JPH0668534A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0668534A JPH0668534A JP24734392A JP24734392A JPH0668534A JP H0668534 A JPH0668534 A JP H0668534A JP 24734392 A JP24734392 A JP 24734392A JP 24734392 A JP24734392 A JP 24734392A JP H0668534 A JPH0668534 A JP H0668534A
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- Japan
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- magneto
- optical recording
- recording medium
- recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小さい外部磁界で良好な記録・消去が可能な
光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 プリグルーブ付き透明基板１上に干渉層２、
記録層３、保護層４、反射層５を順次形成した構成にお
いて、記録層３に、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭｓ
とし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭ
ｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2
≧１（ＫＯｅ）となる材料を用いる。特に特定組成のＴ
ｂＤｙＦｅＣｏが好ましい。
光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 プリグルーブ付き透明基板１上に干渉層２、
記録層３、保護層４、反射層５を順次形成した構成にお
いて、記録層３に、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭｓ
とし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭ
ｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2
≧１（ＫＯｅ）となる材料を用いる。特に特定組成のＴ
ｂＤｙＦｅＣｏが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に関するものであり、特に低磁界での高Ｃ／Ｎ化を
目的とした光磁気記録媒体に関する。
記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に関するものであり、特に低磁界での高Ｃ／Ｎ化を
目的とした光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光磁気
ディスクはレーザ光を用いて情報の記録、再生及び消去
を行うため、従来からの光ディスクと同様に記憶容量が
大きく、しかも記録層に磁性体を用いているため書き換
えが可能である。又非接触で記録、再生が出来、塵埃の
影響も受けないことから信頼性にも優れている。よって
現在研究開発が活発に行われており、又数年前に商品化
されて以来、光ファイルシステム等への展開が急速に進
んでいる。
ディスクはレーザ光を用いて情報の記録、再生及び消去
を行うため、従来からの光ディスクと同様に記憶容量が
大きく、しかも記録層に磁性体を用いているため書き換
えが可能である。又非接触で記録、再生が出来、塵埃の
影響も受けないことから信頼性にも優れている。よって
現在研究開発が活発に行われており、又数年前に商品化
されて以来、光ファイルシステム等への展開が急速に進
んでいる。
【０００３】この光磁気記録層（以下記録層と記す）の
材料としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が、粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いる
ことによって容易に垂直磁化膜が得られることから現在
最も多く用いられている。
材料としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が、粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いる
ことによって容易に垂直磁化膜が得られることから現在
最も多く用いられている。
【０００４】一方、光磁気ディスクを用いた光ファイル
システムは今後さらに大容量化及び高速転送レート化が
進み、そのため記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角
（θｋ）が大きく、記録感度に影響が深いキュリー点
（Ｔｃ）が低く、かつ直径１μｍ以下のビット（磁区）
を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料で
あめことが要求される。
システムは今後さらに大容量化及び高速転送レート化が
進み、そのため記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角
（θｋ）が大きく、記録感度に影響が深いキュリー点
（Ｔｃ）が低く、かつ直径１μｍ以下のビット（磁区）
を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料で
あめことが要求される。
【０００５】これらの要求を満足させる１つの方法とし
て、記録層を交換結合力を利用した多層膜にする方法が
あり、いろいろと提案されている。例えば、記録層を二
層にして記録用と再生用に機能を分離し、記録用をキュ
リー点（Ｔｃ）が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大きな材料
とし、又、再生用としてカー回転角（θｋ）が大きくか
つ保磁力（Ｈｃ）の小さな材料を用い、高Ｃ／Ｎかつ高
