JPH01130344A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体に係り、特に情報の高密度記録
・再生に好適な可逆性光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

情報の書き換え可能な、いわゆる可逆性光磁気記録媒体
として従来から希土類元素と遷移金属元素とから成る磁
性膜が知られている。例えばこの種の磁性膜としては、
テルビウム（Ｔｂ）−鉄（Ｆｅ）　、テルビウム（Ｔｂ
）−鉄（Ｆｅ）−：ｌバルト（Ｃｏ）　、ガドリニウム
（Ｇｄ）−テルビウム（Ｔｂ）−鉄（Ｆｅ）　、ジスプ
ロシウム（’Ｄｙ）　−鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）
などの重希土類元素と遷移金属との合金系が用いられて
きた。最近では、再生性能の改善すなわちカー回転角の
向上を図る目的でランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）
、プラセオジム（Ｐｒ）　、ネオジム（Ｎｄ）　、プロ
メジウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓ■）、ユーロピウム
（Ｅｕ）などの軽希土類元素を添加する試みがなされて
いる。特にＮｄあるいはＰｒを含む磁性膜では、インタ
ーマグ’８７ダイジエスツ、オーシー０８　（Ｉｎｔｅ
ｒ、　Ｗａｇ、　’８７　ＤＩＧＥＳＴＳ、　ＥＣ−０
８３においても述べられているように、カー回転角が記
録・再生光の短波長側で大きくなっており、高密度記録
のためにレーザ光を短波長化した場合により有利である
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、上記従来技術では、磁性膜の磁化反転の角形
性を良くし、記録・再生特性を向上させるために、磁性
膜を形成する際に基板の温度を２００〜３００℃に加熱
しなければならなかった。光磁気記録媒体の基板には、
プラスチック基板や紫外線硬化樹脂がわけられたガラス
基板を用いるため。

基板温度はプラスチックスあるいは紫外線硬化樹脂の耐
熱温度である１００〜２００℃以下でなければならない
、この温度を越えて基板を加熱すると、基板のそり、ゆ
がみ等の変形が極めて大きくなる。

したがって、現実の媒体では、角形性の良好な磁性膜を
得ることができなかった。

また、ＮｄやＰｒ等を含む磁性膜では磁気異方性、つま
り異方性エネルギーが小さいため、これらの磁性膜を用
いた光磁気記録媒体では、記録されたビット（磁区）の
形状が悪く、記録前に比べて記録後のノイズレベルが上
昇する現象、すなわち変調性ノイズの発生という問題も
あった。

本発明の目的は、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも１種を含む
希土類元素と遷移金属元素とから成る磁性膜の磁気的角
形性を加熱処理することなく改良し、かつ変調性ノイズ
を低減した光磁気記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも１種を有する希
土類元素と遷移金属元素より成る磁性膜上に重希土類元
素と遷移金属元素より成る磁性膜を形成することにより
、あるいは、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも一種の元素の濃
度が膜厚方向に変化し。

それに応じて重希土類元素の濃度が相補的に変化して成
る組成変調性磁性膜とすることにより達成される。更に
本発明の構成を具体的に説明すると以下のとおりである
。

先ず本発明の第１の発明は、基板上にネウジム（Ｎｄ）
及びプラセオジム（Ｐｒ）から成る群から選ばれる少な
くとも一種の軽希土類元素を含有する希土類元素と遷移
金属元素とから成る第１の磁性層と、重希土類元素と遷
移金属元素とから成る第２の磁性層とが積層された磁性
多層膜を有して成ることを特徴とする光磁気記録媒体で
ある。

とこで、希土類元素とはランタニド系の原子番号５７の
Ｌａから７１番目のＬｕまでの１５５元素意味し、重希
土類元素とは原子番号６４のＧｄから７１番目のＬｕま
での８元素を意味する。また、遷移金属元素とは元素の
周期律表の第■族元素を意味する。

