JPH0512733A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0512733A JPH0512733A JP18682191A JP18682191A JPH0512733A JP H0512733 A JPH0512733 A JP H0512733A JP 18682191 A JP18682191 A JP 18682191A JP 18682191 A JP18682191 A JP 18682191A JP H0512733 A JPH0512733 A JP H0512733A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大容量、高速転送レートに対応した高Ｃ／Ｎ
かつ高記録感度の光磁気記録媒体を実現する。 【構成】 透明基板１上に干渉層２を介して第１及び第
２の記録層３、４及び保護層５を設け、さらにその上に
反射層６を設ける。第１及び第２の記録層３、４共に膜
面に垂直な方向に磁化容易軸を有する各々特定の組成比
をもったＴｂＤｙＦｅＣｏ膜により構成する。このよう
な層構成とすることで高Ｃ／Ｎ化、高感度化が図れる。
かつ高記録感度の光磁気記録媒体を実現する。 【構成】 透明基板１上に干渉層２を介して第１及び第
２の記録層３、４及び保護層５を設け、さらにその上に
反射層６を設ける。第１及び第２の記録層３、４共に膜
面に垂直な方向に磁化容易軸を有する各々特定の組成比
をもったＴｂＤｙＦｅＣｏ膜により構成する。このよう
な層構成とすることで高Ｃ／Ｎ化、高感度化が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光を用いて情報
の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記
録媒体に関するものであり、特に高Ｃ／Ｎ、高感度化を
目的とした技術に関する。
の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記
録媒体に関するものであり、特に高Ｃ／Ｎ、高感度化を
目的とした技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクはレーザー光を用いて情
報の記録、再生及び消去を行うため記憶容量が大きく、
しかも記録層に磁性膜を用いているため書換え可能であ
る。又、非接触で記録再生が出来、塵埃の影響も受けな
いことから信頼性に優れている。よって現在盛んに研究
開発が行われており、又、数年前に商品化されて以来、
光ファイルシステム等へ急速に展開されている。この光
磁気記録層（以下記録層と記す）の材料としてはＴｂＦ
ｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶質合金が、粒界ノイズ
が無く、スパッタリングを用いることによって容易に垂
直磁化膜が得られることから現在最も多く用いられてい
る。又、光磁気記録媒体の構成としては、レーザー光の
記録再生効率を向上させるために記録層上に反射層を設
ける方式が提案されている（特公昭６２−２７４５８号
公報）。この構成はカー効果とファラデー効果の両方が
利用出来るためＣ／Ｎやジッターマージンが大きくとれ
るという点で優れている。
報の記録、再生及び消去を行うため記憶容量が大きく、
しかも記録層に磁性膜を用いているため書換え可能であ
る。又、非接触で記録再生が出来、塵埃の影響も受けな
いことから信頼性に優れている。よって現在盛んに研究
開発が行われており、又、数年前に商品化されて以来、
光ファイルシステム等へ急速に展開されている。この光
磁気記録層（以下記録層と記す）の材料としてはＴｂＦ
ｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶質合金が、粒界ノイズ
が無く、スパッタリングを用いることによって容易に垂
直磁化膜が得られることから現在最も多く用いられてい
る。又、光磁気記録媒体の構成としては、レーザー光の
記録再生効率を向上させるために記録層上に反射層を設
ける方式が提案されている（特公昭６２−２７４５８号
公報）。この構成はカー効果とファラデー効果の両方が
利用出来るためＣ／Ｎやジッターマージンが大きくとれ
るという点で優れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光磁気ディスクを用い
た光ファイルシステムは主として大容量及び高速転送レ
ートが要求される。よって記録層はＣ／Ｎを左右するカ
ー回転角（θk）が大きく、記録感度に影響が深いキュ
リー点（Ｔc）が低いことが必要である。さらに１μｍ
以下のビット（磁区）を安定に保持するための保磁力
（Ｈc）が大きい材料でなければならない。ところが、
これら全ての特性を満足するようなＲＥ−ＴＭ膜は今ま
でのところ存在しない。よって記録層を２層構造とし、
記録／消去用と再生用とを分離させた機能分離型２層構
造の光磁気記録媒体も提案されている。この媒体では再
生用としてキュリー点（Ｔc）が高く、保磁力（Ｈc）が
小さくかつ磁気光学効果（カー効果、ファラデー効果）
の大きな第１の記録層と、記録／消去用としてキュリー
点（Ｔc）が低くかつ保磁力（Ｈc）の大きな第２の記録
層とを用いている。両層の材料としては従来より以下の
ものが提案されている。 第１の記録層……ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｂｉ置換Ｙ
