JPH07182707A - 光磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH07182707A JPH07182707A JP34512093A JP34512093A JPH07182707A JP H07182707 A JPH07182707 A JP H07182707A JP 34512093 A JP34512093 A JP 34512093A JP 34512093 A JP34512093 A JP 34512093A JP H07182707 A JPH07182707 A JP H07182707A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低磁界でのノイズを低減することによってＣ
ＮＲを大きくし、小さな外部磁界でも安定して記録・消
去が可能な光磁気記録媒体とその製造方法を提供する。 【構成】 光透過性の基板３０上に、第１の誘電体層３
１、記録層３２、第２の誘電体層３４、反射層３５を順
次積層した光磁気記録媒体において、記録層３２と両方
の誘電体層３１，３４の間の界面又は、いずれか一方の
界面に酸化した希土類−遷移金属アモルファス合金層３
３を成膜した。これによって、磁壁の移動し易さが変化
し、低外部磁界において低ノイズ特性が得られる。
ＮＲを大きくし、小さな外部磁界でも安定して記録・消
去が可能な光磁気記録媒体とその製造方法を提供する。 【構成】 光透過性の基板３０上に、第１の誘電体層３
１、記録層３２、第２の誘電体層３４、反射層３５を順
次積層した光磁気記録媒体において、記録層３２と両方
の誘電体層３１，３４の間の界面又は、いずれか一方の
界面に酸化した希土類−遷移金属アモルファス合金層３
３を成膜した。これによって、磁壁の移動し易さが変化
し、低外部磁界において低ノイズ特性が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光等を用いて情
報の記録再生が可能な光磁気記録媒体とその製造方法に
係り、特に、低磁界下での記録特性を向上させる技術に
関する。
報の記録再生が可能な光磁気記録媒体とその製造方法に
係り、特に、低磁界下での記録特性を向上させる技術に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光学的な記録媒体の中で書き込み及び消
去が可能な光磁気記録方式がいくつか実用化されている
が、現時点では、総合的な特性から、希土類−遷移金属
アモルファス合金薄膜を記録膜として持つ光磁気記録媒
体が最も多く用いられている。その希土類−遷移金属ア
モルファス合金は、飽和磁化が膜面に垂直に向く垂直磁
化膜であり、磁化の向きによって情報を書き込む。この
光磁気記録媒体への情報の記録・消去（キュリー点記
録）は、同媒体に電磁石などによって外部磁界を与えた
状態で、レンズにより集光されたレーザ光を記録膜に照
射し、この記録膜をキュリー温度まで昇温させ、外部磁
場の磁化の向きを反転させることによって行う。
去が可能な光磁気記録方式がいくつか実用化されている
が、現時点では、総合的な特性から、希土類−遷移金属
アモルファス合金薄膜を記録膜として持つ光磁気記録媒
体が最も多く用いられている。その希土類−遷移金属ア
モルファス合金は、飽和磁化が膜面に垂直に向く垂直磁
化膜であり、磁化の向きによって情報を書き込む。この
光磁気記録媒体への情報の記録・消去（キュリー点記
録）は、同媒体に電磁石などによって外部磁界を与えた
状態で、レンズにより集光されたレーザ光を記録膜に照
射し、この記録膜をキュリー温度まで昇温させ、外部磁
場の磁化の向きを反転させることによって行う。
【０００３】通常の単層の希土類−遷移金属アモルファ
ス合金記録膜を備えた光磁気ディスクでは、記録・消去
磁界に２００〜４００Ｏｅ程度の外部磁場が必要であ
る。この外部磁場を低減するには、次のようなディスク
特性を実現すればよい。図１は一般的な光磁気ディスク
の磁界特性図であり、予め磁化の向きをそろえ初期化し
たディスクに外部磁界Ｈｅｘ（図２参照）を与え、レー
ザパルスによって書き込んだときの外部磁界ＨｅｘとＣ
ＮＲとの関係を示したものである。記録・消去磁界を低
減させるには、ＣＮＲが飽和する外部磁界ＨｓとＣＮＲ
が出現し始める外部磁界Ｈｏとが共に小さいことが必要
である。
ス合金記録膜を備えた光磁気ディスクでは、記録・消去
磁界に２００〜４００Ｏｅ程度の外部磁場が必要であ
る。この外部磁場を低減するには、次のようなディスク
特性を実現すればよい。図１は一般的な光磁気ディスク
の磁界特性図であり、予め磁化の向きをそろえ初期化し
たディスクに外部磁界Ｈｅｘ（図２参照）を与え、レー
ザパルスによって書き込んだときの外部磁界ＨｅｘとＣ
ＮＲとの関係を示したものである。記録・消去磁界を低
減させるには、ＣＮＲが飽和する外部磁界ＨｓとＣＮＲ
が出現し始める外部磁界Ｈｏとが共に小さいことが必要
である。
【０００４】ところで、光磁気ディスクへの情報書き込
み時には、図２に示すように、レーザ光Ｌの照射により
加熱された光ディスク１の高温部２には、電磁石などの
外部磁界Ｈｅｘと、高温部周辺のキュリー温度以下の垂
直磁化膜３の磁化の大きさに依存する反磁界Ｈｄの２つ
の磁界がかかる。Ｈｏの大きさに大きな影響を与えるの
はこの反磁界Ｈｄで、Ｈｄが大きければそれを打ち消す
だけの外部磁界が必要となる。このＨｄは、垂直磁化膜
の磁化の大きさに依存するため、記録膜が単層のディス
クにおいては、磁化の小さい補償組成を選んでディスク
を作成すれば、Ｈｏを小さくすることができるが、この
ような組成の膜を安定に作成するのは困難である。そこ
で、誘電体層、記録層の成膜時の投入電力、スパッタガ
ス圧の調整、誘電体層の逆スパッタによって、補償組成
を選ばずして、Ｈｏを小さくする方法が提案されてい
る。
み時には、図２に示すように、レーザ光Ｌの照射により
加熱された光ディスク１の高温部２には、電磁石などの
外部磁界Ｈｅｘと、高温部周辺のキュリー温度以下の垂
直磁化膜３の磁化の大きさに依存する反磁界Ｈｄの２つ
の磁界がかかる。Ｈｏの大きさに大きな影響を与えるの
はこの反磁界Ｈｄで、Ｈｄが大きければそれを打ち消す
だけの外部磁界が必要となる。このＨｄは、垂直磁化膜
の磁化の大きさに依存するため、記録膜が単層のディス
クにおいては、磁化の小さい補償組成を選んでディスク
を作成すれば、Ｈｏを小さくすることができるが、この
ような組成の膜を安定に作成するのは困難である。そこ
で、誘電体層、記録層の成膜時の投入電力、スパッタガ
ス圧の調整、誘電体層の逆スパッタによって、補償組成
を選ばずして、Ｈｏを小さくする方法が提案されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法では外部磁界Ｈｏの減少に伴って、低磁界で
の書き込みノイズレベルが大きくなる結果、０磁界付近
でのＣＮＲが低下するという問題が生じる。
ような方法では外部磁界Ｈｏの減少に伴って、低磁界で
の書き込みノイズレベルが大きくなる結果、０磁界付近
でのＣＮＲが低下するという問題が生じる。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、低磁界でのノイズを低減することによって
ＣＮＲを大きくし、小さな外部磁界でも安定して記録・
消去が可能な光磁気記録媒体とその製造方法を提供する
ことを目的とする。
れたもので、低磁界でのノイズを低減することによって
ＣＮＲを大きくし、小さな外部磁界でも安定して記録・
消去が可能な光磁気記録媒体とその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、光透過性の基板上に、第１の誘電体層、希
土類−遷移金属アモルファス合金層、第２の誘電体層、
反射層を順次積層した光磁気記録媒体において、記録層
が膜厚１００〜９００Åの範囲にあり、記録層と両方の
誘電体層の間の界面又は、いずれか一方の界面に酸化し
た希土類−遷移金属アモルファス合金層（以下酸化合金
層と称する）を成膜したものである。
に本発明は、光透過性の基板上に、第１の誘電体層、希
土類−遷移金属アモルファス合金層、第２の誘電体層、
反射層を順次積層した光磁気記録媒体において、記録層
が膜厚１００〜９００Åの範囲にあり、記録層と両方の
誘電体層の間の界面又は、いずれか一方の界面に酸化し
た希土類−遷移金属アモルファス合金層（以下酸化合金
層と称する）を成膜したものである。
【０００８】上記基板としては、ポリカーボネート、エ
ポキシ樹脂等のプラスチック、ガラス、セラミック等の
任意の材料から選択できる。また、誘電体層としては、
ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，ＡｌＳｉＯＮ，ＳｉＯ，ＺｎＳ等
を用いる。記録層としては、ＴｂＦｅＣｏ等の希土類元
素と遷移金属とからなるアモルファス合金を用いる。反
射層としては、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等にＴｉ，Ｃ
ｒ，Ｉｎ，Ｃｕから１種類以上を添加したものを用いる
ことができる。
ポキシ樹脂等のプラスチック、ガラス、セラミック等の
任意の材料から選択できる。また、誘電体層としては、
ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，ＡｌＳｉＯＮ，ＳｉＯ，ＺｎＳ等
を用いる。記録層としては、ＴｂＦｅＣｏ等の希土類元
素と遷移金属とからなるアモルファス合金を用いる。反
射層としては、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等にＴｉ，Ｃ
ｒ，Ｉｎ，Ｃｕから１種類以上を添加したものを用いる
ことができる。
【０００９】酸化合金層は、膜厚５〜１００Åの範囲が
望ましく、酸素を混合したアルゴンガス中で、記録層と
同じターゲットをスパッタすることにより成膜すればよ
い。その際に用いるガス中の酸素の混合比は０．５〜５
％の範囲が望ましい。また、酸化合金層は、記録層と第
１、第２のどちらの誘電体層のいずれか一方のみに成膜
しても有効であるが、その場合は第２の誘電体層との間
の方が効果は大きい。
望ましく、酸素を混合したアルゴンガス中で、記録層と
同じターゲットをスパッタすることにより成膜すればよ
い。その際に用いるガス中の酸素の混合比は０．５〜５
％の範囲が望ましい。また、酸化合金層は、記録層と第
１、第２のどちらの誘電体層のいずれか一方のみに成膜
しても有効であるが、その場合は第２の誘電体層との間
の方が効果は大きい。
【００１０】
【作用】本発明の光磁気記録媒体とその製造方法によれ
ば、記録層と誘電体層との間に酸化合金層が設けられて
いることによって、磁壁の移動し易さが変化し、低外部
磁界において低ノイズ特性の媒体が得られる。その結
果、小さな外部磁界でも記録・消去が可能で、かつＣＮ
Ｒの高い媒体を作成できる。
ば、記録層と誘電体層との間に酸化合金層が設けられて
いることによって、磁壁の移動し易さが変化し、低外部
磁界において低ノイズ特性の媒体が得られる。その結
果、小さな外部磁界でも記録・消去が可能で、かつＣＮ
Ｒの高い媒体を作成できる。
【００１１】
（実施例１）図３は実施例１により作成された光磁気デ
ィスク（以下光ディスクと称する）の構成を示した図で
ある。ここでは、基板３０にはポリカーボネイト、第
１、第２の誘電体層３１，３４にはＳｉＮ、記録層３２
にはＴｂＦｅＣｏＣｒ、反射層３５にはＡｌＴｉを用い
た。酸化合金層３３は、記録層３２の表面に、記録層３
２と同じターゲットを用いて、Ａｒ、Ｎ2 を主体とした
ガスに酸素を混合したアルゴン酸素（酸素１％混合）混
合ガス中でスパッタすることによって成膜した。この実
施例１は、基板３０の上に、第１の誘電体層３１（厚さ
１１００Å）、記録層３２（厚さ２２０Å）、酸化合金
層３３（厚さ４０Å）、第２の誘電体層３４（厚さ３５
０Å）、及び反射層３５（厚さ６５０Å）を順に成膜し
たものである。
ィスク（以下光ディスクと称する）の構成を示した図で
ある。ここでは、基板３０にはポリカーボネイト、第
１、第２の誘電体層３１，３４にはＳｉＮ、記録層３２
にはＴｂＦｅＣｏＣｒ、反射層３５にはＡｌＴｉを用い
た。酸化合金層３３は、記録層３２の表面に、記録層３
２と同じターゲットを用いて、Ａｒ、Ｎ2 を主体とした
ガスに酸素を混合したアルゴン酸素（酸素１％混合）混
合ガス中でスパッタすることによって成膜した。この実
施例１は、基板３０の上に、第１の誘電体層３１（厚さ
１１００Å）、記録層３２（厚さ２２０Å）、酸化合金
層３３（厚さ４０Å）、第２の誘電体層３４（厚さ３５
０Å）、及び反射層３５（厚さ６５０Å）を順に成膜し
たものである。
【００１２】（実施例２）図４は実施例２により作成さ
れた光ディスクの構成を示した図である。この実施例２
は、上記実施例１と同様に、記録層４３と第２の誘電体
層４５の間に第２の酸化合金層４４を成膜することに加
えて、記録層４３と第１の誘電体層４１との間にも第１
の酸化合金層４２を４０Åの厚みで成膜したものであ
り、それ以外は上記実施例１と同じ方法で作成した。す
なわち、本実施例２は、基板４０上に、第１の誘電体層
４１（厚さ１１００Å）、第１の酸化合金層４２（厚さ
４０Å）、記録層４３（厚さ２２０Å）、第２の酸化合
金層４４（厚さ４０Å）、第２の誘電体層４５（厚さ３
５０Å）、反射層４６（厚さ６５０Å）を順に成膜した
ものである。
れた光ディスクの構成を示した図である。この実施例２
は、上記実施例１と同様に、記録層４３と第２の誘電体
層４５の間に第２の酸化合金層４４を成膜することに加
えて、記録層４３と第１の誘電体層４１との間にも第１
の酸化合金層４２を４０Åの厚みで成膜したものであ
り、それ以外は上記実施例１と同じ方法で作成した。す
なわち、本実施例２は、基板４０上に、第１の誘電体層
４１（厚さ１１００Å）、第１の酸化合金層４２（厚さ
４０Å）、記録層４３（厚さ２２０Å）、第２の酸化合
金層４４（厚さ４０Å）、第２の誘電体層４５（厚さ３
５０Å）、反射層４６（厚さ６５０Å）を順に成膜した
ものである。
【００１３】（比較例）比較例として従来の製造方法に
よる光ディスクを図５に示す。この場合、酸化合金層を
成膜しない以外は上記実施例１と同じ方法で作成した。
図５において、光ディスクは、ポリカーボネイト基板５
０、第１ＳｉＮ誘電体層５１（厚さ１１００Å）、Ｔｂ
ＦｅＣｏＣｒ記録層５２（厚さ２２０Å）、第２ＳｉＮ
誘電体層５３（厚さ３５０Å）、ＡｌＴｉ反射層５４
（厚さ６５０Å）からなる。
よる光ディスクを図５に示す。この場合、酸化合金層を
成膜しない以外は上記実施例１と同じ方法で作成した。
図５において、光ディスクは、ポリカーボネイト基板５
０、第１ＳｉＮ誘電体層５１（厚さ１１００Å）、Ｔｂ
ＦｅＣｏＣｒ記録層５２（厚さ２２０Å）、第２ＳｉＮ
誘電体層５３（厚さ３５０Å）、ＡｌＴｉ反射層５４
（厚さ６５０Å）からなる。
【００１４】以上のようにして作成した実施例１、２及
び比較例の光ディスクについて、外部磁界特性を測定し
た。外部磁界特性の測定条件は、線速７．５４ｍ／ｓ，
記録周波数４．９３ＭＨｚ，デューティ２５％，記録に
用いるレーザ光のパワー７ｍＷである。これらの測定結
果を図６、図７に示す。
び比較例の光ディスクについて、外部磁界特性を測定し
た。外部磁界特性の測定条件は、線速７．５４ｍ／ｓ，
記録周波数４．９３ＭＨｚ，デューティ２５％，記録に
用いるレーザ光のパワー７ｍＷである。これらの測定結
果を図６、図７に示す。
【００１５】酸化合金層を記録層と第２の誘電体層との
間に成膜した場合（実施例１）は、図６に示すように、
比較例と比べて、低磁界におけるＣＮＲが向上している
ことが分かる。また、記録層の両方の誘電体層との間に
酸化合金層を成膜した場合（実施例２）は、図７に示す
ように、一方の界面のみに酸化合金層を成膜した場合と
比べてさらに低磁界でのＣＮＲが向上していることが分
かる。
間に成膜した場合（実施例１）は、図６に示すように、
比較例と比べて、低磁界におけるＣＮＲが向上している
ことが分かる。また、記録層の両方の誘電体層との間に
酸化合金層を成膜した場合（実施例２）は、図７に示す
ように、一方の界面のみに酸化合金層を成膜した場合と
比べてさらに低磁界でのＣＮＲが向上していることが分
かる。
【００１６】（実施例３）実施例３として、実施例１と
同様の構成の光ディスクの酸化合金層の膜厚を変化させ
た場合の外部磁界０ＯｅにおけるＣＮＲの変化を表１に
示す。酸化合金層は実施例１と同じくアルゴン酸素（酸
素１％混合）混合ガスを用いて成膜し、酸化合金層の膜
厚以外は実施例１と同じ方法で作成した。
同様の構成の光ディスクの酸化合金層の膜厚を変化させ
た場合の外部磁界０ＯｅにおけるＣＮＲの変化を表１に
示す。酸化合金層は実施例１と同じくアルゴン酸素（酸
素１％混合）混合ガスを用いて成膜し、酸化合金層の膜
厚以外は実施例１と同じ方法で作成した。
【００１７】
【表１】
【００１８】この場合、膜厚が厚い場合には、Ｈｏは低
下するものの、ＣＮＲも小さくなる。そのため１００Å
以上の膜厚の酸化合金層を成膜した場合は、磁界特性の
向上の効果は小さい。
下するものの、ＣＮＲも小さくなる。そのため１００Å
以上の膜厚の酸化合金層を成膜した場合は、磁界特性の
向上の効果は小さい。
【００１９】（実施例４）実施例４として、実施例１と
同じ構成の光ディスクの酸化合金層を成膜する際、使用
するアルゴン酸素混合ガス中の酸素混合比を変化させた
場合の外部磁界０ＯｅにおけるＣＮＲの変化を表２に示
す。酸化合金層を成膜する際の混合ガス以外は実施例１
と同じ方法で作成した。
同じ構成の光ディスクの酸化合金層を成膜する際、使用
するアルゴン酸素混合ガス中の酸素混合比を変化させた
場合の外部磁界０ＯｅにおけるＣＮＲの変化を表２に示
す。酸化合金層を成膜する際の混合ガス以外は実施例１
と同じ方法で作成した。
【００２０】
【表２】
【００２１】この場合、５％以上の酸素を含む混合ガス
をスパッタに使用した場合は、０ＯｅにおけるＣＮＲが
低下していた。
をスパッタに使用した場合は、０ＯｅにおけるＣＮＲが
低下していた。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明の光磁気記録媒体に
よれば、記録層と誘電体層との間の両方又はいずれか一
方に酸化した希土類−遷移金属アモルファス合金層を積
層した構造とすることによって、磁壁の移動し易さが変
化して低外部磁界において低ノイズ特性が得られるとと
もに、低磁界下で高いＣＮＲを得ることができる。従っ
て、小さな外部磁界でも安定した記録・消去が可能とな
る。この合金層の膜厚は５〜１００Åの範囲とすること
が望ましい。
よれば、記録層と誘電体層との間の両方又はいずれか一
方に酸化した希土類−遷移金属アモルファス合金層を積
層した構造とすることによって、磁壁の移動し易さが変
化して低外部磁界において低ノイズ特性が得られるとと
もに、低磁界下で高いＣＮＲを得ることができる。従っ
て、小さな外部磁界でも安定した記録・消去が可能とな
る。この合金層の膜厚は５〜１００Åの範囲とすること
が望ましい。
【００２３】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
によれば、酸素ガスを０．５％〜５％の範囲でアルゴン
ガスと混合したガス中において、希土類−遷移金属アモ
ルファス合金をターゲットとしてスパッタすることで上
記酸化した希土類−遷移金属アモルファス合金層を成膜
することによって、上記のように低磁界下での良好な記
録・消去特性を持つ媒体を提供することができる。
によれば、酸素ガスを０．５％〜５％の範囲でアルゴン
ガスと混合したガス中において、希土類−遷移金属アモ
ルファス合金をターゲットとしてスパッタすることで上
記酸化した希土類−遷移金属アモルファス合金層を成膜
することによって、上記のように低磁界下での良好な記
録・消去特性を持つ媒体を提供することができる。
【図１】一般的な光磁気ディスクの磁界特性図である。
【図２】光磁気ディスクの情報書き込み時の作用を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例１による光磁気ディスクの構成
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例２による光磁気ディスクの構成
図である。
図である。
【図５】比較例による光磁気ディスクの構成図である。
【図６】実施例１と比較例との外部磁界特性を測定した
図である。
図である。
【図７】実施例２と比較例との外部磁界特性を測定した
図である。
図である。
３０，４０ 基板 ３１，４１ 第１の誘電体層 ３２，４３ 記録層 ３３ 酸化合金層 ３４，４５ 第２の誘電体層 ３５，４６ 反射層 ４２ 第１の酸化合金層 ４４ 第２の酸化合金層
Claims (3)
- 【請求項１】 光透過性の基板上に、第１の誘電体層、
希土類−遷移金属アモルファス合金記録層、第２の誘電
体層、及び反射層を順次積層した光磁気記録媒体におい
て、 上記記録層と両方の誘電体層との間の界面又は、いずれ
か一方の界面に酸化した希土類−遷移金属アモルファス
合金層を積層したことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 酸化した希土類−遷移金属アモルファス
合金層の膜厚が５〜１００Åの範囲にあることを特徴と
する請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１記載の光磁気記録媒体の製造方
法であって、酸素ガスを０．５〜５％の範囲でアルゴン
ガスと混合したガス中で、希土類−遷移金属アモルファ
ス合金ターゲットをスパッタすることにより、上記酸化
した希土類−遷移金属アモルファス合金層を成膜するこ
とを特徴とした光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34512093A JPH07182707A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 光磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34512093A JPH07182707A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 光磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07182707A true JPH07182707A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18374423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34512093A Withdrawn JPH07182707A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 光磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07182707A (ja) |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP34512093A patent/JPH07182707A/ja not_active Withdrawn
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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