感度化を図ることが一般に知られている。又、さらに記
録層を三層或いは四層にして大容量化を図ったり、ダイ
レクトオーバーライトを可能にして高速転送レート化を
図ったりすることも提案されている。
て、記録層を交換結合力を利用した多層膜にする方法が
あり、いろいろと提案されている。例えば、記録層を二
層にして記録用と再生用に機能を分離し、記録用をキュ
リー点（Ｔｃ）が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大きな材料
とし、又、再生用としてカー回転角（θｋ）が大きくか
つ保磁力（Ｈｃ）の小さな材料を用い、高Ｃ／Ｎかつ高
感度化を図ることが一般に知られている。又、さらに記
録層を三層或いは四層にして大容量化を図ったり、ダイ
レクトオーバーライトを可能にして高速転送レート化を
図ったりすることも提案されている。
【０００６】また、ここで光磁気記録媒体の消去・記録
原理をまず現在一般に採用されている光変調方式につい
て説明する。データの消去は外部から磁界を与えた状態
でレーザ光を連続照射して熱し、外部磁界と同じ方向に
記録層の磁化をそろえる。データの記録は外部磁界を消
去時から反転させた状態にし、データマークを記録する
ところだけレーザ光の出力を大きくして、記録層を熱
し、記録層の磁化を反転させる。
原理をまず現在一般に採用されている光変調方式につい
て説明する。データの消去は外部から磁界を与えた状態
でレーザ光を連続照射して熱し、外部磁界と同じ方向に
記録層の磁化をそろえる。データの記録は外部磁界を消
去時から反転させた状態にし、データマークを記録する
ところだけレーザ光の出力を大きくして、記録層を熱
し、記録層の磁化を反転させる。
【０００７】一方、磁界変調方式は光変調方式とは逆
で、記録時にレーザ光を連続照射した状態にして、デー
タマークを記録するところだけ記録方向に磁界を印加す
る方式で、光変調方式と違ってダイレクトオーバーライ
トが可能であるため将来の記録方式として盛んに開発が
進められている。これら外部磁界は大きすぎると光磁気
記録再生装置内の磁界発生部（電磁石）が大きくなって
しまったり、又消費電力が多くなってしまったりする。
特に磁界変調方式の場合、この問題は重要である。よっ
て外部磁界はなるべく小さい方が良い。しかし現在の光
磁気記録媒体は少なくとも３００（Ｏｅ）以上の磁界を
印加しないと十分なＣ／Ｎが得られていない。
で、記録時にレーザ光を連続照射した状態にして、デー
タマークを記録するところだけ記録方向に磁界を印加す
る方式で、光変調方式と違ってダイレクトオーバーライ
トが可能であるため将来の記録方式として盛んに開発が
進められている。これら外部磁界は大きすぎると光磁気
記録再生装置内の磁界発生部（電磁石）が大きくなって
しまったり、又消費電力が多くなってしまったりする。
特に磁界変調方式の場合、この問題は重要である。よっ
て外部磁界はなるべく小さい方が良い。しかし現在の光
磁気記録媒体は少なくとも３００（Ｏｅ）以上の磁界を
印加しないと十分なＣ／Ｎが得られていない。
【０００８】本発明はこのような従来の光磁気記録媒体
の欠点を解消するためになされたもので、外部磁界が小
さくても良好な記録・消去が可能な光磁気記録媒体を提
供することを目的とする。
の欠点を解消するためになされたもので、外部磁界が小
さくても良好な記録・消去が可能な光磁気記録媒体を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び作用】よって、本発明
者らは、上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、単
層タイプの記録層あるいは多層タイプの記録層の内の記
録を担う層に、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭｓと
し、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭｓ）
／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2≧１
（ＫＯｅ）であるような特性をもたすことによって３０
０（Ｏｅ）以下の低磁界でも良好な記録及び消去が可能
となることを見出し、本発明を完成するに至った。
者らは、上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、単
層タイプの記録層あるいは多層タイプの記録層の内の記
録を担う層に、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭｓと
し、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭｓ）
／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2≧１
（ＫＯｅ）であるような特性をもたすことによって３０
０（Ｏｅ）以下の低磁界でも良好な記録及び消去が可能
となることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち、本発明によれば、基板上に少なくと
も光磁気記録層が形成された構成を有する光磁気記録媒
体において、前記光磁気記録層が、その保磁力をＨｃ、
飽和磁化をＭｓとし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝
（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温
度においてＨ*2≧１（ＫＯｅ）であることを特徴とする
光磁気記録媒体が提供される。また、本発明によれば、
基板上に少なくとも光磁気記録層が形成された構成を有
する光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層が交換
結合力を利用した多層膜から成り、その内の記録を担う
層が、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭｓとし、Ｈ*1＝
Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２とした
