JPH05258368A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05258368A JPH05258368A JP8798792A JP8798792A JPH05258368A JP H05258368 A JPH05258368 A JP H05258368A JP 8798792 A JP8798792 A JP 8798792A JP 8798792 A JP8798792 A JP 8798792A JP H05258368 A JPH05258368 A JP H05258368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magneto
- recording medium
- optical recording
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１上に、干渉層２、希土類−遷移金属ア
モルファス合金からなる記録層３、膜厚が１０〜３０Å
の範囲にあるＡｌなどの金属またはＳｉなどの半導体か
らなる熱伝導層４、誘電体層５および反射層６が順次積
層されてなる光磁気記録媒体。 【効果】 磁界変調オーバーライトに適した光磁気記録
媒体が提供される。
モルファス合金からなる記録層３、膜厚が１０〜３０Å
の範囲にあるＡｌなどの金属またはＳｉなどの半導体か
らなる熱伝導層４、誘電体層５および反射層６が順次積
層されてなる光磁気記録媒体。 【効果】 磁界変調オーバーライトに適した光磁気記録
媒体が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】追加記録、消去が可能な光磁気記録媒体
が実用化の段階に入っている。光磁気記録媒体の記録層
としては、総合的な特性が優れた、希土類−遷移金属ア
モルファス合金薄膜が最も多く用いられている。希土類
−遷移金属アモルファス合金薄膜は飽和磁化が膜面に垂
直に向く垂直磁化膜であり、磁化の向きによって情報が
書き込まれる。光磁気記録媒体の記録消去方法（キュリ
ー点記録）は、まず電磁石などによって外部磁界を与え
ておき、その状態でレンズで集光されたレーザー光を記
録層に照射することにより、記録層をキュリー温度まで
昇温させ、その外部磁界によって磁化の向きを反転させ
て、情報を記録・消去するものである。通常の単層の希
土類−遷移金属アモルファス合金記録層を備えた光磁気
ディスクでは、記録消去磁界に２００〜４００Ｏｅ程度
の外部磁界が必要である。この外部磁界を低減させれば
磁石の小型化、磁界変調オーバーライトにおける高速変
調が可能になり、好都合である。
が実用化の段階に入っている。光磁気記録媒体の記録層
としては、総合的な特性が優れた、希土類−遷移金属ア
モルファス合金薄膜が最も多く用いられている。希土類
−遷移金属アモルファス合金薄膜は飽和磁化が膜面に垂
直に向く垂直磁化膜であり、磁化の向きによって情報が
書き込まれる。光磁気記録媒体の記録消去方法（キュリ
ー点記録）は、まず電磁石などによって外部磁界を与え
ておき、その状態でレンズで集光されたレーザー光を記
録層に照射することにより、記録層をキュリー温度まで
昇温させ、その外部磁界によって磁化の向きを反転させ
て、情報を記録・消去するものである。通常の単層の希
土類−遷移金属アモルファス合金記録層を備えた光磁気
ディスクでは、記録消去磁界に２００〜４００Ｏｅ程度
の外部磁界が必要である。この外部磁界を低減させれば
磁石の小型化、磁界変調オーバーライトにおける高速変
調が可能になり、好都合である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】磁界変調オーバーライ
トに必要な記録消去磁界を低減するためには、光磁気記
録媒体に次のような特性が要求される。すなわち、図５
に示すように、あらかじめ磁化の向きをそろえて初期化
した光磁気記録媒体に外部磁界Ｈｅｘを与え、レーザー
パルスによって書き込んだときのＨｅｘとＣＮＲとの関
係において、ＣＮＲが飽和する外部磁界ＨｓとＣＮＲが
出現し始める外部磁界Ｈｏとがともに小さいことであ
る。磁界変調オーバーライトではＨｓとＨｏとの間で磁
界をスイッチングするので高速変調、電磁石コイルの軽
量化を実現するには、ＨｓとＨｏとをなるべく小さくす
ることが要求される。また、図６に示すように、書き込
み時の高温部には電磁石などの外部磁界Ｈｅｘと、高温
部周辺のキュリー温度以下の垂直磁化膜の磁化の大きさ
に依存する反磁界Ｈｄとの２つの磁界がかかる。Ｈｏの
大きさに大きな影響を与えるのは反磁界Ｈｄで、Ｈｄが
大きければそれを打ち消すだけのＨｏが必要となる。Ｈ
ｄの大きさは、垂直磁化膜の磁化の大きさに依存するた
め、記録層が単層の光磁気記録媒体においては、磁化の
小さい補償組成を選んで光磁気記録媒体を作成すればＨ
ｏを小さくすることができるが、このような組成の膜を
安定して作成するのは困難である。
トに必要な記録消去磁界を低減するためには、光磁気記
録媒体に次のような特性が要求される。すなわち、図５
に示すように、あらかじめ磁化の向きをそろえて初期化
した光磁気記録媒体に外部磁界Ｈｅｘを与え、レーザー
パルスによって書き込んだときのＨｅｘとＣＮＲとの関
係において、ＣＮＲが飽和する外部磁界ＨｓとＣＮＲが
出現し始める外部磁界Ｈｏとがともに小さいことであ
る。磁界変調オーバーライトではＨｓとＨｏとの間で磁
界をスイッチングするので高速変調、電磁石コイルの軽
量化を実現するには、ＨｓとＨｏとをなるべく小さくす
ることが要求される。また、図６に示すように、書き込
み時の高温部には電磁石などの外部磁界Ｈｅｘと、高温
部周辺のキュリー温度以下の垂直磁化膜の磁化の大きさ
に依存する反磁界Ｈｄとの２つの磁界がかかる。Ｈｏの
大きさに大きな影響を与えるのは反磁界Ｈｄで、Ｈｄが
大きければそれを打ち消すだけのＨｏが必要となる。Ｈ
