JPH03108144A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03108144A JPH03108144A JP1242422A JP24242289A JPH03108144A JP H03108144 A JPH03108144 A JP H03108144A JP 1242422 A JP1242422 A JP 1242422A JP 24242289 A JP24242289 A JP 24242289A JP H03108144 A JPH03108144 A JP H03108144A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
-
- G—PHYSICS
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G11B11/10589—Details
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明はレーザ光を用いて情報の記録を行うための光磁
気記録媒体に関し、より詳しくは短波長光の下で磁気光
学効果が大きく、かつ高密度記録に好適である光磁気記
録媒体に関する。
気記録媒体に関し、より詳しくは短波長光の下で磁気光
学効果が大きく、かつ高密度記録に好適である光磁気記
録媒体に関する。
Ｂ、従来技術
書き換え可能な光記録方式として光磁気記録が実用化さ
れている。従来、これらの光磁気記録膜として、膜面に
垂直な方向に強い磁気異方性を有する希土類−遷移金属
非晶質膜の単体膜が採用され、中でもＴｂＦｅＣｏ系非
晶質膜が実用膜として研究開発されている。光磁気記録
では、今後さらに記録密度の高密度化の傾向にあり、そ
の一方式として、記録・再生光の短波長化が現在検討さ
れている。このため、将来の光磁気記録の高密化には、
短波長で磁気光学効果（カー回転角およびファラデー回
転角）の大きい光磁気材料の開発が不可欠である。しか
し、従来のＴｂＦｅＣｏ系非晶質膜では、レーザ光の波
長が短くなるに従い、磁気光学効果が単調に減少する傾
向にあり、短波長側では十分大きなカー回転角あるいは
ファラデー回転角が得られず、レーザ光で読み出す時の
出力が著しく低下してしまう問題があった。また最近、
あらたな光磁気記録膜として、磁気的眉間交換結合相互
作用を利用した２層膜を用いることが提案されている（
例えば特開昭６Ｏ−１７１６５２）、しかし、これらも
実質的にはＴｂＦｅ系の積層膜であるため、短波長側で
カー回転角が減少してしまい、短波長での記録再生膜と
しては不適格であった。
れている。従来、これらの光磁気記録膜として、膜面に
垂直な方向に強い磁気異方性を有する希土類−遷移金属
非晶質膜の単体膜が採用され、中でもＴｂＦｅＣｏ系非
晶質膜が実用膜として研究開発されている。光磁気記録
では、今後さらに記録密度の高密度化の傾向にあり、そ
の一方式として、記録・再生光の短波長化が現在検討さ
れている。このため、将来の光磁気記録の高密化には、
短波長で磁気光学効果（カー回転角およびファラデー回
転角）の大きい光磁気材料の開発が不可欠である。しか
し、従来のＴｂＦｅＣｏ系非晶質膜では、レーザ光の波
長が短くなるに従い、磁気光学効果が単調に減少する傾
向にあり、短波長側では十分大きなカー回転角あるいは
ファラデー回転角が得られず、レーザ光で読み出す時の
出力が著しく低下してしまう問題があった。また最近、
あらたな光磁気記録膜として、磁気的眉間交換結合相互
作用を利用した２層膜を用いることが提案されている（
例えば特開昭６Ｏ−１７１６５２）、しかし、これらも
実質的にはＴｂＦｅ系の積層膜であるため、短波長側で
カー回転角が減少してしまい、短波長での記録再生膜と
しては不適格であった。
一方、ＮｄあるいはＰｒを構成元素の主体とする希土類
−遷移金属非晶質膜が、従来知られている（例えば、Ｔ
、 Ｒ，ＭｃＧｕｉｒｅ等の１′阿ａｇｎｅｔｏ−ｏｐ
ｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｎ
ｄ −Ｃ。
−遷移金属非晶質膜が、従来知られている（例えば、Ｔ
、 Ｒ，ＭｃＧｕｉｒｅ等の１′阿ａｇｎｅｔｏ−ｏｐ
ｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｎ
ｄ −Ｃ。
ａｎｄ Ｎ ｄ −Ｆ ｅ ａｌｌｏｙｓ”、Ｊ 、