ＩＧ等。ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ等はカー効果を利用す
る場合で、Ｂｉ置換ＹＩＧ等はファラデー効果を利用す
る場合である。 第２の記録層……ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ等
た光ファイルシステムは主として大容量及び高速転送レ
ートが要求される。よって記録層はＣ／Ｎを左右するカ
ー回転角（θk）が大きく、記録感度に影響が深いキュ
リー点（Ｔc）が低いことが必要である。さらに１μｍ
以下のビット（磁区）を安定に保持するための保磁力
（Ｈc）が大きい材料でなければならない。ところが、
これら全ての特性を満足するようなＲＥ−ＴＭ膜は今ま
でのところ存在しない。よって記録層を２層構造とし、
記録／消去用と再生用とを分離させた機能分離型２層構
造の光磁気記録媒体も提案されている。この媒体では再
生用としてキュリー点（Ｔc）が高く、保磁力（Ｈc）が
小さくかつ磁気光学効果（カー効果、ファラデー効果）
の大きな第１の記録層と、記録／消去用としてキュリー
点（Ｔc）が低くかつ保磁力（Ｈc）の大きな第２の記録
層とを用いている。両層の材料としては従来より以下の
ものが提案されている。 第１の記録層……ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｂｉ置換Ｙ
ＩＧ等。ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ等はカー効果を利用す
る場合で、Ｂｉ置換ＹＩＧ等はファラデー効果を利用す
る場合である。 第２の記録層……ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ等
【０００４】しかしながら、これらの材料から成る記録
層ではいままでのところ大容量、高速転送レートに対応
した十分な高Ｃ／Ｎかつ高感度の媒体が得られていな
い。
層ではいままでのところ大容量、高速転送レートに対応
した十分な高Ｃ／Ｎかつ高感度の媒体が得られていな
い。
【０００５】従って、本発明の目的は、大容量、高速転
送レートに対応した高Ｃ／Ｎ、高感度かつ経時変化のな
い光磁気記録媒体を提供することにある。
送レートに対応した高Ｃ／Ｎ、高感度かつ経時変化のな
い光磁気記録媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上
述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、２層から成る
記録層の両層共に各々特定の組成比を有するＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜を用い、かつ記録層上に反射層を設けた構成に
すると高Ｃ／Ｎ、高感度かつ経時変化のない高信頼性の
光磁気記録媒体が実現出来ることを見出し、本発明を完
成するに至った。
述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、２層から成る
記録層の両層共に各々特定の組成比を有するＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜を用い、かつ記録層上に反射層を設けた構成に
すると高Ｃ／Ｎ、高感度かつ経時変化のない高信頼性の
光磁気記録媒体が実現出来ることを見出し、本発明を完
成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明によれば、透明基板上に
少なくとも干渉層、記録層、保護層及び反射層を順次設
けた構成で、記録層が２層から成っており、基板側の第
１の記録層、及び第２の記録層が共に膜面に垂直な方向
に磁化容易軸を有する各々特定の組成比をもったＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜から成ることを特徴とする光磁気記録媒体
が提供される。
少なくとも干渉層、記録層、保護層及び反射層を順次設
けた構成で、記録層が２層から成っており、基板側の第
１の記録層、及び第２の記録層が共に膜面に垂直な方向
に磁化容易軸を有する各々特定の組成比をもったＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜から成ることを特徴とする光磁気記録媒体
が提供される。
【０００８】以下、本発明を図面に沿って詳細に説明す
る。図１は本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示
す断面図で、透明基板１上に、干渉層２、第１の記録層
３、第２の記録層４、保護層５及び反射層６が順次積層
された構成で、第１及び第２の記録層３、４が共に各々
特定の組成比を有するＴｂＤｙＦｅＣｏ膜から成る。
る。図１は本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示
す断面図で、透明基板１上に、干渉層２、第１の記録層
３、第２の記録層４、保護層５及び反射層６が順次積層
された構成で、第１及び第２の記録層３、４が共に各々
特定の組成比を有するＴｂＤｙＦｅＣｏ膜から成る。
【０００９】〔基板〕本発明に用いる透明基板１として
