JPS6366213A - デ−タ担体の製造のための加硫できる反応組成物の使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 磁気的に読み取りができ且つ書き込みができるオーディ
オ、ビデオ及びＤＰデータを保持する層のための担体材
料として使用するために実用性が実証されている材料は
、なかんずく、テープ、フィルム及びディスクの形態に
ある、たとえば飽和ポリエステル、たとえばポリエチレ
ンテレフタレート又は、たとえばブタン−１，４−ジオ
ール、とのその共縮合物、ポリ塩化ビニル及び塩化ビニ
ル共重合体のような熱可塑性プラスチックである。

光学的、特にレーザー読み取り系の場合には、現在では
記憶媒体としてディスクのみが用いられてν１ ゝ１ごビデオ（レーザービジョン）ディスクく直径約３
０　ｃｍ　）の場合には、担体基質はガラス又はポリメ
タクリル酸メチルから成る。

光学的データ担体のための基質材料として使用するため
の公知の興味ある材料はポリ塩化ビニル及びポリカーボ
ネートである（フェンデンプルツクら、ジャーナルオブ
ラディエーションキュアリング、１９８４年１月、２頁
以降；クンストストツフジャーナル１１／１９８２．６
頁以降）。

データ記憶に使用するものとして記されているその他の
材料は、メタクリル酸ブチル／メタクリル酸共重合体（
フォリストリーミニストリーペーパー、（０，３，０６
，８２１０７，１０，８３の５Ｕ１０４６７３６）；メ
タクリル酸アルキル、スチレン及びＮ−ビニルフェニル
−ｎ−アルキル−又はアリールチオ−尿素の三元重合体
、キッシュ大学、３０．１１．７９／１５．１０．８１
の５Ｕ８７３．２６９）；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、トニトロフルオレノン、スチレン−ブタジェン共重
合体を含有する熱可塑性組成物（Ｍ、Ｓ、グラキナ、０
５．０９．７７／２５．０６．７９のＳＵ６６７．９５
０）；メタクリル酸シクロヘキシルに基づく重合体（日
本特許公開１１．０５．８１／１６゜１１．８２の５７
−１８６．２４１．）；ベンゼン溶液から、たとえば金
属表面に対して塗布するデータ層のためのメタクリル酸
ブチルとスチレンの共重合体（Ｃ，Ｖ、グラシュら、２
６．０４．７１／２２．１１．７３の５Ｕ３９１，５９
７）であり；この点に関してはドイツ特許公開２．７４
４．４７９号についても記さねばならないが、それによ
ると、担体、たとえばポリ塩化ビニル、ポリカーボネー
ト、ポリエステル、セルロースエステルなどから成るフ
ィルム上への、たとえば、アクリル酸２−エチルヘキシ
ル、１．１．１−トリメチロールプロパントリアクリレ
ートの放射線重合によって、データ担体層を付与する。

重合体は、現在下記のいくつかの技術分野で、記憶ディ
スクのための基質として使用するために経済的に重要で
あり且つ興味が持たれている：１、消去できない光学的
メモリー（読み取りのみの記憶、ＲＯＭ＞又は光学的読
み取りのみの記憶（ＯＲＯＭ）。

１．１　製造過程において、型が光学的に、たとえばレ
ーザーによってのみ読むことができる、たとえばビット
の形態にある、デジタルデータを打ち出す。この工程は
、コンバクＩ・ディスク（ＣＤ）及びレーザービジョン
の形態において、オーディオ及びビデオの分野で技術的
及び経済的に大きな重要性をもたらした。このようなデ
ジタルデータ担体はＤ（、−ＲＯＭと呼ばれる。

１．２１回書き込みＲＯＭすなわち書き込み後の直接読
み取り、略してＤＲＡＷ、系の場合には、透明な基質デ
ィスク（ガラス又は重合体材料から成る）を、たとえば
、熱可塑性プラスチック層、染料又はセレン、テルル、
ビスマスなどに基づく低融点合金あるいは有機金属錯体
化合物によって被覆し且つレーザーを用いる層の局所的
溶融及び収縮によりデータスポット（穴、気泡、くぼみ
）を生じさせると、一方、それらのデータスポットは反
射率又は散乱の相違によってレーザーで読み取ることが
できる。

