JPH05290417A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05290417A JPH05290417A JP11536692A JP11536692A JPH05290417A JP H05290417 A JPH05290417 A JP H05290417A JP 11536692 A JP11536692 A JP 11536692A JP 11536692 A JP11536692 A JP 11536692A JP H05290417 A JPH05290417 A JP H05290417A
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- JP
- Japan
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- layer
- recording
- magneto
- film
- alloy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録時や消去時に印加する外部磁界を小さく
しても高Ｃ／Ｎ、高感度な光磁気記録を単層記録層で行
なうことのできる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 光磁気記録媒体の記録層を、基板面に対して
垂直方向に磁化容易軸を有し、かつ下記一般式化１で表
わされる特定組成の非晶質合金薄膜により構成する。 【化１】
しても高Ｃ／Ｎ、高感度な光磁気記録を単層記録層で行
なうことのできる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 光磁気記録媒体の記録層を、基板面に対して
垂直方向に磁化容易軸を有し、かつ下記一般式化１で表
わされる特定組成の非晶質合金薄膜により構成する。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光を用いて情
報の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気
記録媒体に関するものであり、特に高感度かつ低磁界で
の高Ｃ／Ｎ化を目的とした技術に関する。
報の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気
記録媒体に関するものであり、特に高感度かつ低磁界で
の高Ｃ／Ｎ化を目的とした技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクはレーザー光を用いて情
報の記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディ
スクと同様に記億容量が大きく、しかも記録層に磁性体
を用いているため書き換えが可能である。又非接触で記
録、再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性
にも優れている。記録層に使用される材料としては、希
土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶質合金が粒界ノイズ
が無くスパッタリングを用いることによって容易に垂直
磁化膜になるため現在主流となっている。一方、光磁気
ディスクを用いたフィルムシステムは今後さらに大容量
化及び高速転送レート化が進み、そのため記録層はＣ／
Ｎを左右するカー回転角（θｋ）が大きく、記録感度に
影響を与えるキュリー点（Ｔｃ）が低く、かつビットサ
イズ（磁区）を１μｍ以下で安定させるために保磁力
（Ｈｃ）が大きい材料であることが要求される。
報の記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディ
スクと同様に記億容量が大きく、しかも記録層に磁性体
を用いているため書き換えが可能である。又非接触で記
録、再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性
にも優れている。記録層に使用される材料としては、希
土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶質合金が粒界ノイズ
が無くスパッタリングを用いることによって容易に垂直
磁化膜になるため現在主流となっている。一方、光磁気
ディスクを用いたフィルムシステムは今後さらに大容量
化及び高速転送レート化が進み、そのため記録層はＣ／
Ｎを左右するカー回転角（θｋ）が大きく、記録感度に
影響を与えるキュリー点（Ｔｃ）が低く、かつビットサ
イズ（磁区）を１μｍ以下で安定させるために保磁力
（Ｈｃ）が大きい材料であることが要求される。
【０００３】これらの要求に対応すべく、本出願人は、
特開昭５９−６１０１１号公報においてＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ４元系非晶質合金の使用を提案した。この材料はそれ
まで主流であったＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金に比べ
てより高感度であり、各元素の含有量（Ｔｂ，Ｆｙ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ）を調整することで、キュリー点（Ｔｃ）、保
磁力（Ｈｃ）を自由にコントロールすることができる利
点を有している。特にＤｙ含有量の調整によってキュリ
ー点（Ｔｃ）を１３０℃前後まで低くでき、しかも保磁
力（Ｈｃ）の大きな垂直磁化膜が得られる組成範囲が広
い。従って、このＴｂＤｙＦｅＣｏ非晶質合金は光磁気
記録媒体の記録層材料として非常に有用である。
特開昭５９−６１０１１号公報においてＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ４元系非晶質合金の使用を提案した。この材料はそれ