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ６１（１９８７） ｐｐ、
３３５２−３３５４） 、この膜は、短波長側で磁気光
学効果が大きくなる傾向を示すけれども、膜面に対して
垂直な方向に強い磁気異方性を有する垂直磁化膜ではな
くて、膜面に水平方向に強い磁気異方性を有する面内磁
化膜しか得られず、高密度記録を達成できないという問
題点がある。
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ６１（１９８７） ｐｐ、
３３５２−３３５４） 、この膜は、短波長側で磁気光
学効果が大きくなる傾向を示すけれども、膜面に対して
垂直な方向に強い磁気異方性を有する垂直磁化膜ではな
くて、膜面に水平方向に強い磁気異方性を有する面内磁
化膜しか得られず、高密度記録を達成できないという問
題点がある。
Ｃ１発明が解決しようとする問題点
従って、本発明の目的は、短波長側でも磁気光学効果が
十分大きく、かつ膜面に対して垂直な方向に強い磁気異
方性を有し、高密度記録が可能な光磁気記録媒体を提供
することにある。
十分大きく、かつ膜面に対して垂直な方向に強い磁気異
方性を有し、高密度記録が可能な光磁気記録媒体を提供
することにある。
Ｄ０問題点を解決するための手段
本発明による光磁気記録媒体は、短波長での磁気光学効
果は大きいけれども垂直磁気異方性が小である、（Ｎｄ
、Ｐｒ）−遷移金属非晶質膜からなる第一の磁性層と、
短波長での磁気光学効果は小さいけれども垂直磁気異方
性が小である、（Ｔｂ、Ｄｙ）−遷移金属非晶質膜から
なる第二の磁性層とを、少なくとも一層ずつ積層してな
るものである。これら二層間で生じる磁気的層間交換結
合作用を上記第一暦に十分及ばしめて上記第一層に強い
垂直磁気異方性を誘起させることにより、積層膜全体と
して短波長でも磁気光学効果が大であり、しかも垂直磁
化膜である光磁気記録媒体が得られる。
果は大きいけれども垂直磁気異方性が小である、（Ｎｄ
、Ｐｒ）−遷移金属非晶質膜からなる第一の磁性層と、
短波長での磁気光学効果は小さいけれども垂直磁気異方
性が小である、（Ｔｂ、Ｄｙ）−遷移金属非晶質膜から
なる第二の磁性層とを、少なくとも一層ずつ積層してな
るものである。これら二層間で生じる磁気的層間交換結
合作用を上記第一暦に十分及ばしめて上記第一層に強い
垂直磁気異方性を誘起させることにより、積層膜全体と
して短波長でも磁気光学効果が大であり、しかも垂直磁
化膜である光磁気記録媒体が得られる。
本発明による光磁気記録媒体の第一磁性層は、で示され
、ＡはＮｄとＰｒからなる軽希土類元素より選択した少
なくとも一元素、Ｂは重希土類元素群より選択した少な
くとも一元素、Ｔは耐食性を向上させる遷移金属元素群
より選択した少なくとも一元素であって、０≦ａ≦０．
５．０≦ｂ≦１であり、原子％で１０≦Ω≦５０．５０
≦ｍ≦９０．０≦ｎ≦１５．ｎ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足
する希土類−遷移金属非晶質膜からなる。
、ＡはＮｄとＰｒからなる軽希土類元素より選択した少
なくとも一元素、Ｂは重希土類元素群より選択した少な
くとも一元素、Ｔは耐食性を向上させる遷移金属元素群
より選択した少なくとも一元素であって、０≦ａ≦０．
５．０≦ｂ≦１であり、原子％で１０≦Ω≦５０．５０
≦ｍ≦９０．０≦ｎ≦１５．ｎ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足
する希土類−遷移金属非晶質膜からなる。
軽希土類の中で特にＮｄ、Ｐｒは低波長側でカー回転角
を大きくする効果が大であるので、Ａとして選択される
。第一磁性層はあくまでこの軽希土類を主要な構成元素
とするものであることに注意されたい、第一磁性層でＮ
ｄ、Ｐｒの軽希土類元素にさらに重希土類元素を添加す
ることは、第一暦、第二層間の磁気的交換結合を容易に
ならしめ、全体として垂直磁化膜を得やすくするととも
に、書き込み時の磁区形状を均一にさせ、磁区形状から
くる媒体ノイズを軽減させるという副次的な目的を達成
するためである。したがってそのような目的のための重
希土類元素としては典型的なＴｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ、
Ｅｒ等の中から選べばよい。あるいは重希土類元素は全
