KR0137444B1 - 광자기 기록 매체 - Google Patents

광자기 기록 매체

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KR0137444B1
KR0137444B1 KR1019930000667A KR930000667A KR0137444B1 KR 0137444 B1 KR0137444 B1 KR 0137444B1 KR 1019930000667 A KR1019930000667 A KR 1019930000667A KR 930000667 A KR930000667 A KR 930000667A KR 0137444 B1 KR0137444 B1 KR 0137444B1
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즈니찌로 나까야마
히로유끼 가따야마
준지 히로까네
미찌노부 미에다
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쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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Abstract

광자기 기록 매체는 적어도 2층의 자성층으로 이루어지는 기록층을 가진다. 제1기록층의 교환 정수를 A1, 수직 자기 이방성을 K1, 제2자성층의 교환 정수를 A2, 수직 자기 이방성을 K2로 할 때 ｜A1·K1-A2·K2｜ 2.0(erg2/cm4)으로 되는 조건을 만족한다. 상기 기록층의 제1 및 제2자성층은 TbFeCo로 형성되어 있다.

Description

광자기 기록 매체
제1도 내지 제14도는 본 발명의 한 실시예를 나타낸 것으로,
제1도는 광자기 기록 매체의 구성을 도시하는 종단면도.
제2도는 TbFeCo에 있어서 Tb 함유량에 대한 수직 이방성(perpendicular anisotropy)을 도시하는 그래프.
제3도는 TbFeCo에 있어서 Co 함유량에 대한 교환 정수를 도시하는 그래프.
제4도는 광자기 기록 매체에 있어서 패러데이 루프를 도시하는 그래프.
제5도는 ｜A1·K1-A2·K2｜ 2.0(erg2/cm4)인 광자기 기록 매체에 있어서 패러데이 루프를 도시하는 그래프.
제6도는 광자기 기록 매체에 있어서 카아 루프(Kerr loop)를 도시하는 그래프.
제7도는 광자기 기록 매체의 제조 방법에서 사용되는 장치를 도시하는 설명도로, 제1 혹은 제2자성층을 스퍼터링 동작에 의해 형성하는 경우를 도시하는 도면.
제8도는 광자기 기록 매체의 제조 방법에서 사용되는 장치를 도시하는 설명도로, 유전체 층을 스퍼터링 동작에 의해 형성하는 경우를 도시하는 도면.
제9도는 광자기 기록 매체의 제조 방법에 있어서 사용되는 장치를 도시하는 설명도로, 제1자성층에 대해 역스퍼터링(에칭) 동작하는 경우를 도시하는 도면.
제10도는 역스퍼터링(에칭) 동작 효과를 명확히 하기 위해 이용되는 측정 샘플의 단면도.
제11도는 측정 샘플의 자성층이 제1자성층 단층인 경우의 카아 루프를 도시하는 그래프.
제12도는 측정 샘플의 자성층이 제2자성층 단층인 경우의 카아 루프를 도시하는 그래프.
제13도는 본 발명의 제조 방법에서 역스퍼터링(에칭) 동작없이 제조한 경우의 광자기 기록 매체의 단면도.
제14도는 광자기 기록 매체에 있어서 자기 카아 회전각의 보자력 의존성을 도시하는 설명도.
제15도 내지 제17도는 종래예를 도시하는 것으로,
제15도는 광자기 기록 매체의 구성을 도시하는 종단면도.
제16도는 광 비임의 강도 변화를 도시하는 설명도.
제17도는 자성층에서의 온도와 보자력과의 관계를 도시하는 그래프.
＊도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＊
1 : 투광성 기판2 : 유전체층
3, 56 : 제1자성층4, 57 : 제2자성층
5, 23 : 보호층11 : 챔버
14-16 : 타겟17, 19 : 고주파 전원
21 : 유리 기판 22 : 자성층
본 발명은 광자기 디스크나 광 카드 등에 이용되고, 기록된 정보를 광자기 효과를 이용해서 재생하는 광자기 기록 매체 및 제조 방법에 관한 것이다.
