JPH0660447A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH0660447A JPH0660447A JP3120820A JP12082091A JPH0660447A JP H0660447 A JPH0660447 A JP H0660447A JP 3120820 A JP3120820 A JP 3120820A JP 12082091 A JP12082091 A JP 12082091A JP H0660447 A JPH0660447 A JP H0660447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- sinx
- magneto
- optical disk
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射防止効果を向上させながら安定性を維持
し得る光磁気ディスクを提供することである。 【構成】 ＰＣ基板と、該ＰＣ基板上に被覆した第１保
護膜と、該第１保護膜上に被覆した記録層と、該記録層
上に被覆した第２保護膜と、該第２保護膜上に形成した
反射層とでなる光磁気ディスクにおいて、前記第１保護
膜及び第２保護膜を少くても一層以上のSiNx／TiO2／Si
Nxの多重層で構成する。
し得る光磁気ディスクを提供することである。 【構成】 ＰＣ基板と、該ＰＣ基板上に被覆した第１保
護膜と、該第１保護膜上に被覆した記録層と、該記録層
上に被覆した第２保護膜と、該第２保護膜上に形成した
反射層とでなる光磁気ディスクにおいて、前記第１保護
膜及び第２保護膜を少くても一層以上のSiNx／TiO2／Si
Nxの多重層で構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクに係る
もので、詳しくは、光磁気ディスクの反射防止効果を高
め、酸化を抑止し得るようにした保護膜に関するもので
ある。
もので、詳しくは、光磁気ディスクの反射防止効果を高
め、酸化を抑止し得るようにした保護膜に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光磁気ディスクにおいては、Ｐ
Ｃ基板と、該ＰＣ基板上に形成した記録層とでなり、該
記録層の酸化を抑止し、反射を防止するため保護膜を形
成していた。即ち、図６は従来光磁気ディスクの構造を
示した断面図で、図面に示したように、ＰＣ基板１１
と、該ＰＣ基板１１上に所定の厚さ（約８００Å）で被
覆した保護膜の第１誘電体層１２と、該第１誘電体層１
２上に記録膜として被覆した非晶質ＲＥ−ＴＭ系合金
（例えば、TbFeCo）の記録層１３と、該記録層１３上に
所定厚さ（約４００Å）で被覆した保護膜の第２誘電体
層１４と、該第２誘電体層１４上に形成したAl、Cr又は
Tiの反射層１５とにより従来の光磁気ディスクが構成さ
れていた。
Ｃ基板と、該ＰＣ基板上に形成した記録層とでなり、該
記録層の酸化を抑止し、反射を防止するため保護膜を形
成していた。即ち、図６は従来光磁気ディスクの構造を
示した断面図で、図面に示したように、ＰＣ基板１１
と、該ＰＣ基板１１上に所定の厚さ（約８００Å）で被
覆した保護膜の第１誘電体層１２と、該第１誘電体層１
２上に記録膜として被覆した非晶質ＲＥ−ＴＭ系合金
（例えば、TbFeCo）の記録層１３と、該記録層１３上に
所定厚さ（約４００Å）で被覆した保護膜の第２誘電体
層１４と、該第２誘電体層１４上に形成したAl、Cr又は
Tiの反射層１５とにより従来の光磁気ディスクが構成さ
れていた。
【０００３】そして、このように構成された従来光磁気
ディスクにおいては、基板１１を通過したレーザービー
ムが第１誘電体層１２を通過して記録層１３の表面に到
達すると、該表面でレーザービームの一部は反射してカ
ー回転角（θｋ）の向上に寄与し、残りのビームは透過
してファラディ効果をおこしθｆの向上に寄与した後、
第２誘電体層１４を通過し、反射層１５で反射されるよ
