JPS6284446A - 光デイスク基板 - Google Patents
光デイスク基板Info
- Publication number
- JPS6284446A JPS6284446A JP60225554A JP22555485A JPS6284446A JP S6284446 A JPS6284446 A JP S6284446A JP 60225554 A JP60225554 A JP 60225554A JP 22555485 A JP22555485 A JP 22555485A JP S6284446 A JPS6284446 A JP S6284446A
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- Japan
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- ultraviolet curable
- curable resin
- tables
- dipentaerythritol
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- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスク基板に関するものである。
詳しくは、透明な基板上に紫外線硬化樹脂を用いて、ト
ラッキング用溝構造を形成した、耐熱性に富む光ディス
ク基板に関するものである。
ラッキング用溝構造を形成した、耐熱性に富む光ディス
ク基板に関するものである。
光ディスク用の基板表面には、同心円又はスパイラル状
に彼細なトラッキング用の溝が設けられており、通常、
との溝は、金型の凹凸を転写する方法で形成される。
に彼細なトラッキング用の溝が設けられており、通常、
との溝は、金型の凹凸を転写する方法で形成される。
転写方法のうち主なものは、射出成形法及び紫外線硬化
樹脂を用いる方法であるが、後者の方が、複屈折の発生
等の問題がなく、高精度のトラッキング溝の形成が可能
といわれている。
樹脂を用いる方法であるが、後者の方が、複屈折の発生
等の問題がなく、高精度のトラッキング溝の形成が可能
といわれている。
ここで用いられる紫外線硬化樹脂としては、既にビスフ
ェノールＡを骨格構造に有する、付加重合性液状樹脂が
知られている。（特開昭５６−ｑｑｑｏｓ）しかしなが
ら、まだ精度、耐熱性等に問題が残り、更に信頼性の高
い紫外線硬化樹脂が望まれている。
ェノールＡを骨格構造に有する、付加重合性液状樹脂が
知られている。（特開昭５６−ｑｑｑｏｓ）しかしなが
ら、まだ精度、耐熱性等に問題が残り、更に信頼性の高
い紫外線硬化樹脂が望まれている。
本発明は、このような要望を満足させるものであり、
第１の目的は、金型からの剥離が容易で、高精度の溝構
造を形成し得る基板を提供することである。
造を形成し得る基板を提供することである。
第コの目的は、形成された溝構造のエツジの形状が高温
下でも十分な耐熱性を有している基板を提供することで
ある。
下でも十分な耐熱性を有している基板を提供することで
ある。
第３の目的は、形成された紫外線硬化樹脂皮膜が、特に
半導体レーザーの波長領域に於て、高温下でも十分な耐
熱性を有している基板＝ ３− を提供することである。
半導体レーザーの波長領域に於て、高温下でも十分な耐
熱性を有している基板＝ ３− を提供することである。
第グの目的は、形成された紫外線硬化樹脂皮膜が、十分
な硬度を有する基板を提供する仁とである。
な硬度を有する基板を提供する仁とである。
かかる目的は、特定のジペンタエリスリ）−ル誘導体を
含有する紫外線硬化樹脂組成物を使用するととにより達
成される。
含有する紫外線硬化樹脂組成物を使用するととにより達
成される。
すなわち、本発明の要旨は、透明な支持体の片面あるい
は両面に、トラッキング用の溝を表１ｉＹＶｃ有する紫
外線硬化樹脂皮膜を形成した光ディスク基板に於て、紫
外線硬化樹脂皮膜がＩ分子嶋り、ｌないし４個の（メタ
）アクリレート基を有するジペンタエリスリトール誘導
体を含有する組成物を光硬化させたものであることを一
番 − ７分子当り／〜４個の（メタ）アクリレート基を有する
ジペンタエリスリトール誘導体とは、例えば次記のよう
な構造を有するものである。
は両面に、トラッキング用の溝を表１ｉＹＶｃ有する紫
外線硬化樹脂皮膜を形成した光ディスク基板に於て、紫
外線硬化樹脂皮膜がＩ分子嶋り、ｌないし４個の（メタ
）アクリレート基を有するジペンタエリスリトール誘導
体を含有する組成物を光硬化させたものであることを一
番 − ７分子当り／〜４個の（メタ）アクリレート基を有する