まで主流であったＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金に比べ
てより高感度であり、各元素の含有量（Ｔｂ，Ｆｙ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ）を調整することで、キュリー点（Ｔｃ）、保
磁力（Ｈｃ）を自由にコントロールすることができる利
点を有している。特にＤｙ含有量の調整によってキュリ
ー点（Ｔｃ）を１３０℃前後まで低くでき、しかも保磁
力（Ｈｃ）の大きな垂直磁化膜が得られる組成範囲が広
い。従って、このＴｂＤｙＦｅＣｏ非晶質合金は光磁気
記録媒体の記録層材料として非常に有用である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜はＴｂＦｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や
消去時の外部磁界が３０００ｅ以上と大きくなければ十
分なＣ／Ｎが得られない。十分な記録、消去を行うため
に外部磁界を大きくすると、磁界発生装置が大きくなっ
てしまったり、或いは外部磁界の変動に対して十分な対
応がとれない光磁気記録媒体になってしまう。又磁界変
調方式を用いたダイレクトオーバーライトに対してもこ
の外部磁界は小さい方が好ましい。
ｙＦｅＣｏ膜はＴｂＦｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や
消去時の外部磁界が３０００ｅ以上と大きくなければ十
分なＣ／Ｎが得られない。十分な記録、消去を行うため
に外部磁界を大きくすると、磁界発生装置が大きくなっ
てしまったり、或いは外部磁界の変動に対して十分な対
応がとれない光磁気記録媒体になってしまう。又磁界変
調方式を用いたダイレクトオーバーライトに対してもこ
の外部磁界は小さい方が好ましい。
【０００５】本発明は上記のような実情に鑑みてなされ
たもので、記録時や消去時に印加する外部磁界を小さく
しても高Ｃ／Ｎ、高感度な光磁気記録を単層の記録層で
可能とする光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
たもので、記録時や消去時に印加する外部磁界を小さく
しても高Ｃ／Ｎ、高感度な光磁気記録を単層の記録層で
可能とする光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、基板上に、基板面に対して垂直方
向に磁化容易軸を有し、かつ下記一般式化１で表わされ
る組成の非晶質合金薄膜よりなる記録層を設けてなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
め、本発明によれば、基板上に、基板面に対して垂直方
向に磁化容易軸を有し、かつ下記一般式化１で表わされ
る組成の非晶質合金薄膜よりなる記録層を設けてなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【化１】
【０００７】また、本発明によれば、上記構成におい
て、最表面部に金属層又は合金層を設けたことを特徴と
する光磁気記録媒体が提供される。
て、最表面部に金属層又は合金層を設けたことを特徴と
する光磁気記録媒体が提供される。
【０００８】以下本発明の光磁気記録媒体について詳述
する。本発明の光磁気記録媒体は、基本的に基板上に、
基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し、かつ下記
一般式化１で表わされる組成の非晶質合金薄膜よりなる
記録層を設けて構成される。
する。本発明の光磁気記録媒体は、基本的に基板上に、
基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し、かつ下記
一般式化１で表わされる組成の非晶質合金薄膜よりなる
記録層を設けて構成される。
【化１】
【０００９】前述したように、ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜はＴ
ｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金に比べてより高感度であ
り、各元素の含有量を調整することで、キュリー点（Ｔ
ｃ）、保磁力（Ｈｃ）を自由にコントロールすることが
でき、特にＤｙ含有量の調整によってキュリー点（Ｔ
ｃ）を１３０℃前後まで低くでき、しかも保磁力（Ｈ
ｃ）が数ｋＯｅと高い。また自発磁化も小さく反磁界に
より垂直磁気異方性が小さくなることもない。そこで、
本発明者らはこの利点を生かしつつ、記録感度を損なう
ことなく低磁界で十分なＣ／Ｎを得ることにつき鋭意研
究を重ねた結果、ＴｂＤｙＦｅＣｏ中にＰｒを添加する
とともに、ＴｂとＤｙ及びＦｅとＣｏの各組成比並びに
希土類金属（Ｔｂ，Ｄｙ）と遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ）の
比を上記のごとき特定範囲に限定することにより、その
目的を達しうることを見出した。これは、Ｐｒの添加に
より所定組成のＴｂＤｙＦｅＣｏの垂直磁気異方性定数
を小さくすることができ、特に高記録パワー（高温）側
で保磁力が急激に小さくなり、小さな磁界で記録しても
高いＣ／Ｎが得られやすくなり、またＴｂ，Ｄｙ，Ｆ
ｅ，Ｃｏの量を上記のように調整したことにより高感度
で高いＣ／Ｎがもてるようになるからである。上記式中
Ｐｒの添加量、即ちａは０．１未満であるのが好まし
く、０．０５〜０．０８であるのがより好ましい。ａが
０．１以上になると低磁界で高いＣ／Ｎが出るが保磁力
がより小さくなり、また記録パワー１０ｍＷ以上でＣ／
Ｎが大きく減少してしまい、ｘが０．５以上になると感
度が低下し、ｙが０．８より小さくなるとカー回転角は
大きくなるがキュリー温度が高くなり低感度となる。ま
た、ｚが０．２以下であると保磁力が減少し、０．３以
上になると信号ノイズレベルが増加し、Ｃ／Ｎが低下す
る。
ｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金に比べてより高感度であ
り、各元素の含有量を調整することで、キュリー点（Ｔ
ｃ）、保磁力（Ｈｃ）を自由にコントロールすることが
でき、特にＤｙ含有量の調整によってキュリー点（Ｔ
ｃ）を１３０℃前後まで低くでき、しかも保磁力（Ｈ
ｃ）が数ｋＯｅと高い。また自発磁化も小さく反磁界に
より垂直磁気異方性が小さくなることもない。そこで、
本発明者らはこの利点を生かしつつ、記録感度を損なう
ことなく低磁界で十分なＣ／Ｎを得ることにつき鋭意研
究を重ねた結果、ＴｂＤｙＦｅＣｏ中にＰｒを添加する
とともに、ＴｂとＤｙ及びＦｅとＣｏの各組成比並びに
希土類金属（Ｔｂ，Ｄｙ）と遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ）の
比を上記のごとき特定範囲に限定することにより、その
目的を達しうることを見出した。これは、Ｐｒの添加に
より所定組成のＴｂＤｙＦｅＣｏの垂直磁気異方性定数
を小さくすることができ、特に高記録パワー（高温）側
で保磁力が急激に小さくなり、小さな磁界で記録しても
高いＣ／Ｎが得られやすくなり、またＴｂ，Ｄｙ，Ｆ
ｅ，Ｃｏの量を上記のように調整したことにより高感度
で高いＣ／Ｎがもてるようになるからである。上記式中
Ｐｒの添加量、即ちａは０．１未満であるのが好まし
く、０．０５〜０．０８であるのがより好ましい。ａが
０．１以上になると低磁界で高いＣ／Ｎが出るが保磁力
がより小さくなり、また記録パワー１０ｍＷ以上でＣ／
Ｎが大きく減少してしまい、ｘが０．５以上になると感
度が低下し、ｙが０．８より小さくなるとカー回転角は
大きくなるがキュリー温度が高くなり低感度となる。ま
た、ｚが０．２以下であると保磁力が減少し、０．３以
上になると信号ノイズレベルが増加し、Ｃ／Ｎが低下す
る。
【００１０】記録層の製膜法としてはスパッタ法が好ま
しく用いられるがこれに限定されない。スパッタ法を用
いる場合、ターゲットとしてＰｒ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｆｅ，
Ｃｏを所定の組成に合わせた合金ターゲット、又はこれ
らの元素の適当な組み合わせからなる複数の合金もしく
は金属ターゲットを使用する。膜厚は１５０〜４５０
Å、より好ましくは２００〜３００Åである。
しく用いられるがこれに限定されない。スパッタ法を用
いる場合、ターゲットとしてＰｒ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｆｅ，
Ｃｏを所定の組成に合わせた合金ターゲット、又はこれ
らの元素の適当な組み合わせからなる複数の合金もしく
は金属ターゲットを使用する。膜厚は１５０〜４５０
Å、より好ましくは２００〜３００Åである。
【００１１】Ｐｒの添加量が上記範囲であっても、場合
によっては遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ）の量が少なくなり、
カー回転角が小さくなることもある。この場合、媒体の
最表面部に金属層若しくは合金層を設けることによりト
ータルの磁気光学効果を増大させることができる。即
ち、基板側から入射して記録層を透過したレーザー光を
該金属層若しくは合金層で反射させることにより、カー
効果にファラデー効果が重畳した大きな信号を取りだせ
るようになる。この金属層、合金層に使用される材料と
しては、Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ等の金属、又はこれらの金属
にＴｉを添加した合金等が挙げられる。金属層、合金層
の膜厚は３５０〜５００Åが適当である。
によっては遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ）の量が少なくなり、
カー回転角が小さくなることもある。この場合、媒体の
最表面部に金属層若しくは合金層を設けることによりト
ータルの磁気光学効果を増大させることができる。即
ち、基板側から入射して記録層を透過したレーザー光を
該金属層若しくは合金層で反射させることにより、カー
効果にファラデー効果が重畳した大きな信号を取りだせ
るようになる。この金属層、合金層に使用される材料と
しては、Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ等の金属、又はこれらの金属
にＴｉを添加した合金等が挙げられる。金属層、合金層
の膜厚は３５０〜５００Åが適当である。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体の最もシンプルな
構成は、上述の如く、基板上に上記の材料からなる記録
層を設けたものであるが、必要に応じて基板と記録層と
の間に干渉層（下地層）をあるいは記録層の上に保護層
を設けてもよい。以下に記録層以外の代表的構成要素に
ついて述べる。 （基板）本発明に用いる透明基板としては、ポリカーボ
ネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂
からなる溝付き成形基板、又はアルミノケイ酸、バリウ
ム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬化樹脂（エポ
キシアクリレート等）層を形成した基板等が挙げられ
る。これらの基板はディスク形状をしており、厚みは
０．６〜１．２ｍｍ程度である。
構成は、上述の如く、基板上に上記の材料からなる記録
層を設けたものであるが、必要に応じて基板と記録層と
の間に干渉層（下地層）をあるいは記録層の上に保護層
を設けてもよい。以下に記録層以外の代表的構成要素に
ついて述べる。 （基板）本発明に用いる透明基板としては、ポリカーボ
ネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂
からなる溝付き成形基板、又はアルミノケイ酸、バリウ
ム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬化樹脂（エポ
キシアクリレート等）層を形成した基板等が挙げられ
る。これらの基板はディスク形状をしており、厚みは
０．６〜１．２ｍｍ程度である。
【００１３】（干渉層）干渉層には屈折率の高い（１．
８以上）透明な膜を用い、この層における再生光の多重
反射を利用してみかけのカー回転角（θｋ）を増大さ
せ、それによってＣ（キャリア）レベルを上げ、又反射
率を小さくすることでＮ（ノイズ）レベルを下げて、ト
ータルでＣ／Ｎを向上させることを目的としている。
又、腐食を起こしやすい材料を記録層に用いているた
め、この干渉層は記録層の腐食を防止する保護膜として
の役割も兼ね備えていなければならない。それには基板
からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ自身の耐食性が高
く、かつ記録層との反応性が小さいことが必要である。
具体的な材料としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，
Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等と
の金属窒素化物、ＺｎＳ等の金属硫化物が挙げられる
が、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎのうち少なくともＳｉとＮを
含む化合物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＢＮ，ＳｉＢＯ
Ｎ）が適している。尚、これらは多層膜であってもよ
く、膜厚が屈折率によっても異なるが、通常トータルで
５００〜２０００Åで好ましくは８００〜１２００Åで
ある。
８以上）透明な膜を用い、この層における再生光の多重
反射を利用してみかけのカー回転角（θｋ）を増大さ
せ、それによってＣ（キャリア）レベルを上げ、又反射
率を小さくすることでＮ（ノイズ）レベルを下げて、ト
ータルでＣ／Ｎを向上させることを目的としている。
又、腐食を起こしやすい材料を記録層に用いているた
め、この干渉層は記録層の腐食を防止する保護膜として
の役割も兼ね備えていなければならない。それには基板
からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ自身の耐食性が高
く、かつ記録層との反応性が小さいことが必要である。
具体的な材料としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，
Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等と
の金属窒素化物、ＺｎＳ等の金属硫化物が挙げられる
が、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎのうち少なくともＳｉとＮを
含む化合物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＢＮ，ＳｉＢＯ
Ｎ）が適している。尚、これらは多層膜であってもよ
く、膜厚が屈折率によっても異なるが、通常トータルで
５００〜２０００Åで好ましくは８００〜１２００Åで
ある。
【００１４】（保護層）保護層は空気中（片面仕様の場
合）、又は接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素
又はハロゲン元素のように記録層に有害な物質の侵入を
防止し、記録層を保護する目的で設けられるため、干渉
層同様それ自身の耐食性が高く、記録層との反応性が小
さいことが必要である。具体的な材料は干渉層として挙
げたものと同様である。この保護層の膜厚はＣ／Ｎや記
録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å程
度が好ましい。
合）、又は接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素
又はハロゲン元素のように記録層に有害な物質の侵入を
防止し、記録層を保護する目的で設けられるため、干渉
層同様それ自身の耐食性が高く、記録層との反応性が小
さいことが必要である。具体的な材料は干渉層として挙
げたものと同様である。この保護層の膜厚はＣ／Ｎや記
録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å程
度が好ましい。
【００１５】又、層構成は上記した以外に、保護層上に
さらに５〜１０μｍの有機保護膜（カバー層）等を設け
たり、又それらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わ
せた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
さらに５〜１０μｍの有機保護膜（カバー層）等を設け
たり、又それらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わ
せた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
【００１６】
【実施例】以下本発明の実施例を述べるが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
【００１７】実施例１〜４ プリグルーブを形成したポリカーボネート基板上に、ス
パッタ法により干渉層としてＳｉＮ膜（９００Å）を形
成し、その上にスパッタ法により記録層として表１に示
す組成の非晶質ＰｒＤｙＴｂＦｅＣｏ層（２５０Å）を
形成し、その上にスパッタ法により保護層としてＳｉＮ
膜（３００Å）を形成し、さらにその上にスパッタ法に
よりＡｌＴｉ膜（５００Å）を設け、本発明の光磁気記
録媒体を作製した。記録層の製膜では、ターゲットとし
てＰｒ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏを表１に示す組成に合
わせた合金ターゲットを用いるとともに、導入ガスとし
てＡｒとＮ2 の混合ガスを用い、１ｋＷ以下（ＤＣ）の
パワーでスパッタを行なった。
パッタ法により干渉層としてＳｉＮ膜（９００Å）を形
成し、その上にスパッタ法により記録層として表１に示
す組成の非晶質ＰｒＤｙＴｂＦｅＣｏ層（２５０Å）を
形成し、その上にスパッタ法により保護層としてＳｉＮ
膜（３００Å）を形成し、さらにその上にスパッタ法に
よりＡｌＴｉ膜（５００Å）を設け、本発明の光磁気記
録媒体を作製した。記録層の製膜では、ターゲットとし
てＰｒ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏを表１に示す組成に合
わせた合金ターゲットを用いるとともに、導入ガスとし
てＡｒとＮ2 の混合ガスを用い、１ｋＷ以下（ＤＣ）の
パワーでスパッタを行なった。
【００１８】比較例 記録層として表１に示す組成のＤｙＴｂＦｅＣｏ層を設
けたこと以外は実施例１〜４と同様にして光磁気記録媒
体を作製し、比較例とした。
けたこと以外は実施例１〜４と同様にして光磁気記録媒
体を作製し、比較例とした。
【００１９】
【表１】
【００２０】以上のようにして作製した実施例及び比較
例の各光磁気記録媒体について飽和バイアス磁界（Ｏ
ｅ）、Ｃ／Ｎを測定した。その結果を表１及び図１に示
す。ここで飽和バイアス磁界とは、記録バイアス磁界を
次第に大きくしていった場合にＣ／Ｎが飽和する時の磁
界の値である。測定条件は以下のとおりである。 ・ディスク回転数 ３６００ｒｐｍ ・記録パワー ６ｍＷ ・記録トラック半径位置 ３０ｍｍ ・記録周波数 ３．７ＭＨｚ ・レーザー波長 ７８０ｎｍ ・再生パワー １．５ｍＷ
例の各光磁気記録媒体について飽和バイアス磁界（Ｏ
ｅ）、Ｃ／Ｎを測定した。その結果を表１及び図１に示
す。ここで飽和バイアス磁界とは、記録バイアス磁界を
次第に大きくしていった場合にＣ／Ｎが飽和する時の磁
界の値である。測定条件は以下のとおりである。 ・ディスク回転数 ３６００ｒｐｍ ・記録パワー ６ｍＷ ・記録トラック半径位置 ３０ｍｍ ・記録周波数 ３．７ＭＨｚ ・レーザー波長 ７８０ｎｍ ・再生パワー １．５ｍＷ
【００２１】表１及び図１から明らかなように、ＤｙＴ
ｂＦｅＣｏにＰｒを添加することにより、飽和バイアス
磁界が２００Ｏｅ以下となり、低磁界にもかかわらず良
好なＣ／Ｎが得られるようになる。
ｂＦｅＣｏにＰｒを添加することにより、飽和バイアス
磁界が２００Ｏｅ以下となり、低磁界にもかかわらず良
好なＣ／Ｎが得られるようになる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、記録層に垂直磁気異方
性を有する特定組成の非晶質ＰｒＴｂＤｙＦｅＣｏ合金
薄膜を用いたので、高感度かつ低磁界で高Ｃ／Ｎ化され
た光磁気記録媒体が得られる。
性を有する特定組成の非晶質ＰｒＴｂＤｙＦｅＣｏ合金
薄膜を用いたので、高感度かつ低磁界で高Ｃ／Ｎ化され
た光磁気記録媒体が得られる。
【図１】実施例１、４及び比較例の媒体の記録バイアス
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、基板面に対して垂直方向に磁
化容易軸を有し、かつ下記一般式化１で表わされる組成
の非晶質合金薄膜よりなる記録層を設けてなることを特
徴とする光磁気記録媒体。 【化１】 - 【請求項２】 最表面部に金属層又は合金層を設けたこ
とを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11536692A JPH05290417A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11536692A JPH05290417A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05290417A true JPH05290417A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14660751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11536692A Pending JPH05290417A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05290417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1061511A3 (en) * | 1999-06-15 | 2002-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording alloy |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP11536692A patent/JPH05290417A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1061511A3 (en) * | 1999-06-15 | 2002-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording alloy |
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