うになっていた。又、前記θｋ及びθｆは、第１誘電体
層１２及び第２誘電体層１４の屈折率、透過度及び厚さ
に大いに影響され、例えば、屈折率が大きい程、そのθ
ｋ及びθｆが増加するようになっていた。
ディスクにおいては、基板１１を通過したレーザービー
ムが第１誘電体層１２を通過して記録層１３の表面に到
達すると、該表面でレーザービームの一部は反射してカ
ー回転角（θｋ）の向上に寄与し、残りのビームは透過
してファラディ効果をおこしθｆの向上に寄与した後、
第２誘電体層１４を通過し、反射層１５で反射されるよ
うになっていた。又、前記θｋ及びθｆは、第１誘電体
層１２及び第２誘電体層１４の屈折率、透過度及び厚さ
に大いに影響され、例えば、屈折率が大きい程、そのθ
ｋ及びθｆが増加するようになっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような誘
電体層を構成する物質においては、炭化物系のSiC と窒
化物系のSi3N4 及びAlN と、酸化物系のSiO2、SiO 及び
TiO2とがあるが、該TiO2は屈折率が２乃至３程度に高い
ので、反射防止効果はあるけれども記録層の品質が低下
すると共に空気中の酸素と反応した安定性が低下して使
用し得ないという欠点があった。それで、一般にSiNxを
使用しているが、そのSiN 特にSi3N4 においては、屈折
率が1.5 乃至2.0 程度に低いのでカー回転角θｋ及びθ
ｆが低下するという欠点があった。即ち、従来の光磁気
ディスクにおいては反射防止効果が低下するという欠点
があった。
電体層を構成する物質においては、炭化物系のSiC と窒
化物系のSi3N4 及びAlN と、酸化物系のSiO2、SiO 及び
TiO2とがあるが、該TiO2は屈折率が２乃至３程度に高い
ので、反射防止効果はあるけれども記録層の品質が低下
すると共に空気中の酸素と反応した安定性が低下して使
用し得ないという欠点があった。それで、一般にSiNxを
使用しているが、そのSiN 特にSi3N4 においては、屈折
率が1.5 乃至2.0 程度に低いのでカー回転角θｋ及びθ
ｆが低下するという欠点があった。即ち、従来の光磁気
ディスクにおいては反射防止効果が低下するという欠点
があった。
【０００５】それで、このような問題点を解決するた
め、本発明達は研究を重ねた結果、次のような光磁気デ
ィスクを提供しようとするものである。本発明の目的
は、反射防止効果を向上させながら安定性を維持し得る
光磁気ディスクを提供しようとするものである。
め、本発明達は研究を重ねた結果、次のような光磁気デ
ィスクを提供しようとするものである。本発明の目的
は、反射防止効果を向上させながら安定性を維持し得る
光磁気ディスクを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような本発明の目的
は、ＰＣ基板と、該ＰＣ基板上に被覆した第１保護膜
と、該第１保護膜上に被覆した記録層と、該記録層上に
被覆した第２保護膜と、該第２保護膜上に形成した反射
層とでなる光磁気ディスクにおいて、前記第１保護膜及
び第２保護膜を少くても一層以上のSiNx／TiO2／SiNxの
多重層で構成することにより達成される。
は、ＰＣ基板と、該ＰＣ基板上に被覆した第１保護膜
と、該第１保護膜上に被覆した記録層と、該記録層上に
被覆した第２保護膜と、該第２保護膜上に形成した反射
層とでなる光磁気ディスクにおいて、前記第１保護膜及
び第２保護膜を少くても一層以上のSiNx／TiO2／SiNxの
多重層で構成することにより達成される。
【０００７】又、本発明の目的は、ＰＣ基板と、該ＰＣ
基板上に被覆した第１保護膜と、該第１保護膜上に被覆
した記録層と、該記録層上に被覆した第２保護膜と、該
第２保護膜上に形成した反射層とでなる光磁気ディスク
において、前記第１保護膜及び第２保護膜をAsxS1 −x
で構成しても達成される。即ち、本発明は、光磁気ディ
スクの屈折率を増大させながら酸化に対する安定性を維
持し得る光磁気ディスクの保護膜に関するものであっ
て、各保護膜が少くても一層以上のSiNx／TiO2／SiNxの
多重層で構成されている。且つ、図２は保護膜がSiNx単
独で構成された場合該保護膜厚さに対するカー回転（θ
ｋ値）の変化を示したグラフであって、保護膜の厚さが
８００Åの場合、θｋ値が最高の1.２°になっている。
然るに、このような値は必要な反射防止効果に供するに
は不充分であるため、本発明においては、図１（Ｂ）に
示したように、保護膜を、SiNxでなる上、下層と、２乃
至３程度の屈折率を有するTiO2の中間層との３層で多重
に形成することにより保護膜による反射防止効果を増大
させたものである。この場合、TiO2層の酸化性はSiNxに
より抑制されるようになる。
基板上に被覆した第１保護膜と、該第１保護膜上に被覆
した記録層と、該記録層上に被覆した第２保護膜と、該
第２保護膜上に形成した反射層とでなる光磁気ディスク
において、前記第１保護膜及び第２保護膜をAsxS1 −x
で構成しても達成される。即ち、本発明は、光磁気ディ
スクの屈折率を増大させながら酸化に対する安定性を維
持し得る光磁気ディスクの保護膜に関するものであっ
て、各保護膜が少くても一層以上のSiNx／TiO2／SiNxの
多重層で構成されている。且つ、図２は保護膜がSiNx単
独で構成された場合該保護膜厚さに対するカー回転（θ
ｋ値）の変化を示したグラフであって、保護膜の厚さが
８００Åの場合、θｋ値が最高の1.２°になっている。
然るに、このような値は必要な反射防止効果に供するに
は不充分であるため、本発明においては、図１（Ｂ）に
示したように、保護膜を、SiNxでなる上、下層と、２乃
至３程度の屈折率を有するTiO2の中間層との３層で多重
に形成することにより保護膜による反射防止効果を増大
させたものである。この場合、TiO2層の酸化性はSiNxに
より抑制されるようになる。
【０００８】このように構成された本発明に係る保護膜
においては、図３に示したように、その保護膜におい
て、SiNx層の厚さが３００Å、TiO2層の厚さが２００Å
である場合、カー回転各（θｋ値）が1.４２°になっ
て、この値は前記SiNx単独の保護膜に比べ、１７％増加
された値である。且つ、このような多重層でなる保護膜
は必要に応じてより多重に積層することもできる。
においては、図３に示したように、その保護膜におい
て、SiNx層の厚さが３００Å、TiO2層の厚さが２００Å
である場合、カー回転各（θｋ値）が1.４２°になっ
て、この値は前記SiNx単独の保護膜に比べ、１７％増加
された値である。且つ、このような多重層でなる保護膜
は必要に応じてより多重に積層することもできる。
【０００９】又、本発明の光磁気ディスクにおいては、
光磁気ディスクの保護膜を2.３乃至2.７の屈折率を有す
る非晶質AsxS1 −ｘの単層で形成することもできる。該
非晶質AsxS1 −ｘは、可視光線の波長領域では透過度が
低いが、実際磁気ディスクの判読光源である半導体レー
ザーの波長領域においては、９０％位の高透過度を表す
特性があるため、そのAsxS1 −ｘを光磁気ディスクの保
護膜として効果的に使用することができる。例えば、2.
５の屈折指数を有するAs2S3 で形成した保護膜の場合、
図４に示したように、７８０mm乃至８３０mmの波長範囲
内において、各９０％乃至９１％の高い透過度を表わし
た。且つ、このような非晶質AsxS1 −ｘにおいては、ｘ
を２０乃至５０重量％にするのが好ましく、この場合、
θｋの増大と酸化防止の効果が最高の状態であった。
光磁気ディスクの保護膜を2.３乃至2.７の屈折率を有す
る非晶質AsxS1 −ｘの単層で形成することもできる。該
非晶質AsxS1 −ｘは、可視光線の波長領域では透過度が
低いが、実際磁気ディスクの判読光源である半導体レー
ザーの波長領域においては、９０％位の高透過度を表す
特性があるため、そのAsxS1 −ｘを光磁気ディスクの保
護膜として効果的に使用することができる。例えば、2.