く含まれていなくても差し支えない。Ｔとしては、具体
的にはＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ等の、耐食性を向上させることが知ら
れている遷移金属元素を選択することができる。
を大きくする効果が大であるので、Ａとして選択される
。第一磁性層はあくまでこの軽希土類を主要な構成元素
とするものであることに注意されたい、第一磁性層でＮ
ｄ、Ｐｒの軽希土類元素にさらに重希土類元素を添加す
ることは、第一暦、第二層間の磁気的交換結合を容易に
ならしめ、全体として垂直磁化膜を得やすくするととも
に、書き込み時の磁区形状を均一にさせ、磁区形状から
くる媒体ノイズを軽減させるという副次的な目的を達成
するためである。したがってそのような目的のための重
希土類元素としては典型的なＴｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ、
Ｅｒ等の中から選べばよい。あるいは重希土類元素は全
く含まれていなくても差し支えない。Ｔとしては、具体
的にはＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ等の、耐食性を向上させることが知ら
れている遷移金属元素を選択することができる。
一方、第二磁性層は、一般式ＲｘＭｙＵｚ で示ｘ
ｙ ｚ され、ＲはＴｂとＤｙからなる元素群より選択した少な
くとも一元素、ＭはＦｅとＣｏからなる元素群より選択
した少なくとも一元素、Ｕは耐食性を向上させる遷移金
属元素群より選択した少なくとも一元素であって、原子
％で１５≦ｘ≦３５゜６５≦ｙ≦８５，０≦２≦１５．
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足する希土類−遷移金属非晶質
膜からなる。該第二磁性層でより強い磁気異方性と高耐
食性及び記録・再生についての高性能を得るためには、
より好ましくは２０≦ｘ≦３０．７０≦ｙ≦８０．０≦
２≦１０．で、しかもキュリー温度ＴＣは１５０℃及至
２５０℃である遷移元素の磁化が優勢側の組成か、もし
くはキュリー温度Ｔｃは前記と同じで、補償温度が５０
℃及至１５０℃である希土類元素の磁化が優勢側の組成
であることが望ましい。
ｙ ｚ され、ＲはＴｂとＤｙからなる元素群より選択した少な
くとも一元素、ＭはＦｅとＣｏからなる元素群より選択
した少なくとも一元素、Ｕは耐食性を向上させる遷移金
属元素群より選択した少なくとも一元素であって、原子
％で１５≦ｘ≦３５゜６５≦ｙ≦８５，０≦２≦１５．
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足する希土類−遷移金属非晶質
膜からなる。該第二磁性層でより強い磁気異方性と高耐
食性及び記録・再生についての高性能を得るためには、
より好ましくは２０≦ｘ≦３０．７０≦ｙ≦８０．０≦
２≦１０．で、しかもキュリー温度ＴＣは１５０℃及至
２５０℃である遷移元素の磁化が優勢側の組成か、もし
くはキュリー温度Ｔｃは前記と同じで、補償温度が５０
℃及至１５０℃である希土類元素の磁化が優勢側の組成
であることが望ましい。
Ｕとしては、上記Ｔと同様の遷移金属を選択することが
できる。
できる。
これら第一磁性層と第二磁性層を少なくとも一暦ずつ積
石させ、磁気的眉間交換結合相互作用を利用することに
より、ＩＫＯｅ以上の保磁力を有して積層膜全体として
垂直磁化膜として振舞う光磁気記録に好適な記録膜を得
るためには、第二磁性膜の総膜厚（ｔ２）に対する第一
磁性層の総膜厚（ｔ□）の比（ｔ□／ｌよ）を、当該交
換結合相互作用が第一磁性層全体に十分及ぶように、０
゜５以下、より好ましくは０．００１及至０．２にする
のがよい。
石させ、磁気的眉間交換結合相互作用を利用することに
より、ＩＫＯｅ以上の保磁力を有して積層膜全体として
垂直磁化膜として振舞う光磁気記録に好適な記録膜を得
るためには、第二磁性膜の総膜厚（ｔ２）に対する第一
磁性層の総膜厚（ｔ□）の比（ｔ□／ｌよ）を、当該交
換結合相互作用が第一磁性層全体に十分及ぶように、０
゜５以下、より好ましくは０．００１及至０．２にする
のがよい。
本発明の多層磁性膜に直接に、あるいは透明誘電体の保
護膜を介して、熱伝導度の高い金属、合金、あるいはセ
ラミックス等の熱拡散膜を配置することにより、さらに
高速書き込みに適した高性能の光磁気記録媒体が得られ
る。
