JPH01169758A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH01169758A JPH01169758A JP32531887A JP32531887A JPH01169758A JP H01169758 A JPH01169758 A JP H01169758A JP 32531887 A JP32531887 A JP 32531887A JP 32531887 A JP32531887 A JP 32531887A JP H01169758 A JPH01169758 A JP H01169758A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ光を用いて記録、再生、消去を行う光
磁気記録媒体に係り、特に、長寿命、高信頼性の光磁気
記録媒体に関する。
磁気記録媒体に係り、特に、長寿命、高信頼性の光磁気
記録媒体に関する。
高度情報化社会の進展に伴い、高密度、大容量でしかも
ランダムアクセスの可能な可逆光ディスクが注目されて
おり、その中で最も実用化に近い段階にあるのが光磁気
記録である。光磁気記録用材料としては、現在、希土類
−鉄族元素の組合わせを主体とする非晶質合金が有望視
されており、特に、Tb−Fe−Co系が開発の中心と
なっている。しかし、希土類−鉄族元素の組合わせは大
気中の水分あるいは酸素に対して活性であり、容易に反
応して、酸化物や水酸化物を形成したり、局部腐食によ
り膜に穴があくことがあり、ディスクの寿命および信頼
性を低下させる原因となっていた。これを防ぐための手
段として、これまでに、単層の記録媒体について、不動
態形成金属あるいは貴金属を添加することの提案が行わ
れている。
ランダムアクセスの可能な可逆光ディスクが注目されて
おり、その中で最も実用化に近い段階にあるのが光磁気
記録である。光磁気記録用材料としては、現在、希土類
−鉄族元素の組合わせを主体とする非晶質合金が有望視
されており、特に、Tb−Fe−Co系が開発の中心と
なっている。しかし、希土類−鉄族元素の組合わせは大
気中の水分あるいは酸素に対して活性であり、容易に反
応して、酸化物や水酸化物を形成したり、局部腐食によ
り膜に穴があくことがあり、ディスクの寿命および信頼
性を低下させる原因となっていた。これを防ぐための手
段として、これまでに、単層の記録媒体について、不動
態形成金属あるいは貴金属を添加することの提案が行わ
れている。
例えば、特開昭第61−80307号は前者について、
特開昭第61−255546号は後者について提案を行
っているものである。
特開昭第61−255546号は後者について提案を行
っているものである。
また、優れた磁気性能を示す光磁気媒体を得る方法とし
て、最近、磁気的性質の異なる希土類−鉄族系合金記録
層を組合わせて多層構造とすることの提案が行われてい
る。この例としては1例えば、62年春季(第47回)
応用物理学会学術講演会講演予稿集721頁記載の報文
を挙げることができる。
て、最近、磁気的性質の異なる希土類−鉄族系合金記録
層を組合わせて多層構造とすることの提案が行われてい
る。この例としては1例えば、62年春季(第47回)
応用物理学会学術講演会講演予稿集721頁記載の報文
を挙げることができる。
しかしながら、記録層への不動態形成金属あるいは貴金
属の添加は、記録層の耐食性についての改善効果は認め
られるが、添加しない場合に比べ、磁気性能を低下させ
るという負の効果を示す問題点があった。また、記り層
を多層構造とすることについては、従来技術においては
、磁気性能の向上が主な目的となっており、耐食性につ
いては十分な配慮がなされていなかったため、酸化還元
電位の異なる合金の組合わせにより、通常の構造の光磁
気ディスクの場合よりも腐食の進行が促進される場合も
あり、日時の経過とともに、磁気特性が低下するという
問題点があった。
属の添加は、記録層の耐食性についての改善効果は認め
られるが、添加しない場合に比べ、磁気性能を低下させ
るという負の効果を示す問題点があった。また、記り層
を多層構造とすることについては、従来技術においては
、磁気性能の向上が主な目的となっており、耐食性につ
いては十分な配慮がなされていなかったため、酸化還元
電位の異なる合金の組合わせにより、通常の構造の光磁
気ディスクの場合よりも腐食の進行が促進される場合も