５の屈折指数を有するAs2S3 で形成した保護膜の場合、
図４に示したように、７８０mm乃至８３０mmの波長範囲
内において、各９０％乃至９１％の高い透過度を表わし
た。且つ、このような非晶質AsxS1 −ｘにおいては、ｘ
を２０乃至５０重量％にするのが好ましく、この場合、
θｋの増大と酸化防止の効果が最高の状態であった。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例に対し図面を用いて詳
細に説明する。光磁気ディスクを製造するにおいて、直
径5.２５インチのＫＰＣ基板を使用し、該基板上に図１
（Ｂ）に示したような、SiNx、TiO2、SiNxの３層でなる
保護膜を被覆した。このとき、第１誘電体層のSiNxは、
圧力を７m Torrにし、Ar：Ｎを８２：１２ SccM とし、
ＲＦパワーを２Kwにした状態でＲＦ反応スパッタリング
方法により被覆した。そして、第２誘電体層のTiO2は、
圧力を５m Torrにし、Ar：O2を７０：３０ SccM とし、
ＲＦパワーを１Kwにした状態でＲＦ反応スパッタリング
方法により被覆した。
細に説明する。光磁気ディスクを製造するにおいて、直
径5.２５インチのＫＰＣ基板を使用し、該基板上に図１
（Ｂ）に示したような、SiNx、TiO2、SiNxの３層でなる
保護膜を被覆した。このとき、第１誘電体層のSiNxは、
圧力を７m Torrにし、Ar：Ｎを８２：１２ SccM とし、
ＲＦパワーを２Kwにした状態でＲＦ反応スパッタリング
方法により被覆した。そして、第２誘電体層のTiO2は、
圧力を５m Torrにし、Ar：O2を７０：３０ SccM とし、
ＲＦパワーを１Kwにした状態でＲＦ反応スパッタリング
方法により被覆した。
【００１１】又、第３誘電体層のSiNxは第１誘電体層と
同様な方法で被覆した。この場合の各層の被覆厚さはSi
Nxが３００Åで、TiO2が２００Åであった。次いで、前
記のように形成した保護膜上にTbFeCoでなる記録層を形
成したが、このときの圧力は３m Torr、Tbパワーは１９
０Ｗ、FeCoパワーは５３０Ｗであり、高ＴＭ（ＴＭ−ri
ch）組成を有していた。このように製造された光磁気デ
ィスクにおいては、図５に示したように、SiNxを単独に
使用した従来保護膜に比べ、一層高いkerr回転角（θｋ
値）を表わした。
同様な方法で被覆した。この場合の各層の被覆厚さはSi
Nxが３００Åで、TiO2が２００Åであった。次いで、前
記のように形成した保護膜上にTbFeCoでなる記録層を形
成したが、このときの圧力は３m Torr、Tbパワーは１９
０Ｗ、FeCoパワーは５３０Ｗであり、高ＴＭ（ＴＭ−ri
ch）組成を有していた。このように製造された光磁気デ
ィスクにおいては、図５に示したように、SiNxを単独に
使用した従来保護膜に比べ、一層高いkerr回転角（θｋ
値）を表わした。
【００１２】又、保護膜を、前記多層のSiNx／TiO2／Si
Nx代りに、屈折率2.５のAs2S3 を使用して光磁気ディス
クを製造した。このとき、各層はＲＦ反応スパッタリン
グ方法で形成し、第１誘電体層２の厚さは６５０Å、第
２誘電体層４の厚さは３５０Å、記録層の厚さは２５０
Å、反射層５の厚さは５００Åであった。そして、この
ように製造された光磁気ディスクにおいても、従来のSi
Nxを単独使用した保護膜の場合に比べ、より高いカー回
転角（θｋ値）1.５°を表わした。
Nx代りに、屈折率2.５のAs2S3 を使用して光磁気ディス
クを製造した。このとき、各層はＲＦ反応スパッタリン
グ方法で形成し、第１誘電体層２の厚さは６５０Å、第
２誘電体層４の厚さは３５０Å、記録層の厚さは２５０
Å、反射層５の厚さは５００Åであった。そして、この
ように製造された光磁気ディスクにおいても、従来のSi
Nxを単独使用した保護膜の場合に比べ、より高いカー回
転角（θｋ値）1.５°を表わした。
【００１３】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明はこのような実施例に限定されることなく、眼鏡のレ
ンズ等、多様な形態にも使用することができる。
明はこのような実施例に限定されることなく、眼鏡のレ
ンズ等、多様な形態にも使用することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光磁
気ディスクにおいては、保護膜がSiNx／TiO2／SiNxの多
重層又はAsxS1 −ｘで構成されているため、従来よりも
優秀な反射防止効果を得ると共に酸化に対する安定性を
維持し得る効果がある。
気ディスクにおいては、保護膜がSiNx／TiO2／SiNxの多
重層又はAsxS1 −ｘで構成されているため、従来よりも
優秀な反射防止効果を得ると共に酸化に対する安定性を
維持し得る効果がある。
【図１】図１（Ａ）は本発明に係る光磁気ディスクの構
造を示した断面図、図１（Ｂ）は本発明に係る誘電体膜
を示した断面図である。
造を示した断面図、図１（Ｂ）は本発明に係る誘電体膜
を示した断面図である。
【図２】SiNxを使用して保護膜を形成した場合の保護膜
厚さに対するkerr回転角（θｋ値）の変化を示したグラ
フである。
厚さに対するkerr回転角（θｋ値）の変化を示したグラ
フである。
【図３】本発明に係るSiNx／TiO2／SiNx多重層保護膜厚
さに対するカー回転角（θｋ値）の変化を示したグラフ
である。
さに対するカー回転角（θｋ値）の変化を示したグラフ
である。
【図４】本発明に係るAs2S3 保護膜を使用した場合の波
長に対する透過度変化を示したグラフである。
長に対する透過度変化を示したグラフである。
【図５】本発明に係るAs2S3 誘電体保護膜とカー回転角
（θｋ値）との関係を示したグラフである。
（θｋ値）との関係を示したグラフである。
【図６】従来の光磁気ディスクの構造を示した断面でで
ある。
ある。
１ 基板 ２、４ 第１、第２誘電体層 ３ 記録層 ５ 反射層
Claims (3)
- 【請求項１】 ＰＣ基板と、該ＰＣ基板上に被覆した第
１保護膜と、該第１保護膜上に被覆した記録層と、該記
