JP2521324B2 - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JP2521324B2 JP2521324B2 JP63101258A JP10125888A JP2521324B2 JP 2521324 B2 JP2521324 B2 JP 2521324B2 JP 63101258 A JP63101258 A JP 63101258A JP 10125888 A JP10125888 A JP 10125888A JP 2521324 B2 JP2521324 B2 JP 2521324B2
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- Japan
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- optical recording
- type
- recording medium
- dielectric layer
- reflectance
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な光記録媒体の製造方法に関するもので
ある。
ある。
さらに詳しくいえば、本発明は、レーザー光など相変
化を誘起できる光ビームにより、情報の記録、消去及び
再生を行う光記録媒体、特に従来の再生専用型と互換性
のある光記録媒体を簡単に製造する方法に関するもので
ある。
化を誘起できる光ビームにより、情報の記録、消去及び
再生を行う光記録媒体、特に従来の再生専用型と互換性
のある光記録媒体を簡単に製造する方法に関するもので
ある。
従来の技術 光ディスクは、その記録再生の状態により再生専用型
と光記録可能型とに大別することができる。このうち、
再生専用型は、音声用のデジタルオーディオディスク、
いわゆるコンパクトディスク（CD）としてすに実用化さ
れている。この種の光ディスクは、原盤に記録された状
態をプラスチックなどから成る基板に転写し、その上に
アルミニウムなどの金属反射膜を蒸着して実用に供され
ている。該再生専用型はこのような製造プロセスである
ため大量生産が可能であり、また60％以上の高い反射率
を有するのが特徴である。
と光記録可能型とに大別することができる。このうち、
再生専用型は、音声用のデジタルオーディオディスク、
いわゆるコンパクトディスク（CD）としてすに実用化さ
れている。この種の光ディスクは、原盤に記録された状
態をプラスチックなどから成る基板に転写し、その上に
アルミニウムなどの金属反射膜を蒸着して実用に供され
ている。該再生専用型はこのような製造プロセスである
ため大量生産が可能であり、また60％以上の高い反射率
を有するのが特徴である。
一方、光記録可能型の代表的なものには、光磁気型と
相変化型とがある。前者の光磁気型は記録層の磁化の向
きにより、記録や消去を行い、また磁気光学効果によっ
て再生を行うのに対し、相変化型は相変化前後の反射率
の差により記録、消去、再生を行う。さらに、この相変
化型は、一度記録すると情報が半永久的に保存される追
記型と、記録した情報の消去も可能な書き換え型とに分
類されるが、これは情報記録に利用される変化が可逆で
あるか否かによる違いであって、媒体の構成には共通点
が多い。
相変化型とがある。前者の光磁気型は記録層の磁化の向
きにより、記録や消去を行い、また磁気光学効果によっ
て再生を行うのに対し、相変化型は相変化前後の反射率
の差により記録、消去、再生を行う。さらに、この相変
化型は、一度記録すると情報が半永久的に保存される追
記型と、記録した情報の消去も可能な書き換え型とに分
類されるが、これは情報記録に利用される変化が可逆で
あるか否かによる違いであって、媒体の構成には共通点
が多い。
光ディスクには、このような種類があるが、従来再生
専用型として使用されてきた媒体に代って、光記録可能
型の媒体を用いれば、ユーザーが自ら音声の記録、消
去、再生を行うことが原理的には可能である。しかしな
がら、従来の光記録媒体はこの点に関し、次に示すよう
な問題点を有している。すなわち、光磁気型は記録、消
去に磁化の反転、再生に磁気光学効果を用いるために、
反射率の差を利用した従来の再生専用型とは原理が異な
っていて、使用するヘッドに互換性が少なく、一方相変
化型は光の反射率の差を利用する点では再生専用型と共
通であるが、該相変化型では、Te、Seなどのカルコゲン
や、Sbなどの合金系における非晶質−結晶転移を利用す
るため反射率もたかだか50％程度であるのに対し、再生
専用型は前記したように60％以上の反射率を有している
ため、このタイプの光記録型でも、記録層単独では再生
専用型との互換性がない。
専用型として使用されてきた媒体に代って、光記録可能
型の媒体を用いれば、ユーザーが自ら音声の記録、消
去、再生を行うことが原理的には可能である。しかしな
がら、従来の光記録媒体はこの点に関し、次に示すよう
な問題点を有している。すなわち、光磁気型は記録、消
去に磁化の反転、再生に磁気光学効果を用いるために、