あり、日時の経過とともに、磁気特性が低下するという
問題点があった。
本発明の目的は、希土類−鉄族系合金層からなる光磁気
記録媒体において、上記従来技術にみられた問題点を解
決し、磁気特性に優れ、かつ、磁気特性の経口変化の極
めて小さい、信頼性の高い光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
記録媒体において、上記従来技術にみられた問題点を解
決し、磁気特性に優れ、かつ、磁気特性の経口変化の極
めて小さい、信頼性の高い光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
上記目的は、多層の希土類−鉄族系合金層からなる光磁
気記録媒体において、各記録層中に、不動態形成元素で
あるTi、Ta、Nb、AI2.Crの中から選ばれる
少なくとも1種類の元素と、貴金属であるPt、Pd、
Rh、Auの中から選ばれる少なくとも1種類の元素と
を同時に添加すること、さらに、記録層の情報読出し側
の面あるいはそれと反対側の面あるいはその双方の近傍
に窒素を含む層を設けることによって達成することがで
きる。
気記録媒体において、各記録層中に、不動態形成元素で
あるTi、Ta、Nb、AI2.Crの中から選ばれる
少なくとも1種類の元素と、貴金属であるPt、Pd、
Rh、Auの中から選ばれる少なくとも1種類の元素と
を同時に添加すること、さらに、記録層の情報読出し側
の面あるいはそれと反対側の面あるいはその双方の近傍
に窒素を含む層を設けることによって達成することがで
きる。
希土類−鉄族系非晶質合金薄膜に生ずる腐食は、大別し
て、膜表面全体にわたり均一に生ずる湿食と、腐食性イ
オンやゴミ等の異物によりひきおこされる局部腐食性の
孔食とに分けられるが、添加元素Ti、Ta、Nb、A
Q 、Crの群は水分、酸素と反応して不動態膜を形成
してその拡散を抑制する作用を示し、添加元素pt、P
d、Rh、Auの群は薄膜表面にこれら元素が濃縮して
存在し、保護層として働くことによって孔食を抑制する
作用を示すので、上記2つの元素群のそれぞれから選ば
れる1種類以上の元素を同時に添加することによって、
湿食、孔食双方の腐食を抑制することができる。また、
これらの元素を添加することによって合金の酸化還元電
位が変化するので、前記多層構造にしたことにより生ず
る特有の腐食の発生を抑制する効果もある。
て、膜表面全体にわたり均一に生ずる湿食と、腐食性イ
オンやゴミ等の異物によりひきおこされる局部腐食性の
孔食とに分けられるが、添加元素Ti、Ta、Nb、A
Q 、Crの群は水分、酸素と反応して不動態膜を形成
してその拡散を抑制する作用を示し、添加元素pt、P
d、Rh、Auの群は薄膜表面にこれら元素が濃縮して
存在し、保護層として働くことによって孔食を抑制する
作用を示すので、上記2つの元素群のそれぞれから選ば
れる1種類以上の元素を同時に添加することによって、
湿食、孔食双方の腐食を抑制することができる。また、
これらの元素を添加することによって合金の酸化還元電
位が変化するので、前記多層構造にしたことにより生ず
る特有の腐食の発生を抑制する効果もある。
また、記録層の情報読出し側の面あるいはそれと反対側
の面あるいはその双方の近傍に窒素を含む層を設けるこ
とによって、この層の酸素拡散係数が著しく小さく、か
つ、腐食イオンに対する活性が低いために、さらに高い
耐食性を与えることができる。
の面あるいはその双方の近傍に窒素を含む層を設けるこ
とによって、この層の酸素拡散係数が著しく小さく、か
つ、腐食イオンに対する活性が低いために、さらに高い
耐食性を与えることができる。
以下、本発明の光磁気記録媒体について、実施例によっ
て説明する。
て説明する。
実施例1゜
第1図は本発明による光磁気記録媒体(ディスり)の断
面構造を示す模式図で、基板1、下地膜2.第1記録層
3および第2記録層4からなることを示す。
面構造を示す模式図で、基板1、下地膜2.第1記録層
3および第2記録層4からなることを示す。
まず、基板(ガラスあるいは透明プラスチック)1の表
面についてArを放電ガスとしてスパッタエツチングを
行った後、放電ガスをAr、ZrO2焼結体をスパッタ
ターゲットとし、放電ガス圧力I X 10−” To
rr、投入RF電力密度4.2W/an”で20分間の
スパッタリングを行い、膜厚750人、屈折率n=2.
