JPS60150250A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS60150250A JPS60150250A JP474984A JP474984A JPS60150250A JP S60150250 A JPS60150250 A JP S60150250A JP 474984 A JP474984 A JP 474984A JP 474984 A JP474984 A JP 474984A JP S60150250 A JPS60150250 A JP S60150250A
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- Japan
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- layer
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- recording medium
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気カー効果、ファラデー効果等の磁気光学
効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒体に関
するものであり、特に書き込み効率および読み出し効率
を向上させるだめの反射防止膜を有する光磁気記録媒体
に関するものである。
効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒体に関
するものであり、特に書き込み効率および読み出し効率
を向上させるだめの反射防止膜を有する光磁気記録媒体
に関するものである。
従来、光磁気記録媒体として、希土類−遥移金属の非晶
質合金薄膜が、書き込み効率、読み出し効率等から有望
とされている。特にＧｄＴｂＦｅ３元非晶質薄膜は、キ
ューリ一点が１０００前後と低く、カー回転角も大きい
優れた記録媒体である。
質合金薄膜が、書き込み効率、読み出し効率等から有望
とされている。特にＧｄＴｂＦｅ３元非晶質薄膜は、キ
ューリ一点が１０００前後と低く、カー回転角も大きい
優れた記録媒体である。
しかし、磁気記録層単独での書き込み感度、および読み
出し時のＳ／Ｎ比の向上は困難であり、基板材料、断熱
層、反射防止膜、反射増加膜（ファラデー効果利用の場
合）等との組み合わせによる効率の向上が望まれている
。
出し時のＳ／Ｎ比の向上は困難であり、基板材料、断熱
層、反射防止膜、反射増加膜（ファラデー効果利用の場
合）等との組み合わせによる効率の向上が望まれている
。
従来、特開昭５６−１５６９４８号等で磁性膜上の単層
反射防止膜が提案されているが、書き込み側外部媒体が
ガラス、又はプラスチックの場合には、成膜時に加熱で
きないだめ屈折率が低く、効果が小さい欠点があった。
反射防止膜が提案されているが、書き込み側外部媒体が
ガラス、又はプラスチックの場合には、成膜時に加熱で
きないだめ屈折率が低く、効果が小さい欠点があった。
本発明者らは、先に、大きなカー回転角及び良好な角形
比を有する光磁気記録媒体として、ＧｄＴｂＦｅＣｏ４
元非晶質合金薄膜を見い出した。しかし、この４元系媒
体は、キューリ一点が約８０００と高く、書き込み効率
が悪いという欠点があった。
比を有する光磁気記録媒体として、ＧｄＴｂＦｅＣｏ４
元非晶質合金薄膜を見い出した。しかし、この４元系媒
体は、キューリ一点が約８０００と高く、書き込み効率
が悪いという欠点があった。
本発明の目的は、従来の光磁気記録媒体、特にＧａ Ｔ
ｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質合金薄膜を用いた光磁気
記録媒体における上記欠点の除去にある。
ｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質合金薄膜を用いた光磁気
記録媒体における上記欠点の除去にある。
本発明の別の目的は、従来の光磁気記録媒体、特にＧａ
Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質合金薄膜を用いた光
磁気記録媒体における反射防止効果、を向上させ、情報
の書き込み効率を向上させ、かつカー回転角の増大（約
１度以上）によりＳ／Ｎ比を改善することにある。
Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質合金薄膜を用いた光
磁気記録媒体における反射防止効果、を向上させ、情報
の書き込み効率を向上させ、かつカー回転角の増大（約
１度以上）によりＳ／Ｎ比を改善することにある。
本発明の上記目的は、書き込み側ガラス基板若しくはプ
ラスチック基板と記録磁性層との間に反射防止層を設け
てなる光磁気記録媒体において、上記反射防止層が、上
記基板側から第１層として設けられた一酸化ケイ素膜又
は二酸化ケイ素膜、及び第２層として設けられた屈折率
が１．７以上の高屈折率単層膜又は低屈折率膜として二
酸化ケイ素膜を用いる、高屈折率膜−低屈折率膜−高屈
折率膜の８層膜からなることを特徴とする光磁気記録媒
体によって達成される。 ・ 本発明に用いられる記録磁性層としてはＧａ ＴｂＦｅ
３元非晶質合金薄膜、Ｇａ、 Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４
元系非 ゛晶質合金薄膜等を例示することができるが、
カー回転角が大きく、角形比が良好であることから、上
記４元系磁性層が好ましい。
ラスチック基板と記録磁性層との間に反射防止層を設け
てなる光磁気記録媒体において、上記反射防止層が、上
記基板側から第１層として設けられた一酸化ケイ素膜又
は二酸化ケイ素膜、及び第２層として設けられた屈折率
が１．７以上の高屈折率単層膜又は低屈折率膜として二
酸化ケイ素膜を用いる、高屈折率膜−低屈折率膜−高屈
折率膜の８層膜からなることを特徴とする光磁気記録媒
体によって達成される。 ・ 本発明に用いられる記録磁性層としてはＧａ ＴｂＦｅ
３元非晶質合金薄膜、Ｇａ、 Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４
元系非 ゛晶質合金薄膜等を例示することができるが、
カー回転角が大きく、角形比が良好であることから、上
記４元系磁性層が好ましい。
本発明においては、第１層の上に、さらに第２３一
層として屈折率が１，７以上の高屈折率の単層膜または
高屈折率膜から始まる高屈折率膜−二酸化ケイ素膜（低
屈折率膜）−高屈折率膜の３層膜が設けられる。
高屈折率膜から始まる高屈折率膜−二酸化ケイ素膜（低
屈折率膜）−高屈折率膜の３層膜が設けられる。
本発明において、第２層に用いられる高屈折率膜として
は、屈折率１．７〜１．８の一酸化ケイ素膜屈折率が約
１．９の二酸化ジルコニウム膜、屈折率が約〜２．０の
五酸化タンタル膜および屈折率が約〜２．１の五酸化ニ
オブ膜が好ましい。五酸化タンタル膜および五酸化ニオ
ブ膜は、室温における真空蒸着法によシ蒸着して上記の
屈折率を有するから、量産時、すなわち、記録磁性層を
加熱形成できず、しだがって反射防止膜も室温近くで形
成されねばならない場合に、特に有効である。
は、屈折率１．７〜１．８の一酸化ケイ素膜屈折率が約
１．９の二酸化ジルコニウム膜、屈折率が約〜２．０の
五酸化タンタル膜および屈折率が約〜２．１の五酸化ニ
オブ膜が好ましい。五酸化タンタル膜および五酸化ニオ
ブ膜は、室温における真空蒸着法によシ蒸着して上記の
屈折率を有するから、量産時、すなわち、記録磁性層を
加熱形成できず、しだがって反射防止膜も室温近くで形
成されねばならない場合に、特に有効である。
上記の３層膜においては、低屈折率膜として二酸化ケイ
素膜が用いられるが、一般に低屈折率膜として用いられ
るフッ化マグネシウム膜に比較して表面強度、密着性に
優れ、膜ワレ、膜ウキなどを生じない利点がある。
素膜が用いられるが、一般に低屈折率膜として用いられ
るフッ化マグネシウム膜に比較して表面強度、密着性に
優れ、膜ワレ、膜ウキなどを生じない利点がある。
反射防止層を構成する各層の膜厚は、第１層の ４−
一酸化ケイ素膜の膜厚を書き込み光及び読み出し光の波
長に対して光学的に１／２波長に設定し、第２層の各膜
厚を光学的に１／４波長に設定するのが好ましい。ただ
し、記録磁性層に接する膜は、境界面での反射時の位相
ズレを考慮して光学的にｌ／４波長よりも少さい膜厚に
設定するのが好ましい。
長に対して光学的に１／２波長に設定し、第２層の各膜
厚を光学的に１／４波長に設定するのが好ましい。ただ
し、記録磁性層に接する膜は、境界面での反射時の位相
ズレを考慮して光学的にｌ／４波長よりも少さい膜厚に
設定するのが好ましい。
反射防止層の第２層は光学的膜厚が１／４波長の８層膜
を基本構成とする方が製作上有利であり、反射率可変の
パラメーターとしては屈折率を変えた方が好都合である
。
を基本構成とする方が製作上有利であり、反射率可変の
パラメーターとしては屈折率を変えた方が好都合である
。
本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模式図である第１
図を参照して本発明の一実施態様を説明する。第１図で
、書き込み側からガラス、又は、プラスチック基板ｌ氏
上に、第１層として一酸化ケイ素膜２”ｉ第２層として
高屈折率単層膜である二酸化ジルコニウム膜２ｂを設け
、この上にＧａＴｂＦｅＣｏ４元系非晶質記録磁性層８
を形成し、さらに−酸化ケイ素膜からなる保護膜４を形
成し、接着層５により、ガラス基板又はプラスチック基
板１ｂと貼り合わせて本発明の光磁気記録媒体が得られ
る。第１図において、反射防止層２ａ、 ２ｂの膜厚は
、第１層が使用波長に対して光学的にｌ／２波長に設定
され、記録磁性層３に接する層２ｂは磁性層８との境界
面での反射時の位相ズレを考慮して１／４波長より薄い
光学的膜厚に設定される。すなわち反射防止層９ａ、
２ｂの屈折率は使用波長８００ｎｍに対して、それぞれ
１．７及び１９であり、光学的膜厚は、それぞれ４００
ｎｍ及び約１６０ｎｍである。
図を参照して本発明の一実施態様を説明する。第１図で
、書き込み側からガラス、又は、プラスチック基板ｌ氏
上に、第１層として一酸化ケイ素膜２”ｉ第２層として
高屈折率単層膜である二酸化ジルコニウム膜２ｂを設け
、この上にＧａＴｂＦｅＣｏ４元系非晶質記録磁性層８
を形成し、さらに−酸化ケイ素膜からなる保護膜４を形
成し、接着層５により、ガラス基板又はプラスチック基
板１ｂと貼り合わせて本発明の光磁気記録媒体が得られ
る。第１図において、反射防止層２ａ、 ２ｂの膜厚は
、第１層が使用波長に対して光学的にｌ／２波長に設定
され、記録磁性層３に接する層２ｂは磁性層８との境界
面での反射時の位相ズレを考慮して１／４波長より薄い
光学的膜厚に設定される。すなわち反射防止層９ａ、
２ｂの屈折率は使用波長８００ｎｍに対して、それぞれ
１．７及び１９であり、光学的膜厚は、それぞれ４００
ｎｍ及び約１６０ｎｍである。
本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模式図である第２
図を参照して、本発明の他の実施態様を説明する。反射
防止効果をさらに向上させるために反射防止層が、第１
層が一酸化ケイ素膜９ａ。
図を参照して、本発明の他の実施態様を説明する。反射
防止効果をさらに向上させるために反射防止層が、第１
層が一酸化ケイ素膜９ａ。
第２層が二酸化ジルコニウム膜２ｂ、二酸化ケイ素膜２
Ｃ，及び二酸化ジルコニウム膜２ｄからなる３層膜より
構成されている以外は第１図におけると同様にして光磁
気記録媒体かえられる。使用波長約８００ｎｍに対して
膜２ａ、９ｂ、ｊ９ｃ及び２ｄの屈折率は、それぞれ１
．７，１．９，１．４５及び１．９であり、光学的膜厚
はそれぞれ４．００ ｎｎｍ２００ｎ、２００ｎｍ及び
１６０ｎｍである。
Ｃ，及び二酸化ジルコニウム膜２ｄからなる３層膜より
構成されている以外は第１図におけると同様にして光磁
気記録媒体かえられる。使用波長約８００ｎｍに対して
膜２ａ、９ｂ、ｊ９ｃ及び２ｄの屈折率は、それぞれ１
．７，１．９，１．４５及び１．９であり、光学的膜厚
はそれぞれ４．００ ｎｎｍ２００ｎ、２００ｎｍ及び
１６０ｎｍである。
本発明によれば、第１層の１／２波長の膜厚の一酸化ケ
イ素膜又は二酸化ケイ素膜、第２層が１／４波長の膜厚
の高屈折率単層膜又は各膜が１／４波長の膜厚の８層交
互層からなる反射防止層を、好ましくはＧａ Ｔｂ Ｆ
ｅ Ｃｏ ４元系記録磁性層とガラス又はプラスチック
基板の間に設けることにより、第２層が単層構成の場合
は約２５％、８層膜構成の場合は約１０ｑ６以下の反射
率を実現し、書き込み効率及び読み出し効率を向上させ
ることができる。
イ素膜又は二酸化ケイ素膜、第２層が１／４波長の膜厚
の高屈折率単層膜又は各膜が１／４波長の膜厚の８層交
互層からなる反射防止層を、好ましくはＧａ Ｔｂ Ｆ
ｅ Ｃｏ ４元系記録磁性層とガラス又はプラスチック
基板の間に設けることにより、第２層が単層構成の場合
は約２５％、８層膜構成の場合は約１０ｑ６以下の反射
率を実現し、書き込み効率及び読み出し効率を向上させ
ることができる。
また、第１層を一酸化ケイ素膜又は二酸化ケイ素膜とし
たことによシ、特にプラスチック基板に対して優れた密
着性を有し、耐湿性に優れ、かつ膜ワレの生じない反射
防止膜を形成することができる。さらに、第２層の高屈
折率膜として一酸化ケイ素膜、二酸化ジルコニウム、五
酸化タンタル又は五酸化ニオブ膜を用い、また低屈折率
膜として二酸化ケイ素膜を用いることにより、記録磁性
膜の反射防止層上への形成を容易にすることがで ７− きる。
たことによシ、特にプラスチック基板に対して優れた密
着性を有し、耐湿性に優れ、かつ膜ワレの生じない反射
防止膜を形成することができる。さらに、第２層の高屈
折率膜として一酸化ケイ素膜、二酸化ジルコニウム、五
酸化タンタル又は五酸化ニオブ膜を用い、また低屈折率
膜として二酸化ケイ素膜を用いることにより、記録磁性
膜の反射防止層上への形成を容易にすることがで ７− きる。
実施例１
第１図に示されたと同様に、プラスチック基板ｌ氏上に
第１層として一酸化冴イ素膜２ａｓ第２層として二酸化
ジルコニウム膜２ｂを設け、この上にＧａ Ｔｂ Ｆｅ
Ｃｏ ’４元系非晶質合金記録磁性層３を形成し、さ
らに−酸化ケ會素膜からなる保護膜４を形成し、接着層
５によシブラスチック基板１ｂと貼り合わせて光磁気記
録層を得た。第１層及び第２層の屈折率は使用波長８０
０ｎｍに対して、それぞれ１．７及び１．９、光学的膜
厚は、それぞれ４００ｎｍおよび１６０ｎｍであった。
第１層として一酸化冴イ素膜２ａｓ第２層として二酸化
ジルコニウム膜２ｂを設け、この上にＧａ Ｔｂ Ｆｅ
Ｃｏ ’４元系非晶質合金記録磁性層３を形成し、さ
らに−酸化ケ會素膜からなる保護膜４を形成し、接着層
５によシブラスチック基板１ｂと貼り合わせて光磁気記
録層を得た。第１層及び第２層の屈折率は使用波長８０
０ｎｍに対して、それぞれ１．７及び１．９、光学的膜
厚は、それぞれ４００ｎｍおよび１６０ｎｍであった。
第２図に示されたと同様に、プラスチック基板上に第１
層として使用波長Ｂ’ｏ ｏ ｎ ｍに対して屈折率１
．７、光学的膜厚４’ＯＯｎ’ｍの一酸化ケイ素膜９ａ
、第２層として屈折率が、それぞれ１．９０．１．４５
及び１．９であり、かつ光学的膜厚が、それぞれ２００
ｎｍ、２００ｎｍ及び１６０ｎｍの二酸化ジルコニウム
膜２ ｂ ％二酸化ケイ素膜２Ｃ及び二酸化ジルコニウ
ム膜２ｄからなる８層交互層を ８− 形成して光磁気記録媒体を形成した。
層として使用波長Ｂ’ｏ ｏ ｎ ｍに対して屈折率１
．７、光学的膜厚４’ＯＯｎ’ｍの一酸化ケイ素膜９ａ
、第２層として屈折率が、それぞれ１．９０．１．４５
及び１．９であり、かつ光学的膜厚が、それぞれ２００
ｎｍ、２００ｎｍ及び１６０ｎｍの二酸化ジルコニウム
膜２ ｂ ％二酸化ケイ素膜２Ｃ及び二酸化ジルコニウ
ム膜２ｄからなる８層交互層を ８− 形成して光磁気記録媒体を形成した。
上記の光磁気記録媒体の分光反射率曲線を第８図にそれ
ぞれ８１および８２として示した。反射防止膜がない場
合には記録磁性層からの反射率およびカー回転角は、そ
れぞれ約４５係および約０／４度アあり書き込み効率お
よび読み出し効率ともに満足すべきものではないが、上
記のように、反射防止膜を設けることによシ、使用波長
約８００ｎｍでの反射率は、それぞれ約２８ｑ６および
約１１％であって、書き込み効率および読み出し効率と
もに満足すべきものであった。
ぞれ８１および８２として示した。反射防止膜がない場
合には記録磁性層からの反射率およびカー回転角は、そ
れぞれ約４５係および約０／４度アあり書き込み効率お
よび読み出し効率ともに満足すべきものではないが、上
記のように、反射防止膜を設けることによシ、使用波長
約８００ｎｍでの反射率は、それぞれ約２８ｑ６および
約１１％であって、書き込み効率および読み出し効率と
もに満足すべきものであった。
実施例２
第２層の高屈折率として二酸化ジルコニウム膜の代りに
五酸化タンタル膜を用いた以外は実施例１と同様にして
光磁気記録媒体を得た。これらの記録媒体は第４図に４
１および４２で示された分光反射率を示した。
五酸化タンタル膜を用いた以外は実施例１と同様にして
光磁気記録媒体を得た。これらの記録媒体は第４図に４
１および４２で示された分光反射率を示した。
この曲線＋ｉ、４２から明らかなように使用波長約８０
０ｎｍでの反射率は約２６係および７係であシ書き込み
、読み出し効率は良好であった。
０ｎｍでの反射率は約２６係および７係であシ書き込み
、読み出し効率は良好であった。
実施例８
第２層の高屈折率膜に代えて二酸化ジルコニウムに代え
て丘陵ニオブ膜を用いた以外は実施例１と同様にして光
磁気記録媒体を得た。これらの記録媒体は第５図に５１
及び５２で示された分光反射率を示した。この曲線５１
．５２から明らかなように、使用波長約８００ｎｍでの
反射率は約２８係および５係以下であり書き込み、読み
出し効率は良好であった。
て丘陵ニオブ膜を用いた以外は実施例１と同様にして光
磁気記録媒体を得た。これらの記録媒体は第５図に５１
及び５２で示された分光反射率を示した。この曲線５１
．５２から明らかなように、使用波長約８００ｎｍでの
反射率は約２８係および５係以下であり書き込み、読み
出し効率は良好であった。
第１図および第２図は本発明の光磁気記録媒体の実施態
様を示すだめの模式図である。第３図〜第５図は本発明
の各実施態様における分光反射率曲線を示す。 ｌａ、ｌｂ・・・ガラス又はプラスチック基板９ａ、
２ｂ、 ２ｃ、 ２ａ・・・反射防止層を構成する各膜
８・・・記録磁性層 ４・・・保護層 ５・・・接着層 １１− 第１図 第２図 （ｏｌｏ）ψ＋ｇＹ （ｏｌｏ）＊拷！
様を示すだめの模式図である。第３図〜第５図は本発明
の各実施態様における分光反射率曲線を示す。 ｌａ、ｌｂ・・・ガラス又はプラスチック基板９ａ、
２ｂ、 ２ｃ、 ２ａ・・・反射防止層を構成する各膜
８・・・記録磁性層 ４・・・保護層 ５・・・接着層 １１− 第１図 第２図 （ｏｌｏ）ψ＋ｇＹ （ｏｌｏ）＊拷！
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、書き込み側ガラス基板若しくはプラスチック基板と
記録磁性層との間に反射防止層を設けてなる光磁気記録
媒体において、上記反射防止層が、上記基板側から第１
層として設けられた一酸化ケイ素膜又は二酸化ケイ素膜
、及び第２層として設けられた屈折率が１７以上の高屈
折率単層膜又は低屈折率膜として二酸化ケイ素暎を用い
る、高屈折率膜−低屈折率膜−高屈折率膜の８層膜から
なることを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、前記高屈折率膜が一酸化ケイ素膜、二酸化ジルコニ
ウム膜、五酸化タンタル膜若しくは五酸□化ニオブ膜で
ある特許請求の範囲第１項記載の記録媒体。 ３、前記第１層の一酸化ケイ素膜又は二酸化ケイ素膜が
書き込み光又は読み出し光のｌ／２波長の整数倍に相当
する光学的膜厚を有する特許請求の範囲第１項記載の記
録媒体。 ４、前記第２層の各反射防止膜が書き込み光又は読み出
し光の１／４波長に相当する光学的膜厚を有する特許請
求の範囲第１項記載の記録媒体。 ５、前記記録磁性層がＧａ Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ｊ元系
非晶質合金薄膜である特許請求の範囲第１項記載の記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP474984A JPS60150250A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP474984A JPS60150250A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150250A true JPS60150250A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=11592554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP474984A Pending JPS60150250A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60150250A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129435A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-02-10 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61170939A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS63285738A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
| US5411731A (en) * | 1992-07-21 | 1995-05-02 | Kao Corporation | Bath additive composition comprising aluminum salt and carbonate or bicarbonate which yields a bath water of pH 8 to 9 |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP474984A patent/JPS60150250A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129435A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-02-10 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61170939A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS63285738A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
| US5411731A (en) * | 1992-07-21 | 1995-05-02 | Kao Corporation | Bath additive composition comprising aluminum salt and carbonate or bicarbonate which yields a bath water of pH 8 to 9 |
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