加してもよい。ここで副
成分とは、0〜30モル%程度が好ましい。
【0013】また前記光学的情報記録媒体においては、
第3の誘電体層の無機酸化物主成分が70〜100モル
%であり、かつ副成分はN,S,C,F,Hから選ばれ
る少なくとも一つの元素が0〜30モル%の範囲添加さ
れていることが好ましい。
第3の誘電体層の無機酸化物主成分が70〜100モル
%であり、かつ副成分はN,S,C,F,Hから選ばれ
る少なくとも一つの元素が0〜30モル%の範囲添加さ
れていることが好ましい。
【0014】また前記光学的情報記録媒体においては、
第3の誘電体層の厚さが、10〜400nmの範囲であ
ることが好ましい。また前記光学的情報記録媒体におい
ては、記録層、第1の誘電体層及び第2の誘電体層のそ
れぞれの厚さが、2〜300nmの範囲であることが好
ましい。
第3の誘電体層の厚さが、10〜400nmの範囲であ
ることが好ましい。また前記光学的情報記録媒体におい
ては、記録層、第1の誘電体層及び第2の誘電体層のそ
れぞれの厚さが、2〜300nmの範囲であることが好
ましい。
【0015】また前記光学的情報記録媒体においては、
第1及び第2の誘電体層の熱膨張係数が、1.0×10
-6K-1〜30.0×10-6K-1の範囲であることが好ま
しい。
第1及び第2の誘電体層の熱膨張係数が、1.0×10
-6K-1〜30.0×10-6K-1の範囲であることが好ま
しい。
【0016】また前記光学的情報記録媒体においては、
第1及び第2の誘電体層が、Al2O3、ZrO2,Ti
O2、AlN,Si3N4,TiN,SiC,ZnS,P
bS,ZnSe,CaF2、から選ばれる少なくとも一
つの無機物を主成分とすることが好ましい。
第1及び第2の誘電体層が、Al2O3、ZrO2,Ti
O2、AlN,Si3N4,TiN,SiC,ZnS,P
bS,ZnSe,CaF2、から選ばれる少なくとも一
つの無機物を主成分とすることが好ましい。
【0017】また前記光学的情報記録媒体においては、
第1及び第2の誘電体層に、副成分としてSiO2 、T
a2O5,Nb2O5から選ばれる少なくとも一つの無機酸
化物を30モル%以下含ませてもよい。
第1及び第2の誘電体層に、副成分としてSiO2 、T
a2O5,Nb2O5から選ばれる少なくとも一つの無機酸
化物を30モル%以下含ませてもよい。
【0018】また前記光学的情報記録媒体においては、
第1及び第2の誘電体層が、70〜100モル%のZn
Sと30〜0モル%のSiO2 の混合物であることが好
ましい。
第1及び第2の誘電体層が、70〜100モル%のZn
Sと30〜0モル%のSiO2 の混合物であることが好
ましい。
【0019】また前記光学的情報記録媒体においては、
記録層が、Ge−Sb−Te,Ge−Sb−Te−P
d,Ge−Sb−Te−Bi,Ge−Sb−Te−S
e,Ge−Te,Ge−Te−Bi,Ge−Te−S
n,Ge−Te−Bi−Se,Ge−Te−Sn−A
u,Sb−Te,In−Sb−Te,Ag−In−Sb
−Te及びIn−Seから選ばれる各カルコゲン化合
物、またはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭素、フッ素、
水素から選ばれる少なくとも一つの元素を添加したこと
が好ましい。
記録層が、Ge−Sb−Te,Ge−Sb−Te−P
d,Ge−Sb−Te−Bi,Ge−Sb−Te−S
e,Ge−Te,Ge−Te−Bi,Ge−Te−S
n,Ge−Te−Bi−Se,Ge−Te−Sn−A
u,Sb−Te,In−Sb−Te,Ag−In−Sb
−Te及びIn−Seから選ばれる各カルコゲン化合
物、またはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭素、フッ素、
水素から選ばれる少なくとも一つの元素を添加したこと
が好ましい。
【0020】また前記光学的情報記録媒体においては、
記録層が、Ge−Sb−Te系のカルコゲン化合物、ま
たはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭素、フッ素、水素か
ら選ばれる少なくとも一つの元素を添加したことが好ま
しい。
記録層が、Ge−Sb−Te系のカルコゲン化合物、ま
たはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭素、フッ素、水素か
ら選ばれる少なくとも一つの元素を添加したことが好ま
しい。
【0021】また前記光学的情報記録媒体においては、
基板が、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレ
ート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ガラスから選ばれる少
なくとも一つの材料であることが好ましい。
基板が、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレ
ート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ガラスから選ばれる少
なくとも一つの材料であることが好ましい。
【0022】また前記光学的情報記録媒体においては、
前記光ビームの内で前記記録媒体に反射される比率(反
射率)、及び前記記録層に吸収される比率(吸収率)を
前記記録層が結晶相である場合にはRcry及びAcry、ア
モルファス相である場合にはRamo及びAamoとしたと
き、反射率差ΔR=Rcry−Ramoが15%以上であり、
吸収率ΔA=Acry−Aamoが5%以上であることが好ま
しい。
前記光ビームの内で前記記録媒体に反射される比率(反
射率)、及び前記記録層に吸収される比率(吸収率)を
前記記録層が結晶相である場合にはRcry及びAcry、ア
モルファス相である場合にはRamo及びAamoとしたと
き、反射率差ΔR=Rcry−Ramoが15%以上であり、
吸収率ΔA=Acry−Aamoが5%以上であることが好ま
しい。
【0023】また前記光学的情報記録媒体においては、
第3の誘電体層が、第1及び第2の誘電体層より屈折率
が小さい材料であることが好ましい。また前記光学的情
報記録媒体においては、第3の誘電体層の屈折率nが、
1.2以上1.8以下の範囲の材料であることが好まし
い。
第3の誘電体層が、第1及び第2の誘電体層より屈折率
が小さい材料であることが好ましい。また前記光学的情
報記録媒体においては、第3の誘電体層の屈折率nが、
1.2以上1.8以下の範囲の材料であることが好まし
い。
【0024】また前記光学的情報記録媒体においては、
基板側から測定される反射率が、情報を記録する前及び
後ともに50%未満であることが好ましい。また前記光
学的情報記録媒体においては、基板側から測定される反
射率が、情報を記録する前及び後ともに30%未満であ
ることが好ましい。
基板側から測定される反射率が、情報を記録する前及び
後ともに50%未満であることが好ましい。また前記光
学的情報記録媒体においては、基板側から測定される反
射率が、情報を記録する前及び後ともに30%未満であ
ることが好ましい。