２、消去できる書き込み後直接読み取り、略してＥ−Ｄ
ＲＡＷ又は○（光学的）−Ｅ−ＤＲＡＷ、系は薄い（た
とえば’−１０７１ｍの厚さ）データ記憶層を有してい
る重合体又はガラスディスクがら成る。この層は以下の
ものから成ることができる：２．１　局所的な高エネル
ギーレーザー照射下に相変化（ｐｃ）を受ける物質。こ
のような物質は、なかんずく、セレン、テルル、アンチ
モン、ひ素化合物である。レーザーの作用によって生じ
る情報は、やはり、反射挙動の相違の結果としてレーザ
ーで読み取ることができる。これらの系は略してＰＣ−
Ｅ−ＤＲＡＷ″′系と呼ばれる。

２．２　低いキューリ一点を有する強磁性合金、たとえ
ば、Ｔｂ−Ｇｅ−Ｆｅのような、希土類／遷移金属系列
からの合金。読み出しは直接的偏光レーザー線の振動の
方向の回転（カー効果及び／又はファラデー効果）の利
用によって行なわれる。

ディスクへの書き込みにおいて、磁場の作用を伴なう高
エネルギーレーザ−パルスは記憶層の磁化を反転させ且
つ、キューリ一温度以下への冷却後に、情報を磁気的に
固定させるために働らく。

この系又は工程は、略して磁気光学的（マグネトオプテ
ィカル）（ＭＯ−Ｅ−ＤＲＡＷ）系と呼ばれる。

レーザー読み取りができる、厚さ約１．．２ｍｍのオー
ディオディスク（コンパクトディスク、ＣＤ−ＲＯＭ）
は現在軟質流動性ポリカーボネートからの″標準的な″
射出成形方法によって且つ射出／圧縮成形方法によって
、コピーとして製造される（Ｈ，ヘーゼル、タンストス
トラフジャーナル６／１９８５．２６頁以下、プラスト
フェルアルバイター３６巻、１９８５、第３号、１０頁
以下）。その際デジタル情報担体を射出型中で厚さ０．
２〜１ｍｍの金属テンプレートの形態で固定する。

しかしながら、上記の材料及び加工方法は、エレクトロ
ニックス工業からの増大しつつある要求に対して、もは
や満足できない次のような決定的な欠点を有している： １、担体材料としてのガラスは重く且つこわれやすく且
つ相応する品質的に高級のディスクを経済的に製造する
ことは困難である。

２、ポリメタクリル酸メチル及びメタクリル酸ブチル共
重合体から、射出成形によって、データを有する場合で
すら、ディスクを簡単に製造できるということは事実で
あるけれども、重大な問題は水の取込み（重量で１．５
〜３％）であって、それは膨潤及び討随する応力、さら
にまたゆがみ及び複屈折の変化を生じさせる。これはＣ
Ｄ−ＲＯＭの場合のみでなく、レーザー読み取り再生に
対しても、きびしい問題を生じさせる。

３、別の欠点はポリメタクリル酸メチル（Ｔｇ：約１０
０〜１１０℃）、メタクリル酸ブチル共重合体（Ｔｇ：
＜１００℃）及び特にＰＶＣ（Ｔｇ：約８０℃）の低い
耐熱変形性と低いガラス転移温度である。

４、ＰＶＣはさらに、レーザー光線の波長に対して、低
い透過率、たとえば約７５〜８５％、を有するにすぎな
いという欠点を有している。

５、熱可塑性プラスチックからワンショッＩ・法で製造
しな、オーディオ、ビデオ及びＤＰのためのデータ（ピ
ット）を有するレーザー読み取りデータディスクの別の
欠点として考えられるものは、比較的粘稠な溶融物によ
って生じる、データビットの不完全な再現性という不都
合による複製物の製造の困難性である。

６　情報ピットが高い温度において長くは持続しないと
いう事実（たとえば過度に長い時間にわたって比較的高
いレーザーエネルギーにさらされることにより、加熱に
よって応力を除くための熱処理により、且つまた、高温
、たとえば２００〜３６０℃、における射出の間の粘稠
な熱可塑性プラスチック溶融物による摩擦の結果として
の型上の摩耗及び傷によって）。