광자기 기록 방식이란 기판 상에 자성체로 이루어지는 수직 자화막을 형성시킨 것을 기록 매체로 하여 이 기록 매체에 이하의 방법으로 기록, 재생하는 것이다.
기록시에는 먼저, 기록 매체의 자화 방향이 강력한 외부 자장 등에 의해 1방향(상향 또는 하향)으로 고르게 초기화된다. 다음에, 기록하고자 하는 기록 매체 영역으로 레이저 비임이 조사되어 매체 부분의 온도가 큐리점 근방 이상 또는 보상점 근방 이상으로 가열됨으로써 가열된 부분의 보자력(Hc)가 0 또는 거의 0으로 된다. 그리고 초기화 방향과는 역방향의 외부 자장(바이어스 자장)이 기록 신호에 따라 인가됨으로써 자화 방향이 반전된다. 그 후 레이버 비임 조사가 정지되고 기록 매체가 상온으로 돌아올 때에, 반전한 자화가 고정됨으로써 열자기적으로 정보가 기록된다.
재생시에는 직선 편광한 레이저 비임이 기록 매체에 조사되고, 그 반사광이나 투과광의 편광면의 회전이 자화 방향에 따라 달라지는 현상[자기 카아 효과(magnetic Kerr effect), 자기 패러데이 효과(magnetic Faraday effect)]을 이용한 광학적인 독출이 행해지게 된다.
이와 같이 광자기 기록 방식은 개서(改書) 가능한 대용량 기억 소자로서 주목되고 있으나, 그 기록 매체를 재사용(개서 ) 하기 위해서는 하기의 (a), (b), (c)에 기재하는 방법을 채용할 필요가 있다.
(a) 어떤 방법으로 초기화한다.
(b) 외부 자장(바이어스 자장) 발생 장치를 연구하여 중복 기입(소거 동작 없이 개서)을 가능하게 한다.
(c) 매체를 연구해서 중복 기입(소거 동작 없이 개서)을 가능하게 한다.
그러나 (a) 방법에서는 초기화 장치가 필요하거나 헤드가 2개 필요해서 비용이 고가로 되거나 혹은 1개의 헤드를 이용해서 소거하는 경우 소거에 있어서 기록시와 동일한 시간이 걸린다는 문제가 있다. 한편(b)의 방법에 있어서 외부 자장(바이어스 자장) 발생 장치를 개발하는 방법은 자기 기록과 마찬가지로 헤드 크래쉬(head crash)의 문제점이 있다.
따라서 (c)의 방법이 가장 유효하다. 이러한 매체에 대해 연구된 방법으로서는 이미 아까사까 등에 의해 기록층을 교환 결합 2층막으로 함으로써 중복 기입 가능한 것이 보고되어 있다[예를 들면 Jap. Jour. Appl. Phys., Vol. 28(1989) Suppl. 28-3, pp. 367-370].
여기서, 중복 기입(overwrite) 수순에 대해 이하에 간단히 설명한다. 제15도에 도시하는 바와 같이 제1자성층(56) 및 제2자성층(57)로 이루어지는 광자기 기록 매체에 있어서 초기화시에는 초기화 자장(Hini)을 인가함으로써 제2자성층(57)을 한방향으로만, 즉, 도면 중 하향으로 고르게 한다. 또 초기화는 항상 행하거나 혹은 기록시에만 행해진다. 이때 제17도에 도시하는 바와 같이 제1자성층(56)의 보자력(H1)은 초기화 자장(Hini) 보다도 크기 때문에 제1자성층(56)에 자화 반전을 일으키지 않는다.
기록은, 기록 자장(Hw)를 인가하면서, 고저의 2레벨로 강도 변화되는 레이저 광을 조사해서 행해진다. 즉, 제16도의 Ⅰ로 나타내는 고레벨의 레이저 광은 제1자성층(56) 및 제2자성층(57)을 모두 큐리점(T2) 부근 또는 그 이상으로 되는 온도(TH)까지 승온시키도록 설정되어 있다. 또 제16도의 Ⅱ로 나타내는 저레벨의 레이저 광은 제1자성층(56)만을 큐리점(T1) 부근 또는 그 이상으로 되는 온도(T2)까지 승온시키도록 설정되어 있다.