【0025】前記第1〜3の誘電体層及び記録層は、真
空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、CVD法(Chemical Vapor Deposition)、MBE
法(Molecular Beam Epitaxy)などによって形成するこ
とができる。
空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、CVD法(Chemical Vapor Deposition)、MBE
法(Molecular Beam Epitaxy)などによって形成するこ
とができる。
【0026】本発明によれば、記録層の上下の第1、第
2の誘電体層の少なくとも一方の外側に、熱膨張係数が
小さい誘電体材料の層(第3の誘電体層)を設け、金属
反射層を設けないことにより、第1及び第2の誘電体層
の熱変形を小さくし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰
り返し特性を向上させることができる。また、第3の誘
電体層として屈折率が小さいものを選ぶことにより、こ
の層を導入しても従来の3層構成の良好な光学特性をほ
とんど変えることなく繰り返し特性の良好な光学的情報
記録媒体を提供することができる。
2の誘電体層の少なくとも一方の外側に、熱膨張係数が
小さい誘電体材料の層(第3の誘電体層)を設け、金属
反射層を設けないことにより、第1及び第2の誘電体層
の熱変形を小さくし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰
り返し特性を向上させることができる。また、第3の誘
電体層として屈折率が小さいものを選ぶことにより、こ
の層を導入しても従来の3層構成の良好な光学特性をほ
とんど変えることなく繰り返し特性の良好な光学的情報
記録媒体を提供することができる。
【0027】また本発明によれば、基板上に少なくとも
レーザー光の照射により光学的特性の異なる結晶相とア
モルファス相との間を可逆的に変化する記録層、記録層
の上下に第1の誘電体層及び第2の誘電体層、第1また
は第2の誘電体層の記録層と反対の側に第3の誘電体層
を積層し、第3の誘電体層として第1、第2の誘電体層
より熱膨張係数の小さい材料を用いる。そして金属反射
層は形成しない。これにより第1及び第2の誘電体層の
熱変形を小さくし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰り
返し特性を向上させることができ、また第3の誘電体層
として屈折率が小さいものを選ぶことにより、この層を
導入しても従来の3層構成の良好な光学特性をほとんど
変えることなく繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒
体を提供することができる。
レーザー光の照射により光学的特性の異なる結晶相とア
モルファス相との間を可逆的に変化する記録層、記録層
の上下に第1の誘電体層及び第2の誘電体層、第1また
は第2の誘電体層の記録層と反対の側に第3の誘電体層
を積層し、第3の誘電体層として第1、第2の誘電体層
より熱膨張係数の小さい材料を用いる。そして金属反射
層は形成しない。これにより第1及び第2の誘電体層の
熱変形を小さくし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰り
返し特性を向上させることができ、また第3の誘電体層
として屈折率が小さいものを選ぶことにより、この層を
導入しても従来の3層構成の良好な光学特性をほとんど
変えることなく繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒
体を提供することができる。
【0028】また本発明により、オーバーライトにおい
てジッタの増大しない良好な記録消去特性を有し、なお
かつ繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供で
きる。
てジッタの増大しない良好な記録消去特性を有し、なお
かつ繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供で
きる。
【0029】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態を図面を用
いて説明する。図1において、1は透明なディスク基
板、2は第1の誘電体層で、たとえばZnS−SiO2
の混合材料、3は記録層で、たとえばTe−Ge−Sb
からなる合金薄膜、4は第2の誘電体層で、たとえば第
1の誘電体層と同じ材料、5は第3の誘電体層で、たと
えばSiO2 で形成されている。これらはスパッタリン
グ法で形成できる。図2に示すディスク構成は、第3の
誘電体層5として、図1の構成の第3の誘電体層を基板
と第1の誘電体層2との間に積層したものである。図3
に示すディスク構成は、第3の誘電体層5を第2の誘電
体層4の外側に形成し、第3の誘電体層と同じ材料を第
4の誘電体層6として基板と第1の誘電体層2との間に
積層したものである。
いて説明する。図1において、1は透明なディスク基
板、2は第1の誘電体層で、たとえばZnS−SiO2
の混合材料、3は記録層で、たとえばTe−Ge−Sb
からなる合金薄膜、4は第2の誘電体層で、たとえば第
1の誘電体層と同じ材料、5は第3の誘電体層で、たと
えばSiO2 で形成されている。これらはスパッタリン
グ法で形成できる。図2に示すディスク構成は、第3の
誘電体層5として、図1の構成の第3の誘電体層を基板
と第1の誘電体層2との間に積層したものである。図3
に示すディスク構成は、第3の誘電体層5を第2の誘電
体層4の外側に形成し、第3の誘電体層と同じ材料を第
4の誘電体層6として基板と第1の誘電体層2との間に
積層したものである。
【0030】次に本発明で使用する誘電体層材料の熱膨
張係数を下記表1に示す。
張係数を下記表1に示す。
【0031】
【表1】
【0032】なお、透明基板の厚さはとくに限定されな
いが、0.6〜1.2mm程度のものを使用できる。
いが、0.6〜1.2mm程度のものを使用できる。
【0033】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。以下の実施例において、C/N比、消去
比は、周波数f1の単一パターン信号を記録した際の同
周波数成分のC/N比と、その上に周波数f2の単一パ
ターン信号をオーバーライトした際の消去比(f1成分
の信号強度の減衰比)を測定して求めた。
がら説明する。以下の実施例において、C/N比、消去
比は、周波数f1の単一パターン信号を記録した際の同
周波数成分のC/N比と、その上に周波数f2の単一パ
ターン信号をオーバーライトした際の消去比(f1成分
の信号強度の減衰比)を測定して求めた。
【0034】また、ジッタ(jitter)とは、記録の原信
号と再生信号との時間軸上のズレをいい、本発明ではウ
ィンドウ幅に対する最大ジッタの比を「ジッタ」と記載
しているが、これは通常「ジッタの割合」または「ウィ
ンドウ占有率」などとも呼ばれる。