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼硅酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼硅酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
【００１０】〔干渉層〕本発明においては、上記基板１
と第１の記録層３との間に干渉層２を設けている。この
干渉層２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用
い、この層における再生光の多重反射を利用してみかけ
のカー回転角（θk）を増大させ、それによってＣ（キ
ャリア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ
（ノイズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上さ
せることを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金
のように酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層
に用いているため、この干渉層２は記録層の腐食を防止
する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければなら
ない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、そ
れ自身の耐食性が高く、かつ記録層との反応性が小さい
ことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ等の金属硫化
物が挙げられるが、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎの内の少なく
ともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＢ
Ｎ，ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層膜で
あってもよく、膜厚は屈折率によっても異なるが、通常
トータルで５００〜２０００Åで好ましくは８００〜１
２００Åである。
と第１の記録層３との間に干渉層２を設けている。この
干渉層２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用
い、この層における再生光の多重反射を利用してみかけ
のカー回転角（θk）を増大させ、それによってＣ（キ
ャリア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ
（ノイズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上さ
せることを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金
のように酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層
に用いているため、この干渉層２は記録層の腐食を防止
する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければなら
ない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、そ
れ自身の耐食性が高く、かつ記録層との反応性が小さい
ことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｚｒ，Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ等の金属硫化
物が挙げられるが、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎの内の少なく
ともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＢ
Ｎ，ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層膜で
あってもよく、膜厚は屈折率によっても異なるが、通常
トータルで５００〜２０００Åで好ましくは８００〜１
２００Åである。
【００１１】〔記録層〕本発明の特徴は記録層にある。
この記録層は前述したように再生用の第１の記録層３と
記録／消去用の第２の記録層４とから成っており、各々
組成は下記の一般式化１及び化２で表わされる通りであ
る。
この記録層は前述したように再生用の第１の記録層３と
記録／消去用の第２の記録層４とから成っており、各々
組成は下記の一般式化１及び化２で表わされる通りであ
る。
【化１】
【化２】
【００１２】尚、記録層自身の耐食性を向上させるため
にＣｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ等が少量（１〜５原子％）含
有されていても良い。両層の膜厚は保磁力（Ｈc）や飽
和磁化（Ｍs）によって最適値が決まるが、各々５０〜
４００Å、トータルで２００〜８００Å程度が好まし
い。
にＣｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ等が少量（１〜５原子％）含
有されていても良い。両層の膜厚は保磁力（Ｈc）や飽
和磁化（Ｍs）によって最適値が決まるが、各々５０〜