따라서, 고레벨의 레이저 광이 조사되면 제2자성층(57)의 자화는 기록 자장(Hw)에 의해 제15도에 있어서의 상향으로 반전되게 된다. 따라서 제1자성층(56)의 자화 방향은 냉각 과정에서 계면(界面)에 작용하는 교환력에 의해 제2자성층(57) 방향으로 반전해서 상향으로 된다.
한편, 저레벨의 레이저 광이 조사되면 제2자성층(57)의 자화는 기록 자장(Hw)의 영향으로 반전하지 않고 이 경우도 제1자성층(56)의 방향은 역시 냉각 과정에서 제2자성층(57)의 자화 방향과 일치하게 된다. 따라서 제1자성층(56)의 자화 방향은 제15도 중 하향으로 된다. 또 제17도에 도시하는 바와 같이 기록 자장(Hw)는 초기화 자장(Hini) 보다도 상당히 작아지도록 설정되어 있다. 또 제16도 Ⅲ으로 나타내는 바와 같이 재생시 레이저 광의 강도는 기록시 보다도 상당히 낮은 값으로 설정되어 있다.
그러나 상기 방법에서는 대단히 큰 초기화 자장이 필요해진다. 역으로 초기화 자장을 작게하는 2층막의 조합에서는 정보가 안정되게 기록되지 않아서 중복 기입이 불가능하다.
그래서 초기화 자장을 작게 하기 위해 교환 결합 2층막 사이에 중간층을 설치하여 기록층을 3층으로 하는 등 개량이 행해지고 있으나[예를 들면 Jap. Jour. Appl. Phys., Vol. 28(1989) Suppl. 28-3, pp. 27-31] 이 경우에는 기록층이 3층으로 되기 때문에 제조 비용, 제조 공정이 증대하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 2층으로 이루어지는 기록층에 있어서도 작은 초기화 자장에서 정보를 안정되게 기록할 수 있는 광자기 기록 매체 및 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 적어도 2층 자성막으로 이루어지는 기록층을 포함하는 광자기 기록 매체에 있어서, 상기 기록층의 제1층의 교환 정수(交換 定數)를 A1, 수직 자기 이방성을 K1, 상기 자성층의 제2층의 교환 정수를 A2, 수직 자기 이방성을 K2로 할 때 ｜A1·K1-A2·K2｜ 2.0(erg2/cm4)인 조건을 만족하는 특징이 있다.
상기 구성에 따르면 인가 자계를 0으로 해도 기록층의 패러데이 회전각은 변화하지 않으므로, 예를 들면 기록이 종료하여 자계가 이동하는 등으로 인가 자계가 0으로 되어도 기록된 정보는 그대로 변하지 않고 유지된다. 그 결과 2층으로 이루어지는 기록층에 있어서도 정보가 안정되게 기록되어 초기화 자장을 작게할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적, 특징 및 우수한 점은 이하 기재에 의해 충분히 알 수 있을 것이다. 또 본 발명의 이익은 첨부 도면을 참조한 다음 설명으로 명백해진다.
본 발명의 한 실시예에 대해서 제1도 내지 제14도에 기초하여 설명하면 이하와 같다.
제1도에 도시하는 바와 같이 광자기 기록 매체는 유리로 이루어지는 투광성 기판(1) 상에 투광성이 있는 A1N으로 이루어지는 유전체층(2), TbFeCo로 이루어지는 제1자성층(3), TbFeCo로 이루어지는 제3자성층(4), A1N으로 이루어지는 보호층(5)가 차례로 적층되어 구성된다.
상기 광자기 기록 매체의 제조시는 투광성 기판(1) 상에 각 층이 스퍼터링에 의해 형성되는 방법이 채용된다. 또 각각의 막두께는 유전체층(2)가 80nm, 제1 및 제2자성층(4)가 모두 50nm, 보호층(5)가 80nm이다.
또 제1도에는 도시하지 않았으나 보호층(5) 상에 자외선 경화 수지인 아크릴 레이트계 수지로 이루어지는 코팅층이 형성되어 있다.
