JPH05250742A - 光磁気記録媒体およびその製造に用いるスタンパー - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造に用いるスタンパーInfo
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- JPH05250742A JPH05250742A JP8347692A JP8347692A JPH05250742A JP H05250742 A JPH05250742 A JP H05250742A JP 8347692 A JP8347692 A JP 8347692A JP 8347692 A JP8347692 A JP 8347692A JP H05250742 A JPH05250742 A JP H05250742A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 記録層側の基板表面における中心線平均粗さ
が０．２〜０．５ｎｍの範囲にあるか、記録層と接する
干渉層表面における中心線平均粗さが０．２〜１．０ｎ
ｍの範囲にあることを特徴とする光磁気記録媒体。基板
への転写面における中心線平均粗さが０．５ｎｍ以下に
ある上記光磁気記録媒体の製造に用いるスタンパー。 【効果】 ＣＮＲが出現し始める外部磁界を低減でき、
小さな外部磁界により記録・消去が可能で、磁界変調オ
ーバーライトに適する。
が０．２〜０．５ｎｍの範囲にあるか、記録層と接する
干渉層表面における中心線平均粗さが０．２〜１．０ｎ
ｍの範囲にあることを特徴とする光磁気記録媒体。基板
への転写面における中心線平均粗さが０．５ｎｍ以下に
ある上記光磁気記録媒体の製造に用いるスタンパー。 【効果】 ＣＮＲが出現し始める外部磁界を低減でき、
小さな外部磁界により記録・消去が可能で、磁界変調オ
ーバーライトに適する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体およびそ
の製造に用いるスタンパーに関する。
の製造に用いるスタンパーに関する。
【０００２】
【従来の技術】追加記録、消去が可能な光磁気記録媒体
が実用化の段階に入っている。光磁気記録媒体の記録層
としては、総合的な特性が優れた、希土類−遷移金属合
金薄膜が最も多く用いられている。希土類−遷移金属合
金薄膜は飽和磁化が膜面に垂直に向く垂直磁化膜であ
り、磁化の向きによって情報が書き込まれる。光磁気記
録媒体の記録消去方法（キュリー点記録）は、まず電磁
石などによって外部磁界を与えておき、その状態でレン
ズで集光されたレーザー光を記録層に照射することによ
り、記録層をキュリー温度まで昇温させ、その外部磁界
によって磁化の向きを反転させて、情報を記録・消去す
るものである。通常の単層の希土類−遷移金属合金記録
層を備えた光磁気ディスクでは、記録消去磁界に２００
〜４００Ｏｅ程度の外部磁場が必要である。この外部磁
場を低減させれば磁石の小型化、磁界変調オーバーライ
トにおける高速変調が可能になり、好都合である。
が実用化の段階に入っている。光磁気記録媒体の記録層
としては、総合的な特性が優れた、希土類−遷移金属合
金薄膜が最も多く用いられている。希土類−遷移金属合
金薄膜は飽和磁化が膜面に垂直に向く垂直磁化膜であ
り、磁化の向きによって情報が書き込まれる。光磁気記
録媒体の記録消去方法（キュリー点記録）は、まず電磁
石などによって外部磁界を与えておき、その状態でレン
ズで集光されたレーザー光を記録層に照射することによ
り、記録層をキュリー温度まで昇温させ、その外部磁界
によって磁化の向きを反転させて、情報を記録・消去す
るものである。通常の単層の希土類−遷移金属合金記録
層を備えた光磁気ディスクでは、記録消去磁界に２００
〜４００Ｏｅ程度の外部磁場が必要である。この外部磁
場を低減させれば磁石の小型化、磁界変調オーバーライ
トにおける高速変調が可能になり、好都合である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】磁界変調オーバーライ
トに必要な記録消去磁界を低減するためには、光磁気記
録媒体に次のような特性が要求される。すなわち、図５
に示すように、あらかじめ磁化の向きをそろえて初期化
した光磁気記録媒体に外部磁界Ｈｅｘを与え、レーザー
パルスによって書き込んだときのＨｅｘとＣＮＲとの関
係において、ＣＮＲが飽和する外部磁界ＨｓとＣＮＲが
出現し始める外部磁界Ｈｏとがともに小さいことであ
る。磁界変調オーバーライトではＨｓとＨｏとの間で磁
界をスイッチングするので高速変調、電磁石コイルの軽
量化を実現するには、ＨｓとＨｏとをなるべく小さくす
ることが要求される。また、図６に示すように、書き込
み時の高温部には電磁石などの外部磁界Ｈｅｘと、高温
部周辺のキュリー温度以下の垂直磁化膜の磁化の大きさ
に依存する反磁界Ｈｄとの２つの磁界がかかる。Ｈｏの
大きさに大きな影響を与えるのは反磁界Ｈｄで、Ｈｄが
大きければそれを打ち消すだけのＨｏが必要となる。Ｈ
ｄの大きさは、垂直磁化膜の磁化の大きさに依存するた
め、記録層が単層の光磁気記録媒体においては、磁化の
小さい補償組成を選んで光磁気記録媒体を作成すればＨ
ｏを小さくすることができるが、このような組成の膜を
安定して作成するのは困難である。
トに必要な記録消去磁界を低減するためには、光磁気記
録媒体に次のような特性が要求される。すなわち、図５
に示すように、あらかじめ磁化の向きをそろえて初期化
した光磁気記録媒体に外部磁界Ｈｅｘを与え、レーザー