ｄの大きさは、垂直磁化膜の磁化の大きさに依存するた
め、記録層が単層の光磁気記録媒体においては、磁化の
小さい補償組成を選んで光磁気記録媒体を作成すればＨ
ｏを小さくすることができるが、このような組成の膜を
安定して作成するのは困難である。
【０００４】本発明の目的は、磁界変調オーバーライト
に適した光磁気記録媒体を提供することにある。
に適した光磁気記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は、基板上に、干渉層、希土類遷移金属アモルファ
ス合金からなる記録層、膜厚が１０〜３０Åの範囲にあ
る金属または半導体からなる熱伝導層、誘電体層および
反射層が順次積層されてなることを特徴とする光磁気記
録媒体を提供することにより達成される。
目的は、基板上に、干渉層、希土類遷移金属アモルファ
ス合金からなる記録層、膜厚が１０〜３０Åの範囲にあ
る金属または半導体からなる熱伝導層、誘電体層および
反射層が順次積層されてなることを特徴とする光磁気記
録媒体を提供することにより達成される。
【０００６】
【作用】記録層上に膜厚が１０〜３０Åの範囲にある熱
伝導度の大きな金属あるいは半導体からなる熱伝導層を
形成することによって、光磁気記録層面に平行な方向の
熱拡散を大きくすることができ、小さな外部磁界でも記
録消去が可能になる。
伝導度の大きな金属あるいは半導体からなる熱伝導層を
形成することによって、光磁気記録層面に平行な方向の
熱拡散を大きくすることができ、小さな外部磁界でも記
録消去が可能になる。
【０００７】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例１ 本発明の光磁気記録媒体の概略断面図を図１に示す。図
１に示す断面構造を有する光磁気記録媒体は、基板１上
に、誘導体からなる干渉層２、希土類元素と遷移金属と
を含むアモルファス合金からなる記録層３、熱伝導層
４、誘導体からなる保護層５、および反射層６が順次積
層されてなる。情報を記録、再生または消去するために
基板１側から光が照射される。
る。 実施例１ 本発明の光磁気記録媒体の概略断面図を図１に示す。図
１に示す断面構造を有する光磁気記録媒体は、基板１上
に、誘導体からなる干渉層２、希土類元素と遷移金属と
を含むアモルファス合金からなる記録層３、熱伝導層
４、誘導体からなる保護層５、および反射層６が順次積
層されてなる。情報を記録、再生または消去するために
基板１側から光が照射される。
【０００８】ポリカーボネート樹脂からなる基板１上
に、ＳｉＮからなる干渉層２（膜厚：１１００Å）、Ｔ
ｂＦｅＣｏのアモルファス合金からなる記録層３（膜
厚：２５０Å）、Ａｌからなる熱伝導層４、ＳｉＮから
なる保護層５（膜厚：３５０Å）およびＡｌＴｉからな
る反射層６（膜厚：５００Å）が順次積層されてなる図
１に示す断面構造を有する光磁気記録媒体について、記
録特性の外部磁界依存性を調べた。なお、外部磁界特性
の測定条件は線速７．５４ｍ／ｓ、記録周波数４．９３
ＭＨｚ、デューティー２５％、記録に用いるレーザー光
のパワー８ｍＷである。
に、ＳｉＮからなる干渉層２（膜厚：１１００Å）、Ｔ
ｂＦｅＣｏのアモルファス合金からなる記録層３（膜
厚：２５０Å）、Ａｌからなる熱伝導層４、ＳｉＮから
なる保護層５（膜厚：３５０Å）およびＡｌＴｉからな
る反射層６（膜厚：５００Å）が順次積層されてなる図
１に示す断面構造を有する光磁気記録媒体について、記
録特性の外部磁界依存性を調べた。なお、外部磁界特性
の測定条件は線速７．５４ｍ／ｓ、記録周波数４．９３
ＭＨｚ、デューティー２５％、記録に用いるレーザー光
のパワー８ｍＷである。
【０００９】図２にＡｌからなる熱伝導層４の膜厚とＣ
ＮＲが出現し始める外部磁界Ｈｏとの関係を測定した結
果を示す。熱伝導層４の膜厚が１０〜３０Åの範囲にあ
る光磁気記録媒体は小さなＨｏを示すことが図２より明
らかである。
ＮＲが出現し始める外部磁界Ｈｏとの関係を測定した結
果を示す。熱伝導層４の膜厚が１０〜３０Åの範囲にあ
る光磁気記録媒体は小さなＨｏを示すことが図２より明
らかである。
【００１０】図３にＡｌからなる熱伝導層の膜厚と光磁
気記録媒体が有するカー回転角および反射率との関係を
示す。熱伝導層の膜厚が３０Åより大きくなると、カー
回転角が減少し、反射率が増加することが図３より明ら
かである。
気記録媒体が有するカー回転角および反射率との関係を
示す。熱伝導層の膜厚が３０Åより大きくなると、カー
回転角が減少し、反射率が増加することが図３より明ら
かである。
【００１１】図４にＡｌからなる熱伝導層４の膜厚と光
磁気記録媒体が有する書き込み感度ＰｔｈおよびＣＮＲ
との関係を示す。ここで、Ｐｔｈとは線速７．５４ｍ／
ｓ、記録周波数４．９３ＭＨｚ、デューティー２５％で
情報を書き込んだ際にＣＮＲが出現し始める書き込みパ
ワーのことをいう。また、ＣＮＲは線速７．５４ｍ／
ｓ、記録周波数４．９３ＭＨｚ、デューティー２５％、
書き込みパワー７ｍＷで情報を書き込んだ条件での値で
ある。熱伝導層４の膜厚が３０Åより大きくなると、書
き込み感度およびＣＮＲが低下することが図４より明ら
かである。
磁気記録媒体が有する書き込み感度ＰｔｈおよびＣＮＲ
との関係を示す。ここで、Ｐｔｈとは線速７．５４ｍ／
ｓ、記録周波数４．９３ＭＨｚ、デューティー２５％で
情報を書き込んだ際にＣＮＲが出現し始める書き込みパ
ワーのことをいう。また、ＣＮＲは線速７．５４ｍ／
ｓ、記録周波数４．９３ＭＨｚ、デューティー２５％、
書き込みパワー７ｍＷで情報を書き込んだ条件での値で
ある。熱伝導層４の膜厚が３０Åより大きくなると、書
き込み感度およびＣＮＲが低下することが図４より明ら
かである。
【００１２】以上のとおり、膜厚が１０〜３０Åの範囲
にある熱伝導層４を有する光磁気記録媒体は、小さなＨ
ｏを示し、しかも高い記録特性を有する。
にある熱伝導層４を有する光磁気記録媒体は、小さなＨ