護膜を介して、熱伝導度の高い金属、合金、あるいはセ
ラミックス等の熱拡散膜を配置することにより、さらに
高速書き込みに適した高性能の光磁気記録媒体が得られ
る。
Ｅ、実施例
以下、図面を参照しつつ本発明の詳細な説明する。
実施例１゜
第一図は、本発明の一実施例における積層膜の断面構造
を示す、ガラスあるいはプラスチックの基板３の上に、
公知のスパッタ法又は蒸着法により、第一磁性層として
厚さ１００人のＮｄ２゜Ｃ。
を示す、ガラスあるいはプラスチックの基板３の上に、
公知のスパッタ法又は蒸着法により、第一磁性層として
厚さ１００人のＮｄ２゜Ｃ。
１．の面内磁化膜１を付着し、その上に第二磁性層とし
て厚さ１０００人の′ｒｂ□Ｆｅ、、の垂直磁化膜２を
付着させた。第２図ないし第４図は、それぞれＮｄ２．
ｃｏ、。単層膜、Ｔ ｂ２ｓＦ ｅｔｓ単層膜、本実施
例の積層膜について測定されたカーヒステリシ・ループ
を示す、これらのカーヒステリシス・ループの測定には
波長６３０ｎｍのＨｅ −Ｎ ｅレーザ光を用いた。第
２図に示されるように、Ｎｄ２゜Ｃｏ、。単ｔＳについ
て言えば、得られる力一回転角は大きいけれども、垂直
磁気異方性は小さい。後者の性質は、保磁力が小さく、
ループがほとんど斜めに寝てしまっていることによって
示されている。また、第３図に示されるように、Ｔｂｚ
ｓＦｅ７ｓ単層膜について言えば、得られるカー回転角
は小さいけれども、垂直磁気異方性は大きい。
て厚さ１０００人の′ｒｂ□Ｆｅ、、の垂直磁化膜２を
付着させた。第２図ないし第４図は、それぞれＮｄ２．
ｃｏ、。単層膜、Ｔ ｂ２ｓＦ ｅｔｓ単層膜、本実施
例の積層膜について測定されたカーヒステリシ・ループ
を示す、これらのカーヒステリシス・ループの測定には
波長６３０ｎｍのＨｅ −Ｎ ｅレーザ光を用いた。第
２図に示されるように、Ｎｄ２゜Ｃｏ、。単ｔＳについ
て言えば、得られる力一回転角は大きいけれども、垂直
磁気異方性は小さい。後者の性質は、保磁力が小さく、
ループがほとんど斜めに寝てしまっていることによって
示されている。また、第３図に示されるように、Ｔｂｚ
ｓＦｅ７ｓ単層膜について言えば、得られるカー回転角
は小さいけれども、垂直磁気異方性は大きい。
後者の性質は、保磁力が大きく、ループがＨ軸とほぼ直
交していること、すなわち角型特性の良さによって示さ
れている。
交していること、すなわち角型特性の良さによって示さ
れている。
これに対して、第４図に示されるように、本実施例によ
れば、保磁力が２ＫＯｅであって角型特性がよく、かつ
得られるカー回転角も大きい、光磁気記録に好適な垂直
磁化膜が得られる。以上の特性は、二層間の磁気的交換
結合作用によって導かれるものと思われる。ちなみに、
従来、多層膜における磁気的眉間。交換結合相互作用が
いくつか報告されている。しかしながら、第一の膜の磁
気光学効果の大きさを維持しつつ、当該膜の垂直磁気異
方性の小ささを第二の膜との間の磁気的交換結合作用に
よってカバーした例は知られていない。
れば、保磁力が２ＫＯｅであって角型特性がよく、かつ
得られるカー回転角も大きい、光磁気記録に好適な垂直
磁化膜が得られる。以上の特性は、二層間の磁気的交換
結合作用によって導かれるものと思われる。ちなみに、
従来、多層膜における磁気的眉間。交換結合相互作用が
いくつか報告されている。しかしながら、第一の膜の磁
気光学効果の大きさを維持しつつ、当該膜の垂直磁気異
方性の小ささを第二の膜との間の磁気的交換結合作用に
よってカバーした例は知られていない。
例えば、特開昭６０−１７１６５２号公報では、記録膜
を二層にすることによってピットの安定化を図ることが
開示されているにすぎない。
を二層にすることによってピットの安定化を図ることが
開示されているにすぎない。
第５図は、本実施例の多層膜のカー回転角Ｏｋの波長依
存性を従来材のＴｂ２□Ｆｅ、、Ｃｏ□。非晶質膜のそ
れと比較したものを示す。図から明らかな如く、波長５
００ｎｍでも本多層膜は従来材よりもはるかに大きなカ
ー回転角を示し、レーザ光の波長が短かい高密度記録で
も大きな再生出力が得られることが判る。第６図と第７
図はそれぞれこの二層膜の保磁力Ｈｃとカー回転角ｆｌ
ｌｋの温度依存性を示す。第７図に示されるように高い
温度でも高いカー回転角が得られるから、再生時のレー
ザ光により膜の温度が上昇しても、出力の低下が少なく
、高Ｃ／Ｎを得ることが出来る。なお、グラフで波長Ｘ
ｎｍでのカー回転角としで示されている値は、波長Ｘｎ
