JPS62192949A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62192949A JPS62192949A JP3442386A JP3442386A JPS62192949A JP S62192949 A JPS62192949 A JP S62192949A JP 3442386 A JP3442386 A JP 3442386A JP 3442386 A JP3442386 A JP 3442386A JP S62192949 A JPS62192949 A JP S62192949A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体の構造に関する。
従来の光記録媒体は、磁気記録ｌｆｉに集光したレーザ
光を照射することによシ磁化反転をおこさせ情報を記録
する方法、あるいは記録層にレーザ光を照射し、記録層
の結晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、
あるいけ六方晶から立方晶又はその逆等）つまシ相変態
により情報を記録する方法、あるいは記録ｊ−にレーザ
光を照射することにより穴を開ける。またはバブルを形
成するなどの記録部分の形状を変化させ情報を記録する
方法かある。
光を照射することによシ磁化反転をおこさせ情報を記録
する方法、あるいは記録層にレーザ光を照射し、記録層
の結晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、
あるいけ六方晶から立方晶又はその逆等）つまシ相変態
により情報を記録する方法、あるいは記録ｊ−にレーザ
光を照射することにより穴を開ける。またはバブルを形
成するなどの記録部分の形状を変化させ情報を記録する
方法かある。
特に従来の光磁気記録媒体は第２図に示すように、案内
溝のついたプラスチック基板（ＰＭＭＡ。
溝のついたプラスチック基板（ＰＭＭＡ。
ＰＣ，エポキシ樹脂等）６上に％ＴｂＦｅ 、 ＧｄＴ
ｂＦｅ。
ｂＦｅ。
Ｔｂ１ＦｅＯＯ等の光磁気記録層７が成膜されておシ、
さらにその上に保護膜としてＳｉ、Ｏ，等の誘電体膜８
が成膜されている。また、プラスチック基板以外にガラ
スを用いたものもあ）、第５図に示すような構造になっ
ている。９はガラス基板で、１０はガラス基板上に案内
溝を形成するために設けられた紫外線硬化樹脂層である
。１１．１２は第２図と同様の光磁気記録層、誘電体層
である。しかし、プラスチック基板、紫外線硬化樹脂層
は吸湿性およびガス透過度が高く、膜側にＳｉｎ、等の
保護膜はあっても光磁気記録ノーは非常に酸化しやすい
ため基板側から酸化され、磁気特性の劣化、膜ハゲ等問
題が大きかった。そこで基板側にも誘電体膜を形成し、
尤磁気記録層金サンドイッチした構造が第４１９で１３
は第２図と同様のプラスチック基板又は第５図と同様の
紫外線硬化樹脂付きガラス基板であシその基板上に１４
としてｓｉ、ｏ、等の誘電体膜が成膜されており、１５
．１６はそれぞれ第２図、第５図と同様の光磁気記録層
、ｓｉ、ｏ。
さらにその上に保護膜としてＳｉ、Ｏ，等の誘電体膜８
が成膜されている。また、プラスチック基板以外にガラ
スを用いたものもあ）、第５図に示すような構造になっ
ている。９はガラス基板で、１０はガラス基板上に案内
溝を形成するために設けられた紫外線硬化樹脂層である
。１１．１２は第２図と同様の光磁気記録層、誘電体層
である。しかし、プラスチック基板、紫外線硬化樹脂層
は吸湿性およびガス透過度が高く、膜側にＳｉｎ、等の
保護膜はあっても光磁気記録ノーは非常に酸化しやすい
ため基板側から酸化され、磁気特性の劣化、膜ハゲ等問
題が大きかった。そこで基板側にも誘電体膜を形成し、
尤磁気記録層金サンドイッチした構造が第４１９で１３
は第２図と同様のプラスチック基板又は第５図と同様の
紫外線硬化樹脂付きガラス基板であシその基板上に１４
としてｓｉ、ｏ、等の誘電体膜が成膜されており、１５
．１６はそれぞれ第２図、第５図と同様の光磁気記録層
、ｓｉ、ｏ。
等誘電体層である。さらには第４図の構造に反射膜を設
けた＊造も見られる。その構造を示したのが第５図であ
るが、この反射膜は耐候性向上の目的よりも、むＩ〜ろ
磁気光学効果のエンハンス効果を計ったものである。１
７か反射膜としてのアルミニウム、銅などである。しか
しこのサンドイッチ構造により、第２図、第５図に示す
構造よりは耐候性は向上したか、実用的には１だ１だ不
十分である。これは５ｊ−０，の誘電体膜自身が酸化物
であるため、遊離酸素が光磁気記録層を酸化してしまう
ためである。そこで、遊離酸素の発生しない非酸化物系
誘電体を用いれば良いか、プラスチック基板（ＰＭＭＡ
、ＰＣ！、エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付きガ
ラス基板はＳｉｎ、 ＊ ＺｒＯ。
けた＊造も見られる。その構造を示したのが第５図であ
るが、この反射膜は耐候性向上の目的よりも、むＩ〜ろ