とき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2≧１（ＫＯｅ）
であることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
また、本発明によれば、上記構成において、前記光磁気
記録層又は前記光磁気記録層の内の記録を担う層が、下
記一般式化１で表わされるＴｂＤｙＦｅＣｏ膜であるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
も光磁気記録層が形成された構成を有する光磁気記録媒
体において、前記光磁気記録層が、その保磁力をＨｃ、
飽和磁化をＭｓとし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝
（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温
度においてＨ*2≧１（ＫＯｅ）であることを特徴とする
光磁気記録媒体が提供される。また、本発明によれば、
基板上に少なくとも光磁気記録層が形成された構成を有
する光磁気記録媒体において、前記光磁気記録層が交換
結合力を利用した多層膜から成り、その内の記録を担う
層が、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭｓとし、Ｈ*1＝
Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２とした
とき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2≧１（ＫＯｅ）
であることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
また、本発明によれば、上記構成において、前記光磁気
記録層又は前記光磁気記録層の内の記録を担う層が、下
記一般式化１で表わされるＴｂＤｙＦｅＣｏ膜であるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である） また、本発明によれば、上記構成において、透明基板上
に少なくとも干渉層、光磁気記録層、保護層が順次形成
された構成であり、多層膜から成る光磁気記録層の膜厚
が８００〜１２００Åであることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。また、本発明によれば、上記構成
において、透明基板上に少なくとも干渉層、光磁気記録
層、保護層及び反射層が順次形成されており、前記光磁
気記録層の膜厚が１５０〜３００Åであることを特徴と
する光磁気記録媒体が提供される。また、本発明によれ
ば、上記構成において、前記交換結合力を利用した多層
膜から成る光磁気記録層の内の再生を担う層がＧｄＦｅ
Ｃｏ膜であることを特徴とする光磁気記録媒体が提供さ
れる。また、本発明によれば、上記構成において、前記
干渉層及び保護層がＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち少なくとも
ＳｉとＮを含む２種以上から成る化合物であることを特
徴とする光磁気記録媒体が提供される。さらに、本発明
に寄れば、上記構成において、前記反射層がＳｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａの１種以上を
含むＡｌ合金であることを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
１９≦ｚ＜０．２１である） また、本発明によれば、上記構成において、透明基板上
に少なくとも干渉層、光磁気記録層、保護層が順次形成
された構成であり、多層膜から成る光磁気記録層の膜厚
が８００〜１２００Åであることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。また、本発明によれば、上記構成
において、透明基板上に少なくとも干渉層、光磁気記録
層、保護層及び反射層が順次形成されており、前記光磁
気記録層の膜厚が１５０〜３００Åであることを特徴と
する光磁気記録媒体が提供される。また、本発明によれ
ば、上記構成において、前記交換結合力を利用した多層
膜から成る光磁気記録層の内の再生を担う層がＧｄＦｅ
Ｃｏ膜であることを特徴とする光磁気記録媒体が提供さ
れる。また、本発明によれば、上記構成において、前記
干渉層及び保護層がＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち少なくとも
ＳｉとＮを含む２種以上から成る化合物であることを特
徴とする光磁気記録媒体が提供される。さらに、本発明
に寄れば、上記構成において、前記反射層がＳｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａの１種以上を
含むＡｌ合金であることを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
【００１１】本発明の光磁気記録媒体を具体的な構成例
に基づき図１に沿って説明する。図１の構成例は、プリ
グルーブ付き透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護
層４、反射層５を順次形成した構成を有する。以下各要
素について詳述する。
に基づき図１に沿って説明する。図１の構成例は、プリ
グルーブ付き透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護
層４、反射層５を順次形成した構成を有する。以下各要
素について詳述する。
【００１２】（基板）本発明に用いる透明基板１として
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
【００１３】（干渉層）本発明においては、上記基板１
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うに酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層３に