ｍのレーザービームで記録ヲ行った後、同じＸｎｎ＋の
レーザービームで再生を行った時に得られるカー回転角
の値である。実験ではレーザービームの波長を連続的に
変えてデータを得ている。
存性を従来材のＴｂ２□Ｆｅ、、Ｃｏ□。非晶質膜のそ
れと比較したものを示す。図から明らかな如く、波長５
００ｎｍでも本多層膜は従来材よりもはるかに大きなカ
ー回転角を示し、レーザ光の波長が短かい高密度記録で
も大きな再生出力が得られることが判る。第６図と第７
図はそれぞれこの二層膜の保磁力Ｈｃとカー回転角ｆｌ
ｌｋの温度依存性を示す。第７図に示されるように高い
温度でも高いカー回転角が得られるから、再生時のレー
ザ光により膜の温度が上昇しても、出力の低下が少なく
、高Ｃ／Ｎを得ることが出来る。なお、グラフで波長Ｘ
ｎｍでのカー回転角としで示されている値は、波長Ｘｎ
ｍのレーザービームで記録ヲ行った後、同じＸｎｎ＋の
レーザービームで再生を行った時に得られるカー回転角
の値である。実験ではレーザービームの波長を連続的に
変えてデータを得ている。
実施例２゜
ポリカーボネイト基板上に、チン化ケイ素膜４００人、
Ｎ ｄｚａ （Ｆ ａｏ、、Ｃ０ａ−ｚ） ｇｏ非晶質
膜２００人、Ｔ ｂ２２Ｆ ｅｓｌｌｃ ｏ１ｏ非晶非
晶質膜２００人チン化ケイ素膜４００人、Ａｌ膜１００
０人からなる積層膜を作成し、前記実施例１と同様、角
型特性の良い積層垂直磁化膜を得た。波長５００ｎｍで
もカー回転角は劣化せず、ｐｃ基板側から測定して０．
７５°の大きなカー回転角を得た。保磁力も１０ＫＯｅ
と大きな値を示し、実用光磁気材料として好適である。
Ｎ ｄｚａ （Ｆ ａｏ、、Ｃ０ａ−ｚ） ｇｏ非晶質
膜２００人、Ｔ ｂ２２Ｆ ｅｓｌｌｃ ｏ１ｏ非晶非
晶質膜２００人チン化ケイ素膜４００人、Ａｌ膜１００
０人からなる積層膜を作成し、前記実施例１と同様、角
型特性の良い積層垂直磁化膜を得た。波長５００ｎｍで
もカー回転角は劣化せず、ｐｃ基板側から測定して０．
７５°の大きなカー回転角を得た。保磁力も１０ＫＯｅ
と大きな値を示し、実用光磁気材料として好適である。
実施例３゜
ガラス基板上にチン化ケイ素膜４５０人、Ｎｄ４゜（Ｃ
０ａｋｓ Ｆ ｅａ−ｓ） ｓｓｃ ｒ、非晶質膜２０
０人、Ｔｂ２．Ｆｅ、。Ｃｏ１Ｉ、Ｐｔ、非晶質膜２０
００人、チン化アルミニウム１０００人からなる積層膜
を作成し、前記実施例１と同様、保磁力Ｈｃが４ＫＯｅ
の角型特性の良い垂直磁化膜を得た。
０ａｋｓ Ｆ ｅａ−ｓ） ｓｓｃ ｒ、非晶質膜２０
０人、Ｔｂ２．Ｆｅ、。Ｃｏ１Ｉ、Ｐｔ、非晶質膜２０
００人、チン化アルミニウム１０００人からなる積層膜
を作成し、前記実施例１と同様、保磁力Ｈｃが４ＫＯｅ
の角型特性の良い垂直磁化膜を得た。
波長４００ｎｍでもカー回転角は劣化せず、ｐｃ基板側
から測定して０．６０°の大きなカー回転角を得た。
から測定して０．６０°の大きなカー回転角を得た。
実施例４゜
ポリカーボネイト基板上にＮｄ！、Ｐｒ工５ ＣＯ７２
Ｃｒ、非晶質膜２００人、Ｔｂ１． Ｆｃ６． Ｇｏ、
２Ｃｒ、非晶質膜２０００人、ＺｒＯ２膜１０００人か
らなるｌＡ層膜を作成し、前記実施例１と同様、保磁力
１１ｃが４ＫＯｅの角型特性の良い垂直磁化膜を得た、
波長４００ＩＩＩ１１でもカー回転角は劣化せず、干渉
膜なしで０．５°の大きな値を得た。
Ｃｒ、非晶質膜２００人、Ｔｂ１． Ｆｃ６． Ｇｏ、
２Ｃｒ、非晶質膜２０００人、ＺｒＯ２膜１０００人か
らなるｌＡ層膜を作成し、前記実施例１と同様、保磁力
１１ｃが４ＫＯｅの角型特性の良い垂直磁化膜を得た、
波長４００ＩＩＩ１１でもカー回転角は劣化せず、干渉
膜なしで０．５°の大きな値を得た。
実施例５゜
ガラス基板上に、厚さ２０人のＰｒｚ３Ｃｏ７４Ｔａ３
非晶質膜と厚さ１００人のＴ ｂ、、Ｆ ｅ、、Ｃｏ。
非晶質膜と厚さ１００人のＴ ｂ、、Ｆ ｅ、、Ｃｏ。
、Ｃｒ、非晶質膜を交互に、全膜厚が約１０００人にな
るように積層した。実験の結果前記実施例１と同様、保
磁力Ｈｅが５ Ｋ Ｏｅの角型特性の良い垂直磁化膜で
あることが確かめられた。カー回転角は、波長５００ｎ
ｍでも０．４５°の大きな値を得た。
るように積層した。実験の結果前記実施例１と同様、保
磁力Ｈｅが５ Ｋ Ｏｅの角型特性の良い垂直磁化膜で
あることが確かめられた。カー回転角は、波長５００ｎ
ｍでも０．４５°の大きな値を得た。
実施例６゜
ガラス基板上に、Ｐｒ、。Ｔ ｂ□ｏ （Ｆ ｅｏ−ｔ
ｃ Ｏｏ。
ｃ Ｏｏ。