パルスによって書き込んだときのＨｅｘとＣＮＲとの関
係において、ＣＮＲが飽和する外部磁界ＨｓとＣＮＲが
出現し始める外部磁界Ｈｏとがともに小さいことであ
る。磁界変調オーバーライトではＨｓとＨｏとの間で磁
界をスイッチングするので高速変調、電磁石コイルの軽
量化を実現するには、ＨｓとＨｏとをなるべく小さくす
ることが要求される。また、図６に示すように、書き込
み時の高温部には電磁石などの外部磁界Ｈｅｘと、高温
部周辺のキュリー温度以下の垂直磁化膜の磁化の大きさ
に依存する反磁界Ｈｄとの２つの磁界がかかる。Ｈｏの
大きさに大きな影響を与えるのは反磁界Ｈｄで、Ｈｄが
大きければそれを打ち消すだけのＨｏが必要となる。Ｈ
ｄの大きさは、垂直磁化膜の磁化の大きさに依存するた
め、記録層が単層の光磁気記録媒体においては、磁化の
小さい補償組成を選んで光磁気記録媒体を作成すればＨ
ｏを小さくすることができるが、このような組成の膜を
安定して作成するのは困難である。
【０００４】本発明の目的は、磁界変調オーバーライト
に適した光磁気記録媒体を提供することにある。本発明
の他の１つの目的は上記の光磁気記録媒体の製造に用い
るスタンパーを提供することにある。
に適した光磁気記録媒体を提供することにある。本発明
の他の１つの目的は上記の光磁気記録媒体の製造に用い
るスタンパーを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
１つの目的は、基板と記録層とを備え、記録層側の基板
表面における中心線平均粗さが０．２〜０．５ｎｍの範
囲にあるか、または基板と干渉層と記録層が順次積層さ
れてなる構造を備え、記録層と接する干渉層表面におけ
る中心線平均粗さが０．２〜１．０ｎｍの範囲にあるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体を提供することにより達
成される。
１つの目的は、基板と記録層とを備え、記録層側の基板
表面における中心線平均粗さが０．２〜０．５ｎｍの範
囲にあるか、または基板と干渉層と記録層が順次積層さ
れてなる構造を備え、記録層と接する干渉層表面におけ
る中心線平均粗さが０．２〜１．０ｎｍの範囲にあるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体を提供することにより達
成される。
【０００６】また、本発明によれば、上記の他の１つの
目的は、光磁気記録媒体の基板への転写面における中心
線平均粗さが０．５ｎｍ以下にあることを特徴とする上
記の光磁気記録媒体の製造に用いるスタンパーを提供す
ることにより達成される。
目的は、光磁気記録媒体の基板への転写面における中心
線平均粗さが０．５ｎｍ以下にあることを特徴とする上
記の光磁気記録媒体の製造に用いるスタンパーを提供す
ることにより達成される。
【０００７】本明細書において用いる中心線平均粗さは
ＪＩＳ規格Ｂ０６０１（１９８２年）によって規定され
ているものであって、そのカットオフ値は１μｍであ
る。
ＪＩＳ規格Ｂ０６０１（１９８２年）によって規定され
ているものであって、そのカットオフ値は１μｍであ
る。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例１ 本発明の光磁気記録媒体の概略断面図を図１に示す。図
１に示す断面構造を有する光磁気記録媒体は、基板１上
に、誘導体からなる干渉層２、希土類元素と遷移金属と
を含む記録層３、誘導体からなる保護層４、および反射
層５が順次積層されてなる。情報を記録、再生または消
去するために基板１側から光が照射される。
る。 実施例１ 本発明の光磁気記録媒体の概略断面図を図１に示す。図
１に示す断面構造を有する光磁気記録媒体は、基板１上
に、誘導体からなる干渉層２、希土類元素と遷移金属と
を含む記録層３、誘導体からなる保護層４、および反射
層５が順次積層されてなる。情報を記録、再生または消
去するために基板１側から光が照射される。
【０００９】ポリカーボネート樹脂からなる基板１上
に、ＳｉＮからなる干渉層２（膜厚：１１００Å）、Ｔ
ｂＦｅＣｏからなる記録層３（膜厚：２５０Å）、Ｓｉ
Ｎからなる保護層４（膜厚：３５０Å）およびＡｌＴｉ
からなる反射層５（膜厚：５００Å）が順次積層されて
なる図１に示す断面構造を有する光磁気記録媒体におい
て、記録層３側の基板表面が有する中心線平均粗さと、
ＣＮＲが出現し始める外部磁界Ｈｏとの関係を測定し、
その結果を図２に示した。
に、ＳｉＮからなる干渉層２（膜厚：１１００Å）、Ｔ
ｂＦｅＣｏからなる記録層３（膜厚：２５０Å）、Ｓｉ
Ｎからなる保護層４（膜厚：３５０Å）およびＡｌＴｉ
からなる反射層５（膜厚：５００Å）が順次積層されて
なる図１に示す断面構造を有する光磁気記録媒体におい
て、記録層３側の基板表面が有する中心線平均粗さと、
ＣＮＲが出現し始める外部磁界Ｈｏとの関係を測定し、
その結果を図２に示した。
【００１０】図２から明らかなように、基板の表面が有
する中心線平均粗さが０．５ｎｍのものが１．０ｎｍの
ものよりも１００ＯｅほどＨｏが小さくなっている。上
記の中心線平均粗さが０．２ｎｍ以下になると膜の剥
離、クラックが発生し易く好ましくない。
する中心線平均粗さが０．５ｎｍのものが１．０ｎｍの
ものよりも１００ＯｅほどＨｏが小さくなっている。上
記の中心線平均粗さが０．２ｎｍ以下になると膜の剥
離、クラックが発生し易く好ましくない。
【００１１】実施例２ 実施例１におけると同じ構造を有する光磁気記録媒体に
おいて、上記の記録膜３と接する干渉層２の表面が有す
る中心線平均粗さと、ＣＮＲが出現し始める外部磁界Ｈ
