JPS62192041A - 光記録円板 - Google Patents

光記録円板

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JPS62192041A
JPS62192041A JP61032936A JP3293686A JPS62192041A JP S62192041 A JPS62192041 A JP S62192041A JP 61032936 A JP61032936 A JP 61032936A JP 3293686 A JP3293686 A JP 3293686A JP S62192041 A JPS62192041 A JP S62192041A
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Japan
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weight
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layer
resin
film
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JP61032936A
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Shinkichi Horigome
堀篭　信吉
Toshio Niihara
敏夫 新原
Norio Oota
憲雄 太田
Ken Sugita
杉田　愃
Yoshinori Miyamura
宮村　芳徳
Ryoichi Sudo
須藤　亮一
Hiroaki Miwa
広明 三輪
Tetsuo Tajima
田島　哲夫
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • Y10T428/31598—Next to silicon-containing [silicone, cement, etc.] layer

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録円板に係り、特に書き換え可能な光磁気
記録に好適な光記録円板に関するものである。
〔従来の技術〕
光磁気円板では紫外線硬化樹脂（以後ＵＶ樹脂と呼ぶ）
層の上にＳｉｏなどのエンハンス膜、ＴｂＦｅＣｏ系等
の記録膜、Ｓｉｏなどの保護膜が順次積層される。これ
らの膜は蒸着法あるいはスパッタ法で形成される。従来
、このようなものとしては例えば、フォトグラフィック
・サイエンス・アンド・エンジニアリング（Ｐ　ｈｏｔ
ｏｇｒａｐｈｊｃＳｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎ
ｅｅｒｉｎｇ）　２８　、　Ｎｏ、　３　。
１９８４、ｐ、Ｌ３１に記載のものがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
特にスパッタ間の場合には、得られる膜の応力が大きい
ことと、基板温度上昇とによりスパッタ直後でもＵＶ樹
脂表面に微細なシワが発生しており、これは下地層とな
るＵＶ樹脂の性質に大きく依存することが判明した。
このような微細なシワが発生すると、ノイズを大きくシ
、搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ比）を大幅に低下させる。
本発明の目的はＵＶ樹脂表面のシワの発生を抑えること
によりＣ／Ｎ比が高く、また寿命の長い光記録円板を提
供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、透明な基板の表面の紫外線硬化樹脂層として
熱変形温度が６５℃以上の材料を用いることにより前記
目的を達成するものである。
このような材料としては例えば次のようなものがある。
（Ｉ）下記の一般式（Ｉ）で示される化合物１０〜６０
重量部、下記の一般式（ＩＩ）で示される化合物９０〜
４０重量部よりなる紫外線硬化樹脂組成物を硬化させた
もの。
（２）下記の一般式（ＩＩＩ）で示される化合物のうち
から選ばれた少なくとも一種類が１０〜６０重量部と、
下記の一般式（ＩＩ）で示される化合物９０〜４０重量
部よりなる紫外線硬化樹脂　組成物を硬化させたもの。
Ｃ１１３ＣＩ＋３ −Ｏ−ＣＩＩ□ＣＩ＋□−〇−Ｃ−ＣＩｌ＝ＣＩ＋　２
０　　　　　　　　　　　・・・（Ｉ）（但し、Ｒｏ、
Ｒ２は水素、またはメチル基。
ｎ＝５〜１２の整数） ２０Ｒ３ −＋　ＣＩｌ　−Ｃ１１２−０す、、Ｃ−Ｃ＝ＣＩＩ　
２　　　　　　　　　・・・（ＩＩＩ）（但し、Ｒ１は
水素又はハロゲン、Ｒ２は炭素数が１から１２までのア
ルキモ）１ｔ、、Ｒ３゜Ｒ４は水素又はメチル基、ｍ、
ｎは整数でｍ＝　１〜４、　ｎ＝１〜４） 本発明の光記録円板を光磁気記録に適用した場合につい
て第１図により説明する。
透明基板（Ｉ）の上にＵＶ樹脂層（２）、エンハンス膜
（３）、光磁気膜（４）、保護膜（５）が順次積層され
ている。ＵＶ樹脂層はトラッキング用溝（６）やセレク
ター信号用ピットをガラス。