号と再生信号との時間軸上のズレをいい、本発明ではウ
ィンドウ幅に対する最大ジッタの比を「ジッタ」と記載
しているが、これは通常「ジッタの割合」または「ウィ
ンドウ占有率」などとも呼ばれる。
【0035】(実施例1)図1において、1はディスク
基板であり厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂から
なっている。2は第1の誘電体層でZnS−SiO2 の
混合材料(ZnS:SiO2 は約80:20モル%)か
らなっており、膜厚は約160nmである。3は記録層
でGe−Sb−Teからなる合金薄膜(Ge:Sb:T
eは約21:25:54atom%)であり、膜厚は約25
nmであった。4は第2の誘電体層で第1の誘電体層と
同じ材質からなっており膜厚は約160nmである。5
は第3の誘電体層でSiO2 からなっており膜厚は約4
0nmである。これら薄膜の形成法としてはスパッタリ
ング法を使用した。
基板であり厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂から
なっている。2は第1の誘電体層でZnS−SiO2 の
混合材料(ZnS:SiO2 は約80:20モル%)か
らなっており、膜厚は約160nmである。3は記録層
でGe−Sb−Teからなる合金薄膜(Ge:Sb:T
eは約21:25:54atom%)であり、膜厚は約25
nmであった。4は第2の誘電体層で第1の誘電体層と
同じ材質からなっており膜厚は約160nmである。5
は第3の誘電体層でSiO2 からなっており膜厚は約4
0nmである。これら薄膜の形成法としてはスパッタリ
ング法を使用した。
【0036】このディスクは当業者に良く用いられてい
る公知のホットメルトタイプの接着剤で貼り合わせて両
面ディスクとするか、紫外線硬化樹脂等でオーバーコー
トして単板ディスクとしても使える。本実施例では、成
膜された基板とダミー基板の溝を有する面どうしを紫外
線硬化樹脂で貼り合わせたものを使用した。
る公知のホットメルトタイプの接着剤で貼り合わせて両
面ディスクとするか、紫外線硬化樹脂等でオーバーコー
トして単板ディスクとしても使える。本実施例では、成
膜された基板とダミー基板の溝を有する面どうしを紫外
線硬化樹脂で貼り合わせたものを使用した。
【0037】第1及び第2の誘電体層(ZnS−SiO
2 )の熱膨張係数は7.4×10-6K-1、第3の誘電体
層(SiO2 )の熱膨張係数は0.5×10-6K-1であ
った。さらに、レーザー光の照射における前記記録層の
吸収率を、前記記録層が結晶相である場合にはAcry、
アモルファス相である場合にはAamo、前記記録層の反
射率を結晶相である場合にはRcry、アモルファス相で
ある場合にはRamoとして、2相間の吸収率差ΔAを求
めたところ、ΔA=Acry−Aamoは8%であった。ま
た、Rcry=41%、Ramo=21%、ΔR=20%、A
cry=45%、Aamo=37%であった。
2 )の熱膨張係数は7.4×10-6K-1、第3の誘電体
層(SiO2 )の熱膨張係数は0.5×10-6K-1であ
った。さらに、レーザー光の照射における前記記録層の
吸収率を、前記記録層が結晶相である場合にはAcry、
アモルファス相である場合にはAamo、前記記録層の反
射率を結晶相である場合にはRcry、アモルファス相で
ある場合にはRamoとして、2相間の吸収率差ΔAを求
めたところ、ΔA=Acry−Aamoは8%であった。ま
た、Rcry=41%、Ramo=21%、ΔR=20%、A
cry=45%、Aamo=37%であった。
【0038】本実施例のディスクをレーザー波長830
nm、レンズ開口数0.5、線速度11m/secでf
1=6.9MHz及びf2=2.6MHzの信号をオー
バーライトし、記録・消去特性を測定した。その結果、
記録信号のC/N比は54dB以上、消去比は30dB
以上が得られた。オーバーライトの繰り返し特性として
は2−7変調のランダム信号のオーバーライトにおける
ジッタを測定した。この結果、図4に示すように60万
回以上の繰り返しにわたって80%以内であった。これ
は、図6に示す従来の3層構成のディスク、すなわち記
録層3とその上下の第1の誘電体層2及び第2の誘電体
層4からなり、各層の膜厚が本実施例のものとそれぞれ
等しいディスクが同じ測定条件で15万回程度の繰り返
しでジッタが80%を超えてしまうのに比べて格段に繰
り返し特性が向上した。
nm、レンズ開口数0.5、線速度11m/secでf
1=6.9MHz及びf2=2.6MHzの信号をオー
バーライトし、記録・消去特性を測定した。その結果、
記録信号のC/N比は54dB以上、消去比は30dB
以上が得られた。オーバーライトの繰り返し特性として
は2−7変調のランダム信号のオーバーライトにおける
ジッタを測定した。この結果、図4に示すように60万
回以上の繰り返しにわたって80%以内であった。これ
は、図6に示す従来の3層構成のディスク、すなわち記
録層3とその上下の第1の誘電体層2及び第2の誘電体
層4からなり、各層の膜厚が本実施例のものとそれぞれ
等しいディスクが同じ測定条件で15万回程度の繰り返
しでジッタが80%を超えてしまうのに比べて格段に繰
り返し特性が向上した。
【0039】(実施例2)図2に示すディスク構成は、
図1の構成の第3の誘電体層5を基板と第1の誘電体層
との間に積層したものである。ディスク基板1は厚さ
1.2mmのポリカーボネイト樹脂であり、その上に厚
さ約40nmのSiO2からなる第3の誘電体層5と、
厚さ約160nmのZnS−SiO2の混合材料(Zn
S:SiO2は約80:20モル%)からなる第1の誘
電体層2と、厚さ約25nmのGe−Sb−Teの合金
薄膜(Ge:Sb:Teは約21:25:54atom%)
からなる記録層3と、厚さ約160nmのZnS−Si
O2の混合材料(ZnS:SiO2は約80:20atom
%)からなる第2の誘電体層4をこの順番に形成したも
のである。得られた光学的情報記録媒体の光学特性は、
Rcry=41%、Ramo=21%、ΔR=20%、Acry
=46%、Aamo=38%、ΔA=8%であった。
図1の構成の第3の誘電体層5を基板と第1の誘電体層
との間に積層したものである。ディスク基板1は厚さ
1.2mmのポリカーボネイト樹脂であり、その上に厚
さ約40nmのSiO2からなる第3の誘電体層5と、
厚さ約160nmのZnS−SiO2の混合材料(Zn
S:SiO2は約80:20モル%)からなる第1の誘
電体層2と、厚さ約25nmのGe−Sb−Teの合金
薄膜(Ge:Sb:Teは約21:25:54atom%)
からなる記録層3と、厚さ約160nmのZnS−Si
O2の混合材料(ZnS:SiO2は約80:20atom
%)からなる第2の誘電体層4をこの順番に形成したも
のである。得られた光学的情報記録媒体の光学特性は、
Rcry=41%、Ramo=21%、ΔR=20%、Acry
=46%、Aamo=38%、ΔA=8%であった。
【0040】本実施例のディスクを、実施例1と同じ条
件でオーバーライト特性及びその繰り返し特性を測定し
た。その結果、記録信号のC/N比は54dB以上、消