４００Å、トータルで２００〜８００Å程度が好まし
い。
【００１３】ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜は各元素（Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｆｅ，Ｃｏ）の含有量を調整することでキュリー点
（Ｔc）、カー回転角（θk）、保磁力（Ｈc）を自由に
コントロール出来る利点を有している（図２〜図４参
照）。特にＤｙ含有量の調整によってキュリー点（Ｔ
c）を１３０℃程度まで低く出来るが、これは他のＲＥ
−ＴＭ（ＴｂＦｅＣｏ等）膜にはみられない特徴である
（図２）。よってキュリー点（Ｔc）が高く、保磁力
（Ｈc）が小さくかつカー回転角（θk）が大きい第１の
記録層（再生用）３は、なるべくＣｏ含有量を多く（図
３）、又ＴｂＤｙ含有量を適当な値にする（図４）こと
によって得られ、又、キュリー点（Ｔc）が低く保磁力
（Ｈc）が大きい第２の記録層（記録／消去用）４はＤ
ｙ含有量を多く（図２）かつＣｏ含有量を少なく（図
３）、かつＴｂＤｙ量を補償組成近傍にする（図４）こ
とによって容易に得られる。
ｙ，Ｆｅ，Ｃｏ）の含有量を調整することでキュリー点
（Ｔc）、カー回転角（θk）、保磁力（Ｈc）を自由に
コントロール出来る利点を有している（図２〜図４参
照）。特にＤｙ含有量の調整によってキュリー点（Ｔ
c）を１３０℃程度まで低く出来るが、これは他のＲＥ
−ＴＭ（ＴｂＦｅＣｏ等）膜にはみられない特徴である
（図２）。よってキュリー点（Ｔc）が高く、保磁力
（Ｈc）が小さくかつカー回転角（θk）が大きい第１の
記録層（再生用）３は、なるべくＣｏ含有量を多く（図
３）、又ＴｂＤｙ含有量を適当な値にする（図４）こと
によって得られ、又、キュリー点（Ｔc）が低く保磁力
（Ｈc）が大きい第２の記録層（記録／消去用）４はＤ
ｙ含有量を多く（図２）かつＣｏ含有量を少なく（図
３）、かつＴｂＤｙ量を補償組成近傍にする（図４）こ
とによって容易に得られる。
【００１４】尚、２層間の交換結合をより効果的に行っ
たり、記録されたビットをより安定に存在させたりする
目的のために、２層間に非磁性膜（ＳｉＯ2等）や軟磁
性面内磁化膜（ＮｉＦｅ等）を設けても良い。
たり、記録されたビットをより安定に存在させたりする
目的のために、２層間に非磁性膜（ＳｉＯ2等）や軟磁
性面内磁化膜（ＮｉＦｅ等）を設けても良い。
【００１５】〔保護層〕本発明では、通常、第２の記録
層４上に保護層５を設ける。但し、設けなくても本発明
の効果は損なわれない。この保護層５は空気中（片面仕
様の場合）、又は接着剤（両面仕様の場合）からの水分
や酸素又はハロゲン元素のように記録層に有害な物質の
侵入を防止し、記録層を保護する目的で設けられるた
め、干渉層２同様それ自身の耐食性が高く、記録層との
反応性が小さいことが必要である。具体的な材料は干渉
層２として挙げたものと同様である。この保護層５の膜
厚はＣ／Ｎや記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常
膜厚は０〜６００Å程度が好ましい。
層４上に保護層５を設ける。但し、設けなくても本発明
の効果は損なわれない。この保護層５は空気中（片面仕
様の場合）、又は接着剤（両面仕様の場合）からの水分
や酸素又はハロゲン元素のように記録層に有害な物質の
侵入を防止し、記録層を保護する目的で設けられるた
め、干渉層２同様それ自身の耐食性が高く、記録層との
反応性が小さいことが必要である。具体的な材料は干渉
層２として挙げたものと同様である。この保護層５の膜
厚はＣ／Ｎや記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常
膜厚は０〜６００Å程度が好ましい。
【００１６】〔反射層〕本発明では、第２の記録層４に
直接もしくは保護層５を介して反射層６を設ける。媒体
の高Ｃ／Ｎ、高感度化のためにこの反射層６は再生光に
対して反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。又、
当然耐食性がなければならない。具体的な材料として、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｐｔの１
種以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ
／Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため３０
０〜６００Åが適当である。
直接もしくは保護層５を介して反射層６を設ける。媒体
の高Ｃ／Ｎ、高感度化のためにこの反射層６は再生光に
対して反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。又、
当然耐食性がなければならない。具体的な材料として、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｐｔの１
種以上を含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ
／Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため３０
０〜６００Åが適当である。
【００１７】基板１上に、干渉層２、第１及び第２の記
録層３，４、保護層５及び反射層６を形成する手段とし
