JPH05303779A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05303779A JPH05303779A JP13019792A JP13019792A JPH05303779A JP H05303779 A JPH05303779 A JP H05303779A JP 13019792 A JP13019792 A JP 13019792A JP 13019792 A JP13019792 A JP 13019792A JP H05303779 A JPH05303779 A JP H05303779A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録消去時の外部磁界（Ｈex）が小さく、か
つ、カー回転角（θｋ）が大きく、キュリー点（Ｔｃ）
が低く、また保磁力（Ｈｃ）が大きい材料を見出すこ
と。 【構成】 記録層としての下記一般式（Ｉ）で表わされ
るＧｄＤｙＦｅＣｏ膜を用いた光磁気記録媒体。 【化１】 また、前記Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＤｔまたはＤｄの少なく
とも１つの元素が記録層に１〜５原子％含ませること、
また干渉層及び保護層に少なくともＳｉ及びＮを含むＳ
ｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素を組合せた化合物を含
有させることにより信頼性を向上させることができる。
つ、カー回転角（θｋ）が大きく、キュリー点（Ｔｃ）
が低く、また保磁力（Ｈｃ）が大きい材料を見出すこ
と。 【構成】 記録層としての下記一般式（Ｉ）で表わされ
るＧｄＤｙＦｅＣｏ膜を用いた光磁気記録媒体。 【化１】 また、前記Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＤｔまたはＤｄの少なく
とも１つの元素が記録層に１〜５原子％含ませること、
また干渉層及び保護層に少なくともＳｉ及びＮを含むＳ
ｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素を組合せた化合物を含
有させることにより信頼性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に関するものであり、特に高感度化、低磁界での高
Ｃ／Ｎ化を目的とした光磁気記録媒体に関する。
記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に関するものであり、特に高感度化、低磁界での高
Ｃ／Ｎ化を目的とした光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来技術】光磁気ディスクはレーザ光を用いて情報の
記録、再生及び消去を行うため記憶容量が大きく、しか
も記録層に磁性膜を用いているため書換え可能である。
また、非接触で記録再生が出来、塵埃の影響も受けない
ことから信頼性に優れている。よって現在盛んに研究開
発が行われており、また、数年前に商品化されて以来、
光ファイルシステム等へ急速に展開されている。この光
磁気記録層（以下記録層と記す）の材料としてはＴｂＦ
ｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属（以下ＲＥ−ＴＭと記す）非晶質合金が、
粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いることによっ
て容易に垂直磁化膜が得られることから現在最も多く用
いられている。また、光磁気記録媒体の構成としては、
レーザ光の記録再生効率を向上させるために記録層上に
反射層を設ける方式が提案されている（特公昭62-27458
号公報)。この構成はカー効果とファラデー効果の両方
が利用出来るためＣ／Ｎ（信号対雑音比）やジッター特
性に優れている。
記録、再生及び消去を行うため記憶容量が大きく、しか
も記録層に磁性膜を用いているため書換え可能である。
また、非接触で記録再生が出来、塵埃の影響も受けない
ことから信頼性に優れている。よって現在盛んに研究開
発が行われており、また、数年前に商品化されて以来、
光ファイルシステム等へ急速に展開されている。この光
磁気記録層（以下記録層と記す）の材料としてはＴｂＦ
ｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属（以下ＲＥ−ＴＭと記す）非晶質合金が、
粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いることによっ
て容易に垂直磁化膜が得られることから現在最も多く用
いられている。また、光磁気記録媒体の構成としては、
レーザ光の記録再生効率を向上させるために記録層上に
反射層を設ける方式が提案されている（特公昭62-27458
号公報)。この構成はカー効果とファラデー効果の両方
が利用出来るためＣ／Ｎ（信号対雑音比）やジッター特
性に優れている。
【０００３】光磁気ディスクを用いた光ファイルシステ
ムは主として大容量及び高速転送レートが要求される。
よって記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角（θｋ）が
大きく、記録感度に影響が深いキュリー点（Ｔｃ）が低
いことが必要である。さらに１μm以下のビット（磁
区）を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材
料でなければならない。
ムは主として大容量及び高速転送レートが要求される。
よって記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角（θｋ）が
大きく、記録感度に影響が深いキュリー点（Ｔｃ）が低
いことが必要である。さらに１μm以下のビット（磁
区）を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材