제1자성층(3)을 구성하는 TbFeCo의 조성은 Tb18Fe77Co5이고, 제2자성층(4)를 구성하는 TbFeCo의 조성은 Tb25Fe61Co14이다. 따라서 제2도 및 제3도에서 제1자성층(3)은 교환 정수 A1=0.145×10-6(erg/cm), 수직 자기 이방성 K1=5.4×106(erg/cm3)으로 되어 있다. 또 제2자성층(4)는 교환 정수 A2=0.18×10-6(erg/cm), 수직 자기 이방성 K2=4.0×106(erg/cm3)으로 되어 있다. 따라서 ｜A1·K1-A2·K2｜=0.06(erg2/cm4)으로 되어 있다.
제4도에 ｜A1·K1-A2·K2｜=0.06(erg2/cm4)인 광자기 기록매체의 패러데이 루프를 도시한다. 가로축은 인가 자계, 세로축은 패러데이 회전각을 도시하고, 화살표는 루프가 그리는 방향을 나타낸다. 한편 제5도에 비교예로서 ｜A1·K1-A2·K2｜= 2.0(erg2/cm4)인 광자기 기록 매체의 패러데이 루프를 도시한다. 이들 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 예를 들면 - 방향에서 + 방향에서 인가 자계를 가한 경우, 비교예의 광자기 기록 매체에서는, 인가 자계가 0에 가까우면 패러데이 회전각이 크게 변하는데 비해 본 발명의 광자기 기록 매체에서는 인가 자계가 0에 가까워도 패러데이 회전각은 변하지 않고 인가 자계가 +로 된 후 크게 변화한다. 즉, 비교예의 광자기 기록 매체에서는 인가 자계가 이동함으로써 자계가 0으로 되면 자계를 걸어서 기록된 정보가 소거되어 버리기 때문에 기록 상태가 불안정해진다. 그러나 본 발명의 광자기 기록 매체는 자계를 걸어서 기록한 정보가 자계를 0으로 해도 소거되지 않기 때문에 정보가 안정되게 기록된다.
또 본 발명의 제2자성층(4)의 실온에서 보자력은 2kOe이고, 초기화 자장은 2kOe 보다 큰 값이면 되므로 초기화 자장을 작게 해도 안정된 기록이 가능하다.
또 본 실시예의 광자기 기록 매체의 구성 및 재료는 본 발명의 한 예를 도시한 것이고, ｜A1·K1-A2·K2｜ 2.0(erg2/cm4)를 만족하는 교환 정수 A1,K1, A2, K2를 갖는 2층을 포함하는 기록층을 구비한 광자기 기록 매체이면 그 구체적 구성, 재료는 무관하다.
이상과 같이 본 실시예에 관한 광자기 기록 매체는 적어도 2층의 자성체로 이루어지는 기록층을 포함한다. 그리고 자성층의 제1층의 교환 정수를 A1, 수직 자기 이방성을 K1, 상기 자성층의 제2층의 교환 정수를 A2, 수직 자기 이방성을 K2로 할 때 ｜A1·K1-A2·K2｜ 2.0(erg2/cm4)로 되는 조건을 만족하는 것을 특징으로 한다.
따라서 인가 자계를 0으로 해도 기록층의 패러데이 회전각은 변화하지 않으므로, 예를 들면 기록이 종료해서 자계가 이동하는 등으로 인가 자계가 0으로 되어도 기록된 정보는 그대로 변화하지 않고 안정되게 보호된다. 그 결과 2층으로 이루어지는 기록층에서도 정보를 안정되게 기록하게 되어 초기화 자장을 작게할 수 있다.
다음에 광자기 기록 매체의 제조 방법에 대해서 설명한다. 또 이러한 제조 방법에 있어서의 설명 중에 예시된 광자기 기록 매체는 상기 ｜A1·K1-A2·K2｜ 2.0(erg2/cm4)의 조건을 만족하지 않으나, 본 실시예의 제조 방법은 상기 조건을 만족하는 광자기 기록 매체에도 적용할 수 있다.