反射率の差を利用した従来の再生専用型とは原理が異な
っていて、使用するヘッドに互換性が少なく、一方相変
化型は光の反射率の差を利用する点では再生専用型と共
通であるが、該相変化型では、Te、Seなどのカルコゲン
や、Sbなどの合金系における非晶質−結晶転移を利用す
るため反射率もたかだか50％程度であるのに対し、再生
専用型は前記したように60％以上の反射率を有している
ため、このタイプの光記録型でも、記録層単独では再生
専用型との互換性がない。
発明が解決しようとする課題 本発明はこのような事情のもとで、記録層として相変
化型のものを用い、かつ２層の誘電体層の形成に工夫を
加え反射率を上げることにより、従来の再生専用型と互
換性のある光記録媒体を簡単に製造する方法を提供する
ことを目的としてなされたものである。
化型のものを用い、かつ２層の誘電体層の形成に工夫を
加え反射率を上げることにより、従来の再生専用型と互
換性のある光記録媒体を簡単に製造する方法を提供する
ことを目的としてなされたものである。
課題を解決するための手段 本発明者らは相変化型の光記録媒体における反射率を
60％以上に上げるために鋭意研究を重ねた結果、基板上
に、同一元素から成るが化学量論数の異なる２種の化合
物から成る２層の誘電体層を形成させることにより、屈
折率を調節すれば、反射率を60％以上にすることができ
ることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至
った。
60％以上に上げるために鋭意研究を重ねた結果、基板上
に、同一元素から成るが化学量論数の異なる２種の化合
物から成る２層の誘電体層を形成させることにより、屈
折率を調節すれば、反射率を60％以上にすることができ
ることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至
った。
すなわち、本発明は、基板上に２層の誘電体層と記録
層を形成し、相変化型光記録媒体を製造するに当り、第
一の誘電体層を形成させたのち、雰囲気条件を変えて膜
形成を行い、第一の誘電体層を構成する化合物と同一元
素から構成されるが化学量論数の異なる化合物から成る
第二の誘電体層を形成させ、再生に用いる光の波長にお
いて異なる屈折率をもつ２層とし、かつこの際、上記波
長に対し、基板側から測定される反射率が情報を記録し
ていない状態で60％以上になるように調整することを特
徴とする光記録媒体の製造方法を提供するものである。
層を形成し、相変化型光記録媒体を製造するに当り、第
一の誘電体層を形成させたのち、雰囲気条件を変えて膜
形成を行い、第一の誘電体層を構成する化合物と同一元
素から構成されるが化学量論数の異なる化合物から成る
第二の誘電体層を形成させ、再生に用いる光の波長にお
いて異なる屈折率をもつ２層とし、かつこの際、上記波
長に対し、基板側から測定される反射率が情報を記録し
ていない状態で60％以上になるように調整することを特
徴とする光記録媒体の製造方法を提供するものである。
以下本発明を詳細に説明する。
本発明の効果は、屈折率の異なる誘電体の積層による
干渉効果を利用するものであって、その原理は、例えば
「光学薄膜」第２版，第25〜34ページ（1986年）などに
記載されている。
干渉効果を利用するものであって、その原理は、例えば
「光学薄膜」第２版，第25〜34ページ（1986年）などに
記載されている。
本発明方法で形成される２層の誘電体の屈折率及び膜
厚は種々の組合せが可能である。例えば、基板上に、第
一の誘電体層L1、第二の誘電体層L2及び記録層を順次積
層する場合、基板の屈折率をns、第一の誘電体層L1の屈
折率をn1、第二の誘電体層L2の屈折率をn2とし、n1＞ns
で、かつn1＞n2のとき、L1及びL2の膜厚が、それぞれd1
＝λ/4n1及びd2＝λ/4n2（λは再生光の波長）の場合、
反射率は極大となり、この際、該n1とn2との差を大きく
すれば反射率を所望の値まで増加させることができる。
厚は種々の組合せが可能である。例えば、基板上に、第
一の誘電体層L1、第二の誘電体層L2及び記録層を順次積
層する場合、基板の屈折率をns、第一の誘電体層L1の屈
折率をn1、第二の誘電体層L2の屈折率をn2とし、n1＞ns
で、かつn1＞n2のとき、L1及びL2の膜厚が、それぞれd1
＝λ/4n1及びd2＝λ/4n2（λは再生光の波長）の場合、
反射率は極大となり、この際、該n1とn2との差を大きく
すれば反射率を所望の値まで増加させることができる。
具体的な誘電体の材料の選定に際しては、その物質の
屈折率に留意しさえすればよいが、透明性の高い材料、
例えばMg、Ca、Sr、Ｙ、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、
Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Ｖ、N
b、Ta、Zn、Al、Si、Ge、Sn、Pbなどの酸化物、窒化
物、硫化物、Li、Na、Mg、Caなどのフッ化物、あるいは
これらの混合物などを用いると誘電体層による吸収がな