磁気光学効果のエンハンス効果を計ったものである。１
７か反射膜としてのアルミニウム、銅などである。しか
しこのサンドイッチ構造により、第２図、第５図に示す
構造よりは耐候性は向上したか、実用的には１だ１だ不
十分である。これは５ｊ−０，の誘電体膜自身が酸化物
であるため、遊離酸素が光磁気記録層を酸化してしまう
ためである。そこで、遊離酸素の発生しない非酸化物系
誘電体を用いれば良いか、プラスチック基板（ＰＭＭＡ
、ＰＣ！、エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付きガ
ラス基板はＳｉｎ、 ＊ ＺｒＯ。
Ａ１．ｔ○１等酸化物系誘電体膜しか付着せず、磁化シ
リコン、窒化アルミニウム、硫化亜鉛等の非酸化物系誘
電体膜はクラックが発生してしまい付着しなかった。そ
のため実用化に向けて耐候性の向上を計るため光磁気記
録層そのものに耐候性をもたせる（日本応用磁気学会誌
、 Ｖｏｌ ８ ＠４２ ＊１９１３４ 、Ｐ２Ｏ３、
第８回日本応用磁気学会学術講演概要集Ｐ１２５等）、
あるいは保護膜ｆＡｊ。
リコン、窒化アルミニウム、硫化亜鉛等の非酸化物系誘
電体膜はクラックが発生してしまい付着しなかった。そ
のため実用化に向けて耐候性の向上を計るため光磁気記
録層そのものに耐候性をもたせる（日本応用磁気学会誌
、 Ｖｏｌ ８ ＠４２ ＊１９１３４ 、Ｐ２Ｏ３、
第８回日本応用磁気学会学術講演概要集Ｐ１２５等）、
あるいは保護膜ｆＡｊ。
Ｔ１等の金属にして耐候性をもたせる（第８回日応用磁
気学会学術講演概要集Ｐ１４８）などがある。しかしこ
れらの改良も基板からの酸化を防止することは不可能で
あり、それ故基板そのもの全ガラスだけにすることも試
みられており、案内溝自身もガラスで作られている（第
７回日本応用磁気学会学術講演概要集Ｐ１５５．第８回
日本応用磁気学会学術講演概要果Ｐ２５９）。しかし、
これは耐候性も十分実用に耐えうるものの、ガラスに案
内溝全作製することかｔ量的でなくコストが非常に高く
つき、実用化できる手法でない。
気学会学術講演概要集Ｐ１４８）などがある。しかしこ
れらの改良も基板からの酸化を防止することは不可能で
あり、それ故基板そのもの全ガラスだけにすることも試
みられており、案内溝自身もガラスで作られている（第
７回日本応用磁気学会学術講演概要集Ｐ１５５．第８回
日本応用磁気学会学術講演概要果Ｐ２５９）。しかし、
これは耐候性も十分実用に耐えうるものの、ガラスに案
内溝全作製することかｔ量的でなくコストが非常に高く
つき、実用化できる手法でない。
又、光磁気記録膜の膜質改善のためにＤＣバイアススパ
ッタ法が考案されているが（特開昭５７−ＩＱ１４４７
．特開昭５８−２１５７４４）。
ッタ法が考案されているが（特開昭５７−ＩＱ１４４７
．特開昭５８−２１５７４４）。
基板が絶縁体のために透明導電体である工ＴＯ。
［３ｎ、 ＯＨ＊１ｎ、０３ 、 ＺｎＯ、ＴｉＯの膜
を成膜しておく必要がある。そして、このＤＣバイアス
法によシ成膜した媒体は、基板上に透明導電体膜（酸化
物）があるため膜の付着力はあるが、酸化物であるため
耐候性か悪かった。
を成膜しておく必要がある。そして、このＤＣバイアス
法によシ成膜した媒体は、基板上に透明導電体膜（酸化
物）があるため膜の付着力はあるが、酸化物であるため
耐候性か悪かった。
しかし、前述の従来技術ではクラックが発生する。耐候
性が悪い、量産的でなくコストが非常に高い等の問題点
を有する。
性が悪い、量産的でなくコストが非常に高い等の問題点
を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、プラスチック基板（ＰＭＭＡ
、ＰＣ＋ 、エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付き
ガラス基板に保護膜をクラックの発生なく付着せしめ、
安価で耐候性に優れた。しかもＤｏバイアススパッタ法
によシ光磁気記録層の膜質の改善をはかった光記録媒体
を提供することにある。
の目的とするところは、プラスチック基板（ＰＭＭＡ
、ＰＣ＋ 、エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付き
ガラス基板に保護膜をクラックの発生なく付着せしめ、
安価で耐候性に優れた。しかもＤｏバイアススパッタ法
によシ光磁気記録層の膜質の改善をはかった光記録媒体
を提供することにある。
本発明の光記録媒体は、透明基板の片面に光磁気記録層
を形成し、光磁気配録１−に集光したレーザ光全照射す
ることにより、磁化反転をおこさせ情報を記録する光磁
気記録媒体において、透明基板と光磁気記録層との間に
、透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設けられ
ていること全特徴とする。
を形成し、光磁気配録１−に集光したレーザ光全照射す
ることにより、磁化反転をおこさせ情報を記録する光磁
気記録媒体において、透明基板と光磁気記録層との間に