ｏを示し、しかも高い記録特性を有する。
【００１３】図１に示す断面構造を有する光磁気記録媒
体における基板１としてはアモルファスポリオレフィン
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、エポキシ樹脂、
ガラス、セラミック、金属などを用いることもできる。
干渉層２および保護層５を構成する材料としてはＳｉＮ
のほかに、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯＮ、Ｓｉ
Ｏ、ＺｎＳなどであってもよい。記録層３としてはＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｇ
ｄＦｅＣｏなどの希土類元素と遷移金属とからなるアモ
ルファス合金を用いることが好ましい。熱伝導層４を構
成する材料としてはＡｌのほかに、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ｓｉ、グラファイトなどであってもよい。反射層６はＡ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどからなるか、またはＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｉｎ、Ｃｕなどをこれらの中に添加してなる合金か
らなる。保護層、記録層などの膜厚はこれらの光学的特
性に応じて決めることができるが、通常、それぞれ干渉
層２が８００〜１６００Å、記録層３が２００〜４００
Å、保護層４が３００〜８００Åおよび反射層５が３０
０〜７００Åの範囲であることが好ましい。上記の各層
はスパッタリング法によって形成することができる。
体における基板１としてはアモルファスポリオレフィン
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、エポキシ樹脂、
ガラス、セラミック、金属などを用いることもできる。
干渉層２および保護層５を構成する材料としてはＳｉＮ
のほかに、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯＮ、Ｓｉ
Ｏ、ＺｎＳなどであってもよい。記録層３としてはＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｇ
ｄＦｅＣｏなどの希土類元素と遷移金属とからなるアモ
ルファス合金を用いることが好ましい。熱伝導層４を構
成する材料としてはＡｌのほかに、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ｓｉ、グラファイトなどであってもよい。反射層６はＡ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどからなるか、またはＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｉｎ、Ｃｕなどをこれらの中に添加してなる合金か
らなる。保護層、記録層などの膜厚はこれらの光学的特
性に応じて決めることができるが、通常、それぞれ干渉
層２が８００〜１６００Å、記録層３が２００〜４００
Å、保護層４が３００〜８００Åおよび反射層５が３０
０〜７００Åの範囲であることが好ましい。上記の各層
はスパッタリング法によって形成することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＮＲが出現し始める
外部磁界Ｈｏが小さく、しかも高い記録特性を示す磁界
変調オーバーライトに適した光磁気記録媒体が提供され
る。
外部磁界Ｈｏが小さく、しかも高い記録特性を示す磁界
変調オーバーライトに適した光磁気記録媒体が提供され
る。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の概略断面図である。
【図２】熱伝導層の膜厚とＣＮＲが出現し始める外部磁
界Ｈｏとの関係を示す図である。
界Ｈｏとの関係を示す図である。
【図３】熱伝導層の膜厚と光磁気記録媒体が有するカー
回転角および反射率との関係を示す図である。
回転角および反射率との関係を示す図である。
【図４】熱伝導層の膜厚と光磁気記録媒体が有する書き
込み感度およびＣＮＲとの関係を示す図である。
込み感度およびＣＮＲとの関係を示す図である。
【図５】光磁気記録媒体の書き込み特性の外部磁界依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図６】昇温された記録層にかかる外部磁界と反磁界と
を示す図である。
を示す図である。
１ 基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ４ 熱伝導層 ５ 保護層 ６ 反射層 Ｈｅｘ 外部磁界 Ｈｏ ＣＮＲが出現し始める外部磁界 Ｈｓ ＣＮＲが飽和する外部磁界 Ｈｄ 反磁界
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、干渉層、希土類−遷移金属ア
モルファス合金からなる記録層、膜厚が１０〜３０Åの
範囲にある金属または半導体からなる熱伝導層、誘電体
層および反射層が順次積層されてなることを特徴とする