料でなければならない。
【０００４】これらを満たす具体的な材料として、本発
明者らはＲＥ−ＴＭ非晶質合金の中でもＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ合金が適していることを見出し、以前に提案している
（特開昭59-961011）。
明者らはＲＥ−ＴＭ非晶質合金の中でもＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ合金が適していることを見出し、以前に提案している
（特開昭59-961011）。
【０００５】ＧｄＤｙＦｅＣｏの各元素（Ｇｄ、Ｄｙ、
Ｆｅ、Ｃｏ）の含有量を調整することでカー回転角（θ
ｋ）やキュリー点(Ｔｃ)を自由にコントロールすること
ができる。特にＤｙ含有量の調整によってキュリー点
(Ｔｃ)を130℃前後までに低くでき、かつ保磁力(Ｈｃ)
の大きな垂直磁化膜が得られる組成の範囲が広い。これ
はＴｂＦｅＣｏ等の他のＲＥ−ＴＭ非晶質合金には見ら
れない特徴である。
Ｆｅ、Ｃｏ）の含有量を調整することでカー回転角（θ
ｋ）やキュリー点(Ｔｃ)を自由にコントロールすること
ができる。特にＤｙ含有量の調整によってキュリー点
(Ｔｃ)を130℃前後までに低くでき、かつ保磁力(Ｈｃ)
の大きな垂直磁化膜が得られる組成の範囲が広い。これ
はＴｂＦｅＣｏ等の他のＲＥ−ＴＭ非晶質合金には見ら
れない特徴である。
【０００６】しかしながら、ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜はＴｂ
ＦｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や消去時の外部磁界
(Ｈex）が300 Oｅ以上と大きくなければ充分なＣ／Ｎが
得られない。充分な記録、消去を行うための外部磁界
（Ｈex）が大きいと、磁界発生装置が大きくなってしま
ったり、或いは外部磁界（Ｈex）の変動に対して充分な
対応のとれない光磁気記録媒体となってしまう。また、
磁界変調方式を用いたダイレクトオーバーライトに対し
てもこの外部磁界（Ｈex）は小さい方が好ましい。
ＦｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や消去時の外部磁界
(Ｈex）が300 Oｅ以上と大きくなければ充分なＣ／Ｎが
得られない。充分な記録、消去を行うための外部磁界
（Ｈex）が大きいと、磁界発生装置が大きくなってしま
ったり、或いは外部磁界（Ｈex）の変動に対して充分な
対応のとれない光磁気記録媒体となってしまう。また、
磁界変調方式を用いたダイレクトオーバーライトに対し
てもこの外部磁界（Ｈex）は小さい方が好ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は高感度
で、かつ、記録／消去時の外部磁界（Ｈex）が小さくて
も高Ｃ／Ｎが得られる材料を見出すことである。
で、かつ、記録／消去時の外部磁界（Ｈex）が小さくて
も高Ｃ／Ｎが得られる材料を見出すことである。
【０００８】
【課題を解決しようとする手段】よって本発明者らは上
述の欠点を克服すべく精鋭検討した結果、透明な基板上
に少なくとも干渉層、記録層、保護層が順次形成された
光磁気媒体の記録層として、下記一般式（Ｉ）で表わさ
れるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜を用いることによって低磁界で
の記録、消去が可能となることを見出した。
述の欠点を克服すべく精鋭検討した結果、透明な基板上
に少なくとも干渉層、記録層、保護層が順次形成された
光磁気媒体の記録層として、下記一般式（Ｉ）で表わさ
れるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜を用いることによって低磁界で
の記録、消去が可能となることを見出した。
【０００９】
【化１】
【００１０】また、前記記録層にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐ
ｔまたはＰｄの少なくとも１つの元素が１〜５原子％含
ませることにより光磁気記録媒体の信頼性の向上が図ら
れる。
ｔまたはＰｄの少なくとも１つの元素が１〜５原子％含
ませることにより光磁気記録媒体の信頼性の向上が図ら
れる。
【００１１】また、前記干渉層及び保護層に少なくとも
Ｓｉ及びＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素を
組合せた化合物を存在させることにより信頼性をさらに
向上させることができる。
Ｓｉ及びＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素を
組合せた化合物を存在させることにより信頼性をさらに
向上させることができる。
【００１２】まず本発明の光磁気記録媒体の構成につい
て図１に沿って説明する。図１に示したようにプリグル
ープ付透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護層４、
反射層５を順次形成した構成をとる。
て図１に沿って説明する。図１に示したようにプリグル
ープ付透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護層４、
反射層５を順次形成した構成をとる。
【００１３】（基板）本発明に用いる透明基板１として
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、またはアルミノ
珪酸、バリウム硼珪酸などのガラス表面に溝付き紫外線
硬化樹脂（エポキシアクリレートなど）層を形成した基
板などが挙げられる。これらの基板はディスク形状をし
ており、厚みは０.６〜１.２mm程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂膜を示したもので
ある。