ては、スパッタリング、イオンプレーティング等の物理
蒸着法、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等が用いら
れる。又、層構成は図に示した以外に、反射層６上にさ
らに５〜１０μｍの有機保護膜（カバー層）を設けた
り、又それらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わせ
た構成でも本発明の効果はそこなわれない。
録層３，４、保護層５及び反射層６を形成する手段とし
ては、スパッタリング、イオンプレーティング等の物理
蒸着法、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等が用いら
れる。又、層構成は図に示した以外に、反射層６上にさ
らに５〜１０μｍの有機保護膜（カバー層）を設けた
り、又それらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わせ
た構成でも本発明の効果はそこなわれない。
【００１８】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。
る。
【００１９】実施例１〜６
直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス上に紫外線
（ＵＶ）硬化樹脂からなるプリグループを形成した基板
をスパッタ装置の真空槽内にセットし、５×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した。まずＡｒとＮ2の混
合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒｒ
に調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ｋＷ（４
Ｗ／ｃｍ2）で高周波マグネトロンスパッタリングを行
い、干渉層としてＳｉＮ膜等を１０００Å堆積した。続
いてＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして直流マグ
ネトロンスパッタリングによって、組成の異なるＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜を第１の記録層と第２の記録層として形成
した（各組成及び膜厚は表１を参照）。更に保護層とし
て干渉層と同様な方法によってＳｉＮ膜等を３００Å堆
積した。最後にＡｌＴｉ合金をターゲットとして直流マ
グネトロンスパッタリングによってＡｌＴｉ膜を反射層
として５００Å成膜して本発明の実施例となる光磁気デ
ィスクを得た。
（ＵＶ）硬化樹脂からなるプリグループを形成した基板
をスパッタ装置の真空槽内にセットし、５×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した。まずＡｒとＮ2の混
合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒｒ
に調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ｋＷ（４
Ｗ／ｃｍ2）で高周波マグネトロンスパッタリングを行
い、干渉層としてＳｉＮ膜等を１０００Å堆積した。続
いてＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして直流マグ
ネトロンスパッタリングによって、組成の異なるＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜を第１の記録層と第２の記録層として形成
した（各組成及び膜厚は表１を参照）。更に保護層とし
て干渉層と同様な方法によってＳｉＮ膜等を３００Å堆
積した。最後にＡｌＴｉ合金をターゲットとして直流マ
グネトロンスパッタリングによってＡｌＴｉ膜を反射層
として５００Å成膜して本発明の実施例となる光磁気デ
ィスクを得た。
【００２０】
【表１】
【００２１】比較例１〜２
第１の記録層をＧｄＦｅＣｏ膜、第２の記録層をＴｂＦ
ｅＣｏ膜とし、かつ反射層を設けないこと以外は実施例
１と同様にして得た（記録層の組成及び膜厚は表１を参
照）ものを比較例１、又反射層を設けたものを比較例２
とした。
ｅＣｏ膜とし、かつ反射層を設けないこと以外は実施例
１と同様にして得た（記録層の組成及び膜厚は表１を参
照）ものを比較例１、又反射層を設けたものを比較例２
とした。
【００２２】これらのディスクの膜面どうしを貼合わ
せ、両面ディスクとして記録感度とＣ／Ｎを測定した。
その結果を表１に併せて示す。尚、記録感度は基本波に
対して２次高調波が最小になるときの記録パワーとし
た。又、記録再生条件は下記の通りとした。 記録周波数 ４．９ＭＨｚ レーザー波長 ７８０ｎｍ ディスクの回転数 ２４００ｒｐｍ（ＣＡＶ） 再生レーザーパワー １ｍＷ 記録磁界 ２５０Ｏｅ 消去磁界 ２００Ｏｅ 記録半径 ３０ｍｍ
せ、両面ディスクとして記録感度とＣ／Ｎを測定した。
その結果を表１に併せて示す。尚、記録感度は基本波に
対して２次高調波が最小になるときの記録パワーとし
た。又、記録再生条件は下記の通りとした。 記録周波数 ４．９ＭＨｚ レーザー波長 ７８０ｎｍ ディスクの回転数 ２４００ｒｐｍ（ＣＡＶ） 再生レーザーパワー １ｍＷ 記録磁界 ２５０Ｏｅ 消去磁界 ２００Ｏｅ 記録半径 ３０ｍｍ
