JPH04305836A - 光磁気記録媒体および該光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体および該光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04305836A JPH04305836A JP6981091A JP6981091A JPH04305836A JP H04305836 A JPH04305836 A JP H04305836A JP 6981091 A JP6981091 A JP 6981091A JP 6981091 A JP6981091 A JP 6981091A JP H04305836 A JPH04305836 A JP H04305836A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体、および
該光磁気記録媒体の製造方法に関する。
該光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】非晶質の希土類−遷移金属合金薄膜を用
いた光磁気記録媒体は、読みだし特性が今一つ充分でな
く、そのため、情報の記録再生用のレーザ光の入射側に
干渉層を設けて磁気光学効果を大にする方法が採られて
いる。
いた光磁気記録媒体は、読みだし特性が今一つ充分でな
く、そのため、情報の記録再生用のレーザ光の入射側に
干渉層を設けて磁気光学効果を大にする方法が採られて
いる。
【0003】またこの非晶質の希土類−遷移金属合金薄
膜を用いた記録膜は、酸化され易いので、その上に大気
を遮断するための保護層を設けている。また光磁気記録
媒体は、基板として透明なガラス基板や、ポリカーボネ
イト等のプラスチック基板が用いられており、基板側よ
り、つまり記録層を形成している反対側よりレーザ光を
照射して記録、再生を行う。そのため、光磁気記録媒体
は、図1(a)に示すように、透明な基板1上に例えば
窒化シリコン( SiN x ) より成る干渉層2
がスパッタ法で形成され、その上に希土類− 遷移金属
合金の例えばテルビウム− 鉄− コバルト(Tb−F
e−Co)等の記録層3がスパッタ法で形成され、更に
その上に窒化シリコン( SiN x ) より成る保
護層4が形成され、矢印に示すようにレーザ光を照射し
て記録、再生を行っている。
膜を用いた記録膜は、酸化され易いので、その上に大気
を遮断するための保護層を設けている。また光磁気記録
媒体は、基板として透明なガラス基板や、ポリカーボネ
イト等のプラスチック基板が用いられており、基板側よ
り、つまり記録層を形成している反対側よりレーザ光を
照射して記録、再生を行う。そのため、光磁気記録媒体
は、図1(a)に示すように、透明な基板1上に例えば
窒化シリコン( SiN x ) より成る干渉層2
がスパッタ法で形成され、その上に希土類− 遷移金属
合金の例えばテルビウム− 鉄− コバルト(Tb−F
e−Co)等の記録層3がスパッタ法で形成され、更に
その上に窒化シリコン( SiN x ) より成る保
護層4が形成され、矢印に示すようにレーザ光を照射し
て記録、再生を行っている。
【0004】またその他の光磁気記録媒体として図1(
b) に示すように、上記記録層3を光が透過する程
度に薄くし、その上に保護層4を設け、更に最上層にア
ルミニウムの反射層5を設け、より干渉効果を高めて磁
気光学効果を大にした光磁気記録媒体を形成し、矢印に
示すようにレーザ光を照射して記録、再生を行っている
ものもある。
b) に示すように、上記記録層3を光が透過する程
度に薄くし、その上に保護層4を設け、更に最上層にア
ルミニウムの反射層5を設け、より干渉効果を高めて磁
気光学効果を大にした光磁気記録媒体を形成し、矢印に
示すようにレーザ光を照射して記録、再生を行っている
ものもある。
【0005】またその他の光磁気記録媒体として図1(
c)に示すように、基板として軽くて割れない耐久性に
富むアルミニウムの不透明の金属基板を用いた場合は、
該基板上に保護層4、記録層3および干渉層2をこの順
に順次積層して設け、該基板の上部より矢印に示すよう
にレーザ光を入射して記録、再生を行っているものもあ
る。
c)に示すように、基板として軽くて割れない耐久性に
富むアルミニウムの不透明の金属基板を用いた場合は、
該基板上に保護層4、記録層3および干渉層2をこの順
に順次積層して設け、該基板の上部より矢印に示すよう