したがって、上記第１の磁性層は、Ｎｄ及びＰｒの少な
くとも一種の軽希土類元素と遷移金属元素とから成る場
合と、更に上記軽希土類元素以外の上記希土゛類元素（
原子番号５７〜７１番の元素）をも含有する場合とがあ
る。いずれにしても第１の磁性層として重要なのは希土
類元素としてＮｄ及びＰ’ｒの少なくとも一種の軽希土
類元素を必ず含有することである。

また、基板としては通常のプラスチックスやガラス等の
光を透過するものから構成される。

さらにまた、この基板上に形成される磁性層は。

基本的には第１の磁性層と第２の磁性層とが積層されて
いればよく、交互に二層以上の多重層を構成してもよい
。そして、積層の手順としては、好ましくは第１の磁性
層を第１層目とすることである。つまり、この種の媒体
としては基板側より記録・再生の光を導入するが、本発
明の好ましい例では基板側に第１の磁性層が存在するこ
とであり、これにより角形性の改善に寄与する磁性層の
カー回転角を大きくすることができる。

また、本発明の好ましい例では、′第１の磁性層に隣接
して誘電体膜を形成することであるが多くの場合、基板
と磁性層との間に誘電体膜を介在させることである。誘
電体膜を介在させることにより、カー回転角をほぼ２倍
に高めることができる。

誘電体膜としては屈折率が基板より大きい、例えば窒化
ケイ素、酸化ケイ素、窒化アルミニウム等の窒化物、酸
化物あるいはこれらの混合物が適しており、その膜厚は
記録・再生時のレーザ光の波長をλ、誘電体膜の屈折率
をｎとしたとき、約λ／　６　ｎ〜λ／４ｎである。

更にまた、上記磁性層は金属層であるため表面が酸化さ
れ特性劣化を起す恐れがあるので、酸化防止の保護膜を
形成することが望ましい。この保護膜としては、上記誘
電体膜と同質のものを使用することができる。

次に本発明の第２の発明の特徴点について説明すると、
基板上にネウジム（Ｎｄ）及びプラセオジム（Ｐｒ）か
ら成る群の少なくとも一種の軽希土類元素と重希土類元
素と遷移金属元素とを含有する磁性層が形成され、かつ
前記磁性層内において厚さ方向に前記軽希土類元素と重
希土類元素とが互に相反する濃度勾配を有することを特
徴とする光磁気記録媒体から構成される。

つまり、第２の発明においては、磁性層を第１の発明の
ごとく第１、第２の磁性層を積層する代りに、−層の磁
性層の中で層の厚さ方向に軽希土類元素と重希土類元素
の濃度勾配を設けても同様の効果が得られる知見に基づ
いてなされたものである。・つまり、磁性層の中で層の
厚さ方向に軽希土類元素と重希土類元素の濃度が相反す
るように（相補的に）勾配を設けるもので、それぞれを
局在させようというものである。この場合も、好ましく
は上記第１の発明と同様の趣旨で、磁性層内の基板側に
軽希土類元素の高濃度領域を形成し。

反対側には重希土類元素の高濃度領域を形成するもめで
ある。

また、誘電体膜、保護膜の形成についても、上記第１の
発明と同様に設けることが好ましい、つまり、誘電体膜
は、磁性層の軽希土類元素の濃度勾配の大な側（つまり
高濃度領域側）の表面に隣接して設ければよい。

これら磁性層、誘電体膜及び保護膜等の形成は、周知の
薄膜形成技術で対応でき、例えばスパッタリングやＣＶ
Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法が実用的である。

〔作　　用〕

重希土類元素−遷移金属元素から成る磁性膜は一一般に
垂直磁気異方性が大きくその磁気的角形性は極めて良好
である。この磁性膜を、ＮｄあるいはＰｒの少なくとも
一種を含有する希土類元素−遷移金属元素から成る磁性
膜に積層することにより、遷移金属元素が互いに磁気的
相互作用で結合するため、後者の磁性膜中にも大きな垂
直磁気異方性が誘起され、磁気的角形性が更に大きく改
善される。このような効果は磁性膜構造を上述のような
二層にするだけでなく周期的につまり交互に積層しても
得られる。また磁気的相互作用による結合は界面を介さ
すとも膜厚方向に連続的に組成が変化するような一層膜
においても当然得られる。