【００２３】表１より、本発明の各実施例によれば、各
々特定の組成をもつＴｂＤｙＦｅＣｏの２層膜を記録層
とし、かつ反射層を設けた構成にしたことで、比較例に
比べ高Ｃ／Ｎでかつ高感度な光磁気ディスクが実現出
来、高密度、高速転送レートが可能となることがわか
る。
々特定の組成をもつＴｂＤｙＦｅＣｏの２層膜を記録層
とし、かつ反射層を設けた構成にしたことで、比較例に
比べ高Ｃ／Ｎでかつ高感度な光磁気ディスクが実現出
来、高密度、高速転送レートが可能となることがわか
る。
【００２４】又、実施例１〜６及び比較例１〜２の光磁
気ディスクを用いて、８０℃・８５％ＲＨの環境条件下
で寿命加速試験を行った。その結果、比較例の方は共に
１０００時間経過後、ビットエラーレート（ＢＥＲ）が
約１桁増加したのに対して、実施例はいずれも２０００
時間後のＢＥＲに変化が見られなかった。つまり、本発
明のように２層膜の両方共にＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を用い
ると、経時安定性も改良される。
気ディスクを用いて、８０℃・８５％ＲＨの環境条件下
で寿命加速試験を行った。その結果、比較例の方は共に
１０００時間経過後、ビットエラーレート（ＢＥＲ）が
約１桁増加したのに対して、実施例はいずれも２０００
時間後のＢＥＲに変化が見られなかった。つまり、本発
明のように２層膜の両方共にＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を用い
ると、経時安定性も改良される。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、各々特定の組成をもつ
ＴｂＤｙＦｅＣｏの２層膜を記録層とし、その上に直接
もしくは保護層を介して反射層を設けた構成にしたの
で、高Ｃ／Ｎでかつ高感度しかも経時変化のない光磁気
記録媒体が実現出来、従来よりさらに高密度、高速転送
レートが可能となる。
ＴｂＤｙＦｅＣｏの２層膜を記録層とし、その上に直接
もしくは保護層を介して反射層を設けた構成にしたの
で、高Ｃ／Ｎでかつ高感度しかも経時変化のない光磁気
記録媒体が実現出来、従来よりさらに高密度、高速転送
レートが可能となる。
【図１】本発明による一構成例の光磁気記録媒体の断面
図である。
図である。
【図２】ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜におけるＤｙ含有量とキュ
リー点の関係を示す図である。
リー点の関係を示す図である。
【図３】ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜におけるＣｏ含有量とキュ
リー点の関係を示す図である。
リー点の関係を示す図である。
【図４】ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜におけるＴｂＤｙ含有量と
保磁力との関係を示す図である。
保磁力との関係を示す図である。
１ 透明基板
２ 干渉層
３ 第１の記録層
４ 第２の記録層
５ 保護層
６ 反射層
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも干渉層、記録
層、保護層及び反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体
において、記録層が２層から成っており、基板側の第１
の記録層、及び第２の記録層が共に膜面に垂直な方向に
磁化容易軸を有し、かつそれぞれ下記一般式化１及び化
２で表わされる非晶質合金膜から成ることを特徴とする
光磁気記録媒体。 【化１】 【化２】 - 【請求項２】 干渉層及び保護層それぞれがＳｉ，Ｂ，
Ｏ，Ｎの内の少なくともＳｉとＮを含む化合物から成る
ことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 反射層がＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚ
ｒ，Ｍｏ，Ｐｄ及びＰｔの内の１種以上を含むＡｌ合金
から成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18682191A JPH0512733A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18682191A JPH0512733A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512733A true JPH0512733A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16195198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18682191A Pending JPH0512733A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512733A (ja) |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP18682191A patent/JPH0512733A/ja active Pending
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