10の下地膜2を作成した。次に、放電ガスをAr+
(Gdo、5Tbo、t)zi(Feo、tCOo、a
)t。
面についてArを放電ガスとしてスパッタエツチングを
行った後、放電ガスをAr、ZrO2焼結体をスパッタ
ターゲットとし、放電ガス圧力I X 10−” To
rr、投入RF電力密度4.2W/an”で20分間の
スパッタリングを行い、膜厚750人、屈折率n=2.
10の下地膜2を作成した。次に、放電ガスをAr+
(Gdo、5Tbo、t)zi(Feo、tCOo、a
)t。
(P to、s Nbo、Jtなる組成の合金をスパッ
タターゲラ1〜とし、放電ガス圧力5 X 10−’
Torr、投入RF電力密度4.2W/■2で2分間の
スパッタリングを行い、膜厚200人の第1記録層3を
形成し、つづいて、放電ガスをArt Tb24Fe、
、Co□、Nb。
タターゲラ1〜とし、放電ガス圧力5 X 10−’
Torr、投入RF電力密度4.2W/■2で2分間の
スパッタリングを行い、膜厚200人の第1記録層3を
形成し、つづいて、放電ガスをArt Tb24Fe、
、Co□、Nb。
Pt5からなる組成の合金をスパッタターゲットとし、
放電ガス圧力5 X 1O−3T orr、投入RF電
力密度4.5W/an”で5分間のスパッタリングを行
い、さらに、放電を中止することなく、雰囲気ガスをA
rからN2に切換え、他の条件は上記と同一条件でスパ
ッタリングを行い、膜厚800人の第2記録層4の形成
を行った。
放電ガス圧力5 X 1O−3T orr、投入RF電
力密度4.5W/an”で5分間のスパッタリングを行
い、さらに、放電を中止することなく、雰囲気ガスをA
rからN2に切換え、他の条件は上記と同一条件でスパ
ッタリングを行い、膜厚800人の第2記録層4の形成
を行った。
また、比較試料(1)として、上記記録層組成中Nb、
Ptを除いた、Gd、Tb、Fe、Coのみからなる第
1記録層およびTb、Fa、Coのみからなる第2記録
層を有し、最後にN2雰囲気中のスパッタリングを行っ
た試料を作成した。
Ptを除いた、Gd、Tb、Fe、Coのみからなる第
1記録層およびTb、Fa、Coのみからなる第2記録
層を有し、最後にN2雰囲気中のスパッタリングを行っ
た試料を作成した。
上記2種類の試料について磁気特性の評価を行った結果
、本発明による試料はθに=0.79’ 、 HC=6
KOe、Tc=210℃、 T camp = 80℃
の特性を示し、比較試料(I)の特性はθに=0.81
″’、Hc= 5 K Oe、 Tc=200℃、 T
comp = 90℃で、両者間に特に大きな差異は
認められなかった。この結果から、記B層中のNb、P
tの存在の有無は、磁気特性、特に、情報読出しに重要
なθk(カー回転角)およびデータ保持に重要なHe(
保磁力)にはほとんど影響を与えないことが知られる。
、本発明による試料はθに=0.79’ 、 HC=6
KOe、Tc=210℃、 T camp = 80℃
の特性を示し、比較試料(I)の特性はθに=0.81
″’、Hc= 5 K Oe、 Tc=200℃、 T
comp = 90℃で、両者間に特に大きな差異は
認められなかった。この結果から、記B層中のNb、P
tの存在の有無は、磁気特性、特に、情報読出しに重要
なθk(カー回転角)およびデータ保持に重要なHe(
保磁力)にはほとんど影響を与えないことが知られる。
次に、上記2種類の試料について、磁気ディスクとして
の特性評価および寿命評価を行った。まず、特性につい
ては、C/N (搬送波対雑音比)は両者とも55dB
(f =2.22MHz、レーザ出力8mW2m場4
000e)で同一の値を示した。寿命評価については、
これらのディスクを60℃95%RHの雰囲気中に放置
した場合のC/Nおよびピットエラーレイトの経時変化
について検討し、第2図に示すような結果を得た。すな
わち、まずC/Nについては、比較試料(1)が約15
00時間を越えたところで急激な劣化を示すのに対し、
本発明試料は約4500時間を越したところから僅かの
減少を示すに止まっている。ここで、比較試料(1)の