ｏとの関係を測定し、その結果を図３に示した。
おいて、上記の記録膜３と接する干渉層２の表面が有す
る中心線平均粗さと、ＣＮＲが出現し始める外部磁界Ｈ
ｏとの関係を測定し、その結果を図３に示した。
【００１２】図３から明らかなように、干渉層２の表面
が有する中心線平均粗さが１．０ｎｍのものが２．０ｎ
ｍのものに比べＨｏの絶対値が２００Ｏｅほど小さい。
中心線平均粗さが０．２ｎｍ以下になると膜の剥離、ク
ラックが発生し易く、好ましくない。
が有する中心線平均粗さが１．０ｎｍのものが２．０ｎ
ｍのものに比べＨｏの絶対値が２００Ｏｅほど小さい。
中心線平均粗さが０．２ｎｍ以下になると膜の剥離、ク
ラックが発生し易く、好ましくない。
【００１３】実施例３ 実施例１におけると同じ構造を有する光磁気記録媒体の
基板１を成形するために使用されるスタンパーにおい
て、基板１への転写面における中心線平均粗さと、ＣＮ
Ｒが出現し始める外部磁界Ｈｏとの関係を測定し、その
結果を図４に示した。
基板１を成形するために使用されるスタンパーにおい
て、基板１への転写面における中心線平均粗さと、ＣＮ
Ｒが出現し始める外部磁界Ｈｏとの関係を測定し、その
結果を図４に示した。
【００１４】図４から明らかなように、基板１への転写
面が有する中心線平均粗さが０．５ｎｍ以下にあるスタ
ンパーを用いて製造した光磁気記録媒体は低いＨｏを示
す。
面が有する中心線平均粗さが０．５ｎｍ以下にあるスタ
ンパーを用いて製造した光磁気記録媒体は低いＨｏを示
す。
【００１５】なお、実施例１〜３においては、線速１０
ｍ／ｓで回転させながらレーザ光（強度：９ｍＷ）を照
射することによって記録した（記録周波数：３．７ＭＨ
ｚ、デューティー３０％）光磁気記録媒体を用いて測定
を行った。
ｍ／ｓで回転させながらレーザ光（強度：９ｍＷ）を照
射することによって記録した（記録周波数：３．７ＭＨ
ｚ、デューティー３０％）光磁気記録媒体を用いて測定
を行った。
【００１６】中心線平均粗さの測定は、基板等の表面に
Ｐｔを膜厚が２００Åになるように蒸着したのちに、走
査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ；セイコーエプソン（株）
製）を用いて行った。また、外部磁界特性の測定条件は
線速１０ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ、デューティ
ー３０％、記録に用いるレーザー光のパワー９ｍＷであ
る。
Ｐｔを膜厚が２００Åになるように蒸着したのちに、走
査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ；セイコーエプソン（株）
製）を用いて行った。また、外部磁界特性の測定条件は
線速１０ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ、デューティ
ー３０％、記録に用いるレーザー光のパワー９ｍＷであ
る。
【００１７】図１に示す断面構造を有する光磁気記録媒
体における基板１としてはアモルファスポリオレフィン
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、エポキシ樹脂、
ガラス、セラミック、金属などを用いることもできる。
干渉層２および保護層４を構成する材料としてはＳｉＮ
のほかに、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯＮ、Ｓｉ
Ｏ、ＺｎＳなどであってもよい。記録層３としてはＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｇ
ｄＦｅＣｏなどの希土類元素と遷移金属とからなるアモ
ルファス合金を用いることが好ましい。反射層５はＡ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどからなるか、またはＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｉｎ、Ｃｕなどをこれらの中に添加してなる合金か
らなる。保護層、記録層などの膜厚はこれらの光学的特
性に応じて決めることができるが、通常、それぞれ干渉
層２が８００〜１６００Å、記録層３が２００〜４００
Å、保護層４が３００〜８００Åおよび反射層５が３０
０〜７００Åの範囲であることが好ましい。上記の各層
はスパッタリング法によって形成することができる。
体における基板１としてはアモルファスポリオレフィン
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、エポキシ樹脂、
ガラス、セラミック、金属などを用いることもできる。
干渉層２および保護層４を構成する材料としてはＳｉＮ
のほかに、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯＮ、Ｓｉ
Ｏ、ＺｎＳなどであってもよい。記録層３としてはＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｇ
ｄＦｅＣｏなどの希土類元素と遷移金属とからなるアモ
ルファス合金を用いることが好ましい。反射層５はＡ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどからなるか、またはＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｉｎ、Ｃｕなどをこれらの中に添加してなる合金か
らなる。保護層、記録層などの膜厚はこれらの光学的特