録層上に被覆した第２保護膜と、該第２保護膜上に形成
した反射層とでなる光磁気ディスクであって、 前記第１保護膜及び第２保護膜が、少くても一層以上の
SiNx／TiO2／SiNxの多重層で構成されてなる光磁気ディ
スク。 - 【請求項２】 ＰＣ基板と、該ＰＣ基板上に被覆した第
１保護膜と、該第１保護膜上に被覆した記録層と、該記
録層上に被覆した第２保護膜と、該第２保護膜上に形成
した反射層とでなる光磁気ディスクてあって、 前記第１保護膜及び第２保護膜が、非晶質AsxS1 −ｘで
構成されてなる光磁気ディスク。 - 【請求項３】 前記非晶質AsxS1 −ｘにおいて、ｘは２
０乃至５０重量％である請求項２記載の光磁気ディス
ク。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900007712A KR910020660A (ko) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 광자기 디스크 |
| KR7712/1990 | 1990-05-28 | ||
| KR7571/1990 | 1990-05-31 | ||
| KR2019900007571U KR940008007Y1 (ko) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 광 디스크의 적층 보호막 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660447A true JPH0660447A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=26628252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3120820A Pending JPH0660447A (ja) | 1990-05-28 | 1991-05-27 | 光磁気ディスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5228024A (ja) |
| EP (1) | EP0459309A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0660447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6019512A (en) * | 1992-10-26 | 2000-02-01 | Yeager; James W. | Zippered film and bag |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| JPH05174433A (ja) * | 1991-11-30 | 1993-07-13 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2955112B2 (ja) * | 1992-03-13 | 1999-10-04 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶媒体 |
| DE4302118A1 (de) * | 1993-01-27 | 1994-07-28 | Jenoptik Jena Gmbh | Anordnung zum Aufzeichnen, Speichern und Auslesen von Mikrostruktur-Informationen |
| US5812182A (en) * | 1995-06-07 | 1998-09-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Optical information recording medium for recording erasing and play back of compact disc signals |
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| US9673750B2 (en) | 2013-01-15 | 2017-06-06 | Global Solar Energy, Inc. | Mounting structures for photovoltaic cells |
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| JPH0766583B2 (ja) * | 1987-01-08 | 1995-07-19 | 株式会社東芝 | 光磁気デイスク |
-
1991
- 1991-05-17 US US07/701,783 patent/US5228024A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-24 EP EP19910108394 patent/EP0459309A3/en not_active Withdrawn
- 1991-05-27 JP JP3120820A patent/JPH0660447A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149844A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6019512A (en) * | 1992-10-26 | 2000-02-01 | Yeager; James W. | Zippered film and bag |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5228024A (en) | 1993-07-13 |
| EP0459309A3 (en) | 1992-10-14 |
| EP0459309A2 (en) | 1991-12-04 |
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