、）６゜非晶質膜２００人、Ｄｙｚ。（Ｆ ａ、、＋、
Ｃｏｏ＊、）７．Ｎｂ４非晶質膜１０００人、ＳｉＮ膜
１０００人を順次積層させ、前記実施例１と同様、保磁
力Ｈｃが５ＫＯｅの角型特性の良い垂直磁化膜を得た。
Ｃｏｏ＊、）７．Ｎｂ４非晶質膜１０００人、ＳｉＮ膜
１０００人を順次積層させ、前記実施例１と同様、保磁
力Ｈｃが５ＫＯｅの角型特性の良い垂直磁化膜を得た。
波長５００ｎＩ１１でのカー回転角は、干渉膜なしで０
．５５°の大きな値を得た。
．５５°の大きな値を得た。
実施例７゜
ガラス基板上に厚さ１０００人のＴｂ、、Ｆｅ、。
Ｃｏ１゜非晶質膜の第一層を形成した後、その上に厚さ
の異なるＮｄ１８Ｔｂ２（Ｆｅ、、、Ｃｏ。、、）、。
の異なるＮｄ１８Ｔｂ２（Ｆｅ、、、Ｃｏ。、、）、。
非晶質膜を′ｉＡ層し、９種類の二層膜を得た。第８図
は、これらの二層膜について得たデータに基いて、残留
カー回転角θにと、二層膜の保磁力と第二層単独の保磁
力の比Ｈｃ ’ ／ ＨＣ”を、第一層と第二層の膜厚
比（ｔｉ／２）の関数として示したものである。ここで
、残留カー回転角は、波長８２２ｎｍのレーザ光で測定
されたものである。保持力比は、角型特性の良さを示す
。すなわち、二層膜全体として、第二層の保磁力（した
がって角型特性）の良さをどの程度受は継いでいるかを
示している。図かられかるように、残留カー回転角θに
は、膜厚比０．００１及至０．２で最高値を示す一方、
０．５を越えると著しく低下する。保磁力比Ｈｃ ’
／ Ｈｃ ”は膜厚比が０．５を越えると著しく低下す
る。よって、高密度の光磁気記録に好適な垂直磁化膜を
得るためには、膜厚比（ｔ□／２）を０．５以下、より
好ましくは０．００１及至０．２にすればよい。
は、これらの二層膜について得たデータに基いて、残留
カー回転角θにと、二層膜の保磁力と第二層単独の保磁
力の比Ｈｃ ’ ／ ＨＣ”を、第一層と第二層の膜厚
比（ｔｉ／２）の関数として示したものである。ここで
、残留カー回転角は、波長８２２ｎｍのレーザ光で測定
されたものである。保持力比は、角型特性の良さを示す
。すなわち、二層膜全体として、第二層の保磁力（した
がって角型特性）の良さをどの程度受は継いでいるかを
示している。図かられかるように、残留カー回転角θに
は、膜厚比０．００１及至０．２で最高値を示す一方、
０．５を越えると著しく低下する。保磁力比Ｈｃ ’
／ Ｈｃ ”は膜厚比が０．５を越えると著しく低下す
る。よって、高密度の光磁気記録に好適な垂直磁化膜を
得るためには、膜厚比（ｔ□／２）を０．５以下、より
好ましくは０．００１及至０．２にすればよい。
Ｆ、効果
本発明によれば、短波長の光を使っても磁気光学効果が
大きく、かつ膜面に対して垂直な方向に強い磁気異方性
を有し、高密度記録が可能な光磁気記録媒体が得られる
。
大きく、かつ膜面に対して垂直な方向に強い磁気異方性
を有し、高密度記録が可能な光磁気記録媒体が得られる
。
第１図は、本発明による光磁気記録媒体の１例の断面図
である。 第２図は、Ｎｄ、。Ｃｏ、。単一膜のカーループ図であ
る。第３図は、Ｔｂ２．Ｆｅ、、単一膜のカーループ図
である。第４図は、Ｎｄ、。Ｇｏ、。／Ｔｂ、。 Ｆ ｅ７．積層膜のカーループ図である。第５図は、Ｎ
ｄ２゜ＣＯｓ ｏ ／ Ｔ ｂ ｚ ５ Ｆ ８ ？
ｓ積層膜における、レーザ光の波長とカー回転角の関係
を示すグラフでアル。第６図は、Ｎｄ２゜ＣＯ＠６ ／
Ｔ ｂ ２５ Ｆ ａ ｔｓｓ層膜の温度と保磁力の
関係を示すグラフである。 第７図は、Ｎｄ、。Ｃｏ＠Ｏ／Ｔｂ２ｓＦｅ−ｒｓ積旧
暦膜温度とカー回転角の関係を示すグラフである。 第８図は、第一磁性層の膜厚をｔ工、第二磁性層の膜厚
をｔ２、第二磁性層単独の保持力をＨｃ”積層膜全体の
保磁力をＨｃ’としたときの、本発明の１実施例におけ
る、保磁力比Ｈｃ ’ ／ Ｈｃ ”と膜厚比（ｔ１／
ｔ２）の関係及びカー回転角と膜厚比（ｔ□／１２）の
関係を示すグラフである。 第１図
である。 第２図は、Ｎｄ、。Ｃｏ、。単一膜のカーループ図であ
る。第３図は、Ｔｂ２．Ｆｅ、、単一膜のカーループ図
である。第４図は、Ｎｄ、。Ｇｏ、。／Ｔｂ、。 Ｆ ｅ７．積層膜のカーループ図である。第５図は、Ｎ
ｄ２゜ＣＯｓ ｏ ／ Ｔ ｂ ｚ ５ Ｆ ８ ？
ｓ積層膜における、レーザ光の波長とカー回転角の関係
を示すグラフでアル。第６図は、Ｎｄ２゜ＣＯ＠６ ／
Ｔ ｂ ２５ Ｆ ａ ｔｓｓ層膜の温度と保磁力の