にレーザ光を入射して記録、再生を行っているものもあ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
媒体に於いて、記録層としての非晶質希土類−遷移金属
合金薄膜には、テルビウム−鉄−コバルト(Tb−Fe
−Co)、ジスプロシウム− 鉄− コバルト(Dy−
Fe−Co)、ガドリニウム− 鉄− コバルト(Gd
−Fe−Co)等の薄膜が用いられている。
媒体に於いて、記録層としての非晶質希土類−遷移金属
合金薄膜には、テルビウム−鉄−コバルト(Tb−Fe
−Co)、ジスプロシウム− 鉄− コバルト(Dy−
Fe−Co)、ガドリニウム− 鉄− コバルト(Gd
−Fe−Co)等の薄膜が用いられている。
【0007】これ等の非晶質希土類−遷移金属合金薄膜
は、光磁気記録媒体として充分な光磁気特性を有してい
るが、記録した信号を外部からの磁界や、記録、再生に
用いるレーザ光により劣化し難くする方法を採ることに
より、より信頼性が向上した光磁気記録媒体が得られる
。
は、光磁気記録媒体として充分な光磁気特性を有してい
るが、記録した信号を外部からの磁界や、記録、再生に
用いるレーザ光により劣化し難くする方法を採ることに
より、より信頼性が向上した光磁気記録媒体が得られる
。
【0008】また干渉層の屈折率を大にすることで、信
号品質を高めることができる。ところで、従来、保護層
、干渉層として用いていた窒化シリコン膜( SiN
x )は、屈折率値が2.2 と大きく、また記録した
信号の安定性は良好であるが、大気中の酸素や水分に対
する保護効果は今一つ不充分である。
号品質を高めることができる。ところで、従来、保護層
、干渉層として用いていた窒化シリコン膜( SiN
x )は、屈折率値が2.2 と大きく、また記録した
信号の安定性は良好であるが、大気中の酸素や水分に対
する保護効果は今一つ不充分である。
【0009】また従来、保護層、干渉層として用いてい
た二酸化シリコン( SiO2) 膜は、記録した信号
の安定性が良いが、保護効果は今一つ不充分である。そ
こで従来より上記したSiO2と上記した酸化し易い希
土類金属との複合膜がある。この複合膜はSiO2と希
土類金属との混合膜、或いは化合物膜が混在した状態の
膜を意味する。そしてこの複合膜では希土類金属がSi
O2より発生する遊離酸素や、大気の酸素や水分と反応
することで、記録膜の酸化を防止している。そのため、
大気に対する保護効果は大であるが、外部磁界やレーザ
光に対する記録した信号の安定性は今一つ不充分である
。
た二酸化シリコン( SiO2) 膜は、記録した信号
の安定性が良いが、保護効果は今一つ不充分である。そ
こで従来より上記したSiO2と上記した酸化し易い希
土類金属との複合膜がある。この複合膜はSiO2と希
土類金属との混合膜、或いは化合物膜が混在した状態の
膜を意味する。そしてこの複合膜では希土類金属がSi
O2より発生する遊離酸素や、大気の酸素や水分と反応
することで、記録膜の酸化を防止している。そのため、
大気に対する保護効果は大であるが、外部磁界やレーザ
光に対する記録した信号の安定性は今一つ不充分である
。
【0010】そこで、前記した干渉層と保護層に希土類
金属元素、或いはAl、Bi、Zn、Pbの金属元素と
酸窒化シリコンの複合膜を用いる。これにより保護効果
、信号の安定性効果、高屈折率値が得られる効果を有す
ることになる。
金属元素、或いはAl、Bi、Zn、Pbの金属元素と
酸窒化シリコンの複合膜を用いる。これにより保護効果
、信号の安定性効果、高屈折率値が得られる効果を有す
ることになる。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に干渉層および保護層で挟まれて積層形成さ
れた記録層を有して成る光磁気記録媒体に於いて、前記
干渉層と保護層に金属と酸窒化シリコン膜の複合物膜を
用いたことを特徴とする。
は、基板上に干渉層および保護層で挟まれて積層形成さ
れた記録層を有して成る光磁気記録媒体に於いて、前記
干渉層と保護層に金属と酸窒化シリコン膜の複合物膜を
用いたことを特徴とする。
【0012】また上記金属がスカンジウム、テルビウム
、ランタン、セリウムの希土類金属元素の何れかか、或
いはアルミニウム、ビスマス、亜鉛、および鉛の金属元
素であることを特徴とする。
、ランタン、セリウムの希土類金属元素の何れかか、或
いはアルミニウム、ビスマス、亜鉛、および鉛の金属元
素であることを特徴とする。
【0013】更に上記干渉層と保護層を形成するに際し
金属と二酸化珪素の複合膜よりなるターゲット、或いは
上記金属ターゲットと二酸化珪素の二元のターゲットを