본 실시예의 제조 방법은 투광성 기판(1) 상에 유전체층(1), 제1자성층(3), 제2자성층(4), 보호층(5)를 스퍼터링 동작에 의해 차례로 적층시키도록 되어 있다. 이러한 스퍼터링 동작은 예를 들면 제7도 내지 제9도에서 도시하는 장치로 행해지도록 되어 있다.
먼저, 예를 들면 유리나 폴리카보네이트 등으로 이루어진 투광성 기판(1) 상에 유전체층(2)로서 예를 들면 80nm 두께의 A1N이 스퍼터링 동작으로 성막(成膜)된다. 즉 제8도에 도시하는 바와 같이 고주파 전원(18)이 Al 타겟(15)에 접속되어 있고, 방전 가스인 Ar 가스 및 활성 가스인 N2가스(Ar : N2=4 : 1의 혼합 가스)가 챔버(11) 내로 도입된 상태에서 스퍼터링이 행해짐으로써 화합물 박막인 AlN이 투광성 기판(1) 상에 성막된다. 또 AlN의 스퍼터링 조건은 가스압이 8mTorr이고, 인가 전압이 1kW, 스퍼터링 시간이 4분간이다. 또 셔터(13)은 투광성 기판(1) 상에 불필요한 막이 성막되지 않도록 하기 위한 것이다.
그 후 유전체층(2) 상에는 제1자성층(3)으로서 예를 들면 50nm 두께의 Tb0.18Fe0.72Co0.10이 스퍼터링 동작에 의해 비정질 희토류 천이 금속 합금막으로서 동일 챔버(11) 내에서 성막된다.
즉 제7도에 도시하는 바와 같이 고주파 전원(17)이 Tb0.18Fe0.72Co0.10타겟(14)에 접속되어 있고, 방전 가스인 Ar 가스가 챔버 내로 도입된 상태에서 스퍼터링됨으로써 Tb0.18Fe0.72Co0.10이 유전체층(2) 상에 성막된다. 또 이때의 스퍼터링 조건은 가스압이 9mTorr, 인가 전력 1kW, 스퍼터링 시간 90초간이다.
이어서, 제1자성층(3)에 대해 이하와 같이 해서 역스퍼터링 동작(에칭)이 행해진다.
즉 제9도에 도시하는 바와 같이 고주파 전원(19)가 투광성 기판(1)에 접속되어 있고, 방전 가스인 Ar 가스가 챔버(11) 내로 도입된 상태에서 스퍼터링된다. 이때 다른 타겟(14-16)은 접지되어 있다. 역스퍼터링 동작에 의해 제1자성층(3)의 막두께는 50nm에서 40nm로 감소한다. 또 이때의 스퍼터링 조건은 가스압 9mTorr, 인가 압력 700W, 역스퍼터링 시간이 5분간이다.
제1자성층(3) 상에는 제2자성층(4)로서, 예를 들면 40nm 두께의 Tb0.25Fe0.65Co0.10이 스퍼터링 동작에 의해 성막되어 있다. 이것은 제1자성층(3)의 성막시와 마찬가지로 행해지고, Tb0.25Fe0.65Co0.10의 타겟(16)에 상기 고주파 전원이 접속되며, Tb0.18Fe0.72Co0.10타겟(14)가 접지되는 이외는 상기와 동일한 챔버(11) 내에서, 특히 동일한 스퍼터링 조건에서 스퍼터링하므로 여기서는 상세한 설명은 생략한다.
제2자성층(4) 상에는 보호층(5)로서, 예를 들면 두께 80nm인 AlN이 스퍼티링 동작으로 성막된다. 또 보호층(5)의 성막은 스퍼터링 조건 등이 상기 유전체층(2)의 성막시와 마찬가지로 행해지므로 여기서는 상세한 설명은 생략한다.
또 상기 실시예에 있어서는 설명의 편의상 고주파 전원(17-19)를 각각 다른 전원으로 했으나, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고 하나의 고주파 전원을 사용하여 임의의 스위치 회로 등에 의해 그 접속선을 선택하는 구성이라도 좋다. 또 직류 전원을 이용한 스퍼터링 동작이라도 좋다.
이상과 같이 해서 제조된 광자기 기록 매체의 보자력(Hc)에 대한 자기 카아 회전각(θk)의 특성을 제6도에 도시한다. 제6도에 도시하는 바와 같이 본 실시예에 관한 제조 방법으로 제조된 광자기 기록 매체의 보자력(Hc)의 측정값은 8.516(kOe)였다. 이 값은 제1자성층(3) 및 제2자성층(4)를 적층한 때 그 계면에 생기는 자벽의 계면 자벽 에너지만에 기초하여 예견된다. 여기서 제10도 내지 제14도를 참조하면서 이하에 보자력(Hc)의 크기를 평가한다.
제10도는 자성층(22)로서 Tb0.18Fe0.72Co0.10또는 Tb0.25Fe0.65Co0.10[상기 제1자성층(3) 또는 제2자성층(4)에 대응]을 각각 단층으로 40nm만큼 유리 기판(21)(0.5nm의 두께) 상에 상기와 동일한 장치 및 스퍼터링 조건에서 성막하고, 또 자성층(22) 상에 AlN으로 이루어지는 보호층(23)을 80nm 만큼 성막해서 구성한 측정 샘플을 도시한다.
예를 들면 자성층(22)로서 Tb0.18Fe0.72Co0.10만을 단층으로 유리 기판(21) 상에 성막한 경우 자기 카아 회전각(θk)의 보자력(Hc) 의존성은 제11도에 도시하는 바와 같이 된다. 즉 Tb0.18Fe0.72Co0.10만을 단층으로 성막한 경우 그 보자력(Hc)의 측정값은 4.232(kOe)였다.
또 자성층(22)로서 Tb0.25Fe0.65Co0.10만을 단층으로 성막한 경우, 자기 카아 회전각(θk)의 보자력(Hc) 의존성은 제12도에 도시하는 바와 같이 되고, 그 보자력(Hc)의 측정값은 1.796(kOe)였다.
제11도 및 제12도에 도시하는 바와 같은 카아 루프를 갖는 자성층을 각각 제1자성층(3) 및 제2자성층(4)로 하고, 제1자성층(3)에 대해 역스퍼터링 동작을 행하지 않고 직접 제2자성층(4)를 성막해서 제13도에 도시하는 바와 같은 구성의 광자기 기록 매체를 비교예로서 제조했다. 제1자성층(3)에 대해 역스퍼터링 동작을 행하지 않았으므로 제13도 중의 굵은 파선으로 도시하는 바와 같이 계면이 거칠게 되어 있다.
제14도는 제13도의 구성을 갖는 광자기 기록 매체의 카아 루프를 도시하는 그래프이다. 제14도에 도시하는 바와 같이 이러한 경우의 보자력(Hc)의 측정값은 12.463(kOe)였다.
제11도 내지 제14도에서 알 수 있는 바와 같이 역스퍼터링 동작을 행하지 않고 제1자성층(3)과 제2자성층(4)를 차례로 적층한 경우, 적층에 따르는 보자력(Hc)가 증가해서 어느 정도의 크기로 되는지를 예상할 수 없다. 이것은 계면 자벽 에너지만이 적층된 자성층의 보자력의 증가에 관여하고 있기 때문이 아니고 다른 요인도 상기 보자력의 증가에 크게 관여하고 있기 때문이다.
한편 본 실시예와 같이 제2자성층(4)를 제1자성층(3) 상에 스퍼터링 동작으로 형성하기에 앞서 제1자성층(3)에 대해 역스퍼터링 동작을 행하면 제6도에 도시한 바와 같은 보자력(Hc)가 8.156(kOe)로 되고 제1자성층(3)의 단층 보자력 4.232(kOe) 보다 약 4.3(kOe) 커진다. 이 보자력 증가량은 2층의 자성층(3 및 4)를 적층한 경우 계면 에너지에 의한 증가분으로서 예상 가능한 것이다. 즉 본 발명의 경우 보자력(Hc)의 증가는 계면에 생성되는 자벽에 축적되는 계면 자벽 에너지만에 의해 결정된다.