く、感度の点で有利である。
屈折率に留意しさえすればよいが、透明性の高い材料、
例えばMg、Ca、Sr、Ｙ、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、
Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Ｖ、N
b、Ta、Zn、Al、Si、Ge、Sn、Pbなどの酸化物、窒化
物、硫化物、Li、Na、Mg、Caなどのフッ化物、あるいは
これらの混合物などを用いると誘電体層による吸収がな
く、感度の点で有利である。
本発明方法においては屈折率が酸化物などの化学量論
数によって変化することを利用するものであり、例えば
L1層としてSiOx1、L2層としてSiOx2で示されるケイ素又
はその酸化物を用いる場合、該X1及びX2を変えることに
より、n1及びn2を変化させることができ、所望の屈折率
を有する薄膜を容易に形成できる。
数によって変化することを利用するものであり、例えば
L1層としてSiOx1、L2層としてSiOx2で示されるケイ素又
はその酸化物を用いる場合、該X1及びX2を変えることに
より、n1及びn2を変化させることができ、所望の屈折率
を有する薄膜を容易に形成できる。
本発明方法における記録層に用いられる相変化型の材
料としては、例えばGe−Te−Sb、In−Se、In−Sbなどが
挙げられる。該記録層の膜厚は媒体の使用条件にもよる
が、20〜200nm程度で所望の効果が得られる。また、基
板材料としては、例えばガラス、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂など、従来基板材料として慣用されてい
るものの中から任意のものを用いることができる。
料としては、例えばGe−Te−Sb、In−Se、In−Sbなどが
挙げられる。該記録層の膜厚は媒体の使用条件にもよる
が、20〜200nm程度で所望の効果が得られる。また、基
板材料としては、例えばガラス、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂など、従来基板材料として慣用されてい
るものの中から任意のものを用いることができる。
なお、本発明における情報を記録していない状態の反
射率とはアニーリングなどの結晶化経過を経た媒体につ
いての反射率のことである。
射率とはアニーリングなどの結晶化経過を経た媒体につ
いての反射率のことである。
一般に光記録媒体においては、該誘電体層に対して、
温度コントロールや耐環境性などの多くの機能が要求さ
れるが、本発明方法によれば前記したように材料の選択
が広い上に、異なる特徴を有する材料を組み合わせて使
用しうるので材料設計が容易である。
温度コントロールや耐環境性などの多くの機能が要求さ
れるが、本発明方法によれば前記したように材料の選択
が広い上に、異なる特徴を有する材料を組み合わせて使
用しうるので材料設計が容易である。
また、本発明方法によれば、所望に応じ、記録層の上
に反射層を設けて感度を向上させてもよいし、有機系や
無機系の保護層を設けて耐環境性を向上させてもよい。
さらにディスク構造は単板にしてもよいし、全面接着構
造やエアサンドイッチなどの貼り合わせ構造にしてもよ
い。
に反射層を設けて感度を向上させてもよいし、有機系や
無機系の保護層を設けて耐環境性を向上させてもよい。
さらにディスク構造は単板にしてもよいし、全面接着構
造やエアサンドイッチなどの貼り合わせ構造にしてもよ
い。
本発明方法においては、干渉効果を利用するので、膜
厚設計を適宜変更することにより、媒体の反射率を用途
に応じて所望の値に調節することができる。
厚設計を適宜変更することにより、媒体の反射率を用途
に応じて所望の値に調節することができる。
発明の効果 本発明方法によれば、金属材料並みの反射率を有する
相変化型光記録材料を簡単に製造することができ、従来
の再生専用型媒体と互換性があり、かつ記録、消去が可
能な光記録媒体を容易に提供することができる。
相変化型光記録材料を簡単に製造することができ、従来
の再生専用型媒体と互換性があり、かつ記録、消去が可
能な光記録媒体を容易に提供することができる。
実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらの例によってなんら限定されるもの
ではない。
が、本発明はこれらの例によってなんら限定されるもの
ではない。
実施例１ ガラス基板上に、SiO（屈折率2.1）88nm、SiO2（屈折
率1.5）130nm及びSb30Te50Ge20（屈折率5.4）80nmをこ
の順に真空蒸着した［第１図（Ａ）参照］。また、比較
例としてSiO層を設けなかったこと以外はすべて同一条
件で真空蒸着を行ったものを用意した［第１図（Ｂ）参
照］。
率1.5）130nm及びSb30Te50Ge20（屈折率5.4）80nmをこ
の順に真空蒸着した［第１図（Ａ）参照］。また、比較
例としてSiO層を設けなかったこと以外はすべて同一条
件で真空蒸着を行ったものを用意した［第１図（Ｂ）参
照］。