従来のこの技術分野は、ガラス又は熱可塑性プラスチッ
ク製品に基づいている。２８．０７．８２１０．４．０
２．８４の日本特許公開５９−２２，２４８号（住友ベ
ークライト社）は光学メモリーのための透明な担体材料
を特許請求しており、これは型中で液状エポキシ樹脂か
ら製造し且つ次いで前記のＤＲＡＷ及びＥ−ＤＲＡＷ系
ばかりでなくＣＤ−ＲＯＭコピーの場合にも、同様にし
て情報記憶層が付与される。理想的には、酸無水物及び
イミダゾール形の加硫促進剤と結び付いた、脂環式エポ
キシ樹脂は、加硫のために離型剤を与えた型中で１００
℃において５時間にわたって放置しなければならない。

このような長い型の占有時間は、技術的且つ経済的に、
大量生産に対して受は入れ難い。

この分野の専門家には、比較的高度に架橋した重合体が
、特にエポキシ樹脂において、大部分の重付加系よりも
大きな体積収縮を有していることは公知である。この体
積収縮は、たとえば、特に高い内部応力及び、それによ
って生じる、高い複屈折のために、低い強度の原因とな
る。加硫の比較的初期の段階においてすら現われる可能
性がある、透明系の場合の比較的高い体積収縮のために
、情報ピットの良好な複製は、一般に情報保持ディスク
コピー（ＣＤ−ＲＯＭ）の製造において、特に不飽和ポ
リエステル、アクリル酸及びメタクリル酸エステル系の
場合において、期待できなかった。

ここに驚くべきことに、記載の不飽和化合物に基づく反
応組成物の選択を使用して、記載の透明な基質及びコピ
ーディスク［ピットの形態としてのデータを含む（ＣＤ
−ＲＯＭ）］を、過酸化物及び、任意的に、促進剤及び
、同じく任意的に、助触媒及び抑制剤及び／又は放射線
、好ましくは紫外線を用いて、開始剤の存在において１
５〜１００℃の温度範囲で２０分未満にわたって加硫す
ることによって、高品質で製造し且つ離型することがで
きるということが見出された。これらの重合製品は、低
乃至きわめて低い複屈折（＜２０ｎｍ　／　ｍ　ｍ、好
ましくは＜５部ｍ／ｍｍ乃至＜Ｉｎｍ／ｍｍ）、低い水
の取り込み（重量で〈０６９好ましくはく０．５％）、
高い機械的安定性（曲げ弾性率＞　３５００　Ｎ／ｍｍ
２）によって、及び特に高い耐熱変形性（Ｔｇ＞１４０
℃、好ましくはＴｇ＞１６０℃）と結び付いた情報保持
表面のすぐれた再現性によって、特徴的である。これら
の基質及びコピーディスクは、かくして前記の熱可塑性
プラスチック及びエポキシ樹脂系の前記の欠点を全く示
さないか又は著るしく低下した程度に示すにすぎない。

長い型の占有時間及び高い温度の使用を必要とするため
に特に生産速度が低いエポキシ樹脂系と比較するときに
、特にこのことが顕著である。

１２一 本発明による反応組成物は： Ａ１重量で３０〜９０、好ましくは４０〜８０部の、場
合によっては式■の化合物との混合物としての、式■の
エチレン性二不飽和重合性化合物、好ましくはビスフェ
ノールＡビスメタクリル酸エステル及びビスフェノール
Ｆビスメタクリル酸エステル、 Ｂ１重量で７０〜１０、好ましくは６０〜２０部の、ｐ
−メチルスチレン、ｔ−ブチルスチレン、ジビニルベン
ゼン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセンの系列か
らの共重合できる化合物■から成っており、ここでＡと
Ｂの合計量は重量で１００部である。

これらの重合体を製造（加硫）するためには、以下の反
応提供剤及び任意的に助剤を使用することが好ましい： Ｃ０重量で０，０１〜１０、好ましくは０．１〜４部の
少なくとも一種の重合開始剤及び任意的に、０１重量で
０．００００１〜０，５、好ましくは０．００００２〜
０．１部の少なくとも１種の促進剤及び任意的に、 Ｅ６重量で０．００１〜２、好ましくは０．００１〜１
部の少なくとも１種の助触媒及び任意的にＦ、重量で０
．００００１〜０．５部、好ましくは０．０００１〜０
．０１部の少なくとも１種の抑制剤。