去比は30dB以上が得られ、2−7変調のランダム信
号のオーバーライトにおいてジッタは40万回以上の繰
り返しにわたって80%以内であった。従って、この構
成でも実施例1同様に良好なオーバーライト特性及びそ
の繰り返し特性が実現できた。
件でオーバーライト特性及びその繰り返し特性を測定し
た。その結果、記録信号のC/N比は54dB以上、消
去比は30dB以上が得られ、2−7変調のランダム信
号のオーバーライトにおいてジッタは40万回以上の繰
り返しにわたって80%以内であった。従って、この構
成でも実施例1同様に良好なオーバーライト特性及びそ
の繰り返し特性が実現できた。
【0041】(実施例3)図3に示すディスク構成は、
ディスク基板1は厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹
脂であり、その上に厚さ約40nmのSiO2からなる
第4の誘電体層6と、厚さ約160nmのZnS−Si
O2の混合材料(ZnS:SiO2は約80:20モル
%)からなる第1の誘電体層2と、厚さ約25nmのG
e−Sb−Teの合金薄膜(Ge:Sb:Teは約2
1:25:54atom%)からなる記録層3と、厚さ約1
60nmのZnS−SiO2の混合材料(ZnS:Si
O2は約80:20モル%)からなる第2の誘電体層4
と、厚さ約40nmのSiO2からなる第3の誘電体層
5をこの順番に形成したものである。得られた光学的情
報記録媒体の光学特性は、Rcry=40%、Ramo=19
%、ΔR=21%、Acry=46%、Aamo=38%、Δ
A=8%であった。
ディスク基板1は厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹
脂であり、その上に厚さ約40nmのSiO2からなる
第4の誘電体層6と、厚さ約160nmのZnS−Si
O2の混合材料(ZnS:SiO2は約80:20モル
%)からなる第1の誘電体層2と、厚さ約25nmのG
e−Sb−Teの合金薄膜(Ge:Sb:Teは約2
1:25:54atom%)からなる記録層3と、厚さ約1
60nmのZnS−SiO2の混合材料(ZnS:Si
O2は約80:20モル%)からなる第2の誘電体層4
と、厚さ約40nmのSiO2からなる第3の誘電体層
5をこの順番に形成したものである。得られた光学的情
報記録媒体の光学特性は、Rcry=40%、Ramo=19
%、ΔR=21%、Acry=46%、Aamo=38%、Δ
A=8%であった。
【0042】本実施例のディスクを、実施例1と同じ条
件でオーバーライト特性及びその繰り返し特性を測定し
た。その結果、記録信号のC/N比は55dB以上、消
去比は30dB以上が得られ、2−7変調のランダム信
号のオーバーライトにおいてジッタは40万回以上の繰
り返しにわたって80%以内であった。従って、この構
成でも実施例1同様に良好なオーバーライト特性及びそ
の繰り返し特性が実現できた。
件でオーバーライト特性及びその繰り返し特性を測定し
た。その結果、記録信号のC/N比は55dB以上、消
去比は30dB以上が得られ、2−7変調のランダム信
号のオーバーライトにおいてジッタは40万回以上の繰
り返しにわたって80%以内であった。従って、この構
成でも実施例1同様に良好なオーバーライト特性及びそ
の繰り返し特性が実現できた。
【0043】以上の実施例では、第3の誘電体層として
SiO2 を用いたが、このかわりにTa2O5またはNb
2O5を用いても同様な効果が得られる。さらに、副成分
としてN,S,C,F,H等の元素を添加しても良い。
SiO2 を用いたが、このかわりにTa2O5またはNb
2O5を用いても同様な効果が得られる。さらに、副成分
としてN,S,C,F,H等の元素を添加しても良い。
【0044】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
基板上に少なくともレーザー光の照射により光学的特性
の異なる結晶相とアモルファス相との間を可逆的に変化
する記録層、記録層の上下に第1の誘電体層及び第2の
誘電体層、第1または第2の誘電体層の記録層と反対の
側に第3の誘電体層を積層し、第3の誘電体層として第
1、第2の誘電体層より熱膨張係数の小さい材料を用い
る。これにより第1及び第2の誘電体層の熱変形を小さ
くし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰り返し特性を向
上させることができ、また第3の誘電体層として屈折率
が小さいものを選ぶことにより、この層を導入しても従
来の3層構成の良好な光学特性をほとんど変えることな
く繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供する
ことができる。
基板上に少なくともレーザー光の照射により光学的特性
の異なる結晶相とアモルファス相との間を可逆的に変化
する記録層、記録層の上下に第1の誘電体層及び第2の
誘電体層、第1または第2の誘電体層の記録層と反対の
側に第3の誘電体層を積層し、第3の誘電体層として第
1、第2の誘電体層より熱膨張係数の小さい材料を用い
る。これにより第1及び第2の誘電体層の熱変形を小さ
くし、記録薄膜の物質移動を抑制し、繰り返し特性を向
上させることができ、また第3の誘電体層として屈折率
が小さいものを選ぶことにより、この層を導入しても従
来の3層構成の良好な光学特性をほとんど変えることな
く繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供する
ことができる。
【0045】また本発明により、オーバーライトにおい
てジッタの増大しない良好な記録消去特性を有し、なお
かつ繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供で
きる。
てジッタの増大しない良好な記録消去特性を有し、なお
かつ繰り返し特性の良好な光学的情報記録媒体を提供で
きる。
【図1】 本発明の実施例1のディスクの構成断面図。
【図2】 本発明の実施例2のディスクの構成断面図。
【図3】 本発明の実施例3のディスクの構成断面図。
【図4】 本発明の実施例1,2及び従来例の各ディス
クのオーバーライトの繰り返しによるジッタの変化を示
す図。
クのオーバーライトの繰り返しによるジッタの変化を示
す図。
【図5】 従来の反射層を用いた光学的情報記録媒体の
断面図。
断面図。
【図6】 従来の3層構成の光学的情報記録媒体の断面
図。
図。
1 基板 2 第1の誘電体層 3 記録層 4 第2の誘電体層 5 第3の誘電体層 6 第4の誘電体層 7 金属反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長田 憲一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 河原 克巳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (18)
- 【請求項1】 基板上に、光ビームの照射により光学的
に検出可能な2状態間で可逆的に変化する記録層と、前