ジペンタエリスリトール誘導体とは、例えば次記のよう
な構造を有するものである。
（ｍはダ以下で、ｍ＋ｎが１以下になる整数である。）
２は −〇−（ＯＨ）、−〇−Ｘを示す。
（ｔは３〜乙の整数である０）
光硬化速度を上ける為に、紫外線硬化樹脂組成物には、
ジペンタエリスリトール誘導体以外に、光重合開始剤を
含有するのが一般的である。
ジペンタエリスリトール誘導体以外に、光重合開始剤を
含有するのが一般的である。
光重合開始剤としては、紫外光を吸収し、ラジカルを発
生するタイプの化合物ならば、特に制限はない。
生するタイプの化合物ならば、特に制限はない。
代表的なものとしては、ｐ−ｔａｒｔ−ブチルトリクロ
ロアセトフェノン、コ、λ′−ジェトキシアセトフェノ
ン、−一ヒドロキシーコーメチルー／−フェニルブロパ
ンー／−オン婢のアセトフェノン類；ベンゾフェノン、
ミヒラーケトン（ｌＩ、４Ｉ’−ビスジメチルアミノベ
ンゾフェノン）。
ロアセトフェノン、コ、λ′−ジェトキシアセトフェノ
ン、−一ヒドロキシーコーメチルー／−フェニルブロパ
ンー／−オン婢のアセトフェノン類；ベンゾフェノン、
ミヒラーケトン（ｌＩ、４Ｉ’−ビスジメチルアミノベ
ンゾフェノン）。
コーク−ロチオキサントン９．２−メチルチオキサント
ン９．２−エチルチオキサントン、２−イソプロピンチ
オキサントン等のケトン類；ベンゾインならびにベンゾ
インメチルエーテル、ペンツインイソプロビルエーテル
、ペンゾインインフチルエーテル等のベンゾインニー
ｆ Ａ／ 類：ベンジルならびにベンジルジメチルケタ
ール。
ン９．２−エチルチオキサントン、２−イソプロピンチ
オキサントン等のケトン類；ベンゾインならびにベンゾ
インメチルエーテル、ペンツインイソプロビルエーテル
、ペンゾインインフチルエーテル等のベンゾインニー
ｆ Ａ／ 類：ベンジルならびにベンジルジメチルケタ
ール。
ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン等のベンジル
ケタール類等が挙げられる。
ケタール類等が挙げられる。
とのよう々光重合開始剤と一緒に増感剤を加えると光硬
化速度が促進されて好適である０増感剤としては、例え
ば光重合開始剤としてベンジルを使用する場合、ｎ−ブ
チルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン
、ジエチルアミノエチルメタクリレート尋のアミン系化
合物が好適である。
化速度が促進されて好適である０増感剤としては、例え
ば光重合開始剤としてベンジルを使用する場合、ｎ−ブ
チルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン
、ジエチルアミノエチルメタクリレート尋のアミン系化
合物が好適である。
紫外線硬化樹脂組成物は、適当な液状粘度を−〇 −
保つ為に、ジペンタエリスリトール誘導体以外に、更に
低粘度の付加重合性化合物を含有させることができる。
低粘度の付加重合性化合物を含有させることができる。
紫外線硬化樹脂組成物の室温に於ける粘度はｉｏ、θ０
０ｃｐｅ以下、更に好ましくは１００−’１，００θｃ
ｐｓの範囲が適当であり、これにより金型表面の凹凸を
、完全に被覆することが可能となる。
０ｃｐｅ以下、更に好ましくは１００−’１，００θｃ
ｐｓの範囲が適当であり、これにより金型表面の凹凸を
、完全に被覆することが可能となる。
低粘度の付加重合性化合物としては、−一エチルへキシ
ルアクリレート、ラウリルメタクリレート、ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート等の単官能性（メタ）アク
リレート化合物；／、３−ブタンジオールジ（メタ）ア
クリレート。
ルアクリレート、ラウリルメタクリレート、ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート等の単官能性（メタ）アク
リレート化合物；／、３−ブタンジオールジ（メタ）ア
クリレート。
八り−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート。
へ６−ヘキサンシオールジ（メタ）アクリレート、ジエ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチ
ルグリコールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバ
リン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレート
等の二官能性（メタ）アクリレート化合物；トリメチロ
ールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリクチロー
ルエタントリメタクリレート等の三官能性（メタ）アク
リレート化合物が挙げられるが、特に充分な硬度を有す
る光硬化樹脂皮膜を得るには、上述の付加重合性化合物
の中から多官能性（メタ）アクリレート化合物を使用す
るのが有利である。
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチ
ルグリコールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバ
リン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレート
等の二官能性（メタ）アクリレート化合物；トリメチロ
ールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリクチロー
ルエタントリメタクリレート等の三官能性（メタ）アク
リレート化合物が挙げられるが、特に充分な硬度を有す
る光硬化樹脂皮膜を得るには、上述の付加重合性化合物
の中から多官能性（メタ）アクリレート化合物を使用す
るのが有利である。
紫外線硬化樹脂組成物中のジペンタエリスリトール肪導
体の濃度は、１０−９９．ｊ重ｆ％。
体の濃度は、１０−９９．ｊ重ｆ％。
好−ましくは、２！−９６重量係であり、重合開始剤の
濃度はＯ，Ｓ〜１０Ｍ量チ、好ましくは／〜Ｓ■量％で
あり、付加重合性化合物の濃度はＯ〜＆ ？、＆重ｉ％
、好ましくはθ〜６０重ｔチである。
濃度はＯ，Ｓ〜１０Ｍ量チ、好ましくは／〜Ｓ■量％で
あり、付加重合性化合物の濃度はＯ〜＆ ？、＆重ｉ％
、好ましくはθ〜６０重ｔチである。
かくして得られた、液状紫外線硬化樹脂組成物をトラッ
キング用の溝が刻み込まれた金型表面上に被覆し、その
上より透明支持体を圧着して均一な厚みにしく１０−／
θＯμ）次いで支持体を通して紫外光を照射して、液状
樹脂を硬化させた後、支持体をそれに付層した硬化樹脂
皮膜とともに金型から剥離することによって光デイスフ
用の基板が得られる。
キング用の溝が刻み込まれた金型表面上に被覆し、その
上より透明支持体を圧着して均一な厚みにしく１０−／
θＯμ）次いで支持体を通して紫外光を照射して、液状
樹脂を硬化させた後、支持体をそれに付層した硬化樹脂
皮膜とともに金型から剥離することによって光デイスフ
用の基板が得られる。
透明支持体としては、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体
、ポリメタクリル酸エステル、ポリスチレン、ポリカー
ボネート５エポキシ４＃脂。
、ポリメタクリル酸エステル、ポリスチレン、ポリカー
ボネート５エポキシ４＃脂。
ガラス等が使用される。
得られた、トラッキング用の溝が設けられた基板表面に
有機又は無機の記録媒体を蒸着又は塗布等の方法で付与
することにより光ディスクとなシ、誘導体レーザーによ
る記録が可能である０ 〔実施例〕 次に本発明の実施例を示すが、本発明はその要旨を越え
ない限り以下の実施例に限定されるものではない。
有機又は無機の記録媒体を蒸着又は塗布等の方法で付与
することにより光ディスクとなシ、誘導体レーザーによ
る記録が可能である０ 〔実施例〕 次に本発明の実施例を示すが、本発明はその要旨を越え
ない限り以下の実施例に限定されるものではない。
参考例
「紫外線硬化樹脂組成物の調液」
紫外線が除かれた黄色照明下において、ジペンタエリス
リトール誘導体、重合開始剤、付加重合性化合物を表／
のような組成に配合し、室温にてスターラーで均一な溶
液にした後、ミリポアフィルタ−にて加圧い過し、液状
紫外線硬化樹脂組成物Ａ、Ｂ、０．Ｄを得た。
リトール誘導体、重合開始剤、付加重合性化合物を表／
のような組成に配合し、室温にてスターラーで均一な溶
液にした後、ミリポアフィルタ−にて加圧い過し、液状
紫外線硬化樹脂組成物Ａ、Ｂ、０．Ｄを得た。
表 ／
又、比較例用として、特開昭！；Ａ−７７９０ｊｒ号−
１〇− に記載されている付加重合性化合物を含む、紫外線硬化
樹脂組成物Ｅを作成した。
１〇− に記載されている付加重合性化合物を含む、紫外線硬化
樹脂組成物Ｅを作成した。
実施例／〜ダ
ニッケルメッキした金型に、前述した紫外線硬化樹脂組
成物Ａ−Ｅを被榎し、その上よりシになるように圧着し
、へ！ジュー、ターの紫外光を照射後、支持体を硬化樹
脂皮膜とともに金型から剥離し、深さり００λ、ピッチ
八６μの溝を表面に有する光ディスク用基板を得た。