用いているため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止
する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければなら
ない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、そ
れ自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ等の金
属硫化物が挙げられるが、特にＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち
少なくともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、
ＳｉＢＮ、ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多
層膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異なる
が、通常トータルで５００〜２０００Åで好ましくは８
００〜１２００Åである。
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うに酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層３に
用いているため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止
する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければなら
ない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、そ
れ自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ等の金
属硫化物が挙げられるが、特にＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち
少なくともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、
ＳｉＢＮ、ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多
層膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異なる
が、通常トータルで５００〜２０００Åで好ましくは８
００〜１２００Åである。
【００１４】（記録層）本構成例の特徴はこの記録層３
にある。記録層３は膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つ垂直磁化膜であり、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭ
ｓとし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭ
ｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2
≧１（ＫＯｅ）である。通常、外部磁界が小さいとき、
記録や消去が開始される温度はＨｃよりも４πＭｓが大
きくなる温度、つまりＨ*1（＝Ｈｃ−４πＭｓ）が０に
なる温度であるが、この温度でのＨｃ（＝４πＭｓ）は
大きい方がスムーズな記録や消去が行われる。具体的に
は（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２≧１（ＫＯｅ）で完全な記録
／消去が行われるのである。
にある。記録層３は膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つ垂直磁化膜であり、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭ
ｓとし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭ
ｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2
≧１（ＫＯｅ）である。通常、外部磁界が小さいとき、
記録や消去が開始される温度はＨｃよりも４πＭｓが大
きくなる温度、つまりＨ*1（＝Ｈｃ−４πＭｓ）が０に
なる温度であるが、この温度でのＨｃ（＝４πＭｓ）は
大きい方がスムーズな記録や消去が行われる。具体的に
は（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２≧１（ＫＯｅ）で完全な記録
／消去が行われるのである。
【００１５】記録層３に使用される具体的な材料として
は一般に光磁気記録材料に用いられているＲＥ−ＴＭ非
晶合金が適しており、その中でもＴｂＤｙＦｅＣｏ合金
が特に好ましい（特開昭５９−６１０１１号公報）。し
かし、前述した条件を満たすためにはＲＥ（ＴｂＤｙ）
が補償組成よりも少ないＴＭ（ＦｅＣｏ）リッチな組成
であることが必要であり、下記の一般式化１で示される
組成領域においてその効果が充分に発揮される。
は一般に光磁気記録材料に用いられているＲＥ−ＴＭ非
晶合金が適しており、その中でもＴｂＤｙＦｅＣｏ合金
が特に好ましい（特開昭５９−６１０１１号公報）。し
かし、前述した条件を満たすためにはＲＥ（ＴｂＤｙ）
が補償組成よりも少ないＴＭ（ＦｅＣｏ）リッチな組成
であることが必要であり、下記の一般式化１で示される
組成領域においてその効果が充分に発揮される。
【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である）
１９≦ｚ＜０．２１である）
【００１６】尚、記録層３には耐食性を向上させるため
にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄが少量（１〜５原子
％）が含有されていても良い。膜厚は図１に示したよう
な反射層５を設けた媒体構成の場合は１５０〜３００Å
が適している。反射層５を設けた構成は、記録層３のカ
ー効果とファラデー効果の両方が利用出来るためＣ／Ｎ
（信号対雑音比）やジッター特性に優れている。
にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄが少量（１〜５原子
％）が含有されていても良い。膜厚は図１に示したよう
な反射層５を設けた媒体構成の場合は１５０〜３００Å
が適している。反射層５を設けた構成は、記録層３のカ
ー効果とファラデー効果の両方が利用出来るためＣ／Ｎ
（信号対雑音比）やジッター特性に優れている。
【００１７】（保護層）通常、記録層３上には保護層４
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたものと同様である。この保護層４の膜厚はＣ／Ｎや
記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å
が好ましい。
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたものと同様である。この保護層４の膜厚はＣ／Ｎや
記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å
が好ましい。
【００１８】（反射層）記録層３上に直接もしくは保護
層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高Ｃ
／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対して
反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当然
耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａの１種
以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ／
Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため３００
〜６００Åが適当である。
層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高Ｃ
／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対して
反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当然
耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａの１種
以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ／
Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため３００
〜６００Åが適当である。
【００１９】（作製法等）基板１上に干渉層２、記録層
３、保護層４及び反射層５を形成する手段としては、ス
パッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、
プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。
３、保護層４及び反射層５を形成する手段としては、ス
パッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、
プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。
【００２０】次に、本発明の光磁気記録媒体の別の構成
例を図２に示す。図２の構成例は、プリグルーブ付き透
明基板１上に干渉層２、複数の層から成る記録層３、保
護層４を順次形成した構成を有する。基板１、干渉層２
及び保護層４については図１の場合と同様であるので詳
細説明は省略する。本構成例の特徴は記録層３にある。
記録層３は交換結合力を利用した二層膜、即ち再生を担
う層（再生用層）３−１及び記録を担う層（記録用層）
３−２から成る。記録用層３−２は、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸をもつ垂直磁化膜であり、その保磁力をＨ
ｃ、飽和磁化をＭｓとし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2
＝（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる
温度においてＨ*2≧１（ＫＯｅ）である。記録用層３−
２に用いられる材料は図１の記録層３と同様で特に下記
一般式化１のＴｂＤｙＦｅＣｏが好ましい。
例を図２に示す。図２の構成例は、プリグルーブ付き透
明基板１上に干渉層２、複数の層から成る記録層３、保
護層４を順次形成した構成を有する。基板１、干渉層２
及び保護層４については図１の場合と同様であるので詳
細説明は省略する。本構成例の特徴は記録層３にある。
記録層３は交換結合力を利用した二層膜、即ち再生を担
う層（再生用層）３−１及び記録を担う層（記録用層）
３−２から成る。記録用層３−２は、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸をもつ垂直磁化膜であり、その保磁力をＨ
ｃ、飽和磁化をＭｓとし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2
＝（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる
温度においてＨ*2≧１（ＫＯｅ）である。記録用層３−
２に用いられる材料は図１の記録層３と同様で特に下記
一般式化１のＴｂＤｙＦｅＣｏが好ましい。
【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である） 再生用層３−１としてはＧｄＦｅＣｏ膜やＴｂＦｅＣｏ
膜であるのが好ましい。尚、記録層３には耐食性を向上
させるためにＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄが少量（１
〜５原子％）が含有されていても良い。記録層３のトー
タルの膜厚は８００〜１２００Åが適している。