記記録層の両面側にそれぞれ第1の誘電体層及び第2の
誘電体層を備えた光学的情報記録媒体であって、前記第
1の誘電体層及び第2の誘電体層から選ばれる少なくと
も一方の層の外側に第3の誘電体層を備え、前記第3の
誘電体層が前記第1、第2の誘電体層より熱膨張係数が
小さい材料であり、かつ金属反射層を設けないことを特
徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項2】 第3の誘電体層の熱膨張係数が、2.0
×10-6K-1以下の材料である請求項1に記載の光学的
情報記録媒体。 - 【請求項3】 第3の誘電体層が、SiO2 、Ta
2O5,Nb2O5から選ばれる少なくとも一つの無機酸化
物を主成分とする請求項1に記載の光学的情報記録媒
体。 - 【請求項4】 第3の誘電体層の無機酸化物主成分が7
0〜100モル%であり、かつ副成分はN,S,C,
F,Hから選ばれる少なくとも一つの元素が0〜30モ
ル%の範囲添加されている請求項3に記載の光学的情報
記録媒体。 - 【請求項5】 第3の誘電体層の厚さが、10〜400
nmの範囲である請求項1に記載の光学的情報記録媒
体。 - 【請求項6】 記録層、第1の誘電体層及び第2の誘電
体層のそれぞれの厚さが、2〜300nmの範囲である
請求項1に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項7】 第1及び第2の誘電体層の熱膨張係数
が、1.0×10-6K-1〜30.0×10-6K-1の範囲
である請求項1に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項8】 第1及び第2の誘電体層が、Al2O3、
ZrO2,TiO2、AlN,Si3N4,TiN,Si
C,ZnS,PbS,ZnSe,CaF2、から選ばれ
る少なくとも一つの無機物を主成分とする請求項1に記
載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項9】 第1及び第2の誘電体層に、副成分とし
てSiO2 、Ta2O5,Nb2O5から選ばれる少なくと
も一つの無機酸化物を30モル%以下含む請求項1に記
載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項10】 第1及び第2の誘電体層が、70〜1
00モル%のZnSと30〜0モル%のSiO2 の混合
物である請求項1に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項11】 記録層が、Ge−Sb−Te,Ge−
Sb−Te−Pd,Ge−Sb−Te−Bi,Ge−S
b−Te−Se,Ge−Te,Ge−Te−Bi,Ge
−Te−Sn,Ge−Te−Bi−Se,Ge−Te−
Sn−Au,Sb−Te,In−Sb−Te,Ag−I
n−Sb−Te及びIn−Seから選ばれる各カルコゲ
ン化合物、またはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭素、フ
ッ素、水素から選ばれる少なくとも一つの元素を添加し
た請求項1に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項12】 記録層が、Ge−Sb−Te系の各カ
ルコゲン化合物、またはこれらに窒素、酸素、硫黄、炭
素、フッ素、水素から選ばれる少なくとも一つの元素を
添加した請求項1に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項13】 基板が、ポリカーボネート樹脂、ポリ
メチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ガラ
スから選ばれる少なくとも一つの材料である請求項1に
記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項14】 前記光ビームの内で前記記録媒体に反
射される比率(以下反射率という)、及び前記記録層に
吸収される比率(以下吸収率という)を前記記録層が結
晶相である場合にはRcry及びAcry、アモルファス相で
ある場合にはRamo及びAamoとしたとき、反射率差ΔR
=Rcry−Ramoが15%以上であり、吸収率差ΔA=A
cry−Aamoが5%以上である請求項1に記載の光学的情
報記録媒体。 - 【請求項15】 第3の誘電体層が、第1及び第2の誘
電体層より屈折率が小さい材料である請求項1に記載の
光学的情報記録媒体。 - 【請求項16】 第3の誘電体層の屈折率nが、1.2
以上1.8以下の範囲の材料である請求項1に記載の光
学的情報記録媒体。 - 【請求項17】 基板側から測定される反射率が、情報
を記録する前及び後ともに50%未満である請求項1に
記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項18】 基板側から測定される反射率が、情報
を記録する前及び後ともに30%未満である請求項17
に記載の光学的情報記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8018015A JPH08287515A (ja) | 1995-02-13 | 1996-02-05 | 光学的情報記録媒体 |
US08/598,749 US5681632A (en) | 1995-02-13 | 1996-02-08 | Optical information recording medium |
KR1019960003294A KR100228051B1 (ko) | 1995-02-13 | 1996-02-12 | 광학적정보기록매체 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2412695 | 1995-02-13 | ||
JP7-24126 | 1995-02-13 | ||
JP8018015A JPH08287515A (ja) | 1995-02-13 | 1996-02-05 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08287515A true JPH08287515A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=26354624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8018015A Pending JPH08287515A (ja) | 1995-02-13 | 1996-02-05 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5681632A (ja) |
JP (1) | JPH08287515A (ja) |
KR (1) | KR100228051B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998028738A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical recording medium with phase-change recording layer |
WO2004105010A1 (en) * | 2003-05-21 | 2004-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer structure and method of drawing microscopic structure therein |
KR100763908B1 (ko) * | 2006-01-05 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 상전이 물질, 이를 포함하는 상전이 메모리와 이의 동작방법 |
WO2010090137A1 (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-12 | 日鉱金属株式会社 | 酸化チタンを主成分とする薄膜及び酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット |
US7940637B2 (en) | 2008-03-26 | 2011-05-10 | Korea Institute Of Science And Technology | Optical recording medium having super-resolution structure for improvement of reproducing stability and noise characteristic in low frequency band |
US11257899B2 (en) | 2019-12-13 | 2022-02-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Film structure including hafnium oxide, electronic device including the same, and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3211683B2 (ja) * | 1996-07-18 | 2001-09-25 | 株式会社日立製作所 | 情報記録ディスク用ガラス基板 |
DE69738285T2 (de) * | 1996-09-06 | 2008-02-28 | Ricoh Co., Ltd. | Optisches Speichermedium |
KR100271567B1 (ko) * | 1997-08-14 | 2000-11-15 | 구자홍 | 상변화 광디스크 |
JPH11167746A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-06-22 | Tdk Corp | 光記録媒体およびその記録方法 |
US6103033A (en) | 1998-03-04 | 2000-08-15 | Therasense, Inc. | Process for producing an electrochemical biosensor |
US6477135B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for recording and reproduction information thereon |
TW421790B (en) * | 1998-04-20 | 2001-02-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Rewritable optical information medium |
JP3090118B2 (ja) * | 1998-05-08 | 2000-09-18 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
KR20000023546A (ko) * | 1998-09-30 | 2000-04-25 | 장용균 | 상변화형 광디스크 |
JP3651559B2 (ja) * | 1998-10-19 | 2005-05-25 | 株式会社東芝 | 光記録媒体 |
JP2000137928A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体および光記録方法 |
EP1031972B1 (en) * | 1999-02-24 | 2004-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
JP2000322770A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
TW487682B (en) | 2000-08-10 | 2002-05-21 | Nat Science Council | Rewritable phase-change type optical information recording composition and optical disk containing the same |
EP1220214B1 (en) * | 2000-12-19 | 2004-08-11 | National Science Council | Rewritable phase-change optical recording composition and rewritable phase-change optical disc |
KR100453540B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2004-10-22 | 내셔널 사이언스 카운실 | 재기록가능한 상변화형 광기록 조성물 및 재기록가능한상변화형 광디스크 |
CN1255792C (zh) * | 2001-12-07 | 2006-05-10 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质及其制造方法 |
US8513634B2 (en) * | 2003-12-17 | 2013-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile data storage, semicoductor memory device including nonvolatile data storage and method of forming the same |
KR100851548B1 (ko) * | 2007-01-23 | 2008-08-11 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법 |
