JP2707796B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザ光の照射による温度上昇を利用して信
号の記録・消去を行い、磁気光学効果を利用して信号の
再生を行う光磁気記録媒体に関するものである。
従来の技術 光磁気記録媒体はレーザ光照射により記録膜の温度を
局部的に補償温度以上の高温あるいはキュリー温度前後
に上昇させ、照射部の記録膜を外部磁界の向きに磁化さ
せることによって記録消去を行い(熱磁気記録)、記録
消去時のレーザパワーより低いパワーのレーザ光照射に
より記録膜の記録状態(磁化の向き)に応じて反射光あ
るいは透過光の偏光面が回転する状況を検出することに
よって再生を行う。従来の記録方式には、一定強度のレ
ーザ光を照射して記録膜の温度を上昇させ、記録信号に
応じて向きの変調された外部磁界で熱磁気記録する方式
(磁界変調記録方式)および一定強度の外部磁界のもと
で記録信号に応じて強度の変調されたレーザ光を照射し
て記録膜の温度を局部的に上昇させて熱磁気記録する方
式(光変調記録方式)がある。
また、高密度記録をするために光磁気記録媒体の記録
膜には垂直磁気異方性を有する磁性材料が用いられる。
さらに、記録装置の小型化や磁界変調記録方式の場合の
高速記録のために記録消去に必要な外部磁界の小さい光
磁気記録媒体が望ましい。
従来の光磁気記録媒体の記録膜としては比較的容易に
垂直磁気異方性が得られ、比較的磁気光学効果の大きい
TbFeCo膜等の希土類金属−遷移金属系合金膜等がある。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような従来の光磁気記録媒体で
は、消去記録時に再生CN比(記録周波数における再生信
号出力とノイズとの比)を飽和させるために必要な外部
磁界が200(Oe)以上であり、それが記録装置の外部磁
界発生部の負担となって記録装置の小型化や記録の高速
化を妨げているという課題を有していた。
本発明は上記課題に鑑み、従来のTbFeCo膜等の有する
優れた特性を維持しつつ、再生CN比の記録消去磁界特性
を向上させて外部磁界発生部の負担を軽減し、記録装置
の小型化や高速記録を可能にする光磁気記録媒体を提供
するものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の光磁気記録媒体
は、記録膜が垂直磁気異方性を有する重希土類金属−遷
移金属系合金膜からなり、前記合金膜がイットリウムを
含むという構成を備えたものである。
作用 本発明は、TbFeCo膜等の重希土類金属−遷移金属系合
金膜中にイットリウムを添加するという上記構成によっ
て、再生CN比を飽和させるために必要とする記録消去磁
界がイットリウム添加量とともに減少するという事実に
基づき、記録膜の記録消去磁界特性を向上させるもので
ある。
実施例 以下本発明の一実施例の光磁気記録媒体について、図
面を参照しながら説明する。
第1図は、本発明の一実施例における光磁気記録媒体
の構成を示すものである。第1図に於いて、11はガラ
ス,プラスチック等の基板、12および13はZnSeSiO2膜か
らなる保護膜、14はTbFeCoY膜からなる記録膜である。
ここで基板11上の各膜はスパッタリング法あるいは蒸着
法により形成し、各膜厚は保護膜12および保護膜13を80
〜100nm、記録膜14を100nmと設定した。本実施例におい
て記録膜TbFeCoY膜の組成は次のようである。
〔TbX(Fe1-WCoW1-X1-ZYZ (式中Xは0.18<X<0.28,Zは0<Z<0.15,Wは0.05<
W<0.2である。) 以上の構成の光磁気記録媒体の再生CN比の記録消去磁
界依存性のイットリウム添加量による変化の例を第2図
に示す。ここで、再生CN比の記録消去磁界依存性の測定
は光変調記録方式により記録消去を同一磁界で行い、光
磁気記録媒体の移動速度VLは6(m/s),記録周波数FR
は3.33(MHz)である。第2図から明らかなようにTbFeC
o膜中にイットリウムを添加することにより、再生CN比
が飽和するために必要な記録消去磁界を低減することが
できる。
なお、本実施例では記録膜14としてTbFeCoY膜を用い
たが、TbFeCoY膜の代わりに、垂直磁気異方性を有するD
yFeCoY膜,GdTbFe膜,GdTbFeCoY膜等の重希土類金属−遷
移金属系合金膜を用いてもよく、さらにこれらの重希土
類金属−遷移金属系合金膜中に耐腐食性向上のためにP
t,Cr,Ti,Al等の金属元素を添加してもよい。また、保護
膜12,13としてZnSeSiO2膜を用いたが、ZnSeSiO2膜の代
わりにZnS膜等のカルコゲン化物の膜,TaO2膜等の酸化物
の膜,SiN膜等の窒化物の膜あるいはそれらの混合物の膜
を用いてもよい。
さらに、第3図、第4図に示すようなAl膜25、35の金
属反射膜を設けた4層構成から成る光磁気記録媒体の構
造にしても効果がある。また記録膜を多層化した多層構
成の光磁気記録媒体の記録膜として本発明に於ける記録
膜を用いてもよい。
発明の効果 以上のように本発明の光磁気記録媒体は、記録膜が垂
直磁気異方性を有する重希土類金属−遷移金属系合金膜
からなり、前記合金膜がイットリウムを含むという構成
を備えることによって、再生CN比の記録消去磁界特性を
向上させて外部磁界発生部の負担を軽減し、記録装置の
小型化や高速記録を可能にすることができるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に於ける光磁気記録媒体の構
成図、第2図は本発明の一実施例の光磁気記録媒体に於
ける再生CN比の記録消去磁界依存性のイットリウム添加
量による変化を示す特性図、第3図は本発明の別の実施
例における光磁気記録媒体の構成図、第4図は本発明の
他の実施例における光磁気記録媒体の構成図である。 11、21、31……基板、12、13、22、23、32、33……ZnSe
SiO2膜、14、24、34……TbFeFeY膜、25、35……Al膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮武 範夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−34744(JP,A) 特開 昭63−253555(JP,A) 特開 昭61−22608(JP,A) 特開 昭61−222104(JP,A) 特開 昭64−23442(JP,A)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】記録膜が垂直磁気異方性を有する重希土類
    金属−遷移金属系合金膜からなり、前記合金膜が一般式 (RXM1-X1-ZYZ (式中、Rは重希土類金属群のうち少なくとも1種の元
    素、Mは遷移金属群のうち少なくとも1種の元素、Yは
    イットリウムを表わす。)で示される組成を有し、Xは
    0.18<X<0.28,Zは0.05<Z<0.15であることを特徴と
    する光磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】RがTb,Dy及びGdのうち少なくとも1種の
    元素からなり、MがFe,Coのうち少なくとも1種の元素
    からなることを特徴とする請求項1記載の光磁気記録媒
    体。
  3. 【請求項3】RがTbであり、MがFe1-WCoW(式中、Wは
    0.05<W<0.2)であることを特徴とする請求項1記載
    の光磁気記録媒体。
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JPS6115308A (ja) * 1984-07-02 1986-01-23 Hitachi Ltd 光磁気記録材料
JPS6122608A (ja) * 1984-07-11 1986-01-31 Hitachi Ltd 光磁気記録材料
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JPH0670924B2 (ja) * 1984-11-12 1994-09-07 住友特殊金属株式会社 垂直磁気記録媒体
JPS63253555A (ja) * 1987-01-14 1988-10-20 ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング カンパニー 安定な磁気光記録媒体

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