すなわち１重希土類元素−遷移金属元素組成部の異方性
は、遷移金属元素あるいは重希土類元素の磁気的相互作
用を通じて徐々に膜厚方向に伝わってゆき、Ｎｄあるい
はＰｒが最も高濃度に存在する膜端面においても、垂直
磁気異方性が誘起され、磁気的角形性が大きく改善され
る。

〔実施例〕

以下に代表的実施例を示し、本発明をより具体的に説明
する。なお、各実施例により得られた光磁気記録媒体の
特性値については、まとめて第１表に示した。性能特性
の測定条件及び結果の特記事項については同表欄外に付
記したとおりである。

実施例　１ 第１図に示すように、ポリカーボネートやアクリル樹脂
等のプラスチックス基板１（ガラスでも同じ）上には、
カー回転増大用の誘電体膜２が設けられている。この誘
電体膜２上に基板を室温の状態のままで、第１の磁性層
として厚さ３００人のＮｄ４゜Ｆｅ、、Ｇｏ、、磁性層
３をＮｄ−Ｆｅ−Ｇｏ焼結体ターゲットを準備しスパッ
タリング法で形成し、続いて第２の磁性層としてＴｂ□
Ｆｅ、、磁性層４を８００人の厚さだけ、上記第１の磁
性層と同様の手法により形成した。つまり、磁性層の形
成においては、基板を加熱することなく、室温にて形成
した。最後に、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化アルミニ
ウムなどの保護膜５を１０００人の厚さだけ積層し、磁
性層が大気から遮断されるようにした。

この例では、第１の磁性層が、４０モル％のＮｄ（軽希
土類元素）、４０モル％のＦｅ、　１０モル％のＧｏ（
いずれも遷移金属元素）から成る合金層、第２の磁性層
が、２５モル％のＴｂ（重希土類元素）。

７５％のＦｅ（遷移金属元素）から成る合金層から構成
されている。そして、この媒体の特性は第１表に示した
ように、比較例１．２に比較して、著しく改善されてい
ることがわかる。すなわち、比較例１と対比してみると
、比較例の磁性層は本実施例の第１の磁性層３のみから
構成されているもので、しかも同一の形成温度（室温）
で形成されたものであるが、カーヒステリシスが極めて
悪く、カー回転角も０．０５と本実施例（０，４０）の
１／８と小さく、ノイズレベルに至っては測定不可能で
媒体としては全く実用にならない。また、比較例２では
、磁性層の組成は比較例１と同じであるが、磁性膜形成
時の基板温度を２００℃に加熱したものであり、カーヒ
ステリシス、カー回転角ともに改善されているが、記録
後のノイズレベルが６ｄＢで本実施例（２ｄＢ）に比較
して著しく上昇しており、かなり劣っている。さらにこ
の比較例２は、基板を２００℃に加熱して磁性層を形成
していることから、基板のそり、ゆがみは避けられず実
用には供し得ない。しかし、本実施例の場合は、基板温
度が室温であるにも拘らず、比較例２よりも格　段にノ
イズレベルが優れており、実用上極めて有効である。　
。