急激な劣化は、記録層の酸化が基板側まで到達したこと
を示すものである。また、ピットエラーレイトについて
は、比較試料(1)が約300時間経過後から増加しは
じめ、約500時間経過後から急激な増大を示すのに対
して、本発明試料の場合、約3000時間経過後漸く僅
かずつの増加を示すにとどまっている。
の特性評価および寿命評価を行った。まず、特性につい
ては、C/N (搬送波対雑音比)は両者とも55dB
(f =2.22MHz、レーザ出力8mW2m場4
000e)で同一の値を示した。寿命評価については、
これらのディスクを60℃95%RHの雰囲気中に放置
した場合のC/Nおよびピットエラーレイトの経時変化
について検討し、第2図に示すような結果を得た。すな
わち、まずC/Nについては、比較試料(1)が約15
00時間を越えたところで急激な劣化を示すのに対し、
本発明試料は約4500時間を越したところから僅かの
減少を示すに止まっている。ここで、比較試料(1)の
急激な劣化は、記録層の酸化が基板側まで到達したこと
を示すものである。また、ピットエラーレイトについて
は、比較試料(1)が約300時間経過後から増加しは
じめ、約500時間経過後から急激な増大を示すのに対
して、本発明試料の場合、約3000時間経過後漸く僅
かずつの増加を示すにとどまっている。
このような結果は、Nbの代りにTi、 Ta。
AQあるいはCrを用い、ptの代りにPd、Rhある
いはAuを用いた場合にも全く同様に得られており、上
記2群からそれぞれ選ばれる元素の記録層に対する添加
が記録層の耐食性向上に極めて有効であることを示して
いる。
いはAuを用いた場合にも全く同様に得られており、上
記2群からそれぞれ選ばれる元素の記録層に対する添加
が記録層の耐食性向上に極めて有効であることを示して
いる。
ここで留意する必要があるのは上記添加元素の添加量で
、その添加量は記録層の爪面磁気異方性エネルギーKu
に変化を与え、ディスク特性に大きく影響する。一般に
、垂直磁化膜として安定に存在し得るのはKu= 2
X 10’ J / m3以上であると言われており、
この値以下になることは好ましくない。この問題につい
て検討を加えた結果、例えばPt−Nb添加の場合、少
なくとも15原子%以下、好ましくは6〜13原子%が
適切であることが知られた。
、その添加量は記録層の爪面磁気異方性エネルギーKu
に変化を与え、ディスク特性に大きく影響する。一般に
、垂直磁化膜として安定に存在し得るのはKu= 2
X 10’ J / m3以上であると言われており、
この値以下になることは好ましくない。この問題につい
て検討を加えた結果、例えばPt−Nb添加の場合、少
なくとも15原子%以下、好ましくは6〜13原子%が
適切であることが知られた。
実施例2゜
まず、基板(ガラスあるいは透明プラスチック)1の表
面についてArを放電ガスとしてスパッタエツチングを
行った後、放電ガスをΔr、Si、N、。
面についてArを放電ガスとしてスパッタエツチングを
行った後、放電ガスをΔr、Si、N、。
焼結体をスパッタターゲットとし、放電ガス圧力I X
1O−2Torr、投入RF電力密度4 、2 W
/ m 2で15分間のスパッタリングを行い、膜厚6
00人、屈折率n=2.3のSi、N4下地膜2を作成
した1次に。
1O−2Torr、投入RF電力密度4 、2 W
/ m 2で15分間のスパッタリングを行い、膜厚6
00人、屈折率n=2.3のSi、N4下地膜2を作成
した1次に。
放電ガスをAre (Gdo、5Ndo、s):+s
(Fea、5Coo、4)、□(C:r、、、 Pt6
.、)4なる組成の合金をスパッタターゲットとし、放
電ガス圧力 5X10−3T orr、投入RF電力密
度4 、2 W / an ”で1.5分間のスパッタ
リングを行い、膜厚150人の第1記録層3を作成し、
つづいて、放電ガスをAr、 Tb、4F e5s C
01g (Nb0.3 P t(1,7)iなる組成の
合金をスパッタターゲットとし、放電ガス圧力 5X1
0−”T orr、投入RF11t力密度4 、5 W
/ 01 ”で7.5分間のスパッタリングを行い、