成分Ａとして化合物■のみでなく化合物■をも使用する
場合には、■の量は一般に■の重量で少なくとも２０、
好ましくは少なくとも４０％である。

ａ　＝　１．−２　、好ましくは１、 ｂ＝０−４、好ましくは０〜２、 ■ −Ｍ−＝−Ｃ−１−ＳＯ２−１−Ｓ−１−〇−１−ＣＩ
（２−０−ＣＨ２−１−ＣＨ２−０（Ｃ１ｈ）　ｃ　−
０−ＣＦ１２−又は単結合、ｃ＝２−６、 Ｘ−一−ＣＨ３、−ハロゲン（１を除く）、Ｒ’、Ｒ２
−＝−Ｈｌ−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈｓ；Ｒ’−１Ｒ’−＝Ｒ
’−１ｄ＝１−３、好ましくは１〜２、 ｅ＝１−２、好ましくは１、 ｆ＝１−５、好ましくは１．３．５、 ｇ＝１−３、好ましくは１〜２、 ｈ＝０−４、 Ｘ−一−ＣＨ３、−ハロゲン（Ｉを除く）、一ＣＨ２−
０（Ｃ）１２）　！　−Ｏ　Ｃ１１２　　ＸＬｋ単結合
、但し式■中でｆ＞１の場合にＭは異なるものとするこ
とができる、 ｉ　＝　２　−　６、 Ｒ５−、Ｒｓ−、Ｒ９−、ＲＩ’＝−Ｈ、−０ＣＨ３、
但しＲ９及びＲＩＯは同時に一Ｃｌ（、であることはで
きない、Ｒ？−、Ｒ８−一−Ｈ、−　Ｃ　１．、−Ｃ２
Ｈ５、好適な反応組成物は： え１ ｂ＝ｏ−２ 一Ｍー＝ーＣ− Ｘ−＝−Ｃ１１．、−ＣＩ Ｒ１，　Ｒ１、ｌ（３−、Ｒ４−＝−１１．　ＣＨ３Ｌ
Ｌ： ｄ＝１−２、 ｅ　＝　１　−　２、好ましくは１、 ｆ＝１、３、 ｇ＝１−２、 ｈ＝ｏ−２、 Ｒ〕 一Ｍ−　＝　−Ｃ− Ｒｓ−、Ｒ６−、Ｒ７−、Ｒ８、Ｒ９−、Ｒ’°−＝−
■、−ＣＩ（３に基づくものである。

特に好適な反応組成物は： に七： し■３ 式」Ｌ： し■３ 一＾−＝−ＣＨ２−ＣＨ２−０− に基づくものである。

これらの重合体の製造は、公知の方式で、きわめて低い
温度における重合によって、しかし好ましくは放射線に
よって、たとえば紫外線によって、好ましくは室温にお
いて、しかし１００℃以下の温度において、行なわれる
。場合によっては、特に比較的高いガラス転移温度を有
する重合体の場合においては、５０℃以上であるがＴ＝
Ｔｇ＋２０℃の温度以下で、好ましくは８０〜１００℃
における熱後処理によって、後重合を行なうことができ
る。

本発明の目的に対する式Ｉの化合物は、ビスフェノール
類、たとえばスルホニルビスフェノール、チオニルビス
フェノール、４，４′−ジヒドロキシジフェニル、４，
４′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、特にビスフェ
ノールＡ、ビスフェノールＦ及びそれらの混合物のアク
リル酸エステル及び好ましくはメタクリル酸エステルで
ある。