또 본 실시예에 있어서는 설명의 편의상 2층의 자성층으로 이루어지는 광자기 기록 매체의 제조 방법에 대해 설명했으나 본 발명은 이것으로 한정되지 않고 3층 이상의 자성층으로 이루어지는 광자기 기록 매체의 제조 방법에 대해서도 적용 가능하다. 또 본 실시예에 있어서는 제1자성층(3) 및 제2자성층(4)의 재질로서 Tb0.18Fe0.72Co0.10및 Tb0.25Fe0.65Co0.10을 예로 설명했으나 본 발명은 이것으로 한정되지 않고 교환 결합 자성체이면 된다.
이상과 같이, 본 실시예에 관한 광자기 기록 매체의 제조 방법은 자성층을 스퍼터링 동작으로 성막하는 공정, 상기 자성층에 대해 역스퍼터링하는 공정 및 역스퍼터링 동작을 행한 자성층 면에 다음에 성막하는 자성층을 스퍼터링 동작으로 성막하는 공정을 포함한다.
이러한 제조 방법에 따르면 먼저 스퍼터링 동작에 의해 제1자성층이 성막된다. 그리고 상기 제1자성층 상에 제2자성층을 성막하기 전에 제1자성층의 접합면에 대해 역스퍼터링 동작이 행해진다. 이러한 역스퍼터링 동작에 의해 제2자성층에 대한 제1자성층의 접합면이 에칭된다. 그후 제1자성층의 접합면에 다시 제2자성층이 스퍼터링 동작으로 성막됨으로써 광자기 기록 매체가 제조되게 된다. 또 제2자성층의 성막 이후는 자성층의 층수에 따라 상기 공정을 반복해서 원하는 광자기 메모리 소자를 제조할 수 있다. 그리고 이러한 광자기 기록 매체에 대해 중복 기입 동작을 행하면 제1자성층의 역스퍼터링 동작에 의해 제2자성층에서 제1자성층으로의 자화 전사가 부드럽게 행해진다.
또 제1자성층과 제2자성층의 계면에 축적되는 계면 자벽 에너지만이 적층된 제1 및 제2자성층의 보자력 증가에 관여하게 된다. 따라서 계면 자벽 에너지에만 기초하여 복수의 자성층을 적층하여 이루어지는 광변조 중복 기입용 광자기 기록 매체를 정량적으로 설계할 수 있어서 광자기 기록 매체의 품질 향상 및 전체적인 비용 저감을 실현할 수 있게 된다. 즉 상기 ｜A1·K1-A2·K2｜ 2.0(erg2/cm4)으로 되는 조건을 만족하도록 제조되는 광자기 기록 매체의 품질 향상 및 전체적인 비용 저감을 실현할 수 있게 된다.
발명의 상세한 설명의 항에 있는 구체적인 실시 태양 또는 실시예는 어디까지나 본 발명의 기술 내용을 명확히 하는 것으로, 그와 같은 구체예로만 한정하여 협의로 해석할 것이 아니고 본 발명의 정신과 다음에 기재하는 특허 청구의 범위 내에서 다양하게 변경 실시 가능하다.

Claims (5)

  1. 2층 이상의 자성층으로 이루어지는 기록층을 갖고, 상기 기록층의 제1자성층의 교환 정수를 A1, 수직 자기 이방성을 K1, 상기 기록층의 제2자성층의 교환 정수를 A2, 수직 자기 이방성을 K2로 할 때 ｜A1·K1-A2·K2｜0.063(erg2/cm4)의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2자성층이 TbFeCo에 형성되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1자성층을 형성하는 TbFeCo의 조성이 Tb18Fe77Co5이고, 상기 제2자성층을 형성하는 TbFeCo의 조성이 Tb25Fe61Co14인 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  4. 제1항에 있어서, 투광성 기판 상에, 투광성이 있는 유전체층, 상기 기록층, 보호층이 차례로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  5. 제4항에 있어서, 상기 보호층에 아크릴레이트계 수지로 이루어지는 코팅층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
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