さらに、放電を中止することなく、雰囲気ガスをArか
らN2に切換え、他の条件は上記と同一の条件でスパッ
タリングを行い、膜厚850人の第2記録層4の形成を
行った。
(Fea、5Coo、4)、□(C:r、、、 Pt6
.、)4なる組成の合金をスパッタターゲットとし、放
電ガス圧力 5X10−3T orr、投入RF電力密
度4 、2 W / an ”で1.5分間のスパッタ
リングを行い、膜厚150人の第1記録層3を作成し、
つづいて、放電ガスをAr、 Tb、4F e5s C
01g (Nb0.3 P t(1,7)iなる組成の
合金をスパッタターゲットとし、放電ガス圧力 5X1
0−”T orr、投入RF11t力密度4 、5 W
/ 01 ”で7.5分間のスパッタリングを行い、
さらに、放電を中止することなく、雰囲気ガスをArか
らN2に切換え、他の条件は上記と同一の条件でスパッ
タリングを行い、膜厚850人の第2記録層4の形成を
行った。
また、比較試料(n)として、上記記録層組成中Cr、
Nb、Ptを除いた。 Gd、 Nd、 Fe、 Co
のみからなる第1記録層およびTb、Fe、Coのみか
らなる第2記録層を有し、かつ、最終工程でN2雰囲気
中でのスパッタリングを行わない試料を作成した。
Nb、Ptを除いた。 Gd、 Nd、 Fe、 Co
のみからなる第1記録層およびTb、Fe、Coのみか
らなる第2記録層を有し、かつ、最終工程でN2雰囲気
中でのスパッタリングを行わない試料を作成した。
上記2種類の試料について磁気特性の評価を行った結果
、本発明による試料はθに=0.83°。
、本発明による試料はθに=0.83°。
Hc=6KOeの特性を示し、比較試料(II)の特性
はθに=o、85°、I(c=7KOeで、この場合も
、実施例1の場合と同様に、本発明による試料と比較試
料との間に特に大きな相違はみとめられなかった。
はθに=o、85°、I(c=7KOeで、この場合も
、実施例1の場合と同様に、本発明による試料と比較試
料との間に特に大きな相違はみとめられなかった。
次に、上記2種類の試料について、磁気ディスクとして
の特性評価および寿命評価を行った。まず、特性につい
ては、C/Nは両者とも57d B(f =2.22M
Hz、レーザ出力8mW)で同一の値を示した。また、
寿命評価については、これらのディスクを60℃95%
RHの雰囲気中に放置した場合のC/Nおよびピットエ
ラーレイトの経時変化について検討し、第3図に示すよ
うな結果を得た。
の特性評価および寿命評価を行った。まず、特性につい
ては、C/Nは両者とも57d B(f =2.22M
Hz、レーザ出力8mW)で同一の値を示した。また、
寿命評価については、これらのディスクを60℃95%
RHの雰囲気中に放置した場合のC/Nおよびピットエ
ラーレイトの経時変化について検討し、第3図に示すよ
うな結果を得た。
まずC/Hについては、比較試料(U)が500時間経
過後から減少しはじめ、1000時間経過後急激な減少
を示すのに対し、本発明試料は4000時間経過までほ
とんど変化せず、その後僅かに減少の傾向を示すにとど
まっている。また、ピットエラーレイトについては、比
較試料(II)が300時間経過後から増大しはじめ、
約600時間経過後から急激な増大を示すのに対して、
本発明試料の場合、約3000時間まではほとんど変化
なく、その後、僅かずつの増大を示すにとどまるという
結果になっている。
過後から減少しはじめ、1000時間経過後急激な減少
を示すのに対し、本発明試料は4000時間経過までほ
とんど変化せず、その後僅かに減少の傾向を示すにとど
まっている。また、ピットエラーレイトについては、比
較試料(II)が300時間経過後から増大しはじめ、
約600時間経過後から急激な増大を示すのに対して、
本発明試料の場合、約3000時間まではほとんど変化
なく、その後、僅かずつの増大を示すにとどまるという
結果になっている。
実施例3゜
第4図は本発明による光磁気記録媒体の本実施例の断面
構造を示す模式図で、基板1、第1記録層3および第2
記録層4からなることを示す。
構造を示す模式図で、基板1、第1記録層3および第2