成物Ａ−Ｅを被榎し、その上よりシになるように圧着し
、へ！ジュー、ターの紫外光を照射後、支持体を硬化樹
脂皮膜とともに金型から剥離し、深さり００λ、ピッチ
八６μの溝を表面に有する光ディスク用基板を得た。
基板上の光硬化膜の耐熱性試験を次のように突流した。
一１１＝
加熱によるトラック溝の深さ変化並びに光透過率変化は
基板試料を室温から７！℃／分の昇温速度で昇温しつつ
ｇ Ｊ Ｏｒｌｍのレーザー光をトラック溝面に照射し
、得られる光回折像の光強度並びに透過光強度を測定し
、それぞれの光強度が昇温開始時の９０優に低下した時
点の温度で表わした。結果を表コに示した。
基板試料を室温から７！℃／分の昇温速度で昇温しつつ
ｇ Ｊ Ｏｒｌｍのレーザー光をトラック溝面に照射し
、得られる光回折像の光強度並びに透過光強度を測定し
、それぞれの光強度が昇温開始時の９０優に低下した時
点の温度で表わした。結果を表コに示した。
表 コ
〔参考例１−ダ〕
実施例／−１で得られた光ディスク基板上にＴｅ、、８
ｅ１．の組成を有する記録媒体を市販のマグネトロン型
スパッタ装置（アネルバ製１Ｉ３０Ｈ機）により３００
λの膜厚に成膜したところ、いずれも／ Ｍｎ２におけ
るＯ／ＮがＪ−ＯｄＢ以上と、良好なる情報記録が可能
であった。なお、記録再生にはナカミチ製評価装置（Ｏ
ＭＳ／θ００）を用いた。
ｅ１．の組成を有する記録媒体を市販のマグネトロン型
スパッタ装置（アネルバ製１Ｉ３０Ｈ機）により３００
λの膜厚に成膜したところ、いずれも／ Ｍｎ２におけ
るＯ／ＮがＪ−ＯｄＢ以上と、良好なる情報記録が可能
であった。なお、記録再生にはナカミチ製評価装置（Ｏ
ＭＳ／θ００）を用いた。
実施例Ｓ−ざ
ニッケルメッキした金型に、前述した紫外線硬化樹脂組
成物Ａ−Ｋを被覆し、その上よりポリカーボネート支持
体を圧着し、紫外光を照射後、支持体を便化樹脂皮膜と
ともに金型から剥離し、実施例／〜亭と同様の溝形状を
表面に有する光ディスク基板を得た。得られた硬化樹脂
皮膜の鉛筆硬度を測定したところ、表３に記されている
ような良好な結果が得られた。
成物Ａ−Ｋを被覆し、その上よりポリカーボネート支持
体を圧着し、紫外光を照射後、支持体を便化樹脂皮膜と
ともに金型から剥離し、実施例／〜亭と同様の溝形状を
表面に有する光ディスク基板を得た。得られた硬化樹脂
皮膜の鉛筆硬度を測定したところ、表３に記されている
ような良好な結果が得られた。
効果を奏する。
表 ３
〔参考例Ｓ−ｆ〕
次に実施例５〜ｇで得られた光ディスク基板上にＴｂ、
４Ｆｅ、、 なる組成をもつ膜厚３ｏｏＡの光磁気記
録媒体を市販の電子ビーム蒸着装置にて成膜し、前述の
評価機を用いて記録特性を測定したところ、いずれも／
Ｍｎ２におけるＯ／Ｎがダ、ｔｄＢ以上の良好彦結果
を得た。
４Ｆｅ、、 なる組成をもつ膜厚３ｏｏＡの光磁気記
録媒体を市販の電子ビーム蒸着装置にて成膜し、前述の
評価機を用いて記録特性を測定したところ、いずれも／
Ｍｎ２におけるＯ／Ｎがダ、ｔｄＢ以上の良好彦結果
を得た。
本発明の光ディスク基板によれば表面の紫外線硬化樹脂
皮膜は型離れが良好でトラッキングパターンが高精度に
形成し得、また耐熱性に優れているので精密記録が可能
である等の優れた出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士長谷用 − （ほか１名）
皮膜は型離れが良好でトラッキングパターンが高精度に
形成し得、また耐熱性に優れているので精密記録が可能
である等の優れた出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士長谷用 − （ほか１名）
Claims (4)
- （１）透明な支持体の片面あるいは両面に、トラッキン
グ用の溝を表面に有する紫外線硬化樹脂皮膜を形成した
光ディスク基板に於て、紫外線硬化樹脂皮膜が１分子当
り、１ないし６個の（メタ）アクリレート基を有するジ
ペンタエリスリトール誘導体を含有する組成物を光硬化
させたものであることを特徴とする光ディスク基板。 - （２）紫外線硬化樹脂皮膜が、下記構造式（ I ）で示
されるジペンタエリスリトール誘導体を含有する組成物
を光硬化させたものであることを特徴とする特許請求の
範囲１記載の光ディスク基板。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化
学式、表等があります▼を示す。 ＹはＨ又は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数