EP2412844A4 (en) | 2009-03-27 | 2016-12-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | SPUTTERING TARGET OF A SINTERED TI-NB OXID BODY, TI-NB OXID THIN LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE THIN LAYER |
AU2017388357B2 (en) | 2016-12-27 | 2023-08-24 | DePuy Synthes Products, Inc. | Systems, methods, and devices for providing illumination in an endoscopic imaging environment |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56145530A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording and erasing method |
US4737947A (en) * | 1983-06-14 | 1988-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording medium having optomagnetic recording layer and optical recording layer with guide tracks of specific reflectance |
US4801499A (en) * | 1985-01-24 | 1989-01-31 | Seiko Epson Corporation | Optical recording medium |
JP2521324B2 (ja) * | 1988-04-26 | 1996-08-07 | 旭化成工業株式会社 | 光記録媒体の製造方法 |
JPH07111787B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1995-11-29 | 松下電器産業株式会社 | 光学式情報記録媒体 |
JPH0388146A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
JPH03113844A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
JP2778188B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1998-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生消去部材 |
JP3180813B2 (ja) * | 1990-08-20 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
JP3078006B2 (ja) * | 1990-10-12 | 2000-08-21 | ティーディーケイ株式会社 | 光ディスク |
US5254382A (en) * | 1990-11-29 | 1993-10-19 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording medium |
US5244706A (en) * | 1991-02-27 | 1993-09-14 | Tdk Corporation | Optical recording disk |
JPH05144082A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体と光記録媒体用保護膜 |
JP3012734B2 (ja) * | 1992-04-17 | 2000-02-28 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体及びその構造設計方法 |
JP3087433B2 (ja) * | 1992-04-17 | 2000-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体及びその構造設計方法 |
JP2709887B2 (ja) * | 1992-06-12 | 1998-02-04 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
JPH0636344A (ja) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 相変化型情報記録媒体及び情報処理装置 |
-
1996
- 1996-02-05 JP JP8018015A patent/JPH08287515A/ja active Pending
- 1996-02-08 US US08/598,749 patent/US5681632A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-12 KR KR1019960003294A patent/KR100228051B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998028738A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical recording medium with phase-change recording layer |
US5965229A (en) * | 1996-12-24 | 1999-10-12 | U.S. Philips Corporation | Optical recording medium |
WO2004105010A1 (en) * | 2003-05-21 | 2004-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer structure and method of drawing microscopic structure therein |
US7435468B2 (en) | 2003-05-21 | 2008-10-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer structure and method of drawing microscopic structure therein, optical disc master and method of fabricating the same using the multi-layer structure, and optical disc manufactured using the optical disc master |
KR100763908B1 (ko) * | 2006-01-05 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 상전이 물질, 이를 포함하는 상전이 메모리와 이의 동작방법 |