記録層4からなることを示す。
第1表は、本実施例光磁気記録媒体の第1記録層および
第2記録層それぞれの合金組成、その磁気特性、寿命評
価結果を示す表で、第1記録層および第2記録層の形成
条件、特性評価条件、寿命評価条件は、それぞれ、実施
例1の場合と同一の条件を適用したものである。
第2記録層それぞれの合金組成、その磁気特性、寿命評
価結果を示す表で、第1記録層および第2記録層の形成
条件、特性評価条件、寿命評価条件は、それぞれ、実施
例1の場合と同一の条件を適用したものである。
表の結果から、各種の希土類−鉄族系合金からなる記り
層を有する光磁気記録媒体において、各記録層に不動態
形成元素Ti、Ta、Nb、AQ。
層を有する光磁気記録媒体において、各記録層に不動態
形成元素Ti、Ta、Nb、AQ。
Crおよび資金族元素Pt、Pb、Rh、Auのそれぞ
れから選ばれる少なくとも1種類の元素を同時に添加す
ること、および、記録層表面に窒素を含む層を設けるこ
と、が記録層の耐腐食性向上に極めて有効な効果を示す
ことが知られる。
れから選ばれる少なくとも1種類の元素を同時に添加す
ること、および、記録層表面に窒素を含む層を設けるこ
と、が記録層の耐腐食性向上に極めて有効な効果を示す
ことが知られる。
以下余白
〔発明の効果〕
以上述べてきたように、希土類−鉄族系合金を記録層と
して有する光磁気媒体を本発明の構成とすること、すな
わち、記録層を多層からなるものとし、各記録層に、不
動態形成元素Ti、Ta。
して有する光磁気媒体を本発明の構成とすること、すな
わち、記録層を多層からなるものとし、各記録層に、不
動態形成元素Ti、Ta。
Nb、 An 、 C:rおよび貴金属元素Pt、 P
d、 Rh。
d、 Rh。
Auのそれぞれから選ばれる少なくとも1種類の元素を
同時に添加すること、および、さらに、情報読出し側の
面あるいはそれと反対側の面あるいはその双方の近傍に
窒素を含む層を設けた構成とすること、によって、従来
技術にみられた問題点を解決して、光磁気特性を高水準
に維持し、しかも、特性の経時変化の極めて小さい、信
頼性の高い光磁気記録媒体を提供することができた。
同時に添加すること、および、さらに、情報読出し側の
面あるいはそれと反対側の面あるいはその双方の近傍に
窒素を含む層を設けた構成とすること、によって、従来
技術にみられた問題点を解決して、光磁気特性を高水準
に維持し、しかも、特性の経時変化の極めて小さい、信
頼性の高い光磁気記録媒体を提供することができた。
また、このような構成とすることによって、あらためて
保護膜を設けることの不要な光磁気記録媒体を得ること
ができるので、製造工程の簡略化が可能となった。
保護膜を設けることの不要な光磁気記録媒体を得ること
ができるので、製造工程の簡略化が可能となった。
なお、貴金属元素を含むことにより反射率が向上し、性
能係数(fπ・θk)が向上するのでC/Nが向上する
という効果もある。
能係数(fπ・θk)が向上するのでC/Nが向上する
という効果もある。
第1図、第4図は本発明の光磁気記録媒体の断面構造を
示す模式図、第2図、第3図は本発明光磁気記録媒体お
よび比較試料を60℃95%RHの雰囲気中に放置した
場合のC/Nおよびピットエラーレイトの経時変化を示
す図である。 1・・・基板 2・・・下地膜3・・・第1
記録層 4・・・第2記録層代理人弁理士 中
村 純之助
示す模式図、第2図、第3図は本発明光磁気記録媒体お
よび比較試料を60℃95%RHの雰囲気中に放置した
場合のC/Nおよびピットエラーレイトの経時変化を示
す図である。 1・・・基板 2・・・下地膜3・・・第1
記録層 4・・・第2記録層代理人弁理士 中
村 純之助
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に、大きなカー回転角あるいはファラデー回
転角あるいはその双方を有する第1記録層と、高保磁力
を有し、かつ、基板と垂直の方向に磁化容易軸を有する
第2記録層との少なくとも2層からなる多層構造を設け
、レーザ光を用いて情報の記録、再生、消去を行う光磁