本発明の目的に対しては、式■の化合物はビスフェノー
ル類、たとえばスルホニルビスフェノール、チオニルビ
スフェノール、好ましくはビスフェノールＡ及びＦ並び
にそれらの混合物の、１〜３、好ましくは１〜２のエト
キシル化及び／又はプロポキシル化の程度を有する、エ
トキシル化及び／又はプロポキシル化生成物のアクリル
酸エステル及び好ましくはメタクリル酸エステルである
。さらに、式Ｉの物質は、上記のビスフェノ−？し類又
はそれらの混合物、好ましくはビスフェノールＡ及びＦ
のビスグリシジルエーテル、並びにビスフェノールビス
グリシジルエーテルと同−及び／又は異なるビスフェノ
ール、好愛しくはビスフェノ−ルＡ及びＦ、並びに、た
とえばブトラメチル−及び／又はテトラクロロビスフェ
ノールＡ及びＦのような、それらの環置換誘導体との（
２：１）乃至（５：４）、好ましくは２：１のモル比に
おける反応生成物のアクリル酸エステル及び好ましくは
メタクリル酸エステルである。

化合物■の工業的製造における副生物として生じるモノ
エステルは一般に本発明による化合物■の使用に対して
無害である。

本発明の目的のための重合開始剤は以下のものである： １、好ましくは紫外線を用いる放射線加硫に対して：た
とえばベンゾフェノン、１−ヒドロキシシクロへキシル
フェニルケトン、２−メチル−１゜４−（メチルチオ）
フェニル−２−モルホリノ−プロパン−１−オン、２−
メチル−１−４−（メチルチオ）フェニル−２−モルホ
リノプロパン−１−オン、ベンゾインエーテル、好まし
くはベンゾインイソプロピル及びイソブチルエーテル、
ペンジルジゲタール、好ましくはペンジルジメチル−２
〇− ケタール、及び上記の化合物の混合物；２、有機過酸化
物及び／又はベンズピナコールのシリルエーテルを用い
るフリーラジカル加硫系及び／又は放射線／過酸化物併
用加硫系に対してニジアシルペルオキシド、ベルオキシ
カーボネ−１・、ベルエステル、ベルケタール、ジアル
キルペルオキシド、ケトンペルオキシド、ジヒドロペル
オキシド、たとえば：ビスー（２，４−ジクロロベンゾ
イル）ペルオキシド、ジラウロイルペルオキシド、ジベ
ンゾイルペルオキシド、ジー２−エチルヘキシルペルオ
キシジカーボネート、ビス−（４−ｔ−ブチルシクロヘ
キシル）ペルオキシジカーボネート、過ピバリン酸ｔ−
ブチル過２−エチルヘキサン酸ｔ−ブチル、過−３，５
，５−）リメチルヘキサン酸ｔ−ブチル、過安息香酸ｔ
−ブチル、過マレイン酸ｔ−ブチル、１，１−ビス（ｔ
−ブチルペルオキシ）−３，５，５−）リメチルシクロ
ヘキサン、１．１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）−シ
クロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）
ブタン、４，４−ビス（ｔ−プチルペルオキシ）バレリ
ン９ｎ−ブチル、３，３−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ
）酪酸エチル、ジクミルペルオキシド、ｔ−ブチルクミ
ルペルオキシド、ビス（ｔ−ブチルペルオキシイソプロ
ピル）ベンゼン、２．５−ジルメチルヘキサン−２，５
−ジーｔ−ブチルペルオキシド、ジ−ｔ−ブチルペルオ
キシド、メチルイソブチルケトンペルオキシド、メチル
エチルケトンペルオキシド、アセチルアセトンペルオキ
シド、シクロヘキサノンペルオキシド、クメンヒドロペ
ルオキシド、七−ブチルヒドロペルオキシド及び上記の
化合物の混合物。

本発明の目的に対する促進剤は、反応組成物中に可溶な
、金属、好ましくはコバルト及びバナジウムの無機又は
、好ましくは有機塩及び錯体化合物、たとえば、オクタ
ン酸コバルト、ナフテン酸コバルト、コバルトアセチル
アセトナート、バナジルアセチルアセトナート、りん酸
部分エステル、とロー又はポリりん酸エステルのバナジ
ル塩、オクタン酸バナジル、酢酸バナジル、ｐ−トルエ
ンスルホン酸バナジル；且つまたアミン類、好ましくは
第三アルキルアミン、たとえば、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニ
リン、Ｎ、Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ。