関係を示すグラフである。 第７図は、Ｎｄ、。Ｃｏ＠Ｏ／Ｔｂ２ｓＦｅ−ｒｓ積旧
暦膜温度とカー回転角の関係を示すグラフである。 第８図は、第一磁性層の膜厚をｔ工、第二磁性層の膜厚
をｔ２、第二磁性層単独の保持力をＨｃ”積層膜全体の
保磁力をＨｃ’としたときの、本発明の１実施例におけ
る、保磁力比Ｈｃ ’ ／ Ｈｃ ”と膜厚比（ｔ１／
ｔ２）の関係及びカー回転角と膜厚比（ｔ□／１２）の
関係を示すグラフである。 第１図
Claims (9)
- （１）希土類元素として軽希土類元素を主に含み、かつ
該軽希土類元素はＮｄとＰｒからなる元素群より選択し
た少なくとも一元素である希土類−遷移金属非晶質膜か
らなる第一の磁性層と、希土類元素としてＴｂとＤｙか
らなる元素群より選択した少なくとも一元素のみを含む
希土類−遷移金属非晶質膜からなる第二の磁性層とを、
少なくとも一層ずつ積層してなることを特徴とする光磁
気記録媒体。 - （２）第二磁性層の厚さ（ｔ＿２）に対する第一磁性層
の厚さ（ｔ＿１）の比（ｔ＿１／＿２）が０．５以下で
ある特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。 - （３）第二磁性層の厚さ（ｔ＿２）に対する第一磁性層
の厚さ（ｔ＿１）の比（ｔ＿１／ｔ＿２）が０．００１
乃至０．２である特許請求の範囲第１項記載の光磁気記
録媒体。 - （４）第一磁性層又は第二磁性層に耐食性を向上させる
遷移金属を含ませた特許請求の範囲第１項記載の光磁気
記録媒体。 - （５）一般式（Ａ＿１＿−＿ａＢ＿ａ）＿ｌ（Ｆｅ＿ｂ
Ｃｏ＿１＿−＿ｂ）＿ｍＴ＿ｎで示され、ＡはＮｄとＰ
ｒからなる軽希土類元素より選択した少なくとも一元素
、Ｂは重希土類元素群より選択した少なくとも一元素、
Ｔは耐食性を向上させる遷移金属元素群より選択した少
なくとも一元素であって、０≦ａ≦０．５、０≦ｂ≦１
であり、原子％で１０≦ｌ≦５０、５０≦ｍ≦９０、０
≦ｎ≦１５、ｎ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する希土類−遷
移金属非晶質膜からなる第一の磁性層と、一般式Ｒ＿ｘ
Ｍ＿ｙＵ＿ｚで示され、ＲはＴｂとＤｙからなる元素群
より選択した少なくとも一元素、ＭはＦｅとＣｏからな
る元素群より選択した少なくとも一元素、Ｕは耐食性を
向上させる遷移金属元素群より選択した少なくとも一元
素であって、原子％で１５≦ｘ≦３５、６５≦ｙ≦８５
、０≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足する希土類
−遷移金属非晶質膜からなる第二の磁性層とを、少なく
とも１層ずつ積層してなる光磁気記録媒体。 - （６）第二磁性層の厚さ（ｔ＿２）に対する第一磁性層
の厚さ（ｔ＿１）の比（ｔ＿１／ｔ＿２）が０．５以下
である特許請求の範囲第５項記載の光磁気記録媒体。 - （７）第二磁性層の厚さ（ｔ＿２）に対する第一磁性層
の厚さ（ｔ＿１）の比（ｔ＿１／ｔ＿２）が０．００１
乃至０．２である特許請求の範囲第５項記載の光磁気記
録媒体。 - （８）上記耐食性を向上させる遷移金属元素群は、Ｔｉ
、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ
、Ａｕ、Ａｌからなる特許請求の範囲第５項記載の光磁
気記録媒体。 - （９）上記重希土類元素群は、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ
、Ｅｒからなる特許請求の範囲第５項記載の光磁気記録
媒体。
Priority Applications (10)
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|---|---|---|---|
| JP1242422A JP2646398B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 光磁気記録媒体 |
| CA002017300A CA2017300C (en) | 1989-09-20 | 1990-05-22 | Magneto-optical recording medium |
| GB909014399A GB9014399D0 (en) | 1989-09-20 | 1990-06-28 | Magneto-optical recording medium |