エポキシ、アクリルなどの基板表面上に設けるために必
要なものである。これの作り方は２Ｐ法（Ｐ　ｈｏｊｏ
ｐｏｌｙｍｅｒｉｑａｌ：、ｉｏｎ法）で、溝や信号ピ
ットを有するスタンパ−と透明基板との間にＵＶ樹脂液
を押しひろげた後、紫外線照射により硬化させ。
その後基板をスタンパ−から剥離させるという方法であ
る。
ＵＶ樹脂材料としてアクリレート系、チオール系がある
が、現在広く使用されているのは前者である。実用のＵ
Ｖ樹脂材料は分子量の比較的大きいアクリレートプレポ
リマーと分子量の低いアクリレ−１−モノマーとから構
成されている場合が多い。プレポリマーとしては前記の
化合物（＋）（ウレタンアクリレート）、化合物（ｍ）
等種々のものがある。モノマーとしては前記の化合物（
■）、それ以外にも種々のものがある。プレポリマー、
モノマー自身の性質と、これらの配合比によって、得ら
れる硬化物の特性が決定される。
また光重合開始剤としては、従来用いられてきたものが
そのまま使用できる。その配合量は混合物１００重量部
に対して０．１〜０．５重量部である。またこれらの例
としては１−ハイドロキシシクロへキシルフェニルケト
ン、ベンゾフェノン。
アセトフェノンベンジル、１，１ジメトキシアセトフエ
ノン、２−エチルアントラキノン等があり、単独もしく
は２種類以上の併用で用いられる。
つぎに前述のようにして得られたＵＶ樹脂層の表面上に
エンハンス膜、光磁気膜、保護膜がスパッター法、ある
いは蒸着法で形成される。エンハンス膜は多重反射によ
り光磁気膜のカー回転角を大きくさせるためのものであ
り、材料としてはＳ　ｉ　Ｏ，Ａ　Ｑ　Ｎ、　Ｓ　ｉ’
Ｎ等がある。コノエンハンス膜は光磁気膜の酸化を防止
するという効果もある。光磁気膜材料としてはＴ　ｂ　
Ｆ　ｅ　Ｃｏ系。
Ｇ　ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ系などがある。保護膜は
光磁気膜の酸化防止が目的であり、材料としてはＳｉｎ
。
ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４．ＡＱＮなどがある。
〔作用〕
スパッタ法によりエンハンス膜等を設けた場合Ｕ　Ｖ樹
脂層の表面上に微細なシワ状模様が発生する。数〜１０
μｍ周期のシワである。これはノイズを大きくして、搬
送波対雑音比（Ｃ／Ｎ比）の大幅な低下となる。
このシワの発生状況は使用するＵＶ樹脂材料の種類によ
って異なることが明らかであった。このシワの発生原因
としてＵＶ樹脂材料の熱特性に関係している。即ち、ス
パッタ工程中に基板の温度が上昇する。この到達温度は
約１００℃である。
このような高温状態にあるＴ、Ｊ　Ｖ樹脂層の表面に応
力の大きい無材物の薄膜が積層されろわけである。
したがって耐熱性の低いＵＶ樹脂では応力により変形し
シワが発生することになる。種々のＵＶ樹脂材料につい
て検討した結果、熱変形温度が６５℃以上の材料であれ
ばシワは発生しないことを認めた。ここでの熱変形温度
の測定方法は実施例において詳述する。
〔実施例〕
以下１本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１゜ ＵＶ樹脂材料として前記の化合物（Ｉ）と化合物（■）
（但しＲ１＝Ｃ１１３，ｎ＝６）とを表１に示した組成
比で混合した。またこれに光重合開始剤として、１−ハ
イドロキシシクロへキシルフェニルケトンを２重量％添
加した。各組成比のＵＶ樹脂液を高圧水銀灯（４ＫＷ）
で充分硬化させ、第２図に示したように長さ５０ｎｎ、
幅５ｎｙｎ。
厚さ１１ｆｆ１１の寸法の硬化物を？（！！備した。こ
、ｆｔは熱変形温度を測定するための試料である。片方
の端５１ｆｆ１１の部分を固定し、もう片方の端にはｌ
ｏｇの錘をつけた。この試料を各温度で１時間ずつ保持
した後取り出し、変形量Ｘをル１１１定した。変形率は
変形量Ｘ −Ｘ　１００として表示した。測定結果を試料長さし 第３図に示す。またこの図から得られた熱変形温度を表
１に示した。一方、別途用意したニッケルスタンパーの
上に、組成化Ａ、Ｆ３．Ｃ，ＤのＵＶ樹脂液の各々をの
せる。その上にガラス基板を押えてＵＶ樹脂液を基板全
面に広げる。４ＫＷの高圧水銀灯で３０秒照射して硬化
後、スタンパ−から基板を剥離させた。ＵＶ樹脂層の厚
さは２０〜３０μｍである。このようにして得られたＵ
Ｖ樹脂層の上にスパッタ法によりエンハンス膜としてＳ
ｉ○膜（Ｉ００ｎｍ厚）、記録膜としてＴ　ｂ　Ｆ　ｅ
　Ｃｏ膜（Ｉ００ｎｍ厚）、保護膜としてＳｉ○（ｌ・
５０ｎｍ厚）を順次ＨＩ層し、シワ発生の状況を調らべ
る試料とした。その結果を表１に示した。
熱変形温度が４０℃の組成物りでは初期からシワが発生
している。熱変形温度が６０℃の組成物Ｃでは初期には
シワは発生していないが、経時的にシワが発生してくる
。熱変形温度が７０℃。
１１０℃の組成物Ｂ、Ａでは初期はもちろんのこと、１
００℃下でｔ　ｏｏｏ時間保時してもシワの発生はなか
った。以上の結果から熱変形温度が６５℃以上のＵＶ樹
脂材料が好ましいことがわかる。化合物（ＩＩ）の量が
多い程熱変形温度が高くなりシワ発生を防ぐ点では望ま
しいわけである。
しかし化合物（ＩＩ）の猷が９０！ｒＣ敢部以上になる