１９≦ｚ＜０．２１である） 再生用層３−１としてはＧｄＦｅＣｏ膜やＴｂＦｅＣｏ
膜であるのが好ましい。尚、記録層３には耐食性を向上
させるためにＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄが少量（１
〜５原子％）が含有されていても良い。記録層３のトー
タルの膜厚は８００〜１２００Åが適している。
【００２２】又、層構成は図１及び図２に示した以外
に、保護層４あるいは反射層５の上にさらに５〜１０μ
ｍの有機保護層（カバー層）等を設けたり、又それらの
膜どうしを接着剤によって貼り合わせた構成でも本発明
の効果は損なわれない。更に、図２の例では記録層３を
二層膜としたが三層以上の多層膜としてもよい。
に、保護層４あるいは反射層５の上にさらに５〜１０μ
ｍの有機保護層（カバー層）等を設けたり、又それらの
膜どうしを接着剤によって貼り合わせた構成でも本発明
の効果は損なわれない。更に、図２の例では記録層３を
二層膜としたが三層以上の多層膜としてもよい。
【００２３】
【実施例】以下本発明の実施例を述べるが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
【００２４】実施例１〜３ 直径１３０ｍｍ、厚さ、１．２ｍｍのガラス上に紫外線
（ＵＶ）硬化樹脂からなるプリグルーブを形成した基板
をスパッタ装置の真空槽内にセットし、５×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した。次いでＡｒとＮ2 の
混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒ
ｒに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ＫＷ
（４Ｗ／ｃｍ2 ）で高周波マグネトロンスパッタリング
を行い、干渉層としてＳｉＮ膜を１０００Å堆積した。
続いてＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして直流マ
グネトロンスパッタリングによって記録層であるＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜を２００Å形成した（組成は表１を参
照）。更に保護層として干渉層と同様な方法によってＳ
ｉＮ膜を８００Å、反射層としてＡｌＴｉ膜を５００Å
順次形成して本発明の実施例となる光磁気記録媒体を得
た。記録層には本発明にて限定した特性をもつＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ膜を用いており、実施例に用いた記録層のＨｃ
及び４πＭｓの温度特性を図３〜図８に示す。又その図
から求めたＨ*1＝０となるときの温度ＴとＨ*2、及びキ
ュリー点Ｔｃを表１に併せて示す。
（ＵＶ）硬化樹脂からなるプリグルーブを形成した基板
をスパッタ装置の真空槽内にセットし、５×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した。次いでＡｒとＮ2 の
混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒ
ｒに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ＫＷ
（４Ｗ／ｃｍ2 ）で高周波マグネトロンスパッタリング
を行い、干渉層としてＳｉＮ膜を１０００Å堆積した。
続いてＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして直流マ
グネトロンスパッタリングによって記録層であるＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜を２００Å形成した（組成は表１を参
照）。更に保護層として干渉層と同様な方法によってＳ
ｉＮ膜を８００Å、反射層としてＡｌＴｉ膜を５００Å
順次形成して本発明の実施例となる光磁気記録媒体を得
た。記録層には本発明にて限定した特性をもつＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ膜を用いており、実施例に用いた記録層のＨｃ
及び４πＭｓの温度特性を図３〜図８に示す。又その図
から求めたＨ*1＝０となるときの温度ＴとＨ*2、及びキ
ュリー点Ｔｃを表１に併せて示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】比較例１〜３ 実施例と同様な方法を用いて干渉層、記録層、保護層、
反射層を形成したが、記録層として、本発明で限定した
特性の範囲外のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜（特性及び組成は表
１参照）を用いたものを比較例として用意した。
反射層を形成したが、記録層として、本発明で限定した
特性の範囲外のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜（特性及び組成は表
１参照）を用いたものを比較例として用意した。
【００２７】実施例及び比較例の光磁気記録媒体の記録
／消去時の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を図
９、１０に示す。尚、測定条件は以下の通りである。 ・記録半径 ３０ｍｍ ・レーザ波長 ７８０ｎｍ ・記録周波数 ４．９ＭＨｚ ・ディスクの回転数 ２４００ｒｐｍ（ＣＡ
Ｖ） ・記録レーザパワー ６ｍＷ ・再生レーザパワー １ｍＷ
／消去時の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を図
９、１０に示す。尚、測定条件は以下の通りである。 ・記録半径 ３０ｍｍ ・レーザ波長 ７８０ｎｍ ・記録周波数 ４．９ＭＨｚ ・ディスクの回転数 ２４００ｒｐｍ（ＣＡ
Ｖ） ・記録レーザパワー ６ｍＷ ・再生レーザパワー １ｍＷ
【００２８】図９、１０より、比較例と比べて本発明の
実施例の方がいずれも３００（Ｏｅ）以下の低磁界でＣ
／Ｎが高くなっている。
実施例の方がいずれも３００（Ｏｅ）以下の低磁界でＣ
／Ｎが高くなっている。
【００２９】実施例４〜６ 直径１３０ｍｍ、厚さ、１．２ｍｍのガラス上に紫外線