性に応じて決めることができるが、通常、それぞれ干渉
層２が８００〜１６００Å、記録層３が２００〜４００
Å、保護層４が３００〜８００Åおよび反射層５が３０
０〜７００Åの範囲であることが好ましい。上記の各層
はスパッタリング法によって形成することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、スタンパ、基板または
記録層に接する干渉層について、表面粗さを小さくする
ことによって、室温で補償組成を選ぶという困難な製造
条件を行わなくてもＣＮＲが出現し始める外部磁界Ｈｏ
を低減でき、小さな外部磁界により記録・消去が可能と
なる。本発明により得られた光磁気記録媒体は、磁気変
調オーバーライトに適している。
記録層に接する干渉層について、表面粗さを小さくする
ことによって、室温で補償組成を選ぶという困難な製造
条件を行わなくてもＣＮＲが出現し始める外部磁界Ｈｏ
を低減でき、小さな外部磁界により記録・消去が可能と
なる。本発明により得られた光磁気記録媒体は、磁気変
調オーバーライトに適している。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の概略断面図である。
【図２】基板の表面の中心線平均粗さとＣＮＲが出現し
始める外部磁界Ｈｏとの関係を示す図である。
始める外部磁界Ｈｏとの関係を示す図である。
【図３】干渉層表面の中心線平均粗さとＣＮＲが出現し
始める外部磁界Ｈｏとの関係を示す図である。
始める外部磁界Ｈｏとの関係を示す図である。
【図４】スタンパー表面の中心線平均粗さとＣＮＲが出
現し始める外部磁界Ｈｏとの関係を示す図である。
現し始める外部磁界Ｈｏとの関係を示す図である。
【図５】光磁気記録媒体の書き込み特性の外部磁界依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図６】昇温された記録層にかかる外部磁界と反磁界と
を示す図である。
を示す図である。
１ 基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層 Ｈｅｘ 外部磁界 Ｈｏ ＣＮＲが出現し始める外部磁界 Ｈｓ ＣＮＲが飽和する外部磁界 Ｈｄ 反磁界
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と記録層とを備え、記録層側の基板
表面における中心線平均粗さが０．２〜０．５ｎｍの範
囲にあることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板と干渉層と記録層とが順次積層され
てなる構造を備え、記録層と接する干渉層表面における
中心線平均粗さが０．２〜１．０ｎｍの範囲にあること
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 光磁気記録媒体の基板への転写面におけ
る中心線平均粗さが０．５ｎｍ以下にあることを特徴と
する請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の製造に
用いるスタンパー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347692A JPH05250742A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光磁気記録媒体およびその製造に用いるスタンパー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347692A JPH05250742A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光磁気記録媒体およびその製造に用いるスタンパー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05250742A true JPH05250742A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=13803523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8347692A Pending JPH05250742A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 光磁気記録媒体およびその製造に用いるスタンパー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05250742A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06267126A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法および記録媒体 |
| WO2002084658A1 (fr) * | 2001-04-06 | 2002-10-24 | Sony Corporation | Matrice destinee a un disque optique, procede de fabrication de disque optique et disque optique |
| WO2003005353A1 (fr) | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique, disque original pour support d'enretistrement optique, et procede de fabrication du disque original |