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8798792A JPH05258368A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8798792A JPH05258368A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258368A true JPH05258368A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13930170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8798792A Pending JPH05258368A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1067537A1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-01-10 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and method of producing the same |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP8798792A patent/JPH05258368A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1067537A1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-01-10 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and method of producing the same |
| US6538960B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-03-25 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium having a metal heat dispersion layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4882231A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| US5224068A (en) | Recording method for magneto-optic memory medium | |
| JP3038853B2 (ja) | 高レベルのマージンが拡大したオーバーライト可能な光磁気記録媒体 | |
| EP1050877B1 (en) | Opto-magnetic recording medium and its manufacturing method, and opto-magnetic information recording/reproducing device | |
| EP0282356A2 (en) | Magneto-optical recording medium and method | |
| EP0428128A2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| US5462811A (en) | Magneto-optical recording media and mangeto-optical device using the media | |
| JP3349403B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0391738B1 (en) | Magneto-optic memory medium | |
| JPH05250742A (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造に用いるスタンパー | |
| JPH05258368A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0935346A (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報記録方法 | |
| JPS63179435A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JPH10312594A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07230637A (ja) | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 | |
| JP2604475B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2853808B2 (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JP3424806B2 (ja) | 光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法 | |
| JP2970323B2 (ja) | 磁界変調記録用光磁気記録媒体 | |
| US5652738A (en) | Magnetooptical recording method for overwriting information on a recording medium includes selecting one of two recording modes based on recording information | |
| JP3390713B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2707796B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3162168B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3381960B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3592399B2 (ja) | 光磁気記録媒体 |