蒸着直後及び250℃で10分間アニールしたのちの試料
の反射率を、波長830nmの光を用いて基板側から測定し
たところ、第１表に示す結果が得られた。
の反射率を、波長830nmの光を用いて基板側から測定し
たところ、第１表に示す結果が得られた。
この表から、誘電体層を２層にすることにより、蒸着
直後及びアニール後共に反射率が上昇し、特に後者にお
いて反射率が60％以上になることが分かる。また、コン
トラストは比較例とほぼ同じであり、両状態の反射率差
を利用した情報の記録が可能であるとともに、再生専用
型媒体との互換性をもたせることができる。
直後及びアニール後共に反射率が上昇し、特に後者にお
いて反射率が60％以上になることが分かる。また、コン
トラストは比較例とほぼ同じであり、両状態の反射率差
を利用した情報の記録が可能であるとともに、再生専用
型媒体との互換性をもたせることができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ実施例１における
本発明の光記録媒体及び比較例における光記録媒体の断
面図であり、図中符号１は基板、２及び３は誘電体層、
４は記録層を示す。
本発明の光記録媒体及び比較例における光記録媒体の断
面図であり、図中符号１は基板、２及び３は誘電体層、
４は記録層を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−177447（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−167637（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−175945（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に２層の誘電体層と記録層を形成
し、相変化型光記録媒体を製造するに当り、第一の誘電
体層を形成させたのち、雰囲気条件を変えて膜形成を行
い、第一の誘電体層を構成する化合物と同一元素から構
成されるが化学量論数の異なる化合物から成る第二の誘
電体層を形成させ、再生に用いる光の波長において異な
る屈折率をもつ２層とし、かつこの際、上記波長に対
し、基板側から測定される反射率が情報を記録していな
い状態で60％以上になるように調整することを特徴とす
る光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101258A JP2521324B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101258A JP2521324B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273240A JPH01273240A (ja) | 1989-11-01 |
| JP2521324B2 true JP2521324B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=14295888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101258A Expired - Fee Related JP2521324B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521324B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03212830A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-18 | Hitachi Ltd | 光ディスク、その記録・消去システム、およびその記録・消去方法 |
| JP3068416B2 (ja) * | 1994-08-26 | 2000-07-24 | 日本電気株式会社 | 情報記録媒体 |
| JPH08287515A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177447A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
| JPH0762917B2 (ja) * | 1986-01-20 | 1995-07-05 | ソニー株式会社 | 光学式記録媒体 |
| JPS62175945A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Nec Corp | 光情報記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63101258A patent/JP2521324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01273240A (ja) | 1989-11-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |