JPH0587892B2 - - Google Patents
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- JPH0587892B2 JPH0587892B2 JP60225554A JP22555485A JPH0587892B2 JP H0587892 B2 JPH0587892 B2 JP H0587892B2 JP 60225554 A JP60225554 A JP 60225554A JP 22555485 A JP22555485 A JP 22555485A JP H0587892 B2 JPH0587892 B2 JP H0587892B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- curable resin
- ultraviolet curable
- formula
- optical disk
- disk substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デイスク基板に関するものである。
詳しくは、透明な基板上に紫外線硬化樹脂を用い
て、トラツキング用溝構造を形成した、耐熱性に
富む光デイスク基板に関するものである。 〔従来の技術及びその問題点〕 光デイスク用の基板表面には、同心円又はスパ
イラル状に微細なトラツキング用の溝が設けられ
ており、通常、この溝は、金型の凹凸を転写する
方法で形成される。 転写方法のうち主なものは、射出成形法及び紫
外線硬化樹脂を用いる方法であるが、後者の方
が、複屈折の発生等の問題がなく、高精度のトラ
ツキング溝の形成が可能といわれている。 ここで用いられる紫外線硬化樹脂としては、既
にビスフエノールＡを骨格構造に有する、付加重
合性液状樹脂が知られている。（特開昭56−
77905） しかしながら、まだ精度、耐熱性等に問題が残
り、更に信頼性の高い紫外線硬化樹脂が望まれて
いる。 〔発明の目的〕 本発明は、このような要望を満足させるもので
あり、 第１の目的は、金型からの剥離が容易で、高精
度の溝構造を形成し得る基板を提供することであ
る。 第２の目的は、形成された溝構造のエツジの形
状が高温下でも十分な耐熱性を有している基板を
提供することである。 第３の目的は、形成された紫外線硬化樹脂皮膜
が、特に半導体レーザーの波長領域に於て、高温
下でも十分な耐熱性を有している基板を提供する
ことである。 第４の目的は、形成された紫外線硬化樹脂皮膜
が、十分な硬度を有する基板を提供することであ
る。 〔発明の構成〕 かかる目的は、特定のジペンタエリスリトール
誘導体を含有する紫外線硬化樹脂組成物を使用す
ることにより達成される。 すなわち、本発明の要旨は、透明な支持体の片
面あるいは両面に、トラツキング用の溝を表面に
有する紫外線硬化樹脂皮膜を形成した光デイスク
基板に於て、紫外線硬化樹脂皮膜が１分子当り、
１ないし６個の（メタ）アクリレート基を有する
ジペンタエリスリトール誘導体を含有する組成物
を光硬化させたものであることを特徴とする光デ
イスク基板に存する。 １分子当り１〜６個の（メタ）アクリレート基
を有するジペンタエリスリトール誘導体とは、例
えば次記のような構造を有するものである。
詳しくは、透明な基板上に紫外線硬化樹脂を用い
て、トラツキング用溝構造を形成した、耐熱性に
富む光デイスク基板に関するものである。 〔従来の技術及びその問題点〕 光デイスク用の基板表面には、同心円又はスパ
イラル状に微細なトラツキング用の溝が設けられ
ており、通常、この溝は、金型の凹凸を転写する
方法で形成される。 転写方法のうち主なものは、射出成形法及び紫
外線硬化樹脂を用いる方法であるが、後者の方
が、複屈折の発生等の問題がなく、高精度のトラ
ツキング溝の形成が可能といわれている。 ここで用いられる紫外線硬化樹脂としては、既
にビスフエノールＡを骨格構造に有する、付加重
合性液状樹脂が知られている。（特開昭56−
77905） しかしながら、まだ精度、耐熱性等に問題が残
り、更に信頼性の高い紫外線硬化樹脂が望まれて
いる。 〔発明の目的〕 本発明は、このような要望を満足させるもので
あり、 第１の目的は、金型からの剥離が容易で、高精
度の溝構造を形成し得る基板を提供することであ
る。 第２の目的は、形成された溝構造のエツジの形
状が高温下でも十分な耐熱性を有している基板を
提供することである。 第３の目的は、形成された紫外線硬化樹脂皮膜
が、特に半導体レーザーの波長領域に於て、高温
下でも十分な耐熱性を有している基板を提供する
ことである。 第４の目的は、形成された紫外線硬化樹脂皮膜
が、十分な硬度を有する基板を提供することであ
る。 〔発明の構成〕 かかる目的は、特定のジペンタエリスリトール
誘導体を含有する紫外線硬化樹脂組成物を使用す
ることにより達成される。 すなわち、本発明の要旨は、透明な支持体の片
面あるいは両面に、トラツキング用の溝を表面に
有する紫外線硬化樹脂皮膜を形成した光デイスク
基板に於て、紫外線硬化樹脂皮膜が１分子当り、
１ないし６個の（メタ）アクリレート基を有する