実施例　２ 第２図に示すように、上記実施例１と同様にして準備さ
れた基板１に形成された誘電体膜２上に、第１の磁性層
としてＮｄＢ６　Ｇｄｓ　Ｆ　ｅ４゜Ｇｏ、磁性層６お
よび第２の磁性層としてＧｄ２．Ｆｅ７゜Ｇｏ、磁性層
７がそれぞれ２００人、４００人の厚さだけ２周期分積
層されている。磁性層の積層に際しては、基板を室温の
ままとして、再現性、膜厚制御性の点て優れているスパ
ッタリング法により、上記実施例１の場合と同様にして
形成した。また、スパッタリング装置内には、Ｎｄ−Ｇ
ｄ−Ｆａ−Ｃｏ、　Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ焼結体ターゲット
を準備し、上記磁性層６．７を大気に晒すことなく連続
して積層した。最後に、窒化ケイ素などの保護膜５を２
０００人形成し、磁性膜の酸化防止を図った。

この例では、第１の磁性層が５０モル％のＮｄ　（軽希
土類元素）、５モル％のＧｄ　（重希土類元素）、４０
モル％のＦｅ、５モル％のＧｏ（いずれも遷移金属元素
）から成る合金層、第２の磁性層が２４モル％のＧｄ（
重希土類元素）、７０モル％のＦｅ、６モル％のＣｏ（
いずれも遷移金属元素）から成る合金層から構成されて
いる。そして、この媒体の特性は、第１表に示したよう
にカー回転角が０．４２と実施例１　（０，４０）のも
のよりさら＋ｉ優れていることは勿論のこと、比較例１
．２と対比しても上記実施例１と同様ノイズレベルが２
ｄＢと格段に低く優れた特性を有している。

実施例　３ 第３図に示すように、プラスチックス基板１上に、第１
の磁性層としてＰｒ、、Ｆｅ、。Ｃｏ１．磁性膜８を５
００人、その上に第２の磁性層としてＴｂ２４Ｆｌ’ｙ
ｓ磁性層９を８００人、上記実施例１と同様の方法で積
層した。さらに、保護膜５を２００人積層した後、紫外
線硬化樹脂からなる接着剤１０（その他の樹脂でもよい
）により、他方のプラスチックス基板１′を貼合せた。

そして、この媒体の特性は第１表に示したとおりであり
、実施例１，２より多少カー回転角が小さいものの全体
としてほぼ類似の特性を有している。

実施例　４ 第４図に示すように、ポリカーボネート基板１上に、Ｔ
ｉ膜１１を１００人形成した後、第２の磁性層としてＴ
ｂ２４　Ｆｅ５ｓ　Ｃｏ、磁性膜１２を８００人、第１
の磁性層としてＮｄ、。Ｐｒ、　ＦｅＧｏＣｏ、磁性層
１３を２００人、上記実施例１と同様の方法で積層し、
最後に酸化ケイ素などの誘電体膜２を１０００人形成し
た。

このあと外周部に突起のあるガラス保護板１４を接着剤
１０を用いて貼り合わせ、誘電体膜２とガラス保護板１
４との間に空気層１６を設けた０本実施例の場合、記録
・再生はガラス保護板１４を通して行なう。このためレ
ーザ光は空気層１６を通過して誘電体膜２に入射するた
め、実施例１．２のように空気層１６を通過せずガラス
保護板１４から直接誘電体膜２に入射する場合よりも効
果的な干渉作用が得られ、カー回転角がより大きくなる
ため再生特性が改善される。また吸水性・透水性を有す
るポリカーボネート基板１側からはレーザ光が入射しな
いため、Ｔｉ膜１１などの不透明、非磁性金属膜を設け
ることができ、基板から侵入してくる水分や酸素を阻止
し、磁性膜１２．１３の酸化・腐食をより効果的に防止
できる。

この実施例による媒体の特性も第１表に示したように上
記実施例３と類似の特性を示した。

なお、上記ポリカーボネートのごとく、吸水性透水性を
有する基板上に磁性膜を構成する場合には、水分の侵入
を遮断して磁性層を保護するため、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍのご
とく非磁性金属膜の形成が有効である。そして、上記実
施例の場合と異なりこの基板１側から光を入射させる場
合もあり得る訳であるが、このような場合には上記非磁
性金属膜の厚さを水分遮断の保護膜として十分に作用し
、かつ光を透過し得るごく薄い層にすればよい。

実施例　５ 第５図に示すように、上記実施例５と同一の基板１上に
Ｎｄが磁性層１５の深さ方向（この場合基板方向）に高
い濃度勾配を有するＮｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ磁性層１５
を上記いずれの実施例とも同様なスパッタリング法によ
り１０００人形成した。このときのＮｄ　（軽希土類元
素）及びＴｂ（重希土類元素）の磁性層における厚さ方
向の濃度分布は第６図に示すとおりで、Ｎｄは基板側で
高く、一方、ＴｂはＮｄに対して相補的に濃度が変化す
るようにした。

そしてＦｅとＣｏ（いずれも遷移金属元素）は厚さ方向
で常に一定の６５モル％とした。磁性層上には窒化物、
酸化物などの保護膜５を８００人形成した。

この場合の光磁気特性は、第１表に示したとおり良好な
結果が得られた。

なお、この媒体について、第１表に示した測定条件と異
る波長７８０ｎｍでカー回転角を測定したところ、約０
．６＠であり、いわゆる誘電体膜から成るカー・エンハ
ンス膜を基板１上に形成しなくとも゛十分な大きさの再
生信号が得られた９本実施例の場合、金属膜である磁性
層が直接基板上に形成されるため、カー・エンハンス用
誘電体膜が介在する場合よりも、磁性層と基板との密着
力が向上するという効果がある。

実施例　６ 第７図に示すように、ガラス基板１上に、第１め磁性層
としてＮｄ、、　Ｇｄ、、　Ｆｅ４Ｉ、Ｃｏ１＝磁性膜
１７を、Ｎｄ＋ＧｄおよびＦｅ＋Ｇｏの２個のターゲッ
トを用いた二元同時スパッタリングにより４００人の厚
さに形成した。その上に第２の磁性層として、Ｇｄ２３
Ｆ　ｅｓｏ　Ｃｏｔ　Ｐ　ｔｚｌ）磁性膜１８を、Ｇｄ
、Ｆｅ＋Ｃｏ、ｐｔの３個のターゲットを用いた三元同
時スパッタリングにより６００人の厚さ設けた０本実施
例の第１の磁性層１７は、上記のとおり希土類元素とし
て軽希土類元素のＮｄの他に重希土類元素のＧｄを脩む
ものである。そして、第２の磁性層は大気と接触しても
耐食性の高いｐｔを多量に含む重希土類元素−遷移金属
元素合金膜から構成されているため、特にその上に形成
する保護膜を必要としない、なお、耐食性向上のための
添加元素としては、ｐｔ以外にも態、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ
等の種々の元素が有効である。この実施例の光磁気特性
は、第１表に示したとおりであり、上記実施例１〜５と
同様に優れた特性を有している。

第　　１　　表 （１）測定波長：　６３０ｎｍ　（Ｈｅ　　Ｎｅレーザ
光）。

外部磁界０．ただしガラス基板上に直接磁性層を形成し
たものでのカー回転角を示す（基板と磁性層との間に誘
電体膜がある場合の回転角は、この数値の２倍に相当す
る）。

（２）測定条件：周波数２ＭＨｚの信号を記録したとき
のノイズレベルと、未記録時のノイズレベルとの差。比
較例１では記録できず。

（３）比較例１，２の磁性層の組成：実施例１の第１の
磁性層と同じ（Ｎ（Ｌｏ　Ｆｅ１ｏＣＯ１ｏ）以上、代
表的な実施例を例示したが、本発明においては１例えば
重希土類元素として原子番号６１番のＧｄ、　６２番の
Ｔｂの他に６６番（Ｄｙ）〜７１番（Ｌｕ）迄の６元素
の重希土類元素についても同様の効果があり、これらの
元素は単独あるいは二種以上を複合使用しても作用効果
上、上記実施例１〜６と類似の効果が得られる。