| WO2003090217A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement optique, support d'enregistrement magneto-optique et appareil d'enregistrement/reproduction d'informations |
| EP1705651A1 (en) * | 2003-12-19 | 2006-09-27 | Fujitsu Ltd. | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same, substrate for magneto-optical recording medium, and mother die stamper and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP8347692A patent/JPH05250742A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06267126A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法および記録媒体 |
| US7154843B2 (en) * | 2001-04-06 | 2006-12-26 | Sony Corporation | Stamper and optical disk with specific dimensions, surface roughness, and a land and a groove provided in a non-signal recording area |
| WO2002084658A1 (fr) * | 2001-04-06 | 2002-10-24 | Sony Corporation | Matrice destinee a un disque optique, procede de fabrication de disque optique et disque optique |
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| KR100954298B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2010-04-22 | 소니 주식회사 | 광디스크용 스탬퍼, 광디스크 제조방법 및 광디스크 |
| EP1376566A4 (en) * | 2001-04-06 | 2007-11-21 | Sony Corp | MATRIX FOR OPTICAL DISK, METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL DISC, AND OPTICAL DISK |
| EP1376566A1 (en) * | 2001-04-06 | 2004-01-02 | Sony Corporation | Stamper for optical disk, method of manufacturing optical disk, and optical disk |
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| WO2003005353A1 (fr) | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique, disque original pour support d'enretistrement optique, et procede de fabrication du disque original |
| WO2003090222A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Fujitsu Limited | Moyen d'enregistrement optique, moyen d'enregistrement magneto-optique, dispositif d'enregistrement/de reproduction d'informations, procede d'enregistrement/de reproduction et dispositif d'enregistrement magnetique |
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| EP1705651A4 (en) * | 2003-12-19 | 2008-11-05 | Fujitsu Ltd | MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ASSOCIATED MANUFACTURING METHOD, MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM SUBSTRATE, AND MOTHER PRESSING ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
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