（ＵＶ）硬化樹脂からなるプリグルーブを形成した基板
をスパッタ装置の真空槽内にセットし、５×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した。次いでＡｒとＮ2 の
混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒ
ｒに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ＫＷ
（４Ｗ／ｃｍ2 ）で高周波マグネトロンスパッタリング
を行い、干渉層としてＳｉＮ膜を１０００Å堆積した。
続いてＧｄＦｅＣｏ合金とＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をター
ゲットとして各々、直流マグネトロンスパッタリングに
よって再生用と記録用の二層から成る記録層を形成した
（組成等は表２を参照）。更に保護層として干渉層と同
様な方法によってＳｉＮ膜を８００Å形成して本発明の
実施例となる光磁気記録媒体を得た。記録層の内の記録
用層には本発明にて限定した特性をもつＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ膜を用いており、これらのＨｃ及び４πＭｓの温度特
性は図３〜図８に示した通りである。又その図から求め
たＨ*1＝０となるときの温度ＴとＨ*2、及びキュリー点
Ｔｃを表２に併せて示す。
（ＵＶ）硬化樹脂からなるプリグルーブを形成した基板
をスパッタ装置の真空槽内にセットし、５×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した。次いでＡｒとＮ2 の
混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒ
ｒに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ＫＷ
（４Ｗ／ｃｍ2 ）で高周波マグネトロンスパッタリング
を行い、干渉層としてＳｉＮ膜を１０００Å堆積した。
続いてＧｄＦｅＣｏ合金とＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をター
ゲットとして各々、直流マグネトロンスパッタリングに
よって再生用と記録用の二層から成る記録層を形成した
（組成等は表２を参照）。更に保護層として干渉層と同
様な方法によってＳｉＮ膜を８００Å形成して本発明の
実施例となる光磁気記録媒体を得た。記録層の内の記録
用層には本発明にて限定した特性をもつＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ膜を用いており、これらのＨｃ及び４πＭｓの温度特
性は図３〜図８に示した通りである。又その図から求め
たＨ*1＝０となるときの温度ＴとＨ*2、及びキュリー点
Ｔｃを表２に併せて示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】比較例４〜６ 実施例と同様な方法を用いて干渉層、記録層、保護層を
形成したが、記録層の内の記録用層として、本発明で限
定した特性の範囲外のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜（特性及び組
成は表２参照）を用いたものを比較例として用意した。
形成したが、記録層の内の記録用層として、本発明で限
定した特性の範囲外のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜（特性及び組
成は表２参照）を用いたものを比較例として用意した。
【００３１】実施例４〜６及び比較例４〜６の光磁気記
録媒体の記録／消去時の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎと
の関係を調べたところ、図９、１０と同様な関係であっ
た。測定条件は実施例１〜３及び比較例１〜３の場合と
同じである。
録媒体の記録／消去時の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎと
の関係を調べたところ、図９、１０と同様な関係であっ
た。測定条件は実施例１〜３及び比較例１〜３の場合と
同じである。
【００３２】上述した実施例では記録層あるいは記録層
の内の記録用層にＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を例にとって説明
したが、一般に光磁気記録材料に用いられているもので
あっても、特性が本発明で限定した範囲内であれば問題
ない。また、上記では具体的な実施例として光変調方式
用の媒体として説明を行ったが、磁界変調方式を用いた
ダイレクトオーバーライト用光磁気記録媒体としても充
分効果が発揮される。
の内の記録用層にＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を例にとって説明
したが、一般に光磁気記録材料に用いられているもので
あっても、特性が本発明で限定した範囲内であれば問題
ない。また、上記では具体的な実施例として光変調方式
用の媒体として説明を行ったが、磁界変調方式を用いた
ダイレクトオーバーライト用光磁気記録媒体としても充
分効果が発揮される。
【００３３】
【発明の効果】以上、本発明によれば、記録層あるいは
記録層の内の記録を担う層に特定の特性をもった膜を用
いることによって低磁界においても高Ｃ／Ｎな光磁気記
録媒体が実現出来る。
記録層の内の記録を担う層に特定の特性をもった膜を用
いることによって低磁界においても高Ｃ／Ｎな光磁気記
録媒体が実現出来る。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の具体的な構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の別の構成例を示す断
面図である。
面図である。
【図３】実施例１で用いたＴｂＤｙＦｅＣｏ膜のＨｃ及
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
【図４】実施例２で用いたＴｂＤｙＦｅＣｏ膜のＨｃ及