また、遷移金属元素についても、上記実施例ではＦａ、
Ｇｏ、Ｐｔの例を示したが、その他周期神表第■族の元
素であれば、いずれも同様の効果が得られ、これら元素
は単独あるいは二種以上を複合使用しても作用効果上、
上記実施例１〜６と類似の効果が得られる。

〔発明の効果〕

本発明の光磁気記録媒体の効果については、実施例１〜
６において第１表に表示したとおりのすぐれた光磁気効
果により、低ノイズレベルの媒体を室温で得ることがで
きた。これを総括してＮｄを軽希土類元素とした場合を
例に本発明の光磁気記録媒体と、Ｎｄを含む希土類元素
−遷移金属元素から成る磁性膜のみが基板上に形成され
た従来周知の光磁気記録媒体とのカー・ヒステリシスを
第８図（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示す。本発明の第８図
（ａ）では角形比、すなわち、磁界が零のときのカー回
転角と、十分に大きな磁界が印加されたときのカー回転
角との比が１に限りなく近いものであるのに対し、従来
の第８図（ｂ）では角形比が１より小さい。角形比が１
に近ければ（理想的には１）近いほど媒体に記録された
情報、すなわち記録磁区の形状が好ましい形となり、カ
ー回転角も大きくなるが、それに反して角形比が１より
小さくなってしまうと記録磁区の形状がいびつであり、
カー回転角も小さくなってしまうため光磁気記録媒体と
して好ましくない。本発明の光磁気記録媒体では、Ｎｄ
を含む磁性層の磁気的角形性が大きく改良され第８図（
ａ）に示したような角形ヒステリシスを示す。

なお、本発明の第１の発明の中での第１の磁性層と第２
の磁性層との積層構造については、前述のごとく、光の
入射する基板側に第１の磁性層を形成し、その上に第２
の磁性層を形成積層する構造が好ましいが１層構造を逆
転すなわち基板側に第２の磁性層を形成し、その上に第
１の磁性層を形成しても、従来のものよりすぐれている
ことは云うまでもない。

また、特定周波数信号（ｃ）を記録し、これを再生した
時のスペクトラムアナライザによる周波数特性を第９図
（ａ）、（ｂ）に総括して示す。これは前述の第１表中
の変調性ノイズに相当するものである。第９図（ａ）は
従来の光磁気記録媒体の周波数対出力特性であり、波線
は記録前の再生出力２０．実線は記録後の再生出力１９
で返り、曲線１９と曲線２０との差ｄがすなわち変調性
ノイズである。この変調性ノイズｄの原因には垂直磁気
異方性の大きさが関係している。本発明になる光磁気記
録媒体においては第８図（ａ）に示すように垂直磁気異
方性が大きく改善されその角形性が良好であるため、第
９ｍ　（ｂ）に示すように変調性ノイズｄが小さくなる
という効果がある。

本発明の好ましい例として誘電体膜を形成することを述
べたが、第１の発明においては、第１の磁性層に隣接し
て、また第２の発明においては。

磁性層内のＮｄ及びＰｒの少なくとも１種からなる軽希
土類元素の成分が高濃度である側の磁性層面に隣接して
それぞれ設けるが、この誘電体膜の効果について総括し
て述べると、以下のとおりである。