式、化学式、表等があります▼示す。 （ｍは４以下で、ｍ＋ｎが６以下になる整数である。） ｚは▲数式、化学式、表等があります▼を示す。 （ｌは３〜６の整数である。） - （３）紫外線硬化樹脂皮膜がジペンタエリスリトール誘
導体を少なくとも１０重量％、光重合開始剤を０．５〜
１０重量％含有する組成物を光硬化させたものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載
の光ディスク基板。 - （４）透明支持体が、ポリメタクリル酸エステル、ポリ
カーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、塩ビ／酢
ビ共重合体、ガラスのいずれかであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光ディスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225554A JPS6284446A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光デイスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225554A JPS6284446A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光デイスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284446A true JPS6284446A (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0587892B2 JPH0587892B2 (ja) | 1993-12-20 |
Family
ID=16831109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225554A Granted JPS6284446A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光デイスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284446A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143242A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Canon Inc | 光学的記録担体 |
| JPH02214040A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体 |
| JPH03140380A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 表面保護膜形成用組成物 |
| EP1460738A2 (en) * | 2003-03-21 | 2004-09-22 | Avalon Photonics AG | Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60225554A patent/JPS6284446A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143242A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Canon Inc | 光学的記録担体 |
| JPH02214040A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体 |
| JPH03140380A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 表面保護膜形成用組成物 |
| EP1460738A2 (en) * | 2003-03-21 | 2004-09-22 | Avalon Photonics AG | Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices |
| EP1460738A3 (en) * | 2003-03-21 | 2004-09-29 | Avalon Photonics AG | Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587892B2 (ja) | 1993-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |