JPH05303783A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05303783A JPH05303783A JP4131794A JP13179492A JPH05303783A JP H05303783 A JPH05303783 A JP H05303783A JP 4131794 A JP4131794 A JP 4131794A JP 13179492 A JP13179492 A JP 13179492A JP H05303783 A JPH05303783 A JP H05303783A
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- Japan
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- recording
- film
- magneto
- recording layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部磁界が小さくても良好な記録、消去、再
生が可能な交換結合力を利用した多層膜構造の光磁気記
録媒体を提供する。 【構成】 透明基板１上に干渉層２、記録層３及び保護
層４が順次形成され、記録層３は交換結合力が働く再生
用層３−１と記録用層３−２から成る。記録用層３−２
の構成材料として下記一般式化１の非晶質合金膜を用い
る。 【化１】
生が可能な交換結合力を利用した多層膜構造の光磁気記
録媒体を提供する。 【構成】 透明基板１上に干渉層２、記録層３及び保護
層４が順次形成され、記録層３は交換結合力が働く再生
用層３−１と記録用層３−２から成る。記録用層３−２
の構成材料として下記一般式化１の非晶質合金膜を用い
る。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光を用いて情
報の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気
記録媒体に関するものであり、特に高感度かつ低磁界で
の高Ｃ／Ｎ化を目的とした技術に関する。
報の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気
記録媒体に関するものであり、特に高感度かつ低磁界で
の高Ｃ／Ｎ化を目的とした技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクはレーザー光を用いて情
報の記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディ
スクと同様に記憶容量が大きく、しかも記録層に磁性体
を用いているため書き換えが可能である。又非接触で記
録、再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性
にも優れている。よって現在研究開発が活発に行われて
おり、又数年前に商品化されて以来、光ファイルシステ
ム等への展開が急速に進んでいる。
報の記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディ
スクと同様に記憶容量が大きく、しかも記録層に磁性体
を用いているため書き換えが可能である。又非接触で記
録、再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性
にも優れている。よって現在研究開発が活発に行われて
おり、又数年前に商品化されて以来、光ファイルシステ
ム等への展開が急速に進んでいる。
【０００３】この光磁気記録層（以下記録層と記す）の
材料としては、ＴｂＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が、粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いる
ことによって容易に垂直磁化膜が得られることから現在
最も多く用いられている。
材料としては、ＴｂＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が、粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いる
ことによって容易に垂直磁化膜が得られることから現在
最も多く用いられている。
【０００４】一方、光磁気ディスクを用いた光ファイル
システムは今後さらに大容量化及び高速転送レート化が
進み、そのため記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角
（θｋ）が大きく、記録感度に影響が深いキュリー点
（Ｔｃ)が低く、かつ直径１μｍ以下のビット（磁区）
を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料で
あることが要求される。ところが、これら全ての特性を
同時に満足するようなＲＥ−ＴＭ非晶質合金は今までの
ところ存在しない。
システムは今後さらに大容量化及び高速転送レート化が
進み、そのため記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角
（θｋ）が大きく、記録感度に影響が深いキュリー点
（Ｔｃ)が低く、かつ直径１μｍ以下のビット（磁区）
を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料で
あることが要求される。ところが、これら全ての特性を
同時に満足するようなＲＥ−ＴＭ非晶質合金は今までの
ところ存在しない。
【０００５】これに対して、記録層を交換結合力を利用
した多層膜にすることがいろいろと提案されている。例
えば、記録層を二層にして記録用と再生用に機能を分離
し、記録用をキュリー点（Ｔｃ)が低くかつ保磁力（Ｈ
ｃ）の大きな材料とし、又再生用としてカー回転角（θ
ｋ）が大きくかつ保磁力（Ｈｃ）の小さな材料を用い、
高Ｃ／Ｎかつ高感度化を図ることが一般に知られてい
る。又、さらに記録層を三層或いは四層にして大容量化
を図ったり、ダイレクトオーバーライトを可能にして高
速転送レート化を図ったりすることも提案されている。
した多層膜にすることがいろいろと提案されている。例
えば、記録層を二層にして記録用と再生用に機能を分離
し、記録用をキュリー点（Ｔｃ)が低くかつ保磁力（Ｈ
ｃ）の大きな材料とし、又再生用としてカー回転角（θ
ｋ）が大きくかつ保磁力（Ｈｃ）の小さな材料を用い、
高Ｃ／Ｎかつ高感度化を図ることが一般に知られてい
る。又、さらに記録層を三層或いは四層にして大容量化
を図ったり、ダイレクトオーバーライトを可能にして高
速転送レート化を図ったりすることも提案されている。
【０００６】ところで、これら多層膜を構成する中の記
録を担う層（以下記録用層と記す）は高感度でかつ小さ
なビットを安定に存在させるために、キュリー点（Ｔ
ｃ）が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大きな材料であること
が必要である。この材料としては一般にＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ等が知られている。一方、本発明者らは以前よ
りＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏに比べて高感度かつ高Ｃ／Ｎ
が得られる記録層材料としてＧｄＤｙＦｅＣｏの使用を
提案している(特開昭５９−６１０１１号公報)。
録を担う層（以下記録用層と記す）は高感度でかつ小さ
なビットを安定に存在させるために、キュリー点（Ｔ
ｃ）が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大きな材料であること
が必要である。この材料としては一般にＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ等が知られている。一方、本発明者らは以前よ
りＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏに比べて高感度かつ高Ｃ／Ｎ
が得られる記録層材料としてＧｄＤｙＦｅＣｏの使用を
提案している(特開昭５９−６１０１１号公報)。
【０００７】ＧｄＤｙＦｅＣｏは各元素（Ｇｄ，Ｄｙ，
Ｆｅ，Ｃｏ）の含有量を調整することでカー回転角（θ
ｋ）やキュリー点（Ｔｃ）を自由にコントロールするこ
とが出来る。特にＤｙ含有量の調整によってキュリー点
（Ｔｃ）を１５０℃前後にまで低く出来、かつ保磁力
（Ｈｃ）の大きな垂直磁化膜が得られる組成の範囲が広
い。これはＴｂＦｅＣｏ等の他のＲＥ−ＴＭ非晶質合金
には見られない特徴である。
Ｆｅ，Ｃｏ）の含有量を調整することでカー回転角（θ
ｋ）やキュリー点（Ｔｃ）を自由にコントロールするこ
とが出来る。特にＤｙ含有量の調整によってキュリー点
（Ｔｃ）を１５０℃前後にまで低く出来、かつ保磁力
（Ｈｃ）の大きな垂直磁化膜が得られる組成の範囲が広
い。これはＴｂＦｅＣｏ等の他のＲＥ−ＴＭ非晶質合金
には見られない特徴である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧｄＤ
ｙＦｅＣｏ膜はＴｂＦｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や
消去時の外部磁界(Ｈex)が３００Ｏｅ以上と大きくなけ
れば充分なＣ／Ｎが得られない。充分な記録、消去を行
うために外部磁界(Ｈex)を大きくすると、磁界発生装置
が大きくなってしまったり、或いは外部磁界(Ｈex)の変
動に対して充分な対応がとれない光磁気記録媒体になっ
てしまう。又磁界変調方式を用いたダイレクトオーバー
ライトに対してもこの外部磁界(Ｈex)は小さい方が好ま
しい。
ｙＦｅＣｏ膜はＴｂＦｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や
消去時の外部磁界(Ｈex)が３００Ｏｅ以上と大きくなけ
れば充分なＣ／Ｎが得られない。充分な記録、消去を行
うために外部磁界(Ｈex)を大きくすると、磁界発生装置
が大きくなってしまったり、或いは外部磁界(Ｈex)の変
動に対して充分な対応がとれない光磁気記録媒体になっ
てしまう。又磁界変調方式を用いたダイレクトオーバー
ライトに対してもこの外部磁界(Ｈex)は小さい方が好ま
しい。
【０００９】本発明はこのような従来技術の欠点を解消
するためになされたもので、外部磁界が小さくても良好
な記録、消去、再生が可能な交換結合力を利用した多層
膜構造の光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
するためになされたもので、外部磁界が小さくても良好
な記録、消去、再生が可能な交換結合力を利用した多層
膜構造の光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】よって、本発明者らは、
上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、多層から成
る記録層の中の記録用層の構成材料であるＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏを特定の組成の範囲に限定した場合に、高感度でし
かも低磁界において高Ｃ／Ｎが得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、多層から成
る記録層の中の記録用層の構成材料であるＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏを特定の組成の範囲に限定した場合に、高感度でし
かも低磁界において高Ｃ／Ｎが得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
【００１１】即ち、本発明によれば、透明な基板上に少
なくとも干渉層、記録層及び保護層が順次形成された構
成で、前記記録層が交換結合力を利用した多層膜から成
り、その内の記録を担う層（記録用層）が下記の一般式
化１で示されるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜であることを特徴と
する光磁気記録媒体が提供される。
なくとも干渉層、記録層及び保護層が順次形成された構
成で、前記記録層が交換結合力を利用した多層膜から成
り、その内の記録を担う層（記録用層）が下記の一般式
化１で示されるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜であることを特徴と
する光磁気記録媒体が提供される。
【００１２】
【化１】
【００１３】以下、本発明の光磁気記録媒体の構成につ
いて図１に沿って説明する。図１に示したように、本発
明の光磁気記録媒体は基本的にプリグルーブ付透明基板
１上に干渉層２、記録層３、保護層４を順次形成した構
成をとる。以下各要素について詳述する。
いて図１に沿って説明する。図１に示したように、本発
明の光磁気記録媒体は基本的にプリグルーブ付透明基板
１上に干渉層２、記録層３、保護層４を順次形成した構
成をとる。以下各要素について詳述する。
【００１４】（基板）本発明に用いる透明基板１として
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
【００１５】（干渉層）本発明においては、上記基板１
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによっとＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うに酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層３に
用いているため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止
する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければなら
ない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、そ
れ自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ，
ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ，
Ａｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等との金属窒素化物、ＺｎＳ等の金属
硫化物が挙げられるが、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎのうち少
なくともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｓ
ｉＢＮ，ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層
膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異なるが、
通常トータルで５００〜２０００Åで好ましくは８００
〜１２００Åである。
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによっとＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うに酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層３に
用いているため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止
する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければなら
ない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、そ
れ自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ，
ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ，
Ａｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等との金属窒素化物、ＺｎＳ等の金属
硫化物が挙げられるが、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎのうち少
なくともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ｓ
ｉＢＮ，ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層
膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異なるが、
通常トータルで５００〜２０００Åで好ましくは８００
〜１２００Åである。
【００１６】（記録層）本発明の特徴はこの記録層３に
ある。記録層３は交換結合力を利用した多層膜から成
り、その内の記録を担う層（記録用層）は下記の一般式
化１で表わされるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜である。
ある。記録層３は交換結合力を利用した多層膜から成
り、その内の記録を担う層（記録用層）は下記の一般式
化１で表わされるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜である。
【化１】
【００１７】例えば、図１に示したように、記録層３
を、記録用層３−２と再生用層３−１に機能を分離した
二層膜とした場合、キュリー点（Ｔｃ）が低くかつ保磁
力（Ｈｃ）が大きい記録用層３−２が上記ＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ膜であり、又、カー回転角（θｋ）等の磁気光学効
果が大きくかつ保磁力（Ｈｃ）が小さい再生用層３−１
としては、ＧｄＦｅＣｏ膜、ＮｄＤｙＦｅＣｏ膜、Ｃｏ
／Ｐｔ積層膜或いはＢｉ置換ＹＩＧ膜等が用いられる。
再生用層３−１のカー回転角（θｋ）は０．３°以上で
あるのが好ましく、保磁力（Ｈｃ）は室温において１ｋ
Ｏｅ以下程度であるのが好ましい。また記録用層３−２
のキュリー点（Ｔｃ）は１５０〜２１０℃であるのが好
ましく、保磁力（Ｈｃ）は室温において２ｋＯｅ以上で
あるのが好ましい。再生用層３−１の膜厚は５０〜５０
０Å、記録用層３−２の膜厚は１００〜８００Å、記録
層３全体の膜厚は２００〜１２００Å程度が好ましい。
を、記録用層３−２と再生用層３−１に機能を分離した
二層膜とした場合、キュリー点（Ｔｃ）が低くかつ保磁
力（Ｈｃ）が大きい記録用層３−２が上記ＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ膜であり、又、カー回転角（θｋ）等の磁気光学効
果が大きくかつ保磁力（Ｈｃ）が小さい再生用層３−１
としては、ＧｄＦｅＣｏ膜、ＮｄＤｙＦｅＣｏ膜、Ｃｏ
／Ｐｔ積層膜或いはＢｉ置換ＹＩＧ膜等が用いられる。
再生用層３−１のカー回転角（θｋ）は０．３°以上で
あるのが好ましく、保磁力（Ｈｃ）は室温において１ｋ
Ｏｅ以下程度であるのが好ましい。また記録用層３−２
のキュリー点（Ｔｃ）は１５０〜２１０℃であるのが好
ましく、保磁力（Ｈｃ）は室温において２ｋＯｅ以上で
あるのが好ましい。再生用層３−１の膜厚は５０〜５０
０Å、記録用層３−２の膜厚は１００〜８００Å、記録
層３全体の膜厚は２００〜１２００Å程度が好ましい。
【００１８】本発明では、記録用層３−２に用いるＧｄ
ＤｙＦｅＣｏの組成を、希土類（Ｇｄ、Ｄｙ）の割合を
１９〜２２atomic％の範囲に限定するとともに、Ｄｙに
対するＧｄの割合及びＦｅとＣｏの割合を上記のように
調整することによって保磁力（Ｈｃ）と飽和磁化（Ｍ
ｓ）の温度特性が適当値を示すようになり、その結果３
００Ｏｅ以下程度の低磁界での記録、消去、再生が可能
となる。
ＤｙＦｅＣｏの組成を、希土類（Ｇｄ、Ｄｙ）の割合を
１９〜２２atomic％の範囲に限定するとともに、Ｄｙに
対するＧｄの割合及びＦｅとＣｏの割合を上記のように
調整することによって保磁力（Ｈｃ）と飽和磁化（Ｍ
ｓ）の温度特性が適当値を示すようになり、その結果３
００Ｏｅ以下程度の低磁界での記録、消去、再生が可能
となる。
【００１９】（保護層）通常、記録層３上には保護層４
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたもの以外にＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ等の金属
もしくはそれらから成る合金でも良い。この保護層４の
膜厚はＣ／Ｎや記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通
常１００〜６００Å程度が好ましい。
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたもの以外にＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ等の金属
もしくはそれらから成る合金でも良い。この保護層４の
膜厚はＣ／Ｎや記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通
常１００〜６００Å程度が好ましい。
【００２０】基板１上に干渉層２、記録層３、保護層４
を形成する手段としては、スパッタリング、イオンプレ
ーティング等の物理蒸着法、プラズマＣＶＤのような化
学蒸着法等が用いられる。
を形成する手段としては、スパッタリング、イオンプレ
ーティング等の物理蒸着法、プラズマＣＶＤのような化
学蒸着法等が用いられる。
【００２１】又、層構成は図１に示した以外に、保護層
４上にさらに５〜１０μｍの有機保護膜（カバー層）等
を設けたり、又それらの膜面どうしを接着剤によって貼
り合わせた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
４上にさらに５〜１０μｍの有機保護膜（カバー層）等
を設けたり、又それらの膜面どうしを接着剤によって貼
り合わせた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
【００２２】
【実施例】以下本発明の実施例を述べるが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
【００２３】（実施例１〜３）直径１３０ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍのガラス上に紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からな
るプリグルーブを形成した基板をスパッタ装置の真空槽
内にセットし、５×１０-7Ｔｏｒｒ以下になるまで真空
排気した。次いでＡｒとＮ2の混合ガスを真空槽内に導
入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒｒに調整し、Ｓｉをター
ゲットとして放電電力２ＫＷ（４Ｗ／ｃｍ2）で高周波
マグネトロンスパッタリングを行い、干渉層としてＳｉ
Ｎ膜を１０００Å堆積した。続いてＧｄＦｅＣｏ合金と
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして各々、直流マ
グネトロンスパッタリングによって再生用と記録用の二
層から成る記録層を形成した（組成、膜厚は表１を参
照）。更に保護層として干渉層と同様な方法によってＳ
ｉＮ膜を８００Å堆積して本発明の実施例となる光磁気
記録媒体を得た。記録用層と再生用層のキュリー点（Ｔ
ｃ）及び保磁力（Ｈｃ）を表１に併せて示す。
１．２ｍｍのガラス上に紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からな
るプリグルーブを形成した基板をスパッタ装置の真空槽
内にセットし、５×１０-7Ｔｏｒｒ以下になるまで真空
排気した。次いでＡｒとＮ2の混合ガスを真空槽内に導
入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒｒに調整し、Ｓｉをター
ゲットとして放電電力２ＫＷ（４Ｗ／ｃｍ2）で高周波
マグネトロンスパッタリングを行い、干渉層としてＳｉ
Ｎ膜を１０００Å堆積した。続いてＧｄＦｅＣｏ合金と
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして各々、直流マ
グネトロンスパッタリングによって再生用と記録用の二
層から成る記録層を形成した（組成、膜厚は表１を参
照）。更に保護層として干渉層と同様な方法によってＳ
ｉＮ膜を８００Å堆積して本発明の実施例となる光磁気
記録媒体を得た。記録用層と再生用層のキュリー点（Ｔ
ｃ）及び保磁力（Ｈｃ）を表１に併せて示す。
【００２４】（比較例１〜４）実施例と同様な方法を用
いて干渉層、記録層、保護層を形成したが、記録用層の
み従来のＴｂＦｅＣｏ膜を用いたものと、本発明で限定
した組成の範囲外のＧｄＤｙＦｅＣｏ膜を用いたものを
比較例として用意した（表１参照）。
いて干渉層、記録層、保護層を形成したが、記録用層の
み従来のＴｂＦｅＣｏ膜を用いたものと、本発明で限定
した組成の範囲外のＧｄＤｙＦｅＣｏ膜を用いたものを
比較例として用意した（表１参照）。
【００２５】
【表１】
【００２６】以上のようにして作製した実施例及び比較
例の各光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界(Ｈex)
とＣ／Ｎとの関係を図２、３に示す。記録感度は基本波
に対して２次高調波が最小になるときの記録レーザーパ
ワーとした。記録再生条件は以下の通りである。 ・記録半径 ３０ｍｍ ・記録周波数 ４．９ＭＨｚ ・ディスクの回転数 ２４００ｒｐｍ（ＣＡＶ） ・レーザー波長 ７８０ｎｍ ・再生レーザーパワー １ｍＷ
例の各光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界(Ｈex)
とＣ／Ｎとの関係を図２、３に示す。記録感度は基本波
に対して２次高調波が最小になるときの記録レーザーパ
ワーとした。記録再生条件は以下の通りである。 ・記録半径 ３０ｍｍ ・記録周波数 ４．９ＭＨｚ ・ディスクの回転数 ２４００ｒｐｍ（ＣＡＶ） ・レーザー波長 ７８０ｎｍ ・再生レーザーパワー １ｍＷ
【００２７】図２、３より、比較例に比べて本発明の実
施例の方がいずれも外部磁界(Ｈex)が３００Ｏｅ以下で
高Ｃ／Ｎとなっている。また、本発明の実施例は従来の
ＴｂＦｅＣｏを記録用層とした比較例１に比べて高感度
である。
施例の方がいずれも外部磁界(Ｈex)が３００Ｏｅ以下で
高Ｃ／Ｎとなっている。また、本発明の実施例は従来の
ＴｂＦｅＣｏを記録用層とした比較例１に比べて高感度
である。
【００２８】尚、上記では具体的な実施例として、記録
層を記録用と再生用に機能を分離した二層膜の場合を挙
げたが、さらに三層や四層にして大容量化やダイレクト
オーバーライト化を図った媒体としても本発明の効果は
十分に発揮される。
層を記録用と再生用に機能を分離した二層膜の場合を挙
げたが、さらに三層や四層にして大容量化やダイレクト
オーバーライト化を図った媒体としても本発明の効果は
十分に発揮される。
【００２９】
【発明の効果】以上、本発明によれば、記録層が交換結
合力を利用した多層膜からなる光磁気記録媒体におい
て、多層膜の内の記録を担う層を特定の組成のＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ膜としたので、高感度かつ低磁界で高Ｃ／Ｎ化
された光磁気記録媒体が得られる。
合力を利用した多層膜からなる光磁気記録媒体におい
て、多層膜の内の記録を担う層を特定の組成のＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ膜としたので、高感度かつ低磁界で高Ｃ／Ｎ化
された光磁気記録媒体が得られる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構造例を示す断面図
である。
である。
【図２】実施例の光磁気記録媒体の記録／消去時の外部
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
【図３】比較例の光磁気記録媒体の記録／消去時の外部
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ３−１ 再生用層 ３−２ 記録用層 ４ 保護層
Claims (3)
- 【請求項１】 透明な基板上に少なくとも干渉層、記録
層及び保護層が順次形成された構成で、前記記録層が交
換結合力を利用した多層膜から成り、その内の記録を担
う層が下記の一般式化１で示されるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜
であることを特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】 - 【請求項２】 前記記録を担う層にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｐｔ又はＰｄが１〜５原子％含まれていることを特徴と
する請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記干渉層及び保護層がＳｉ、Ｂ、Ｏ、
Ｎのうち少なくともＳｉ、Ｎを含む化合物から成ること
を特徴とする請求項１又は２記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131794A JPH05303783A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131794A JPH05303783A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303783A true JPH05303783A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=15066287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4131794A Pending JPH05303783A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05303783A (ja) |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP4131794A patent/JPH05303783A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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