と、硬化物は硬くてもろくなり、ＵＶ樹脂層自身にクラ
ックが発生するようになる。
表　　　　　１ ＊１　化合物（ＩＩ）　　・Ｒ、＝ＣＨ３、ｎ　＝６＊
２０シワの発生なし Δ経時的に発生 Ｘ初期から発生 一方、化合物（ｍ）と（ＩＩ）の組成物の場合にもほぼ
同様の結果が得られた。
実施例２゜ ＵＶ樹脂材料として化合物（Ｉ）を４０重量部。
化合物（ＩＩ）でＲ１＝ＣＨ３，ｎ＝６のものを６０重
量部を混合し、この混合物に光重合開始剤として１−ハ
イドロキシシクロへキシルフェニルケトンを２重量％添
加した。粘度は約４０センチポイズである。別途用意し
たニッケルスタンパ−上に上記ＵＶ樹脂液をのせ、その
上に１３０φ。
厚さ１．２ｍｍのエポキシ基板あるいはガラス基板をの
せて押え込む。これによりＵＶ樹脂液が基板全面に広が
る。この場合、エポキシ基板は表面をプライマー処理、
ガラス基板はシラン処理をした。
つぎに４ＫＷの高圧水銀灯で３０秒照射し硬化させた後
、スタンパ−とＵＶ樹脂層との界面から剥離させた。Ｕ
Ｖ樹脂層の厚さは２０〜３０μｍである。つぎにこのＵ
Ｖ格１脂層付き基板をインラインのスパッター装置に導
入し、まず最初にＳｉ○膜を１１００ｎ、つぎにＴｂｚ
　１ｌｌＦｅＧ　ＯＣＯ＋　ｚ膜をＬＯＯｎｍ、最後に
保護膜として１５０ｎｍのＳｉＯ膜を付けた。このとき
のアルゴン圧は１０ｍｍＴｏｒｒである。
このようにして得られた円板にはシワ状の模様はｗｉ察
されなかった。５インチ円板を１８０゜ｒｐｍで回転し
た場合、１　、８　Ｍ　Ｈｚ　。
１００　ｎ　ｓｅｅのパルス記録ではＣ／Ｎは〜５５ｄ
Ｂであった。これらの円板を１００　’Ｃで１５００時
間保持してもシワは発生せず、Ｃ／Ｎも初期とほとんど
同じであった。また６０℃、相対湿度９５％の条件下に
１５００時間保持してもシワの発生はａｍされずノイズ
レベルが大きくなることはなかった。このような結果は
ガラス基板。
エポキシ基板でほとんど差はなかった。
以上、光磁気記録円板に対する詳細な実施例を述べたが
、本発明は光磁気記録円板にのみに限定されるものでは
ない。即ち、既に市販されている穴あけ型光記録円板、
あるいは相変化型光記録円板にも本発明は適用可能であ
る。
〔発明の効果〕
本発明によれば、熱変形温度の高い紫外線硬化樹脂を用
いることによって光磁気膜に微細なシワの発生を防１［
−することができ、Ｃ／Ｎ比が高く、また寿命の長い光
記録円板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光ディスクの概念的断面図−第２図、
第３図は熱変形温度のａ＋ｑ定法を示す図である。 ■・・・基板、２・・・紫外線硬化樹脂層、３・・エン
ハンス膜、４・・・光磁気膜、５・・・保護膜、６・・
１へラッキング用溝。 ４７区 第２１２１ 第３圀 藻Ａ（句

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、透明な基板の表面に紫外線により硬化された樹脂層
    を有する光記録円板であって、上記の紫外線硬化樹脂と
    して熱変形温度が６５℃以上の材料を用いることを特徴
    とする光記録円板。 ２、上記紫外線硬化樹脂が下記の一般式（ I ）で示さ
    れる化合物１０〜６０重量部、下記の一般式（II）で示
    される化合物９０〜４０重量部よりなる混合物１００重
    量部と、この混合部 １００重量部に対して光重合開始剤０．１〜５．０重量
    部を配合した紫外線硬化樹脂組成物を硬化させたもので
    あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
    録円板。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） （但し、Ｒ＿１、Ｒ＿２は水素、またはメチル基、ｎ＝
    ５〜１２の整数） ３、上記紫外線硬化樹脂が下記の一般式（III）で示さ
    れる化合物のうちから選ばれた少なくとも一種類が１０
    〜６０重量部、下記の一般式（II）で示される化合物９
    ０〜４０重量部よりなる混合物１００重量部と、この混
    合物１００重量部に対して光重合開始剤０．１〜０．５
    重量部を配合した紫外線硬化樹脂組成物を硬化させたも
    のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    光記録円板。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） （但し、Ｒ＿１は水素又はハロゲン、Ｒ＿２は炭素数が
    １から１２までのアルキモ基、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素又
    はメチル基、ｍ、ｎは整数でｍ＝１〜４、ｎ＝１〜４） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） （但し、Ｒ＿１、Ｒ＿２は水素、またはメチル基、ｎ＝
    ５〜１２の整数）
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