ジペンタエリスリトール誘導体を含有する組成物
を光硬化させたものであることを特徴とする光デ
イスク基板に存する。 １分子当り１〜６個の（メタ）アクリレート基
を有するジペンタエリスリトール誘導体とは、例
えば次記のような構造を有するものである。
【化】
Ｘは
【式】又は
【式】
を示す。
ＹはＨ又は
【式】又は
【式】を示す。
（ｍは４以下で、ｍ＋ｎが６以下になる整数で
ある。） Ｚは
ある。） Ｚは
次に本発明の実施例を示すが、本発明はその要
旨を越えない限り以下の実施例に限定されるもの
ではない。 参考例 「紫外線硬化樹脂組成物の調液」 紫外線が除かれた黄色照明下において、ジペン
タエリスリトール誘導体、重合開始剤、付加重合
性化合物を表１のような組成に配合し、室温にて
スターラーで均一な溶液にした後、ミリボアフイ
ルターにて加圧過し、液状紫外線硬化樹脂組成
物Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを得た。
旨を越えない限り以下の実施例に限定されるもの
ではない。 参考例 「紫外線硬化樹脂組成物の調液」 紫外線が除かれた黄色照明下において、ジペン
タエリスリトール誘導体、重合開始剤、付加重合
性化合物を表１のような組成に配合し、室温にて
スターラーで均一な溶液にした後、ミリボアフイ
ルターにて加圧過し、液状紫外線硬化樹脂組成
物Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを得た。
【表】
又、比較例用として、特開昭56−77905号に記
載されている付加重合性化合物を含む、紫外線硬
化樹脂組成物Ｅを作成した。
載されている付加重合性化合物を含む、紫外線硬
化樹脂組成物Ｅを作成した。
【表】
実施例 １〜４
ニツケルメツキした金型に、前述した紫外線硬
化樹脂組成物Ａ〜Ｅを被覆し、その上よりシラン
カツプリング剤（日本ユニカ(株)Ａ−1122）をスピ
ンコートしたガラス支持体を該紫外線硬化樹脂組
成物の膜厚が50μになるように圧着し、1.5ジユー
ル／cm2の紫外光を照射後、支持体を硬化樹脂皮膜
とともに金型から剥離し、深さ700Å、ピツチ
1.6μの溝を表面に有する光デイスク用基板を得
た。 基板上の光硬化膜の耐熱性試験を次のように実
施した。 加熱によるトラツク溝の深さ変化並びに光透過
率変化は基板試料を室温から15℃／分の昇温速度
で昇温しつつ830nmのレーザー光をトラツク溝面
に照射し、得られる光回折像の光強度並びに透過
光強度を測定し、それぞれの光強度が昇温開始時
の90％に低下した時点の温度で表わした。結果を
表２に示した。
化樹脂組成物Ａ〜Ｅを被覆し、その上よりシラン
カツプリング剤（日本ユニカ(株)Ａ−1122）をスピ
ンコートしたガラス支持体を該紫外線硬化樹脂組
成物の膜厚が50μになるように圧着し、1.5ジユー
ル／cm2の紫外光を照射後、支持体を硬化樹脂皮膜
とともに金型から剥離し、深さ700Å、ピツチ
1.6μの溝を表面に有する光デイスク用基板を得
た。 基板上の光硬化膜の耐熱性試験を次のように実
施した。 加熱によるトラツク溝の深さ変化並びに光透過
率変化は基板試料を室温から15℃／分の昇温速度
で昇温しつつ830nmのレーザー光をトラツク溝面
に照射し、得られる光回折像の光強度並びに透過
光強度を測定し、それぞれの光強度が昇温開始時
の90％に低下した時点の温度で表わした。結果を
表２に示した。
実施例１〜４で得られた光デイスク基板上に
Te85Se15の組成を有する記録媒体を市販のマグネ
トロン型スパツタ装置（アネルバ製430H機）に
より300Åの膜厚に成膜したところ、いずれも
1MHzにおけるＣ／Ｎが50dB以上と、良好なる
情報記録が可能であつた。なお、記録再生にはナ
カミチ製評価装置（OMS1000）を用いた。 実施例 ５〜８ ニツケルメツキした金型に、前述した紫外線硬
化樹脂組成物Ａ〜Ｅを被覆し、その上よりポリカ
ーボネート支持体を圧着し、紫外光を照射後、支
持体を硬化樹脂皮膜とともに金型から剥利し、実
施例１〜４と同様の溝形状を表面に有する光デイ
スク基板を得た。得られた硬化樹脂皮膜の鉛筆硬
度を測定したところ、表３に記されているような
良好な結果が得られた。
Te85Se15の組成を有する記録媒体を市販のマグネ
トロン型スパツタ装置（アネルバ製430H機）に
より300Åの膜厚に成膜したところ、いずれも
1MHzにおけるＣ／Ｎが50dB以上と、良好なる
情報記録が可能であつた。なお、記録再生にはナ
カミチ製評価装置（OMS1000）を用いた。 実施例 ５〜８ ニツケルメツキした金型に、前述した紫外線硬
化樹脂組成物Ａ〜Ｅを被覆し、その上よりポリカ
ーボネート支持体を圧着し、紫外光を照射後、支
持体を硬化樹脂皮膜とともに金型から剥利し、実
施例１〜４と同様の溝形状を表面に有する光デイ
スク基板を得た。得られた硬化樹脂皮膜の鉛筆硬
度を測定したところ、表３に記されているような
良好な結果が得られた。
次に実施例５〜８で得られた光デイスク基板上
にTb24Fe76なる組成をもつ膜厚300Åの光磁気記
録媒体を市販の電子ビーム蒸着装置にて成膜し、
前述の評価機を用いて記録特性を測定したとこ
ろ、いずれも1MHzにおけるＣ／Ｎが45dB以上
の良好な結果を得た。 〔発明の効果〕 本発明の光デイスク基板によれば表面の紫外線
硬化樹脂皮膜は型離れが良好でトラツキングパタ
ーンが高精度に形成し得、また耐熱性に優れてい
るので精密記録が可能である等の優れた効果を奏
する。
にTb24Fe76なる組成をもつ膜厚300Åの光磁気記
録媒体を市販の電子ビーム蒸着装置にて成膜し、
前述の評価機を用いて記録特性を測定したとこ
ろ、いずれも1MHzにおけるＣ／Ｎが45dB以上
の良好な結果を得た。 〔発明の効果〕 本発明の光デイスク基板によれば表面の紫外線
硬化樹脂皮膜は型離れが良好でトラツキングパタ
ーンが高精度に形成し得、また耐熱性に優れてい
るので精密記録が可能である等の優れた効果を奏
する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明な支持体の片面あるいは両面に、トラツ
キング用の溝を表面に有する紫外線硬化樹脂皮膜
を形成した光デイスク基板に於て、紫外線硬化樹
脂皮膜が１分子当り、１ないし６個の（メタ）ア
クリレート基を有するジペンタエリスリトール誘
導体を含有する組成物を光硬化させたものである
ことを特徴とする光デイスク基板。 ２ 紫外線硬化樹脂皮膜が、下記構造式(I)で示さ
れるジペンタエリスリトール誘導体を含有する組
成物を光硬化させたものであることを特徴とする
特許請求の範囲１記載の光デイスク基板。 【化】 Ｘは【式】又は【式】を示す。 ＹはＨ又は【式】又は【式】を示 す。 （ｍは４以下で、ｍ＋ｎが６以下になる整数で
ある。） Ｚは【式】を示す。 （は３〜６の整数である。） ３ 紫外線硬化樹脂皮膜がジペンタエリスリトー
ル誘導体を少なくとも10重量％、光重合開始剤を
0.5〜10重量％含有する組成物を光硬化させたも
のであることを特徴とする特許範囲請求の範囲第
１項又は第２項に記載の光デイスク基板。 ４ 透明支持体が、ポリメタクリル酸エステル、
ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹
脂、塩ビ／酢ビ共重合体、ガラスのいずれかであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光デイスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225554A JPS6284446A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光デイスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225554A JPS6284446A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光デイスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284446A JPS6284446A (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0587892B2 true JPH0587892B2 (ja) | 1993-12-20 |
Family
ID=16831109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225554A Granted JPS6284446A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光デイスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284446A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH061560B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1994-01-05 | キヤノン株式会社 | 光学的記録担体 |
| JP2959573B2 (ja) * | 1989-02-14 | 1999-10-06 | 日本ビクター株式会社 | 情報記録媒体 |
| JPH03140380A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 表面保護膜形成用組成物 |
| EP1460738A3 (en) * | 2003-03-21 | 2004-09-29 | Avalon Photonics AG | Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60225554A patent/JPS6284446A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6284446A (ja) | 1987-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |