JPS63149844A

JPS63149844A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPS63149844A
Application number: JP61296967A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Kudo; 工藤　嘉彦; Kiyoshi Uchida; 清内田; Yuichi Fukamachi; 深町　裕一; Masahiro Orukawa; 正博尾留川; Hideji Kawabata; 川端　秀次
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1986-12-12
Filing date: 1986-12-12
Publication date: 1988-06-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、レーザ光等の光を用いて情報の記録再生を行
なう光記録媒体に関するものである。

従来の技術近年、情報処理システムにおける処理情報量の急速な増
加に伴い、特にデータ処理システムやオフィス・オート
メーション等の分野において記録容量の大きい記録媒体
、とりわけ光記録媒体が注目されている。光記録媒体で
は、媒体上に光ビームを照射し、光吸収による局部的な
温度上昇あるいは化学変化を誘起して記録を行なう。再
生は、記録によって誘起された媒体上の局部的変化を記
録時と強度あるいは波長の異なる光ビームを照射し、そ
の反射光あるいは透過光を検出して行なう。

光記録媒体の記録膜としては、テルル系合金膜、希土類
−遷移金属系合金膜等のように酸化や腐食で劣化し易い
材料が多く、記録膜の劣化防止のための保護膜を選定す
ることが重要である。また、光の吸収効率を上げ、記録
感度を向上させるため保護膜は高屈折率が望ましい。従
来の光記録媒体の保護膜としては、Ｓｔ　３Ｎ４．ＡＩ
Ｎ等の窒化膜や５ｉＯ２Ｓｉｏ２等の酸化膜が検討され
ており、一般に記録膜を挾んだ形で設けられる。

発明が解決しようとする問題点しかしながら、基板にプラスチックを用いた場合、その
上に形成される窒化膜はヒビ割れを生じ易く、光記録媒
体へのレーザ光照射の繰シ返しや保管環境温度の急変で
媒体の破壊がもたらされるという欠点を有していた。

これは基板と窒化膜の熱膨張率差、窒化膜の残留応力等
に起因していると考えられる０また、５１０２膜は膜界
面に遊離した酸素を持つため、記録膜の酸化劣化を促進
し易く、特に記録膜が希土類−遷移金属系合金膜の場合
、第３図に示すように、６０℃の試験環境下で１００時
間前後で特性が劣化してしまうという欠点を有していた
。

さらに、ＳｉＯ膜を保護膜として用いた場合は、第４図
に示すように、記録感度が時間とともに変化して行くと
いう欠点を有していた。一方これらの誘電体膜をスパッ
タ法で炸裂した場合、製膜速度が比較的遅いという欠点
もあった。

本発明は、上記問題点に鑑み、高信頼性、高品質、高記
録感度で生産性の高い光記録媒体を提供するものである
。

問題点を解決するための手段この目的を達成するために本発明の光記録媒体は、記録
膜の少なくとも入射側の保護膜は１１−ＶＩ族あるいは
■−Ｖ族の化合物およびＡ　ｓ　２　Ｓ　ｅ　３　＋Ａ
ｓ２５ｓ３、ＰｂＳ、Ａｓ−３ｓガラス、Ａｓ−８−Ｂ
ｘガラスのいずれかの薄膜で形成された構成となってい
る。

作　　　用本発明は、上記した保護膜により、可視光から近赤外光
の波長に対して比較的透明で高屈折率（２，１〜４．１
）であるため、干渉効果を利用して光記録媒体の光吸収
効率がアップされ、記録感度が向上される。特に、記録
膜が光磁気記録膜である場合は再生ＳＮ比の向上も期待
できる。

また、保護膜の材料は成分として酸素を含有しないため
、記録膜の酸化劣化を防止する効果を有する。

さらに、スパッタリング法等による製膜速度が一般の酸
化物、窒化物の場合に比べ２〜１０数倍大きいため、光
ディスクの生産性を向上させることができる。

このように、本発明による保護膜によって、高信頼性、
高品質、高記録感度で高生産性を有する光記録媒体を実
現できる。

実施例以下、本発明の実施例について図面を参照しながら述べ
る。

第１図は、本発明の一実施例の光記録媒体の構造図であ
る。第１図において、１１はポリカーボネイト基板、１
２および１４は保護膜のＺｎ５ｅ薄膜で膜厚は６Ｑ〜１
１００ｎである０１３は記録膜のＴｂＦｅＣｏ膜で膜厚
１１００ｎである。保護膜、記録膜は、スパッタリング
法によってポリカーボネイト基板上に形成される。