用い、スパッタガスとしてアルゴンと窒素ガスを用いた
反応性スパッタ法で形成することを特徴とする。
金属と二酸化珪素の複合膜よりなるターゲット、或いは
上記金属ターゲットと二酸化珪素の二元のターゲットを
用い、スパッタガスとしてアルゴンと窒素ガスを用いた
反応性スパッタ法で形成することを特徴とする。
【0014】また上記干渉層と保護層を形成するに際し
、金属とシリコンの化合物より成るターゲット、或いは
上記金属とシリコンの二元のターゲットを用い、スパッ
タガスとしてアルゴンと窒素および酸素ガスを用いた反
応性スパッタ法で形成することを特徴とする。
、金属とシリコンの化合物より成るターゲット、或いは
上記金属とシリコンの二元のターゲットを用い、スパッ
タガスとしてアルゴンと窒素および酸素ガスを用いた反
応性スパッタ法で形成することを特徴とする。
【0015】また上記干渉層と保護層を形成するに際し
、金属と酸窒化シリコンの化合物より成るターゲット、
或いは上記金属と酸窒化シリコンの二元のターゲットを
用い、スパッタガスとしてアルゴンガスを用いたスパッ
タ法で形成することを特徴とする。
、金属と酸窒化シリコンの化合物より成るターゲット、
或いは上記金属と酸窒化シリコンの二元のターゲットを
用い、スパッタガスとしてアルゴンガスを用いたスパッ
タ法で形成することを特徴とする。
【0016】
【作用】従来、保護層、干渉層として用いていた窒化シ
リコン膜( SiN x ) は、屈折率値が2.2
と大きく、また記録した信号の安定性は良好であるが、
大気中の酸素や水分に対する保護効果は今一つ不充分で
ある。
リコン膜( SiN x ) は、屈折率値が2.2
と大きく、また記録した信号の安定性は良好であるが、
大気中の酸素や水分に対する保護効果は今一つ不充分で
ある。
【0017】また従来、保護層、干渉層として用いてい
た二酸化シリコン( SiO2) 膜は、記録した信号
の安定性が良いが、保護効果は今一つ不充分である。そ
こで従来より上記したSiO2と上記した酸化し易い希
土類金属との複合膜がある。このSiO2と希土類金属
との複合膜は、混合した希土類金属がSiO2より発生
する遊離酸素や、大気の酸素や水分と反応することで、
記録膜の酸化を防止している。そのため、大気に対する
保護効果は大であるが、外部磁界やレーザ光に対する記
録した信号の安定性は今一つ不充分である。
た二酸化シリコン( SiO2) 膜は、記録した信号
の安定性が良いが、保護効果は今一つ不充分である。そ
こで従来より上記したSiO2と上記した酸化し易い希
土類金属との複合膜がある。このSiO2と希土類金属
との複合膜は、混合した希土類金属がSiO2より発生
する遊離酸素や、大気の酸素や水分と反応することで、
記録膜の酸化を防止している。そのため、大気に対する
保護効果は大であるが、外部磁界やレーザ光に対する記
録した信号の安定性は今一つ不充分である。
【0018】そこで、前記した干渉層と保護層に希土類
金属元素、或いはAl、Bi、Zn、Pbの金属元素と
酸窒化シリコンの複合物膜を用いる。これにより保護効
果、信号の安定性効果、高屈折率値が得られる効果を有
することになる。
金属元素、或いはAl、Bi、Zn、Pbの金属元素と
酸窒化シリコンの複合物膜を用いる。これにより保護効
果、信号の安定性効果、高屈折率値が得られる効果を有
することになる。
【0019】これらの金属は酸素に依って比較的容易に
酸化され易く、保護層に用いるのに適している。またこ
れ等の金属の酸化物は、赤外の波長で光吸収が無いとい
う特徴がある。そのため保護層、干渉層に赤外の波長で
の光吸収が無いので、C/N の劣化が見られない。そ
のため、保護層、干渉層にはこのような赤外の波長での
光吸収が無い材料を用いる。上記した事項を表1にまと
めて示す。
酸化され易く、保護層に用いるのに適している。またこ
れ等の金属の酸化物は、赤外の波長で光吸収が無いとい
う特徴がある。そのため保護層、干渉層に赤外の波長で
の光吸収が無いので、C/N の劣化が見られない。そ
のため、保護層、干渉層にはこのような赤外の波長での
光吸収が無い材料を用いる。上記した事項を表1にまと
めて示す。
【0020】
【表1】
【0021】ちなみに、上記した希土類金属元素とSi
O2の複合膜の屈折率値は1.9 で、またSiO2単
独の薄膜の屈折率値は1.5 であるが、本発明の希土
類金属元素と酸窒化膜の複合膜、或いはAl、Bi、Z
n、Pbの金属元素と酸窒化シリコンの複合膜の屈折率
値は2.1 と向上することができる。
O2の複合膜の屈折率値は1.9 で、またSiO2単
独の薄膜の屈折率値は1.5 であるが、本発明の希土
類金属元素と酸窒化膜の複合膜、或いはAl、Bi、Z
n、Pbの金属元素と酸窒化シリコンの複合膜の屈折率
値は2.1 と向上することができる。
【0022】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。第1実施例として図1(a) に示す
ようにガラス製の基板1上にイットリウム(Y) と酸
窒化シリコン( SiON) の複合膜よりなる干渉層
2を90nmの厚さに窒素ガスが容量で30%、アルゴ
ンガスが容量で70%の反応性ガスを用いて反応性スパ
ッタ法で形成した。ターゲットはY とSiO2の複合
ターゲットを用いた。またその上にテルビウム− 鉄−
コバルト(Tb21Fe71Co8) の記録層3を
上記した反応性スパッタ法で形成した。但し、上記した
数値は原子%を示す。そしてその上にイットリウム(Y
) と酸窒化シリコン( SiON) の複合膜よりな
る保護層4を90nmの厚さに上記した反応性スパッタ
法で形成した。
細に説明する。第1実施例として図1(a) に示す
ようにガラス製の基板1上にイットリウム(Y) と酸
窒化シリコン( SiON) の複合膜よりなる干渉層
2を90nmの厚さに窒素ガスが容量で30%、アルゴ
ンガスが容量で70%の反応性ガスを用いて反応性スパ
ッタ法で形成した。ターゲットはY とSiO2の複合
ターゲットを用いた。またその上にテルビウム− 鉄−
コバルト(Tb21Fe71Co8) の記録層3を
上記した反応性スパッタ法で形成した。但し、上記した
数値は原子%を示す。そしてその上にイットリウム(Y
) と酸窒化シリコン( SiON) の複合膜よりな
る保護層4を90nmの厚さに上記した反応性スパッタ
法で形成した。
【0023】このようにして形成した光磁気記録媒体を
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が53dBの記録信号が得
られた。
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が53dBの記録信号が得
られた。
【0024】また記録したビット( ビット長=1 μ
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の80%迄、信号の劣化が見られなかった。
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の80%迄、信号の劣化が見られなかった。
【0025】また加速試験を行ったところ、120 ℃
、90%の相対湿度で500 時間迄、C/N の値、
記録感度、エラー共に変化が無く、これは換算すると室
温で50年以上の寿命が有ると推定され、上記本発明の
保護層、干渉層は充分な保護効果があることが確認され
た。
、90%の相対湿度で500 時間迄、C/N の値、
記録感度、エラー共に変化が無く、これは換算すると室
温で50年以上の寿命が有ると推定され、上記本発明の
保護層、干渉層は充分な保護効果があることが確認され
た。
【0026】第2実施例として図1(a)示すようにガ
ラス製の基板1上にテルビウム(Tb)と酸窒化シリコ
ン( SiON) の複合膜よりなる干渉層2を90n
mの厚さに窒素ガスが容量で20%、酸素ガスが容量で
10%、アルゴンガスが容量で70%の反応性ガスを用
いて反応性スパッタ法で形成した。ターゲットはTbと
Siの複合ターゲットを用いて形成した。またその上に
ジスプロシウム− 鉄− コバルト(Dy26Fe56
Co18 ) の記録層3を上記した反応性スパッタ法
で形成した。但し、この数値は原子%を示す。そしてそ
の上にテルビウム(Tb)と酸窒化シリコン( SiO
N) の複合膜よりなる保護層4を90nmの厚さに上
記した反応性スパッタ法で形成した。
ラス製の基板1上にテルビウム(Tb)と酸窒化シリコ
ン( SiON) の複合膜よりなる干渉層2を90n
mの厚さに窒素ガスが容量で20%、酸素ガスが容量で
10%、アルゴンガスが容量で70%の反応性ガスを用
いて反応性スパッタ法で形成した。ターゲットはTbと
Siの複合ターゲットを用いて形成した。またその上に
ジスプロシウム− 鉄− コバルト(Dy26Fe56
Co18 ) の記録層3を上記した反応性スパッタ法
で形成した。但し、この数値は原子%を示す。そしてそ
の上にテルビウム(Tb)と酸窒化シリコン( SiO
N) の複合膜よりなる保護層4を90nmの厚さに上
記した反応性スパッタ法で形成した。
【0027】このようにして形成した光磁気記録媒体を
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が52dBの記録信号が得
られた。
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が52dBの記録信号が得
られた。
【0028】また記録したビット( ビット長=1 μ
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の70%迄、信号の劣化が見られなかった。
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の70%迄、信号の劣化が見られなかった。
【0029】また加速試験を行ったところ、120 ℃
、90%の相対湿度で500 時間迄、C/N の値、
記録感度、エラー共に変化が無く、これは換算すると室
温で50年以上の寿命が有ると推定され、上記本発明の
保護層、干渉層は充分な保護効果があることが確認され
た。
、90%の相対湿度で500 時間迄、C/N の値、
記録感度、エラー共に変化が無く、これは換算すると室
温で50年以上の寿命が有ると推定され、上記本発明の
保護層、干渉層は充分な保護効果があることが確認され
た。
【0030】第3実施例として図1(b)に示すように
ガラス製の基板1上にアルミニウム(Al)と酸窒化シ
リコン( SiON) の複合膜よりなる干渉層2を8
0nmの厚さにアルゴンガスを用いてスパッタ法で形成
した。ターゲットはAIとSiONが別個の二元のター
ゲットを用いて形成した。またその上にテルビウム−
鉄− コバルト(Tb21Fe71Co8)の記録層3
を上記したスパッタ法で形成した。但し、この数値は原
子%を示す。そしてその上にAlと酸窒化シリコン(
SiON) の複合膜よりなる保護層4を30nmの厚
さに上記したスパッタ法で形成し、更にその上にAlの
反射層5を40nmの厚さにスパッタ法で形成した。
ガラス製の基板1上にアルミニウム(Al)と酸窒化シ
リコン( SiON) の複合膜よりなる干渉層2を8
0nmの厚さにアルゴンガスを用いてスパッタ法で形成
した。ターゲットはAIとSiONが別個の二元のター
ゲットを用いて形成した。またその上にテルビウム−
鉄− コバルト(Tb21Fe71Co8)の記録層3
を上記したスパッタ法で形成した。但し、この数値は原
子%を示す。そしてその上にAlと酸窒化シリコン(
SiON) の複合膜よりなる保護層4を30nmの厚
さに上記したスパッタ法で形成し、更にその上にAlの
反射層5を40nmの厚さにスパッタ法で形成した。
【0031】このようにして形成した光磁気記録媒体を
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が53dBの記録信号が得
られた。
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が53dBの記録信号が得
られた。
【0032】また記録したビット( ビット長=1 μ
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の75%迄、信号の劣化が見られなかった。
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の75%迄、信号の劣化が見られなかった。
【0033】また加速試験を行ったところ、120 ℃
、90%の相対湿度で500 時間迄、C/N の値、
記録感度、エラー共に変化が無く、これは換算すると室
温で50年以上の寿命が有ると推定され、上記本発明の
保護層、干渉層は充分な保護効果があることが確認され
た。
、90%の相対湿度で500 時間迄、C/N の値、
記録感度、エラー共に変化が無く、これは換算すると室
温で50年以上の寿命が有ると推定され、上記本発明の
保護層、干渉層は充分な保護効果があることが確認され
た。
【0034】第4実施例として図1(c) に示すよ
うにAl製の不透明な基板1上にセリウム(Ce)と酸
窒化シリコン( SiON) の複合膜よりなる保護層
4 を90nmの厚さに、容量で70%のアルゴンガス
と容量が30%の窒素ガスの混合ガスよりなる反応性ス
パッタガスを用いて反応性スパッタ法で形成した。ター
ゲットはCeとSiO2の別個の二元のターゲットを用
いて形成した。またその上にジスプロシウム− 鉄−
コバルト(Dy26Fe56Co18)の記録層3を9
0nmの厚さに上記した反応性スパッタ法で形成した。 但し、この数値は原子%を示す。そしてその上にCeと
酸窒化シリコン( SiON) の複合膜よりなる干渉
層2を90nmの厚さに上記した反応性スパッタ法で形
成した。
うにAl製の不透明な基板1上にセリウム(Ce)と酸
窒化シリコン( SiON) の複合膜よりなる保護層
4 を90nmの厚さに、容量で70%のアルゴンガス
と容量が30%の窒素ガスの混合ガスよりなる反応性ス
パッタガスを用いて反応性スパッタ法で形成した。ター
ゲットはCeとSiO2の別個の二元のターゲットを用
いて形成した。またその上にジスプロシウム− 鉄−
コバルト(Dy26Fe56Co18)の記録層3を9
0nmの厚さに上記した反応性スパッタ法で形成した。 但し、この数値は原子%を示す。そしてその上にCeと
酸窒化シリコン( SiON) の複合膜よりなる干渉
層2を90nmの厚さに上記した反応性スパッタ法で形
成した。
【0035】このようにして形成した光磁気記録媒体を
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が52dBの記録信号が得
られた。
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が52dBの記録信号が得
られた。
【0036】また記録したビット( ビット長=1 μ
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の75%迄、信号の劣化が見られなかった。
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の75%迄、信号の劣化が見られなかった。
【0037】また加速試験を行ったところ、120 ℃
、90%の相対湿度で500 時間迄、C/N の値、
記録感度、エラー共に変化が無く、これは換算すると室
温で50年以上の寿命が有ると推定され、上記本発明の
保護層、干渉層は充分な保護効果があることが確認され
た。
、90%の相対湿度で500 時間迄、C/N の値、
記録感度、エラー共に変化が無く、これは換算すると室
温で50年以上の寿命が有ると推定され、上記本発明の
保護層、干渉層は充分な保護効果があることが確認され
た。
【0038】上記した本実施例の結果をまとめて表2に
示す。表で1、2、3、4の記号は、それぞれ第1、第
2、第3および第4実施例を示す。
示す。表で1、2、3、4の記号は、それぞれ第1、第
2、第3および第4実施例を示す。
【0039】
【表2】
【0040】上記本発明の実施例と比較するための従来
の比較例に付いて述べる。第1 の従来の比較例は、前
記した図1に示すようにガラス製の基板1上にテルビウ
ム(Tb)と二酸化シリコン( SiO2) の複合膜
よりなる干渉層2を90nmの厚さにアルゴンガスを用
いてスパッタ法で形成した。ターゲットはTbとSiO
2の複合ターゲットを用いて形成した。またその上にテ
ルビウム− 鉄− コバルト(Tb21Fe71Co8
) の記録層3を上記したスパッタ法で形成した。但し
、この数値は原子%を示す。そしてその上にテルビウム
(Tb)とSiO2の複合膜よりなる保護層4を90n
mの厚さに上記したスパッタ法で形成した。
の比較例に付いて述べる。第1 の従来の比較例は、前
記した図1に示すようにガラス製の基板1上にテルビウ
ム(Tb)と二酸化シリコン( SiO2) の複合膜
よりなる干渉層2を90nmの厚さにアルゴンガスを用
いてスパッタ法で形成した。ターゲットはTbとSiO
2の複合ターゲットを用いて形成した。またその上にテ
ルビウム− 鉄− コバルト(Tb21Fe71Co8
) の記録層3を上記したスパッタ法で形成した。但し
、この数値は原子%を示す。そしてその上にテルビウム
(Tb)とSiO2の複合膜よりなる保護層4を90n
mの厚さに上記したスパッタ法で形成した。
【0041】このようにして形成した光磁気記録媒体を
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が51dBの記録信号が得
られた。
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が51dBの記録信号が得
られた。
【0042】また記録したビット( ビット長=1 μ
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の45%迄、信号の劣化が見られ、本発明の光
