JPS59188106A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JPS59188106A
JPS59188106A JP58060800A JP6080083A JPS59188106A JP S59188106 A JPS59188106 A JP S59188106A JP 58060800 A JP58060800 A JP 58060800A JP 6080083 A JP6080083 A JP 6080083A JP S59188106 A JPS59188106 A JP S59188106A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はキュリ一温度がより低い酸化物磁性体からなる
磁性薄層を有する光磁気記録媒体に関する。さらに詳し
くは、本発明はレーザ光などの光熱によって情報を書き
込み記録できる光磁気記録媒体に関する。
従来技術 従来、非晶質磁性層を有する記録媒体を用いて光磁気記
録を行うことが知られている。しかしながら、これら非
晶質磁性層は酸化され易く酸化されると光磁気特性が劣
化するために磁性層を形成した直後にその上に保護層を
設ける必要があシまたこの保護層のピンホールを完全に
除去することは困難であるので製造上の難点がある。ま
た、磁性膜作製時に真空中に残存する酸素が磁性膜層中
に多（取り込まれるために記録時の光熱によって酸化が
促進し光磁気特性を劣化させる原因となる。また、酸化
劣化のない磁性材料として六方晶系Ｍ型フェライトがパ
ブル材料として検討されてきたが、この材料はキュリ一
温度が４００℃以上と高いためにレーザ光によって記録
できる光磁気記録材料には適用されていない。
目　　　的 上記問題に鑑みて本発明はなされたものであって、その
目的はレーザ光によって記録再生可能な磁気記録媒体に
酸化や腐蝕がなく且つ磁気特性の劣化がない酸化物磁性
体を提供することである。また、本発明の別の目的はキ
ュリ一温度が低く且つ半導体レーザによって記録可能な
光磁気記録媒体を提供することである。
構成 上記目的を達成するために、本発明の光磁気記録媒体は
透明基板上に、一般式 ％式％）） （式中、ＭｅはＢａ、　Ｓｒおよびｐｂからなる群より
選ばれた少なくとも１種の元素であり、ＭＩは（）ａま
たはＧｅであり、ＭｌｌはＢ１、Ｇｄ、　Ｔｂ１Ｄｙ、
　Ｈｏ。
Ｌａ、　Ｙ、　Ｃｏ、Ｚｎ、　Ｔｉ、　Ｓｉ、Ｃａ、　
Ｃｒ、　ＮｉおよびＡｔからなる群よシ選ばれた少なく
とも１種の元素であり、ただし１＜ｘ≦８、ｏ＜ｙ≦６
および１＜ｘ＋ｙ≦８である）で表わされる酸化物磁性
体からなる磁性薄膜層を設けて構成される。場合により
さらにこの磁性薄膜層上に透明誘電層を介しであるいは
介さずに反射層を設けてもよい。
本発明における磁性薄膜層を構成する酸化物磁性体は、
従来の一般的ＭｅＦｅ１２０Ｂ＋型酸化物（例えばＭｅ
はＢａ５Ｓｒまたはｐｂである）はキュリ一温度が４０
０℃以上と高く光磁気メモリーに適用できないことに着
目して、キュリ一温度をより低くして光磁気記録媒体に
適用できるように改良されたものである。すなわち、本
発明ではＦｅの１部をイオン半径が小さく置換が容易な
Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅで置換してキュリ一温度を下げるよう
に意図されている。また、磁気特性および磁気光学特性
を改良するためにＦｅの１部をＢｉ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ
、Ｈｏ等で置換したものである。ここで、本発明の酸化
物磁性体の代表的な例をあげれば次のとおりである。
ＢａＡｌ−（）ａ　４　Ｆｅ　７０１９、　　５ｒＡｌ
Ｇａ４，５Ｆｅ５０１９、ＢａＡｔＧｅ２（）ｅ３Ｆｅ
６０１９、　ＢａＡｔＧｅ３，７５Ｆｅ６０１９、Ｐｂ
Ａ７Ｇｅ４−５Ｆｅ５０１９、　　　ＢａＡＡ２Ｇａ３
Ｆｅ７０１９、ＳｒＡｌ−Ｇｅ　３＋７５Ｆ”ｅ６ｏ１
９、　５ｒＬａＧａ５．７５Ｆｅ６０１９、ＢａＧａ３
ＴｂＦｅＢＯ１９、ＢａＧａ３ＤｙＦｅＢＯ１９，５ｒ
ＧａＴｂ３Ｆｅ＋６０１９、　　　ＢａＧｅ（）ｄ３Ｆ
ｅＢＯ１９、ＢａＧａ３Ｓｉ　７０１９、　　　　Ｂａ
（）ａ３ＢｉＦｅＢＯ１９，５ｒＧａ４Ｂｉ２Ｆｅ６０
１９、　　　ＢａＧｅ３Ｂｉ　２Ｆ’ｅ７ｏ１９、Ｂａ
Ｇａ５．５３ＣｏＦｅ７０１９、　５ｒＧａ４Ｓｉ　ｉ
、５”’−６ｏ１９、ＢａＧａ３Ｓｉ　１，５Ｆｅ６ｏ
１９、　　ＢａＧｅ４ＺｎＦｅ６０１９．５ｒＧｅ３Ｔ
ｉ１，５Ｆｅ６０１９、　　ＢａＡｔＧｅ　５　Ｆ　ｅ
　７０１９、ＰｂＡｔＧｅ３Ｆｅ７０１９、　　５ｒＡ
ｔＧｅ３Ｆｅ７０１９、ＢａＧｅ２Ｇｄ５Ｆｅ６．３０
１９、　　Ｂａ（）ｅ　２＋５Ｂｉ　２Ｆｅ　７０１９
、Ｂａｄ）ｅ３，７５ＺｎＦｅ　７０１９、　５ｒ（）
ａ５ｓｉ　１．５Ｆｅ５ｏ１９．５ｒ（）ｅ３’Ｉ’１
２Ｆｅ６０１９゜次に、本発明を図面について説明する
。
本発明の光磁気記録媒体の層構成の一例を第１図に示す
。透明基板１上に磁性薄膜層２を設け、さらにこの上に
反射層３を順次設けたものである。透明基板としては石
英ガラス、パイレックスガラスなどを用いることができ
る。磁性薄膜層は本発明の上記酸化物磁性体をスパッタ
リング法、蒸着法またはイオンビーム法等によって透明
基板上に膜厚０．１〜１０μｍで積層される。
反射膜層としてはＣｕ、　ＡｔＳＡｇ、　Ａｕ、　Ｐｔ
等の金属膜またはＴｉＮ、　ＴａＮ等の窒化物などが用
いられ好ましくは５００〜１ｏｏｏｏＡ程度の厚さで形
成される。また、第２図に示すように、磁性薄膜２の上
に透明誘電層４を磁気光学特性の向上すなわちファラデ
ー回転角をエンノ・ンスメント効果によシ増大する目的
で設けることができる。この透明誘電層としては５ｉ０
２、Ｓｉｎ、　ＴｉＯ２、ＴｉＯ１ＣｅＯ等が用いられ
る。また、第６図に示すように、反射膜層６を保護する
ためにプラスチック、’Ｉ’　ｉ　Ｎ、ＳｉＮ、　Ｔａ
Ｎ、　５ｉ０２、ＳｉＯ等の保護膜６を設けることもで
きる。さらに、本発明の光磁気記録媒体には第６図に示
すように案内溝５を設けて記録、再生時のレーザ光をガ
イドすることもできる。この案内溝５は磁性薄膜層２上
にＵ、Ｖポリマーを塗布した後凹凸の金型を圧着し、硬
化させた後金型を除去して得た凹凸プラスチック上に反
射膜層６をスパッター法または蒸着法によって積層する
ことによって作製することかできる。
実施例 以下−に比較例と共に実施例を掲げて本発明をさらに詳
しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
実施例　１ 石英ガラス基板上にＢａＡ／＝Ｇａ　４　Ｆｅ　７０１
９の組成よりなるターゲットを用いて、５５０℃の基板
温度、Ｑ、３ｍＴｏｒｒの酸素分圧および６０　ｗ　Ｔ
ｏｒｒの総ガス圧で２５Ｘ／分の膜作製速度において膜
厚１μｍの磁性薄膜を積層した。次に、この磁性薄膜の
上にさらにＡＡ反射膜を膜厚１０００人で積層して記録
媒体を作製した。キュリ一温度は２１０℃でＭｓは８０