Ｎ−ジメチル−ｐ−）ルイジン、Ｎ、Ｎ−ビス−（β−
ヒドロキシエチル）−ｐ−トルイジン、Ｎ。

Ｎ−ビス＝（β−ヒドロキシプロピル）ｐ−トルイジン
、Ｎ、Ｎ−ビス−（β−ヒドロキシプロピル）−ｐ−）
ルイジンアジペート（ドイツ特許公開１９４３．９５４
号記載）、ドイツ特許公開３゜２０２．０９０号中に記
載の式■中でＲｓ　、ＲｓがＨでありＲ４が−ＣＨ３で
ある第三アミン（ｐ−）ルイジン誘導体）、ドイツ特許
公開３，２０２，０９０号中に記載の式Ｉ中でＲ４とＲ
５がメチル基である第三アミン（キシリデン誘導体）Ｎ
、Ｎ−ビス−（β−ヒドロキシエチル）　−ｍ−クロル
アニリンとの混合物としての第三アリールアミン（比１
：１乃至６：１）。

本発明の目的に対しては、助触媒は、コバルト化合物に
基づく促進剤を用いる加硫に対しては、前記のアミン類
、好ましくはＮ、Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ、Ｎ−ジエ
チルアニリン、Ｎ、Ｎ−ジメ−２３＝ チル−ｐ−トルイジン、Ｎ、Ｎ−ビス−β−ヒドロキシ
エチル−及び／又は−プロビルーｐ−）ルイジン及び／
又は、それらの、たとえば、アジピン酸、フタル酸、モ
ノカルボン酸（Ｃ２〜Ｃ＋　ｏ　）とのエステルである
。

バナジウム化合物に対する助触媒は、チオール及びチオ
カルボン酸エステル、好ましくは、たとえばドイツ特許
公開２，０２５，４１０号中に記すもののような、チオ
グリコール酸エステルである。

本発明の目的に対する抑制剤は、ベンゾキノン、トルキ
ノン、ナフトキノン、トリメチルベンゾキノン、モノ−
及びジ−ｔ−ブチルベンゾキノン及び／又はそれらのヒ
ドロキノン類、好ましくはしドロキノン、トルヒドロキ
ノン、１，４−ナフトキドロキノン、ピロカテコール、
好才しくはモノ及び／又はジ−ｔ−ブチル−ピロカテコ
ール並びにそれらのモノアルキルエーテル、さらにはク
ロラニル及び可溶性銅塩及び／又は錯体、たとえばナフ
テン酸銅、オクタン酸銀、銅アセチルアセトナート、塩
化銅（Ｉ）亜りん酸錯体、及びこれらの化合物の混合物
である。

反応組成物は、成分の性質と量に依存して、１０〜１０
０、好ましくは２０〜９０℃の温度で加硫することがで
きる。

データ担体／担体材料は ■　情報が（たとえばピット中に）組み込んであるか、
又は ■感知できる物質（たとえば染料）の形態で包埋させた
情報を含有し、又は ■情報層（たとえば低いキューリ一点を有するセレン−
テルル化合物及び合金並びに合金と化合物によって代表
されるようなもの）で被覆されているものである。

担体材料は自己支持性であっても非自己支持性であって
もよく、非自己支持性の材料は主として中間層である（
たとえばガラス、熱可塑性プラスチック又は熱硬化性樹
脂に対して）。

夫１鮭 全般的製造及び試験条件 １、ｆｆΔ糺丸℃ ２枚のけい酸塩（窓）ガラス板（２００ｍｍＸ２７０ｍ
ｍＸ３ｍｍ）を、その２つの長縁と１つの短縁に沿う約
４ｍｍ（円形断面）又は１ｍｍ（長方形断面）の厚さの
軟質ＰＶＣ密封リボンを用いて、間隔を置いて保った。

これらの側縁を３つの銅製のばね腕木（角度のある、Ｕ
字形の断面、腕木の長さ：約２１０ｍｍ）を用いて正し
く保持した。

２、離１り餠 キシレン中の濃度５％の大豆レシチン。

３．１１ ３．１温度：特にことわりのない限りは、一般に室温（
２３℃）。

３．２加硫方法：紫外線開始剤及び／又は、記載の場合
には、有機過酸化物、及び促進剤及び任意的に助触媒及
び任意的に抑制剤；直立型。

３．３放射線源：４本の蛍光管、ＴＫＬ型、４０Ｗ１０
９、フィリップス。

３．４型から蛍光管までの距離：約４．５ｃｍ３．５熱
処理ニ一般に９０℃において終夜；約３０°Ｃまで温室
中で冷却；その後に離型（他の記載がない場合）。

４、練歩偏光にお（る　屈折又は特　の　・ディスク厚
さ：　０．１　ｃｍ 測定装置：偏光顕微鏡 測定方向：Ｍｌ、すなわち測定光線が注型板中を垂直（
注型の方向に対し垂直）にのみ 通過。