（１）磁性層（Ｎｄ及びＰｒを含む）との相互作用によ
りカー回転角を向上させることができる（設けない場合
の約２倍に向上）。

（２）基板がプラスチックス等の水分を吸収もしくは透
過する材質のものである場合、磁性層との間でこの水分
を遮断し、磁性層の酸化防止の役割を果す。

以上のとおり、本発明は、従来においてＮｄ、Ｐｒを含
む磁性膜が知られているにも拘らず、その磁性膜の構造
を独特のものとすることにより。

従来においては得られない、室温での磁気的角形性の改
良された磁性層の形成を可能とすると共に変調ノイズを
格段に低減することができ、光磁気記録媒体の性能向上
に多大な貢献をするものである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図、第５図及び第７図は
本発明の異なる実施例となる光磁気記録媒体の断面図、
第８図（ａ）および（ｂ）は本発明および従来の光磁気
記録媒体のカー・ヒステリシスを示す曲線図、第６図は
本発明の実施例である光磁気記録媒体の磁性膜の組成分
布を示した曲線図、そして第９１１　（ａ）、（ｂ）は
スペクトラムアナライザによる出力特性を従来例と対比
して示した特性曲線図である。 図において、 １・・・基板　　　　　　　２・・・誘電体膜３．６．
８．１３．１７・・・第１の磁性層５・・・保護膜 ４．７，９．１２．１８・・・第２の磁性層１５・・・
磁性層 ２１・・・本発明になる光磁気記録媒体のカー・ヒステ
リシス

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上にネウジム（Ｎｄ）及びプラセオジム（Ｐｒ
   ）から成る群から選ばれる少なくとも一種の軽希土類元
   素を含有する希土類元素と遷移金属元素とから成る第１
   の磁性層と、重希土類元素と遷移金属元素とから成る第
   ２の磁性層とが積層された磁性多層膜を有して成ること
   を特徴とする光磁気記録媒体。 ２、上記第１の磁性層と第２の磁性層とを交互に複数層
   積層して成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光磁気記録媒体。 ３、上記基板上に形成される第１層目の磁性層を上記第
   １の磁性層としたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項もしくは第２項記載の光磁気記録媒体。 ４、上記第１の磁性層に隣接して誘電体膜を形成して成
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項もし
   くは第３項記載の光磁気記録媒体。 ５、上記基板と第１の磁性層との間に誘電体膜を介在さ
   せて成ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
   光磁気記録媒体。 ６、上記誘電体膜は、屈折率が基板より大きく、その膜
   厚を前記誘電体膜の屈折率をｎとし、記録・読出し光の
   波長をλとしたとき、λ／６ｎ〜λ／４ｎとしたことを
   特徴とする特許請求の範囲第４項もしくは第５項記載の
   光磁気記録媒体。 ７、上記磁性層の表面に酸化防止保護膜を有して成るこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３項
   、第４項、第５項もしくは第６項記載の光磁気記録媒体
   。 ８、基板上にネウジム（Ｎｄ）及びプラセオジム（Ｐｒ
   ）から成る群の少なくとも一種の軽希土類元素と重希土
   類元素と遷移金属元素とを含有する磁性層が形成され、
   かつ前記磁性層内において厚さ方向に前記軽希土類元素
   と重希土類元素とが互に相反する濃度勾配を有すること
   を特徴とする光磁気記録媒体。 ９、上記磁性層内における上記軽希土類元素の濃度勾配
   は基板表面側で高濃度となり、それに反して上記重希土
   類元素のそれは前記基板と反対側で高濃度となる濃度勾
   配を有して成ることを特徴とする特許請求の範囲第８項
   記載の光磁気記録媒体。 １０、上記磁性層の軽希土類元素の濃度勾配が大な磁性
   層表面に隣接して誘電体膜を形成して成ることを特徴と
   する特許請求の範囲第８項もしくは第９項記載の光磁気
   記録媒体。 １１、上記基板と磁性層との間に誘電体膜を介在させて
   成ることを特徴とする特許請求の範囲第９項もしくは第
   １０項記載の光磁気記録媒体。 １２、上記誘電体膜は、屈折率が基板より大きく、その
   膜厚を、前記誘電体膜の屈折率をｎとし記録・読出し光
   の波長をλとしたときλ／６ｎ〜λ／４ｎとしたことを
   特徴とする特許請求の範囲第１０項もしくは第１１項記
   載の光磁気記録媒体。 １３、上記磁性層の表面に酸化防止保護膜を有して成る
   ことを特徴とする特許請求の範囲第８項、第９項、第１
   ０項、第１１項もしくは第１２項記載の光磁気記録媒体
   。