、透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設けられ
ていること全特徴とする。
［作用］
従来、透明ディスク基板（％にプラスチック基板）上に
非酸化物ｓｉｔ体膜を成膜すれば、成膜中にクラックが
発生するか、もしくは耐候性加速試験中にクラックが発
生してしまった。しかも、クラックの発生しない酸化物
誘電体膜はその遊離酸素のために光記録膜を劣化させて
しまうという欠点全有していた。さらにＤＣバイアス法
を用いて光記録膜の膜質を改善するために用いる透明導
電膜は酸化物であるという問題点もあった。
非酸化物ｓｉｔ体膜を成膜すれば、成膜中にクラックが
発生するか、もしくは耐候性加速試験中にクラックが発
生してしまった。しかも、クラックの発生しない酸化物
誘電体膜はその遊離酸素のために光記録膜を劣化させて
しまうという欠点全有していた。さらにＤＣバイアス法
を用いて光記録膜の膜質を改善するために用いる透明導
電膜は酸化物であるという問題点もあった。
そこで１本発明の上記構成によれば、透明基板側からの
第１１ｉ１目としてＳｎＯ，、■ｎ、Ｏ，、ＺｎＯ。
第１１ｉ１目としてＳｎＯ，、■ｎ、Ｏ，、ＺｎＯ。
ＴｉＯの酸化物透明導電膜を成膜する。これは基板にＤ
Ｃバイアス電圧金印加さる目的以外に、酸化物であるた
めプラスチック基板との付着カカ３強く、クラックの発
生おさえる目的も兼ねている。そして、第１層目は酸化
物であるため、その遊離酸素が光記録層の劣化を進める
。この劣化を防ぐために第２層目として非酸化物誘電体
として窒化アルミニウムを成膜すれば、クラックが発生
せず、光記録膜の膜質も改善された、しかも耐候性に優
れた光記録媒体ができるものである。
Ｃバイアス電圧金印加さる目的以外に、酸化物であるた
めプラスチック基板との付着カカ３強く、クラックの発
生おさえる目的も兼ねている。そして、第１層目は酸化
物であるため、その遊離酸素が光記録層の劣化を進める
。この劣化を防ぐために第２層目として非酸化物誘電体
として窒化アルミニウムを成膜すれば、クラックが発生
せず、光記録膜の膜質も改善された、しかも耐候性に優
れた光記録媒体ができるものである。
〔実施１３’１ＪＩＪ
第１図は１本発明における透明基板側から透明導電膜・
誘電体膜が順に設けられた光磁気記録媒体の断面図であ
る。１は溝付ｐｃ基板で嘴ピッチ２．５μ惜％溝幅０．
７μ毒、溝深さ７０ロスのものである。このＰＣ基板の
溝側に透明導電膜として工ＴＯ膜（Ｉｎ！Ｏ，： ５ｎ
０２＝＝９０ ： １ ｎｗｔ９６程度〕１５０久形成
したのが２で、その上に窒化全８００＾形成したのが６
である。さらにその上に光磁気記録層としてＧａＴｂＦ
ｅ０ｏ １ｌＩＸ５ｎｎλｋ 形成Ｌ ｆｃ （Ｄが４
であシ、′＃、磁気記録ｊ−の膜体からの耐候性を向上
させるために５として窒化アルミニウム膜を１０ｎＴ］
Ａ形成した。
誘電体膜が順に設けられた光磁気記録媒体の断面図であ
る。１は溝付ｐｃ基板で嘴ピッチ２．５μ惜％溝幅０．
７μ毒、溝深さ７０ロスのものである。このＰＣ基板の
溝側に透明導電膜として工ＴＯ膜（Ｉｎ！Ｏ，： ５ｎ
０２＝＝９０ ： １ ｎｗｔ９６程度〕１５０久形成
したのが２で、その上に窒化全８００＾形成したのが６
である。さらにその上に光磁気記録層としてＧａＴｂＦ
ｅ０ｏ １ｌＩＸ５ｎｎλｋ 形成Ｌ ｆｃ （Ｄが４
であシ、′＃、磁気記録ｊ−の膜体からの耐候性を向上
させるために５として窒化アルミニウム膜を１０ｎＴ］
Ａ形成した。
それぞれの膜の成膜は、真空槽をリークせず、連続で成
膜している。具体的成膜方法は、ＩＴＯ膜がＩｎ、０３
とＳ ｎ、 ＯｙＯ比ｄｉ ９ ＩＩ ： １０ｗｔ％
のターゲットを用い、Ａｒ圧４ ｍ ＴＯｒｒ Ｏ，圧
１ｍ ＴＯｒｒのｆｊス’ｔ４人し、ＤＣスパッタした
ものであり、窒化アルミニウム膜は窒化アルミニウムの
ターゲットを用いＡｒ圧４ ｍ ＴＯｒｒＮ１圧１ｍＴ
Ｏｒｒのガス全導入し、ＲＦスパッタし九。さらに、Ｇ
ｄＴｂＦｅ０ｏ膜は、Ｆ’ｅＣＯ合金ターゲット（Ｆｅ
：Ｃ０−９０： Ｉｎｗｔ優）上にＯ（ｊとＴｂのチッ
プ（１：１）？配した複会ターゲットーｉ用いＡｒ圧５
ｍ ’ｒｏｒｒでＤｏスパッタした。その際、基板に
は工Ｔｏ膜を介して一９０Ｖの負電圧を印加している。
膜している。具体的成膜方法は、ＩＴＯ膜がＩｎ、０３
とＳ ｎ、 ＯｙＯ比ｄｉ ９ ＩＩ ： １０ｗｔ％
のターゲットを用い、Ａｒ圧４ ｍ ＴＯｒｒ Ｏ，圧
１ｍ ＴＯｒｒのｆｊス’ｔ４人し、ＤＣスパッタした
ものであり、窒化アルミニウム膜は窒化アルミニウムの
ターゲットを用いＡｒ圧４ ｍ ＴＯｒｒＮ１圧１ｍＴ
Ｏｒｒのガス全導入し、ＲＦスパッタし九。さらに、Ｇ
ｄＴｂＦｅ０ｏ膜は、Ｆ’ｅＣＯ合金ターゲット（Ｆｅ
：Ｃ０−９０： Ｉｎｗｔ優）上にＯ（ｊとＴｂのチッ
プ（１：１）？配した複会ターゲットーｉ用いＡｒ圧５
ｍ ’ｒｏｒｒでＤｏスパッタした。その際、基板に
は工Ｔｏ膜を介して一９０Ｖの負電圧を印加している。
そして、４Ｉｉ１目の窒化アルミニウム膜の成膜方法は
、２噛目の窒化アルミニウム膜と同じである。ここで用