目視による外観：９０°回転させた２板の偏光フィルム
間。

５、水９」υΣ込ｈユ ＩＳＯ／Ｒ６２、ＤＩＮ　　５３，４９５による：ディ
スク厚さ：０．１ｃｍ；５０日後（他の記載がない場合
）。

６、〃ラノ」１４温渡−（Ｔｇ） ６．１　　ＤＩＮ　　５３，４５５による動的ガラス転
移温度（ｄｙｎ、Ｔ　ｇ　）　：試験片：平棒（６０ｍ
ｍＸ１０ｍｍＸ１ｍｍ）。

６．２示差熱分析によるガラス転移温度（ＤＴＡによる
Ｔｇ） に・　る弓Ｉ Ｂ−Ａ−ＢＭＡ＝ビスフェノールＡビスメタクリル酸エ
ステル ＨＥＢ−Ａ−ＢＭＡ−（４，４′−ビス（β−ヒドロキ
シエチル）−ビスフェノールＡビスメタクリル酸エステ
ル 夾茄」ロニ：（ 開始剤： 反応組成物に対して重量で０．３％のベンジルジメチル
ケクール

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光学的及び／又は磁気的に読み取り及び／又は書き
   込みすることができるデータ担体のための担体材料を製
   造するための、 Ａ、重量で３０〜９０部の、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 式中で ▲数式、化学式、表等があります▼、−ＳＯ＿２−、−
   Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＨ＿２−Ｏ−ＣＨ＿２−、−ＣＨ＿
   ２−Ｏ（ＣＨ＿２）ｃ−Ｏ−ＣＨ＿２−又は単結合、Ｘ
   −＝−ＣＨ＿３、−ハロゲン（ I を除く）Ｒ＾１−、
   Ｒ＾２−＝−Ｈ、−ＣＨ＿３、−Ｃ＿２Ｈ＿５；Ｒ＾３
   −、Ｒ＾４−＝Ｒ＾１−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ ａ＝１−２、好ましくは１、 ｂ＝０−４、好ましくは０〜２、 ｃ＝２−６、 及び任意的に、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 式中で Ｘ−＝−ＣＨ＿３、ハロゲン（ I を除く）、▲数式、
   化学式、表等があります▼、−ＳＯ＿２−、−Ｓ＿２、
   −Ｏ＿２、−ＣＨ＿２−Ｏ−ＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２−
   Ｏ（ＣＨ＿２）ｉ−Ｏ−ＣＨ＿２、単結合、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ Ｒ＾５−、Ｒ＾６−、Ｒ＾９−、Ｒ＾１＾０＝−Ｈ、−
   ＣＨ＿３、但しＲ＾９とＲ＾１＾０が同時にＣＨ＿３で
   あることはできない、 Ｒ＾７−、Ｒ＾８−＝Ｒ＾５−、−Ｃ＿２Ｈ＿５、加う
   るにＲ＾８＝▲数式、化学式、表等があります▼ ｄ＝１−３、 ｅ＝１−２、好ましくは１ ｆ＝１−５、好ましくは１、３、５ ｇ＝１−３、好ましくは１〜２ ｈ＝０−４ ｉ＝２−６ の重合させることができる化合物、及び Ｂ、重量で７０〜１０部の、ｐ−メチルスチレン、ｔ−
   ブチルスチレン、ジビニルベンゼン、ビニルナフタルン
   、ビニルアントラセンの系列の共重合させることができ
   る化合物III、 成分Ａ及びＢの合計量は重量で１００部である、を含有
   することを特徴とする、加硫できる反応組成物の使用。 ２、反応組成物は重量で４０〜８０部のＡと重量で６０
   〜２０部のＢを含有し、Ａ＋Ｂの合計は重量で１００部
   である、ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   使用。