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
【図５】実施例３で用いたＴｂＤｙＦｅＣｏ膜のＨｃ及
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
【図６】比較例１で用いたＴｂＤｙＦｅＣｏ膜のＨｃ及
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
【図７】比較例２で用いたＴｂＤｙＦｅＣｏ膜のＨｃ及
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
【図８】比較例３で用いたＴｂＤｙＦｅＣｏ膜のＨｃ及
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
び４πＭｓの温度特性を示す図である。
【図９】実施例１〜３の光磁気記録媒体の記録／消去時
の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。
の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。
【図１０】比較例１〜３の光磁気記録媒体の記録／消去
時の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。
時の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。
１ 透明基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ３−１ 再生用層 ３−２ 記録用層 ４ 保護層 ５ 反射層
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも光磁気記録層が形成
された構成を有する光磁気記録媒体において、前記光磁
気記録層が、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭｓとし、
Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭｓ）／２
としたとき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2≧１（Ｋ
Ｏｅ）であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に少なくとも光磁気記録層が形成
された構成を有する光磁気記録媒体において、前記光磁
気記録層が交換結合力を利用した多層膜から成り、その
内の記録を担う層が、その保磁力をＨｃ、飽和磁化をＭ
ｓとし、Ｈ*1＝Ｈｃ−４πＭｓ、Ｈ*2＝（Ｈｃ＋４πＭ
ｓ）／２としたとき、Ｈ*1＝０となる温度においてＨ*2
≧１（ＫＯｅ）であることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 前記光磁気記録層又は前記光磁気記録層
の内の記録を担う層が、下記一般式化１で表わされるＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ膜であることを特徴とする請求項１又は
２に記載の光磁気記録媒体。 【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である） - 【請求項４】 透明基板上に少なくとも干渉層、光磁気
記録層、保護層が順次形成された構成であり、多層膜か
ら成る光磁気記録層の膜厚が８００〜１２００Åである
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項５】 透明基板上に少なくとも干渉層、光磁気
記録層、保護層及び反射層が順次形成されており、前記
光磁気記録層の膜厚が１５０〜３００Åであることを特
徴とする請求項１又は３に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記交換結合力を利用した多層膜から成
る光磁気記録層の内の再生を担う層がＧｄＦｅＣｏ膜又
はＴｂＦｅＣｏ膜であることを特徴とする請求項２、３
又は４に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記干渉層及び保護層がＳｉ、Ｂ、Ｏ、
Ｎのうち少なくともＳｉとＮを含む２種以上から成る化
合物であることを特徴とする請求項４、５又は６に記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記反射層がＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、
Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａの１種以上を含むＡｌ合金であ
ることを特徴とする請求項５又は７に記載の光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24734392A JPH0668534A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24734392A JPH0668534A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668534A true JPH0668534A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=17162001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24734392A Pending JPH0668534A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668534A (ja) |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP24734392A patent/JPH0668534A/ja active Pending
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