磁気記録媒体に比較して信号の劣化が目立つようになる
。
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の45%迄、信号の劣化が見られ、本発明の光
磁気記録媒体に比較して信号の劣化が目立つようになる
。
【0043】第2の従来の比較例は、前記した図1に示
すようにガラス製の基板1上にSiN x よりなる干
渉層2を90nmの厚さにアルゴンガスを用いてスパッ
タ法で形成した。ターゲットはSiN x のターゲッ
トを用いて形成した。またその上にテルビウム− 鉄−
コバルト(Tb21Fe71Co8) の記録層3を
上記したスパッタ法で形成した。但し、この数値は原子
%を示す。そしてその上にSiN x よりなる保護層
4を90nmの厚さに上記したスパッタ法で形成した。
すようにガラス製の基板1上にSiN x よりなる干
渉層2を90nmの厚さにアルゴンガスを用いてスパッ
タ法で形成した。ターゲットはSiN x のターゲッ
トを用いて形成した。またその上にテルビウム− 鉄−
コバルト(Tb21Fe71Co8) の記録層3を
上記したスパッタ法で形成した。但し、この数値は原子
%を示す。そしてその上にSiN x よりなる保護層
4を90nmの厚さに上記したスパッタ法で形成した。
【0044】このようにして形成した光磁気記録媒体を
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が53dBの記録信号が得
られた。
波長が830nm の半導体レーザ光を用い、線速10
m/sec 、ビット長1 μm、記録パワー8mW
で記録したところ、C/N が53dBの記録信号が得
られた。
【0045】また記録したビット( ビット長=1 μ
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の60%で信号の劣化が見られ、本発明の光磁
気記録媒体に比較して閾値パワーの低下が目立つように
なる。
m)に上記レーザ光を照射し、信号の劣化を測定したと
ころ、閾値パワー( 信号を記録できる最小のレーザパ
ワー) の60%で信号の劣化が見られ、本発明の光磁
気記録媒体に比較して閾値パワーの低下が目立つように
なる。
【0046】また第1実施例と同様な加速試験を行った
ところ、300 時間でエラーが増加したことが確認さ
れ、本発明の光磁気記録媒体に比して信頼度の低い光磁
気記録媒体しか得られなかった。
ところ、300 時間でエラーが増加したことが確認さ
れ、本発明の光磁気記録媒体に比して信頼度の低い光磁
気記録媒体しか得られなかった。
【0047】上記した従来の比較例に付いて表3を用い
てまとめて示す。
てまとめて示す。
【0048】
【表3】
【0049】以上述べたように、本発明の光磁気記録媒
体によれば、記録した信号が外部磁場やレーザ光に依っ
て影響され難い高品質な光磁気記録媒体が得られる。ま
た干渉層の屈折率値も向上するので、信号品質の向上し
た光磁気記録媒体が得られる。また本実施例に用いた希
土類金属元素の他に化学的な性質の類似したランタン、
スカンジウム等の希土類金属元素も可能である。また金
属元素としてアルミニウムの他にビスマス、亜鉛、鉛等
の金属元素も可能である。
体によれば、記録した信号が外部磁場やレーザ光に依っ
て影響され難い高品質な光磁気記録媒体が得られる。ま
た干渉層の屈折率値も向上するので、信号品質の向上し
た光磁気記録媒体が得られる。また本実施例に用いた希
土類金属元素の他に化学的な性質の類似したランタン、
スカンジウム等の希土類金属元素も可能である。また金
属元素としてアルミニウムの他にビスマス、亜鉛、鉛等
の金属元素も可能である。
【0050】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光磁気記録
媒体によれば、記録した信号が外部磁場やレーザ光に依
って影響され難い高品質な光磁気記録媒体が得られる。 また干渉層の屈折率値も向上するので、信号品質の向上
した光磁気記録媒体が得られる効果がある。
媒体によれば、記録した信号が外部磁場やレーザ光に依
って影響され難い高品質な光磁気記録媒体が得られる。 また干渉層の屈折率値も向上するので、信号品質の向上
した光磁気記録媒体が得られる効果がある。
【図1】 本発明の光磁気記録媒体の断面図である。
1 基板
2 干渉層
3 記録層
4 保護層
5 反射層
Claims (5)
- 【請求項1】 基板(1) 上に干渉層(2) およ
び保護層(4)で挟まれて積層形成された記録層(3)
を有して成る光磁気記録媒体に於いて、前記干渉層(
2) と保護層(4) に金属と酸窒化シリコン膜の複
合膜を用いたことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項2】 請求項1記載の金属がスカンジウム、
イットリウム、テルビウム、ランタン、およびセリウム
の希土類金属元素の何れかか、或いはアルミニウム、ビ
スマス、亜鉛、および鉛の金属元素の何れかであること
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項3】 請求項1記載の干渉層(2) と保護
層(4) を形成するに際し、請求項2記載の金属と二
酸化珪素の複合物よりなるターゲット、或いは上記金属
ターゲットと二酸化珪素の二元のターゲットを用い、ス
パッタガスとしてアルゴンガスと窒素ガスとを用いた反
応性スパッタ法で形成することを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1記載の干渉層(2) と保護
層(4) を形成するに際し、請求項2記載の金属とシ
リコンの複合物より成るターゲット、或いは上記金属と
シリコンの二元のターゲットを用い、スパッタガスとし
てアルゴンと窒素および酸素ガスを用いた反応性スパッ
タ法で形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項5】 請求項1記載の干渉層(2) と保護
層(4) を形成するに際し、請求項2記載の金属と酸
窒化シリコンの化合物より成るターゲット、或いは上記
金属と酸窒化シリコンの二元のターゲットを用い、スパ
ッタガスとしてアルゴンガスを用いたスパッタ法で形成
することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6981091A JPH04305836A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 光磁気記録媒体および該光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6981091A JPH04305836A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 光磁気記録媒体および該光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04305836A true JPH04305836A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=13413489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6981091A Withdrawn JPH04305836A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 光磁気記録媒体および該光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04305836A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6291866B1 (en) * | 1997-07-24 | 2001-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric |
-
1991
- 1991-04-02 JP JP6981091A patent/JPH04305836A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6291866B1 (en) * | 1997-07-24 | 2001-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric |
US6291867B1 (en) * | 1997-07-24 | 2001-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Zirconium and/or hafnium silicon-oxynitride gate dielectric |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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