　ｅｍｕ／ｃｃ、、Ｈｃは４．’　５　ＫＯｅであり光
磁気記録媒体−とじて良い特性であった。この記録媒体
を一方向に磁化させ、この磁化の方向と逆の磁界をＱ、
５　ＫＯｅ印加しながら、半導体レーザ出力１ＱｍＷ、
媒体面約５　ｍＷで周波数Ｉ　ＭＨｚの・ξルスで光熱
磁気反転し記録したところ、ビット径約１．５μｍの記
録ビットが得られた。
実施例　２ 酸化物磁性体として５ｒＡｔＧａ４Ｆ６＋７０１９を使
用する以外には実施例１と同様にして記録媒体を作製し
た。キュリ一温度は２２０℃、Ｍｓ※上１００　ｅｍｖ
／ｃｃそしてＨｃは４．０ＫＯｅであった。
実施例　３ 酸化物磁性体としてＢａ　ＡｔＧｅ　３−７５　Ｆｅ　
６０１　ｃ）を使用する以外には実施例１と同様にして
記録媒体を作製した。キュリ一温度は２２０℃、ｌＡｓ
　＆ま１０１００ｅ／ＣＣそしてＨｃは４、ＯＫＯｅで
あった。
実施例　４ 酸化物磁性体としてＢａＧａ４Ｂｉ２Ｆｅ６０１９を使
用する以外には実施例１と同様にして記録媒体をイ／［
製した。キュリ一温度は２００℃、Ｍｓ＋１５　［１ｅ
ｍｕ／ＣＣそしてＨｅは３．０ＫＯｅであった。
実施例　５ 酸化物磁性体として５ｒＧａ４ＴｂＦｅ　７０１９を使
用する以外には実施例１と同様にして記録媒体を作製し
た。キュリ一温度は２１０℃、Ｍｓ　＆’！、　７０　
ｅｍｕ／ｃｃそしてＨｃは１０．５’ＫＯｅであった。
実施例　６ 酸化物磁性体としてＢａＧａ４ＤｙＦｅ　７０１９を使
用する以外には実施例１と同様にして記録媒体を作製し
た。キュリ一温度は１８０℃、Ｍｓは５　［１ｅｍｕ／
ｃｃそしてＨｃは１に００であった。
実施例　７ 酸化物磁性体としてＢａＧａ、５ＹＦｅＢＯ１９を使用
する以外には実施例１と同様にして記録媒体を作製した
。キュリ一温度は２１０℃、Ｍｓは１００　ｅｍｕ／Ｑ
ＣそしてＨｃは５　ＫＯｅであった。
比較例 ガラス基板上に、Ｔｂ／Ｆｅ　＝　２２／７８の原子組
成比よりなる非晶質磁性膜をスパッタ法により膜厚３０
００人でａ層しさらにこの上に保護膜として５ｉ０２を
膜厚２０００人で積層して記録媒体を作製した。
次に実施例１〜７および比較例において作製された光磁
気記録媒体をそれぞれ７０℃、９０チおよび２００℃、
常湿の環境下に４００時間加速保存した後の酸化劣化の
有無を磁気判性について判定した。その結果を以下の表
に記載する。
ン　１ ｒへ唖寸旧くＮ ［薫 実施例１〜７の記録媒体については加速保存テスト後も
殆んど磁気特性の劣化は生じなかったが、比較例のもの
については５１０２保護層上にピンホールが存在しこれ
からの酸化および磁性膜層内の酸素による酸化の促進に
よってＨｃが著しく低下した。
実施例　８ ＢａＡｌＯａ５Ｆｅ６０１９の組成のターゲット２枚を
対向サセＲｆ、マグネトロンスパッタリング法によって
径１２０簡の石英ガラス上に膜厚２カｍの磁性薄膜を積
層した。次に、トランクピッチ６μ？ｎ、溝の深さ１０
０ＤＡ、）ラック幅１１１ｍの金型と磁性薄膜ノ替上に
Ｕ、■、ポリマーを塗布し互に圧着し、石英ガラス基板
側よりＵ、　Ｖ、照射硬化後、金型を除去する。このＵ
、　’Ｊ硬化凹凸上に反射膜としてＡｇを膜厚１ｏｏｏ
Ｘでスパ”ツタリングによ多積層し、更にこの上に保護
膜としてメチルメタクリレートポリマーをスピンコード
で１００μｍ付着させ光磁気記録ディスクを製作した。
これに半導レーザー出力１０ｍＷ、波長８００　ｎｍを
用いて記録したところビット径約１μｍおよびビットピ
ッチ６μｍで記録できた。
実施例　９ 酸化物磁性体として、ＢａＧａ３ＹＦｅＢ○１９を使用
する以外には実施例８と同様にして磁性層を形成した。