気記録媒体において、上記記録層中に、不動態化合物を
形成するTi、Ta、Nb、Al、Crの中から選ばれ
る少なくとも1種類の元素と、貴金属であるPt、Pd
、Rh、Auの中から選ばれる少なくとも1種類の元素
とを同時に添加し、さらに、情報読出し側の面あるいは
それと反対側の面あるいはその双方の近傍に窒素を含む
層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。 2、上記第1記録層が、Gd、Tb、Dy、Ho、Nd
、Pr、Sm、Ceの中から選ばれる少なくとも1種類
もしくは2種類の元素と、Fe、Coのいずれか一方あ
るいは双方の元素とを主体とする合金、さらに優位には
非晶質合金、からなる記録層であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体。 3、上記第2記録層が、Tb、Dy、Hoの中から選ば
れる少なくとも1種類の元素と、Fe、Coのいずれか
一方あるいは双方の元素とを主体とし、垂直磁気異方性
を有する合金、さらに優位には非晶質合金、からなる記
録層であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32531887A JPH01169758A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32531887A JPH01169758A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01169758A true JPH01169758A (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=18175482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32531887A Pending JPH01169758A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01169758A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03108144A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光磁気記録媒体 |
JPH04160480A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-03 | Nec Corp | 回路図移動方式 |
CN114015983A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-02-08 | 之江实验室 | 一种体垂直各向异性的亚铁磁合金薄膜及其制备方法 |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP32531887A patent/JPH01169758A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03108144A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光磁気記録媒体 |
JPH04160480A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-03 | Nec Corp | 回路図移動方式 |
CN114015983A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-02-08 | 之江实验室 | 一种体垂直各向异性的亚铁磁合金薄膜及其制备方法 |
CN114015983B (zh) * | 2021-11-04 | 2022-06-07 | 之江实验室 | 一种体垂直各向异性的亚铁磁合金薄膜及其制备方法 |
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