第２図は、本発明による第１図の構造の光記録媒体につ
いて、６０℃の環境下での記録膜の保磁力の経時変化を
示したものである。記録膜が酸化劣化すると保磁力、カ
ー回転角が低下するが、第２図に示すように、本実施例
による保護膜を用いた場合、１ｏＯｏ時間以上保磁力、
カー回転角および記録感度の劣化は認められなかった。

また、光入射側の保護膜のＺｎ５ｅ薄膜１２の膜厚を最
適化することによって記録感度が約４０係向上するとと
もに、ポリカーボネイト基板を通して測定したカー回転
角を最大１度程度に増幅でき、再生ＳＮ比をＳｉＯ□保
護膜の場合に比べ、２〜３ｄＢ向上できた。

さらに、スパッタリング法による製膜速度は、Ｓ　１０
２の場合に比べて約３倍であり、生産性に優れている。

以上のように、本実施例によれば、高信頼性８高品質、
高記録感度で生産性に優れた光記録媒体が実現できる。

なお、本実施例では、基板としてポリカーボネイト、記
録膜としてＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属系合金、
保護膜としてＺｎ５ｅを用いたが、基板にガラスはもち
ろんアクリル、エポキシ、その他のプラスチック、記録
膜にテルル系合金や熱可塑性樹脂等、保護膜に表１に示
すような他の■−■族化合物、ｍ　−ｖ族化合物、Ａｓ
２Ｓｅ３゜Ａｓ２Ｓ３、ＰｂＳ、Ａｓ−３ｓガラス、Ａ
　ｓ　−３−Ｂ　ｒガラスのいずれかを用いても同等あ
るいはそれ以上の効果が得られる。

表　　　　１また、本実施例では、記録膜の両面に保護膜を形成した
が、記録膜に対して基板と反対側の方の保護膜は記録膜
の酸化劣化を防止できるような他の材料を用いても良い
０発明の効果本発明は、光記録媒体の保護膜として、■−■族化合物
、ｍ−ｖ族化合物、Ａｓ２Ｓｅ３、Ａｓ２Ｓ３゜ＰｂＳ
、Ａｓ−３ｅガラス、Ａｓ−８−Ｂｒガラスのいずれか
の薄膜を用いることにより、高信頼性、高品質、高記録
感度で生産性に擾れた光記録媒体を提供するものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光記録媒体の構造図
、第２図は同光記録媒体について、６０℃の環境下での
記録膜希土類−遷移金属系合金膜の保磁力、カー回転角
および記録感度の経時変化を示した特性図、第３図はＳ
ｉｏ２膜を保護膜として用いた場合の記録膜（希土類−
遷移金属系合金膜）保磁力の経時変化を示した特性図、
第４図はＳｉＯ膜を保護膜として用いた場合の記録膜（
希土類−遷移金属系合金膜）の記録感度の経時変化を示
した特性図である。１１・・・・・・ポリカーボネイト基板、１２・・・・
・・Ｚｎ５ｅ膜（保護膜）、１３・・・・・・ＴｂＦｅ
Ｃｏ膜（記録膜）、１４・・・・・・Ｚｎ５ｅ膜（保護
膜）Ｑ第２図ｔ　（Ｂ！ｒ　ｒ：Ｉ）　　ＧＯ’ｃ第３図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板と前記基板上に設けられた記録膜と前記記録
膜の片面または両面に設けられた保護膜を有し、前記保
護膜のうち少なくとも光入射側の保護膜は元素周期律表
のII−VI族化合物、III−Ｖ族化合物、Ａｓ＿２Ｓｅ＿
３、ＡＳ＿２Ｓ＿３、ＰｂＳ、ＡＳ−Ｓｅガラス、Ａｓ
−Ｓ−Ｂｒガラスのいずれかの薄膜で形成されたことを
特徴とする光記録媒体。
（２）保護膜用II−VI族化合物として、ＺｎＳｅ、Ｃｄ
Ｓｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳのいずれかで形成さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
録媒体。
（３）保護膜用III−Ｖ族化合物として、ＩｎＡｓ、Ｇ
ａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰのいずれかで形成されたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。