いた種々の成膜方法（例えば、ＤＣスパッタかＲＦスノ
（ツタか、ターゲットは金属か非金属か等）は１例にす
ぎず、本質的なものではない。
、２噛目の窒化アルミニウム膜と同じである。ここで用
いた種々の成膜方法（例えば、ＤＣスパッタかＲＦスノ
（ツタか、ターゲットは金属か非金属か等）は１例にす
ぎず、本質的なものではない。
この本発明（Ｃよる、透明基板側から透明導電ｊ漠（工
ＴＯ膜）・誘電体膜（窒化アルミニウム）か順に設けら
れている光磁気記録媒体と、従来の構造、つ寸り第４図
の１５かＰＯ基板で１４の誘電 ９一 体膜がＳｉＯ，ＩＩ）ｎｎλのものや、窒化アルミニウ
ム１０００＾でｔｆき換わったものを作成した。
ＴＯ膜）・誘電体膜（窒化アルミニウム）か順に設けら
れている光磁気記録媒体と、従来の構造、つ寸り第４図
の１５かＰＯ基板で１４の誘電 ９一 体膜がＳｉＯ，ＩＩ）ｎｎλのものや、窒化アルミニウ
ム１０００＾でｔｆき換わったものを作成した。
当然の事ながら１５．１６は４．５と全く同じものであ
シ、それぞれＧｄＴｂＦｅＯｏｌｌｇ ３０１１又、窒
化アルミニウム膜１ｎ００＾である。そして本発明によ
る媒体を含め、これら５種類の媒体ヲ６０℃９Ｄ％ＲＨ
の恒温恒湿槽中での加速試験が第６図に示すグラフであ
る。縦軸は反射率の平方根とカー回転角の積で一般に性
能指数と呼ばれ、媒体のＧ／Ｈにほぼ比例するものであ
り、高いほど良い。横軸は加速試１横を行なった時間で
ある。１８は本発明による透明基板側から透明導電膜・
誘電体膜力３順に設けられた光磁気記録媒体、１９は誘
電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの、２１は誘電
体にＳｉｎ、のみを用いたものである。この図から判る
様に本発明による光磁気記録媒体１８は性能が全く劣化
せず実用に酎えうるものである。
シ、それぞれＧｄＴｂＦｅＯｏｌｌｇ ３０１１又、窒
化アルミニウム膜１ｎ００＾である。そして本発明によ
る媒体を含め、これら５種類の媒体ヲ６０℃９Ｄ％ＲＨ
の恒温恒湿槽中での加速試験が第６図に示すグラフであ
る。縦軸は反射率の平方根とカー回転角の積で一般に性
能指数と呼ばれ、媒体のＧ／Ｈにほぼ比例するものであ
り、高いほど良い。横軸は加速試１横を行なった時間で
ある。１８は本発明による透明基板側から透明導電膜・
誘電体膜力３順に設けられた光磁気記録媒体、１９は誘
電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの、２１は誘電
体にＳｉｎ、のみを用いたものである。この図から判る
様に本発明による光磁気記録媒体１８は性能が全く劣化
せず実用に酎えうるものである。
−万ｖｊ電体かＳｉ、Ｏ，の媒体２１はすぐ酸化されて
し１い、実用できない。そしてＥＮ這体に窒化アルミニ
ウムを用いた媒体１９でも性能の劣化がかなりあり束中
には問題がある。さらに、１９．２１の媒体が１８の媒
体に比較して性能指数が低いのは、１９．２１の媒体に
は１） Ｏバイアス電圧が印加できず、膜質が教書され
ないためであり、一方１８の媒体は有効にＤＣバイアス
菟出癖印加できるため膜質牧舎されるからである。ここ
で１９゜２１の媒体の窒化アルミニウム、ＳｉＯ，ｉｌ
［１ｎｎ１厚としたのは、本発明媒体の透明導電膜２と
誘電体膜５の総厚と同じにする目的のためである。
し１い、実用できない。そしてＥＮ這体に窒化アルミニ
ウムを用いた媒体１９でも性能の劣化がかなりあり束中
には問題がある。さらに、１９．２１の媒体が１８の媒
体に比較して性能指数が低いのは、１９．２１の媒体に
は１） Ｏバイアス電圧が印加できず、膜質が教書され
ないためであり、一方１８の媒体は有効にＤＣバイアス
菟出癖印加できるため膜質牧舎されるからである。ここ
で１９゜２１の媒体の窒化アルミニウム、ＳｉＯ，ｉｌ
［１ｎｎ１厚としたのは、本発明媒体の透明導電膜２と
誘電体膜５の総厚と同じにする目的のためである。
さらに６０Ｃ９ｎ４ＲＨの耐候性試験によりＢｉｔ Ｅ
ｒｒｏｒ Ｒａｔｅがどのように増力口するのか全調べ
之結果が第７図である。１８’、 １９’、 ２ぜは１
３．１９．２１に対応する構造で１８′は本発明による
透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設けられた
光磁気記録媒体、１９′は誘電体に窒化アルミニウムの
みを用いた媒体、２１′は誘電体に６１０．のみを用い
た媒体である。縦軸はＢｉｔＥｒｒｏｒ Ｒａｔｅ 、
横軸は耐候性試験経過時間である。
ｒｒｏｒ Ｒａｔｅがどのように増力口するのか全調べ
之結果が第７図である。１８’、 １９’、 ２ぜは１
３．１９．２１に対応する構造で１８′は本発明による
透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設けられた
光磁気記録媒体、１９′は誘電体に窒化アルミニウムの
みを用いた媒体、２１′は誘電体に６１０．のみを用い
た媒体である。縦軸はＢｉｔＥｒｒｏｒ Ｒａｔｅ 、
横軸は耐候性試験経過時間である。
この図から明らかなように本発明による媒体１８′のＢ
ＥＨの増加は見られなかったが、他の！！Ｉ４造による
媒体では１３ Ｅ Ｈの増加が激り、 ＜、特に２１′
に示す媒体の劣化が激しい。この加速試験結果により本
発明媒体の信頼性は１０年以上保障できるものである。
ＥＨの増加は見られなかったが、他の！！Ｉ４造による
媒体では１３ Ｅ Ｈの増加が激り、 ＜、特に２１′
に示す媒体の劣化が激しい。この加速試験結果により本
発明媒体の信頼性は１０年以上保障できるものである。
父、破線で示している所は測定不可能なほどＢＥＲが増
加【７たことを示している。
加【７たことを示している。
〔実施例２〕
次に、透明基板ｙ＜ＰｃからＰ Ｍ Ｍ Ａに（を勇換
えて実施例１と同様の実験をおこなった。七の結果が第
８図、第９図であり、第８図はＰＭＭＡ基板を用いた６
０’Ｃ９０％ＲＨの恒温恒湿槽中での加速試験図で、
第９図がＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％Ｒ）Ｔの耐
候性試験によるＢＥＩ’？の経時変化図である。２２は
、ＰＭＭＡ基板を用いた本発明による透明基板側から透
明導電膜（工ＴＯ）２ｎｏＸ、ｄｔ体膜（窒化シリコン
）ｓｏｏＸが順に設けられた光磁気記録媒体、２３Ｉ−
Ｊ：ＰＭＭＡ基板を用い誘電体に窒化シリコン１ｏｎｏ
Ｘのみを用いたもの、２４は誘電体にＳｉ０，１０ＯＯ
＾のみ金柑いたものである。この図からも判る様にＰＭ
ＭＡ基板を用いても本発明による媒体は、性能が全く劣
化せず実用に耐えつるものである。一方、ｓｉｏ、′（
ｆ″用い九媒体２５や窒化シリコンのみを用い之媒体２
４では劣化が激しく実用できない。
えて実施例１と同様の実験をおこなった。七の結果が第
８図、第９図であり、第８図はＰＭＭＡ基板を用いた６
０’Ｃ９０％ＲＨの恒温恒湿槽中での加速試験図で、
第９図がＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％Ｒ）Ｔの耐
候性試験によるＢＥＩ’？の経時変化図である。２２は
、ＰＭＭＡ基板を用いた本発明による透明基板側から透
明導電膜（工ＴＯ）２ｎｏＸ、ｄｔ体膜（窒化シリコン
）ｓｏｏＸが順に設けられた光磁気記録媒体、２３Ｉ−
Ｊ：ＰＭＭＡ基板を用い誘電体に窒化シリコン１ｏｎｏ
Ｘのみを用いたもの、２４は誘電体にＳｉ０，１０ＯＯ
＾のみ金柑いたものである。この図からも判る様にＰＭ
ＭＡ基板を用いても本発明による媒体は、性能が全く劣
化せず実用に耐えつるものである。一方、ｓｉｏ、′（
ｆ″用い九媒体２５や窒化シリコンのみを用い之媒体２
４では劣化が激しく実用できない。
特に基板がＰＭＭＡのため第６図と比較して劣ｆビの速
度が速い。これはＰＭＭＡの方がＰＣに比べて吸湿性が
腐いためである。又、第９図に示す２２′は２２に対応
し、２３′は２５に、２４′は２４に対応する。そして
この図からもＰＭＭＡ基板金用いても本発明による媒体
のＢＦ！Ｒは増加せず、実用できることが判る。一方、
他の媒体２５’、２４’はやはりＰＭＭＡ基板のため、
第７図よシも劣化が激しい。又、実施例１．２とも窒化
アルミニウムのみ’ｉＪ＋１いた媒体１９．２５は１０
時間はどでクラックが生じその時点で実用できなくなる
。
度が速い。これはＰＭＭＡの方がＰＣに比べて吸湿性が
腐いためである。又、第９図に示す２２′は２２に対応
し、２３′は２５に、２４′は２４に対応する。そして
この図からもＰＭＭＡ基板金用いても本発明による媒体
のＢＦ！Ｒは増加せず、実用できることが判る。一方、
他の媒体２５’、２４’はやはりＰＭＭＡ基板のため、
第７図よシも劣化が激しい。又、実施例１．２とも窒化
アルミニウムのみ’ｉＪ＋１いた媒体１９．２５は１０
時間はどでクラックが生じその時点で実用できなくなる
。
〔実施例５〕
さらに、透明導電膜の膜厚がどの程度あればＤＣバイア
ス電圧が印加出来るかを調べたのが第１０図で、ＤＣバ
イアススパッタ法の工ＴＯ膜厚依存性図である。ここで
横軸は工Ｔｏ膜厚で、縦軸けＨａ ／Ｈｂであり、Ｈａ
、Ｈｂはそれぞれ第１１図に示す。第１１図カーヒステ
リシス図で、横軸は印加磁場、縦軸はカー回軸角を示す
。第１０図から判るように工ＴＯ膜厚５ｎＸ以上になる
とＤＣバイアス電圧が印加出来ていることがわかる。
ス電圧が印加出来るかを調べたのが第１０図で、ＤＣバ
イアススパッタ法の工ＴＯ膜厚依存性図である。ここで
横軸は工Ｔｏ膜厚で、縦軸けＨａ ／Ｈｂであり、Ｈａ
、Ｈｂはそれぞれ第１１図に示す。第１１図カーヒステ
リシス図で、横軸は印加磁場、縦軸はカー回軸角を示す
。第１０図から判るように工ＴＯ膜厚５ｎＸ以上になる
とＤＣバイアス電圧が印加出来ていることがわかる。
つまりｓｏＸ未満であると工Ｔ○膜が島状になり不連続
膜となるため導通がとれないからである。
膜となるため導通がとれないからである。
このことより工ＴＯ膜はｓｏＸ以上成膜しないと効果が
ないことが判る。
ないことが判る。
〔実施例４〕
又、透明導電膜（工Ｔ○）と誘電体膜（窒化アルミニウ
ム）の総厚がどの程度になれば、基板の溝がつぶれるか
を見たのが第１２図で、ｔｌｌＪ！深さの透明導電膜と
誘電体膜との総厚依存性図である。
ム）の総厚がどの程度になれば、基板の溝がつぶれるか
を見たのが第１２図で、ｔｌｌＪ！深さの透明導電膜と
誘電体膜との総厚依存性図である。
この図より総厚が５ｎｏｎＸを超えると溝が完全につぶ
れることがわかる。このことよシ総厚は５ｏｏｏＸ以下
でなければならなりことがわかる。
れることがわかる。このことよシ総厚は５ｏｏｏＸ以下
でなければならなりことがわかる。
［実施例５］
さらに、実施例１で用いた透明導電膜を工ＴＯ以外にＥ
！ｎｏ、、Ｉｎ、Ｏ，、ＺｎＯ、Ｔｉｅ’ 、及びそれ
らの混合成分を用いたものに置き換えた実Ｍをおこなつ
た。そして、６０℃９０ ’ｌ ＲＨの加速試験１００
０時間後Ｋ、性能指数及びＢＦｉＲに変化があったかど
うかを調べた。その結果を一覧表に示す。
！ｎｏ、、Ｉｎ、Ｏ，、ＺｎＯ、Ｔｉｅ’ 、及びそれ
らの混合成分を用いたものに置き換えた実Ｍをおこなつ
た。そして、６０℃９０ ’ｌ ＲＨの加速試験１００
０時間後Ｋ、性能指数及びＢＦｉＲに変化があったかど
うかを調べた。その結果を一覧表に示す。
表 １
尚、ここで用い九透明導電体膜のうち混合したものにつ
いての混合成分の成分比は、いかなる比でも本発明をそ
こねるものではない。
いての混合成分の成分比は、いかなる比でも本発明をそ
こねるものではない。
以上、実施例に述べたごとく本発明による透明基板側か
ら透明導電膜・誘電体膜が順に設けられた光記録媒体は
、膜η性の劣化もなく、ＢＢＲの増加もない耐候性に優
れた媒体を供することができるＯ 尚、本実施例に用いた基板はＰＣ，ＰＭＭＡ基板である
が、エポキシ樹脂あるいは紫外線硬化樹脂付きガラス基
板においても何ら本発明をそこねるものではない。さら
に光磁気記録層に用いた膜はＧａＴｂＦｅＣｏ膜である
が、 ＴｂＦ’ｅ 、 ＴｂＦｅＣ０。
ら透明導電膜・誘電体膜が順に設けられた光記録媒体は
、膜η性の劣化もなく、ＢＢＲの増加もない耐候性に優
れた媒体を供することができるＯ 尚、本実施例に用いた基板はＰＣ，ＰＭＭＡ基板である
が、エポキシ樹脂あるいは紫外線硬化樹脂付きガラス基
板においても何ら本発明をそこねるものではない。さら
に光磁気記録層に用いた膜はＧａＴｂＦｅＣｏ膜である
が、 ＴｂＦ’ｅ 、 ＴｂＦｅＣ０。
ＴｂＣ！ｏ 、 ＧｃｌＣｏ 、 ＴｂＤｙＦｅ 、
ＤｙＦｅ０ｏ 、 Ｎ＋Ｈ）ｙＦｅＣｏ。
ＤｙＦｅ０ｏ 、 Ｎ＋Ｈ）ｙＦｅＣｏ。
ＮｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属型光磁気配録膜で
も何らさしつか父ない。
も何らさしつか父ない。
又、本実施例では光磁気記録媒体を述べたが、記録層の
結晶構造全変化させる（結晶から非結晶質又はその逆、
あるいは六方晶から立方晶又はその逆など）。つまり相
変態をおこさせて反射率差金信号とする書き換え可能型
光記録媒体、あるいは記録層に穴を開ける。バブルを形
成する。相変態をおこさせるなどによる追記型光記録媒
体にも本発明は有効である。
結晶構造全変化させる（結晶から非結晶質又はその逆、
あるいは六方晶から立方晶又はその逆など）。つまり相
変態をおこさせて反射率差金信号とする書き換え可能型
光記録媒体、あるいは記録層に穴を開ける。バブルを形
成する。相変態をおこさせるなどによる追記型光記録媒
体にも本発明は有効である。
以上述べた如く１本発明による光記録媒体においては、
長期間（１０年以上）にわたり、Ｏ／ＮＢＥＲが劣化せ
ずクラックも生じない。本発明により光記録媒体の長期
信頼性が飛躍的に向上し、さらにガラスに直接溝を形成
する必要もなく、プラスチック基板が使用できることか
ら大巾なコストダウンが計れるものである。父、クラッ
クも発生せずに誘電体全形成できることからカー回転角
のエンハンス効果も有効に利用でき、さらにり。
長期間（１０年以上）にわたり、Ｏ／ＮＢＥＲが劣化せ
ずクラックも生じない。本発明により光記録媒体の長期
信頼性が飛躍的に向上し、さらにガラスに直接溝を形成
する必要もなく、プラスチック基板が使用できることか
ら大巾なコストダウンが計れるものである。父、クラッ
クも発生せずに誘電体全形成できることからカー回転角
のエンハンス効果も有効に利用でき、さらにり。
バイアス電圧を基板に印加できることから、光記録層の
膜質改善ができ、 Ｃ／Ｎ向上がはかれるものである。
膜質改善ができ、 Ｃ／Ｎ向上がはかれるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設
けらｆ″Ｌ九光磁気記録媒体の断面図。 第２図は従来の光磁気記録媒体の断面図。 第３図はガラス基板を用いた従来の光磁気記録媒体の断
面図。 第４図は光磁気記録Ｉ−を誘鑞体嘆でサンドイッチした
従来の光磁気記録媒体の断面図。 第５図は反射膜を設けた従来の光磁気記録媒体の断面図
。 第６図は６０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽中での加速試験
図〇 第７図は６０℃９０％ＲＨの耐候性試験によるＢ Ｅ
Ｒの経時変化図。 第８図はＰＭＭＡ基板を用いた６ｎＣ９ｒＪ％ＲＨの恒
温恒湿槽中での加速試験図。 第９図はＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％ＲＨの耐候
性試演によるＢＥＲの経時変化図。 第１０図はＤｏバイアススパッタ法の丁ＴＯ［厚依存性
図。 第１１図はカーヒステリシス図。 第１２図は溝深さの透明導電膜と誘電体膜との飴厚依存
性図３． １・・・溝付きＰＣ基板 ２・・・透明導電膜（工Ｔｏ膜９ ５・・・窒化アルミニウム膜 ４・・・光磁気記録４ （Ｇ４Ｔ ｂＦｅ Ｃｏ ［）
５・・・窒化アルミニウム膜 ６・・・プラスチック基＆（ＰＭＭＡ 、ＰＣ、エポキ
シ樹脂等） ７・・・光磁気記録層（ＴｂＦｅ 、 Ｇｄ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ 等）８・・・誘′屯体膜（Ｓ１０を等） ９・・・ガラス基板 １０・・・紫外線硬化樹脂ｆｉ１ １１、、−光磁気記録ｆ＠ｌ （Ｔｂｌ！’ｅ 、 Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ等）１２・・・誘這体層（ｓｌｏ、’＃
ｔｊ ）１６・・・プラスチック基板又は紫外線硬化樹
脂付きガラス基板 １４・・・誘電体膜（Ｓｌ、Ｏｔ等） １５、、・光磁気記録１＠ （ＴｂＦｅ 、 ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ 等）１６・・・誘電体１１１１（Ｓｉｆｔ等
〕１７・・・反射膜（アルミニウム、銅等）１８・・・
本発明による透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順
に設けられた光磁気記録媒体。 １９・・・誘電体に窒化アルミニウムのみ金柑いた媒体
。 ２１・・・誘電体に５ｉｎ２のみを用いた媒体。 １８′・・・１８に対応 １９′・・・１９に対応 ２１′・・・２１に対応 ２２・・・ｐ ）Ａ Ｍ Ａ基板金柑い透明基板側から
透明導！ｉ！嗅・誘電体膜が順に設けられた光磁気記録
媒体。 ２５・・・ＰＭＭＡ基板をｒ４）いｉ透１１Ｌ体に窒化
アルミニウムのみ音用いた媒体。 ２４・・・ＰＭＭＡ基板全用い誘電体にｓｌ ０ ！の
みを用いた媒体。 ２２′・・・２２に対応 ２５′・・・２３に対応 ２４′・・・２４に対応 ２辻呵４を犠αｒｏ） ３、＃ｆＪ−ｄ（−Ｍイｌ−７１しＳ ｚ”）” ）フ
ル・ヱ 第 １ 霞 第２図 ｙ 第３図 第４図 第５図 ゛「 第６図 第９図 第９ 図 第 ９ Ｍ 隼ｌｏｔ羽 憾１２１羽
けらｆ″Ｌ九光磁気記録媒体の断面図。 第２図は従来の光磁気記録媒体の断面図。 第３図はガラス基板を用いた従来の光磁気記録媒体の断
面図。 第４図は光磁気記録Ｉ−を誘鑞体嘆でサンドイッチした
従来の光磁気記録媒体の断面図。 第５図は反射膜を設けた従来の光磁気記録媒体の断面図
。 第６図は６０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽中での加速試験
図〇 第７図は６０℃９０％ＲＨの耐候性試験によるＢ Ｅ
Ｒの経時変化図。 第８図はＰＭＭＡ基板を用いた６ｎＣ９ｒＪ％ＲＨの恒
温恒湿槽中での加速試験図。 第９図はＰＭＭＡ基板を用いた６０℃９０％ＲＨの耐候
性試演によるＢＥＲの経時変化図。 第１０図はＤｏバイアススパッタ法の丁ＴＯ［厚依存性
図。 第１１図はカーヒステリシス図。 第１２図は溝深さの透明導電膜と誘電体膜との飴厚依存
性図３． １・・・溝付きＰＣ基板 ２・・・透明導電膜（工Ｔｏ膜９ ５・・・窒化アルミニウム膜 ４・・・光磁気記録４ （Ｇ４Ｔ ｂＦｅ Ｃｏ ［）
５・・・窒化アルミニウム膜 ６・・・プラスチック基＆（ＰＭＭＡ 、ＰＣ、エポキ
シ樹脂等） ７・・・光磁気記録層（ＴｂＦｅ 、 Ｇｄ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ 等）８・・・誘′屯体膜（Ｓ１０を等） ９・・・ガラス基板 １０・・・紫外線硬化樹脂ｆｉ１ １１、、−光磁気記録ｆ＠ｌ （Ｔｂｌ！’ｅ 、 Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ等）１２・・・誘這体層（ｓｌｏ、’＃
ｔｊ ）１６・・・プラスチック基板又は紫外線硬化樹
脂付きガラス基板 １４・・・誘電体膜（Ｓｌ、Ｏｔ等） １５、、・光磁気記録１＠ （ＴｂＦｅ 、 ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ 等）１６・・・誘電体１１１１（Ｓｉｆｔ等
〕１７・・・反射膜（アルミニウム、銅等）１８・・・
本発明による透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順
に設けられた光磁気記録媒体。 １９・・・誘電体に窒化アルミニウムのみ金柑いた媒体
。 ２１・・・誘電体に５ｉｎ２のみを用いた媒体。 １８′・・・１８に対応 １９′・・・１９に対応 ２１′・・・２１に対応 ２２・・・ｐ ）Ａ Ｍ Ａ基板金柑い透明基板側から
透明導！ｉ！嗅・誘電体膜が順に設けられた光磁気記録
媒体。 ２５・・・ＰＭＭＡ基板をｒ４）いｉ透１１Ｌ体に窒化
アルミニウムのみ音用いた媒体。 ２４・・・ＰＭＭＡ基板全用い誘電体にｓｌ ０ ！の
みを用いた媒体。 ２２′・・・２２に対応 ２５′・・・２３に対応 ２４′・・・２４に対応 ２辻呵４を犠αｒｏ） ３、＃ｆＪ−ｄ（−Ｍイｌ−７１しＳ ｚ”）” ）フ
ル・ヱ 第 １ 霞 第２図 ｙ 第３図 第４図 第５図 ゛「 第６図 第９図 第９ 図 第 ９ Ｍ 隼ｌｏｔ羽 憾１２１羽
Claims (5)
- （１）透明基板の片面に光磁気記録層を形成し、前記光
磁気記録層に集光したレーザ光を照射することにより、
磁化反転をおこさせ情報を記録する光磁気記録媒体にお
いて、前記透明基板と前記光磁気記録層との間に、前記
透明基板側から透明導電膜・誘電体膜が順に設けられて
いることを特徴とする光記録媒体。 - （２）前記誘電体膜が窒化アルミニウムであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （３）前記透明導電膜がＳｎＯ＿２、Ｉｎ＿２Ｏ＿３、
ＺｎＯ、ＴｉＯのうち少なくとも１種類を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （４）前記透明導電膜の膜厚が３０Å以上であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （５）前記透明導電膜と前記誘電体膜の総厚が５０００
Å以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3442386A JPS62192949A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3442386A JPS62192949A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62192949A true JPS62192949A (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=12413795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3442386A Pending JPS62192949A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62192949A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245447A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH05144107A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US20100018639A1 (en) * | 2003-08-04 | 2010-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming micropattern, method of manufacturing optical recording medium master copy, optical recording medium master copy, optical recording medium stamper, and optical recording medium |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP3442386A patent/JPS62192949A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245447A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH05144107A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US20100018639A1 (en) * | 2003-08-04 | 2010-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming micropattern, method of manufacturing optical recording medium master copy, optical recording medium master copy, optical recording medium stamper, and optical recording medium |
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