US7573058B2 (en) | 2006-01-05 | 2009-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase change materials, phase change random access memories having the same and methods of operating phase change random access memories |
US7940637B2 (en) | 2008-03-26 | 2011-05-10 | Korea Institute Of Science And Technology | Optical recording medium having super-resolution structure for improvement of reproducing stability and noise characteristic in low frequency band |
WO2010090137A1 (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-12 | 日鉱金属株式会社 | 酸化チタンを主成分とする薄膜及び酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット |
JP5214745B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2013-06-19 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化チタンを主成分とする薄膜及び酸化チタンを主成分とする焼結体スパッタリングターゲット |
US11257899B2 (en) | 2019-12-13 | 2022-02-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Film structure including hafnium oxide, electronic device including the same, and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100228051B1 (ko) | 1999-11-01 |
KR960032364A (ko) | 1996-09-17 |
US5681632A (en) | 1997-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH08287515A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
JP2806274B2 (ja) | 光学情報記録媒体 | |
EP0978831B1 (en) | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus | |
KR100411658B1 (ko) | 정보기록매체및정보메모리장치 | |
US6469977B2 (en) | Optical information recording medium, method for producing the same, and method and apparatus for recording/reproducing information thereon | |
KR100381852B1 (ko) | 광학정보 기록매체 | |
US6477135B1 (en) | Optical information recording medium and method for recording and reproduction information thereon | |
JP4339999B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
KR100365675B1 (ko) | 광학적정보 기록매체와 그 제조방법, 기록재생방법 및기록재생장치 | |
JPH0793804A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
US6660451B1 (en) | Optical information recording medium | |
US5342714A (en) | Method for recording, erasing and reproducing data on an optical data recording medium | |
JPH0528538A (ja) | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 | |
JPH05298747A (ja) | 光学的情報記録媒体及びその構造設計方法 | |
US5273861A (en) | Optical information recording medium, method of making an optical information recording medium and method of recording/reproducing optical information | |
JPH07105574A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP3853543B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、その記録再生方法および記録再生装置 | |
JP3012734B2 (ja) | 光学的情報記録媒体及びその構造設計方法 | |
WO1996017344A1 (fr) | Support d'enregistrement optique | |
KR20040085049A (ko) | 광학적 정보 기록 매체와 그 제조 방법, 이 매체를 이용한정보의 기록 방법 및 기록 장치 | |
EP1477978A2 (en) | Optical information recording medium and method for producing the same | |
JP3087454B2 (ja) | 光学的情報記録媒体およびその構造設計方法 | |
JP2001028148A (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
JP2003338083A (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、並びにその記録再生方法 | |
EP1437723A2 (en) | Optical information recording medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040427 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040525 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040618 |