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、またはアルミノ
珪酸、バリウム硼珪酸などのガラス表面に溝付き紫外線
硬化樹脂（エポキシアクリレートなど）層を形成した基
板などが挙げられる。これらの基板はディスク形状をし
ており、厚みは０.６〜１.２mm程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂膜を示したもので
ある。
【００１４】（干渉層）本発明においては、上記基板１
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１.８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用して見掛けのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、また反射率を小さくすることでＮ
（ノイズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上さ
せることを目的としている。また、ＲＥ−ＴＭ非晶質合
金のように酸化などによる腐食を起こしやすい材料を記
録層に用いているため、この干渉層２は記録層の腐食を
防止する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければ
ならない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、かつ記録層との反応性が
小さいことが必要である。具体的な材料としてはＳｉ
Ｏ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5などの金属酸化物、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇｅなどの金属窒化物、ＺｎＳなど
の金属硫化物が挙げられるが、特にＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの
うち少なくともＳｉ及びＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２
種以上の元素を組合せた化合物（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓ
ｉＢＮ、ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層
膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異なるが、
通常トータルで500〜2000Åで好ましくは800〜1200Åで
ある。
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１.８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用して見掛けのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、また反射率を小さくすることでＮ
（ノイズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上さ
せることを目的としている。また、ＲＥ−ＴＭ非晶質合
金のように酸化などによる腐食を起こしやすい材料を記
録層に用いているため、この干渉層２は記録層の腐食を
防止する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければ
ならない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、かつ記録層との反応性が
小さいことが必要である。具体的な材料としてはＳｉ
Ｏ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5などの金属酸化物、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇｅなどの金属窒化物、ＺｎＳなど
の金属硫化物が挙げられるが、特にＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの
うち少なくともＳｉ及びＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２
種以上の元素を組合せた化合物（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓ
ｉＢＮ、ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層
膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異なるが、
通常トータルで500〜2000Åで好ましくは800〜1200Åで
ある。
【００１５】（記録層）本発明の特徴はこの記録層３に
あり、一般式（Ｉ）で表わされるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜で
ある。尚、記録層３には耐食性を向上させるためにＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄが少量（１〜５原子％）含
有されても良い。
あり、一般式（Ｉ）で表わされるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜で
ある。尚、記録層３には耐食性を向上させるためにＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄが少量（１〜５原子％）含
有されても良い。
【００１６】（保護層）通常記録層３上に保護層４を設
ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれな
い。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、または
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素またはハロ
ゲン元素のように記録層に有害な物質の侵入を防止し、
記録層を保護する目的で設けられるため、干渉層同様そ
れ自身の耐食性が高く、記録層との反応性が小さいこと
が必要である。具体的な材料は干渉層として挙げたもの
と同様である。この保護層の膜厚はＣ／Ｎが記録感度に
も大きな影響を及ぼすが、通常膜厚は０〜600Å程度が
好ましい。
ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれな
い。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、または
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素またはハロ
ゲン元素のように記録層に有害な物質の侵入を防止し、
記録層を保護する目的で設けられるため、干渉層同様そ
れ自身の耐食性が高く、記録層との反応性が小さいこと
が必要である。具体的な材料は干渉層として挙げたもの
と同様である。この保護層の膜厚はＣ／Ｎが記録感度に
も大きな影響を及ぼすが、通常膜厚は０〜600Å程度が
好ましい。
【００１７】（反射層）記録層３上に直接、もしくは保
護層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高
Ｃ／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対し
て反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当
然耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの１種
以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ／
Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため300〜6
00Åが適当である。基板１上に、干渉層２、記録層３、
保護層４及び反射層５を形成する手段としては、スパッ
タリング、イオンプレーティングなどの物理蒸着法、プ
ラズマＣＶＤのような化学蒸着法などが用いられる。ま
た、層構成は図１に示した以外に、保護層または反射層
上にさらに５〜10μmの有機保護膜（カバー層）を設け
たり、またそれらの膜面どうしを接着剤によって貼り合
わせた構成でも本発明の効果は損なわれない。
護層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高
Ｃ／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対し
て反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当
然耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの１種
以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ／
Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため300〜6
00Åが適当である。基板１上に、干渉層２、記録層３、
保護層４及び反射層５を形成する手段としては、スパッ
タリング、イオンプレーティングなどの物理蒸着法、プ
ラズマＣＶＤのような化学蒸着法などが用いられる。ま
た、層構成は図１に示した以外に、保護層または反射層
上にさらに５〜10μmの有機保護膜（カバー層）を設け
たり、またそれらの膜面どうしを接着剤によって貼り合
わせた構成でも本発明の効果は損なわれない。
【００１８】
【実施例１〜３】 〔実施例１〜３〕直径130mm、厚さ１.２mmのガラス上に
紫外線(ＵＶ)硬化樹脂からなるプリグループを形成した
基板をスパッタ装置の真空槽内にセットし、真空圧が５
×10- 7Torr以下になるまで真空排気する。まずＡｒと
Ｎ2の混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×10- 3To
rrに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ＫＷ
（4W/cm2）で高周波マグネトロンスパッタリングを行い
干渉層としてＳｉＮｘ膜を1000Å堆積した。続いてＧｄ
ＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして直流マグネトロン
スパッタリングによって記録層であるＧｄＤｙＦｅＣｏ
膜を200Å形成した（実施例１〜３の各組成は表１を参
照）。更に保護層としてＳｉＮｘ膜を300Å、反射層と
してＡｌＴｉ膜を500Å順次成形した後、真空槽から大
気中へ搬出し、本発明の実施に沿った光磁気記録媒体を
得た。
紫外線(ＵＶ)硬化樹脂からなるプリグループを形成した
基板をスパッタ装置の真空槽内にセットし、真空圧が５
×10- 7Torr以下になるまで真空排気する。まずＡｒと
Ｎ2の混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×10- 3To
rrに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ＫＷ
（4W/cm2）で高周波マグネトロンスパッタリングを行い
干渉層としてＳｉＮｘ膜を1000Å堆積した。続いてＧｄ
ＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして直流マグネトロン
スパッタリングによって記録層であるＧｄＤｙＦｅＣｏ
膜を200Å形成した（実施例１〜３の各組成は表１を参
照）。更に保護層としてＳｉＮｘ膜を300Å、反射層と
してＡｌＴｉ膜を500Å順次成形した後、真空槽から大
気中へ搬出し、本発明の実施に沿った光磁気記録媒体を
得た。
【００１９】〔比較例１〜４〕実施例と同様な方法を用
いて干渉層、記録層、保護層、反射層を形成したが記録
層として、本発明で限定した組成の範囲外のＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ膜（比較例１〜４の各組成は表１参照）を用いた
ものを比較例として用意した。
いて干渉層、記録層、保護層、反射層を形成したが記録
層として、本発明で限定した組成の範囲外のＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ膜（比較例１〜４の各組成は表１参照）を用いた
ものを比較例として用意した。
【００２０】
【表１】
【００２１】実施例及び比較例の光磁気記録媒体の記録
／消去時の外部磁界（Ｈex）とＣ／Ｎとの関係を図２、
３に示す。尚、測定条件は以下の通りである。 ・記録半径 30mm ・レーザ波長 780nm ・記録周波数 4.9MHz ・記録レーザパワー ６mW ・ディスクの回転数 2400rpm(CAV) ・再生レーザパワー １mW 図−２、３より、比較例１と比べて本発明の実施例の方
がいずれも300 Oe以下の低磁界でＣ／Ｎが高くなってい
る。
／消去時の外部磁界（Ｈex）とＣ／Ｎとの関係を図２、
３に示す。尚、測定条件は以下の通りである。 ・記録半径 30mm ・レーザ波長 780nm ・記録周波数 4.9MHz ・記録レーザパワー ６mW ・ディスクの回転数 2400rpm(CAV) ・再生レーザパワー １mW 図−２、３より、比較例１と比べて本発明の実施例の方
がいずれも300 Oe以下の低磁界でＣ／Ｎが高くなってい
る。
【００２２】
【発明の効果】以上、本発明によれば、記録層に特定の
組成のＧｄＤｙＦｅＣｏ膜を用いることによって低磁界
においても高Ｃ／Ｎかつ高感度な光磁気記録媒体が実現
出来る。また、本発明では具体的な実施例として光変調
方式用の媒体として説明を行ったが、磁界変調方式を用
いたダイレクトオーバーライト用光磁気記録媒体として
も充分効果が発揮される。
組成のＧｄＤｙＦｅＣｏ膜を用いることによって低磁界
においても高Ｃ／Ｎかつ高感度な光磁気記録媒体が実現
出来る。また、本発明では具体的な実施例として光変調
方式用の媒体として説明を行ったが、磁界変調方式を用
いたダイレクトオーバーライト用光磁気記録媒体として
も充分効果が発揮される。
【図１】図１は光磁気記録媒体の構成図である。
【図２】図２は本発明の実施例１〜３のＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ膜記録層光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界
（Ｈex）とＣ／Ｎとの関係を示す。
ｏ膜記録層光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界
（Ｈex）とＣ／Ｎとの関係を示す。
【図３】図３は本発明の比較例１〜４のＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ膜記録層光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界
（Ｈex）とＣ／Ｎとの関係を示す。
ｏ膜記録層光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界
（Ｈex）とＣ／Ｎとの関係を示す。
図１における符号は下の通りである。 １ 基板 １Ａ ガラス基板 １Ｂ 紫外線硬化膜 ２ 干渉層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層
Claims (3)
- 【請求項１】 透明な基板上に少なくとも干渉層、記録
層、保護層が順次形成された構成の光磁気記録媒体にお
いて、該記録層が下記の一般式（Ｉ）で表わされるＧｄ
ＤｙＦｅＣｏ膜であることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 前記記録層にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔま
たはＰｄの少なくとも１つの元素が１〜５原子％含まれ
ていることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 前記干渉層及び保護層が少なくともＳｉ
及びＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素と組合
せた化合物から成ることを特徴とする請求項１または２
に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13019792A JPH05303779A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13019792A JPH05303779A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303779A true JPH05303779A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=15028413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13019792A Pending JPH05303779A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05303779A (ja) |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP13019792A patent/JPH05303779A/ja active Pending
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