この上にさらに厚さ２ＤＯＯＡの５ｉｏ２層および厚さ
５０００ＡのＡｔ反射膜をスパッタリングによシ順次形
成させて記録媒体を作製した。この記録媒体の磁気特性
は、キュリ一温度が２１０℃で、Ｍｓが８０　ｅｍｕ／
ｃｃおよびＨｃが４．５ＫＯｅであった。
効果 上述のようにして構成された本発明の光磁気記録媒体は
、従来の非晶質磁性層を有する記録媒体に比較して酸化
安定性および磁気光学特性がすぐれている点で大きな利
点を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光磁気記録媒体の基本構成を示す断面
図であシそして第２図および第６図は本発明の光磁気記
録媒体の別の構成を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・磁性薄膜層、６・・・反射
層、４・・・透明誘電層、５・・・案内溝、６・・・保
護層、７・・・ル−ザ光。 特許出願人　　株式会社　リ　　コ　　−第１図　　　
　　　第２図 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 透明基板上に、一般式 ％式％） （式中、Ｍｅ　＆″：ｒ、Ｂａ、　Ｓｒおよびｐｂから
    なる群よシ選ばれた少なくとも１種の元素てあＦ）、Ｍ
    ｒはＧａまたＧ′！、Ｇｅ″′ｃあり、ＭｌはＢｉ、　
    （Ｍ、　Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｈｏ。 Ｌａ、　Ｙ、　Ｃｏ、　Ｚｎ、　Ｔｉ、Ｓｉ％Ｃａ、　
    Ｃｒ、　ＮｉおよびＡ／＝からなる群よシ選ばれた少な
    くとも１種の元素であシ、ただし１＜ｘ≦８、ｏ＜ｙ≦
    ６および１〈ｘ＋ｙ≦８である）で表わされる酸化物磁
    性体からなる磁性薄膜層を有することを特徴とする、光
    磁気記録媒体。
JP58060800A 1983-04-08 1983-04-08 光磁気記録媒体 Granted JPS59188106A (ja)

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JP58060800A JPS59188106A (ja) 1983-04-08 1983-04-08 光磁気記録媒体
US06/595,021 US4562105A (en) 1983-04-08 1984-03-30 Ferrimagnetic oxides and magneto-optical recording medium employing the same
GB8408827A GB2140406B (en) 1983-04-08 1984-04-05 Ferromagnetic oxides for magneto-optical recording medium
DE19843413086 DE3413086A1 (de) 1983-04-08 1984-04-06 Ferrimagnetische oxide und diese enthaltende magneto-optische aufzeichnungsmaterialien

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JPH0512844B2 JPH0512844B2 (ja) 1993-02-19

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