| US07/551,973 US5030512A (en) | 1989-09-20 | 1990-07-12 | Magneto-optical recording medium |
| CN90107062A CN1019242B (zh) | 1989-09-20 | 1990-08-20 | 磁光记录介质 |
| KR1019900012789A KR930009224B1 (ko) | 1989-09-20 | 1990-08-20 | 광자기 기록 매체 |
| MYPI90001394A MY106198A (en) | 1989-09-20 | 1990-08-20 | Magneto-optical recording medium. |
| EP90310126A EP0419169B1 (en) | 1989-09-20 | 1990-09-17 | Magneto-optical recording medium |
| DE69020992T DE69020992T2 (de) | 1989-09-20 | 1990-09-17 | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium. |
| HK24096A HK24096A (en) | 1989-09-20 | 1996-02-08 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242422A JP2646398B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108144A true JPH03108144A (ja) | 1991-05-08 |
| JP2646398B2 JP2646398B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=17088880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5030512A (ja) |
| EP (1) | EP0419169B1 (ja) |
| JP (1) | JP2646398B2 (ja) |
| KR (1) | KR930009224B1 (ja) |
| CN (1) | CN1019242B (ja) |
| CA (1) | CA2017300C (ja) |
| DE (1) | DE69020992T2 (ja) |
| GB (1) | GB9014399D0 (ja) |
| HK (1) | HK24096A (ja) |
| MY (1) | MY106198A (ja) |
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| DE4029874A1 (de) * | 1990-09-21 | 1992-03-26 | Basf Ag | Magnetooptische datenplatte mit pt-haltiger leseschicht |
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-
1989
- 1989-09-20 JP JP1242422A patent/JP2646398B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-22 CA CA002017300A patent/CA2017300C/en not_active Expired - Fee Related
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- 1990-09-17 DE DE69020992T patent/DE69020992T2/de not_active Expired - Fee Related
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-
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- 1996-02-08 HK HK24096A patent/HK24096A/xx not_active IP Right Cessation
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