JP2712829B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光強度変調ダイレクト・オーバーライト
可能な光磁気記録媒体に関するものである。
可能な光磁気記録媒体に関するものである。
第６図は、例えばJournal of Applied Physics vol.6
7 No.9 part II A,（1.May.90,pp.4415〜4416に示され
た従来の光磁気記録媒体の構成図および記録・再生時の
光ビームである。（１）は半導体レーザ等より出射され
レンズにより集光された光ビーム、（２）はHbの磁界を
発生させる外部磁界発生装置、（３）はガラスまたはプ
ラスチックの透明基板、（４）〜（７）は互いに交換結
合した４層の磁性層であり、（４）が第１磁性層、
（５）が第２磁性層、（６）が第３磁性層、（７）が第
４磁性層である。
7 No.9 part II A,（1.May.90,pp.4415〜4416に示され
た従来の光磁気記録媒体の構成図および記録・再生時の
光ビームである。（１）は半導体レーザ等より出射され
レンズにより集光された光ビーム、（２）はHbの磁界を
発生させる外部磁界発生装置、（３）はガラスまたはプ
ラスチックの透明基板、（４）〜（７）は互いに交換結
合した４層の磁性層であり、（４）が第１磁性層、
（５）が第２磁性層、（６）が第３磁性層、（７）が第
４磁性層である。
次に、ダイレクト・オーバーライトのメカニズムにつ
いて説明する。第７図（ａ）は、ある温度での遷移金属
副格子磁化の方向を示し、第７図（ｂ）に記録時（P
HIGH，PLOW）と再生時（PREAD）の３値変調される光ビ
ームの光強度を示している。PREADは非常に小さなパワ
ーのため磁化状態（記録状態）は変化しないが、PLOW,P
HIGHでは記録膜の温度が上昇し、その最高到達温度はT
LOW、THIGHとなり、以後冷却時の磁化状態の変化により
“0"または“1"の記録が行われ、それぞれ“低パワー・
プロセス”と“高パワー・プロセス”と呼び、この２つ
について説明する。なお、図７（ａ）において、Tc1は
第１磁性層のキュリー温度、Tc2は第２磁性層のキュリ
ー温度、Tc3は第３磁性層のキュリー温度、TAは室温で
あり、Tc2＞Tc1＞Tc3であり、THIGHはTc2近傍、TLOWはT
c1近傍である。第７図（ａ）からわかるように、低パワ
ープロセスにおいては媒体温度がTLOWまで上昇し、第２
磁性層（５）と第４磁性層（７）はその遷移金属副格子
磁化の方向に変化なく上向であり、その後の冷却時に第
１磁性層（４）は第２磁性層（５）からの交換力により
遷移金属副格子磁化の方向は揃い上向きとなり“0"が記
録される。また、第７図（ａ）からわかるように、“高
パワー・プロセス”においては媒体温度がTHIGHまで、
つまり第２磁性層（５）のキュリー温度Tc2近傍まで上
昇し、この時第４磁性層（７）のみが遷移金属副格子磁
化の方向は上向きとなっている。このことから、第７図
には示していないが、第４磁性層のキュリー温度をTc4
とすると、Tc4＞Tc2である。その後の冷却時に外部磁界
発生装置（２）による磁界Hbにより第２磁性層（５）の
遷移金属副格子磁化の方向が下向きとなり、次に第１磁
性層（４）が“低パワー・プロセス”同様に第２磁性層
（５）からの交換力により下向きになる。そして、室温
近傍において第２磁性層（５）が第３磁性層（６）から
の交換力により上向きとなる初期化過程が起こるが、第
１磁性層（４）はこの時点では交換力による反転はなく
下向きを保ち“1"が記録される。以上のことから、第１
磁性層から第４磁性層が順次積層され、それぞれの層が
互いに交換結合されるとともに、各磁性層のキュリー温
度がTc2＞Tc1,Tc3、Tc4＞Tc2であることにより、光強度
変調方式によりダイレクト・オーバーライトが可能とな
ることが示される。
いて説明する。第７図（ａ）は、ある温度での遷移金属
副格子磁化の方向を示し、第７図（ｂ）に記録時（P
HIGH，PLOW）と再生時（PREAD）の３値変調される光ビ
ームの光強度を示している。PREADは非常に小さなパワ
ーのため磁化状態（記録状態）は変化しないが、PLOW,P
HIGHでは記録膜の温度が上昇し、その最高到達温度はT
LOW、THIGHとなり、以後冷却時の磁化状態の変化により
“0"または“1"の記録が行われ、それぞれ“低パワー・
プロセス”と“高パワー・プロセス”と呼び、この２つ
について説明する。なお、図７（ａ）において、Tc1は
第１磁性層のキュリー温度、Tc2は第２磁性層のキュリ
ー温度、Tc3は第３磁性層のキュリー温度、TAは室温で
あり、Tc2＞Tc1＞Tc3であり、THIGHはTc2近傍、TLOWはT
c1近傍である。第７図（ａ）からわかるように、低パワ
ープロセスにおいては媒体温度がTLOWまで上昇し、第２
磁性層（５）と第４磁性層（７）はその遷移金属副格子
磁化の方向に変化なく上向であり、その後の冷却時に第
１磁性層（４）は第２磁性層（５）からの交換力により
遷移金属副格子磁化の方向は揃い上向きとなり“0"が記
録される。また、第７図（ａ）からわかるように、“高
パワー・プロセス”においては媒体温度がTHIGHまで、
つまり第２磁性層（５）のキュリー温度Tc2近傍まで上
昇し、この時第４磁性層（７）のみが遷移金属副格子磁
化の方向は上向きとなっている。このことから、第７図
には示していないが、第４磁性層のキュリー温度をTc4
とすると、Tc4＞Tc2である。その後の冷却時に外部磁界
発生装置（２）による磁界Hbにより第２磁性層（５）の
遷移金属副格子磁化の方向が下向きとなり、次に第１磁
性層（４）が“低パワー・プロセス”同様に第２磁性層
（５）からの交換力により下向きになる。そして、室温
近傍において第２磁性層（５）が第３磁性層（６）から
の交換力により上向きとなる初期化過程が起こるが、第
１磁性層（４）はこの時点では交換力による反転はなく
下向きを保ち“1"が記録される。以上のことから、第１
磁性層から第４磁性層が順次積層され、それぞれの層が
互いに交換結合されるとともに、各磁性層のキュリー温
度がTc2＞Tc1,Tc3、Tc4＞Tc2であることにより、光強度
変調方式によりダイレクト・オーバーライトが可能とな
ることが示される。
以上のような光磁気記録媒体では、第１磁性層は第２
磁性層の交換力の関係などから、TbFeCoを代表とする磁
性層を用いている。
磁性層の交換力の関係などから、TbFeCoを代表とする磁
性層を用いている。
ところで、光磁気記録装置では、高記録密度の達成の
ため記録・再生に用いる光ヘッド（半導体レーザ）の波
長を短くする検討がなされている。しかしながら、従来
の光磁気記録媒体においては現在の波長800nm付近では
再生出力に十分な磁気光学効果（カ−回転角）を有して
いるが、例えば、400nmという現在の波長の半分の波長
に短波長化が達成された場合、カー回転角は現波長で得
られている値の半分以下に減少し、十分な再生出力が得
られないという課題がある。
ため記録・再生に用いる光ヘッド（半導体レーザ）の波
長を短くする検討がなされている。しかしながら、従来
の光磁気記録媒体においては現在の波長800nm付近では
再生出力に十分な磁気光学効果（カ−回転角）を有して
いるが、例えば、400nmという現在の波長の半分の波長
に短波長化が達成された場合、カー回転角は現波長で得
られている値の半分以下に減少し、十分な再生出力が得
られないという課題がある。
本発明は上記のような問題点を解消するために成され
たもので、400nmという現在の波長の半分の波長におい
ても十分な再生出力を得ることのできる光強度変調ダイ
レクト・オーバーライト可能な光磁気記録媒体を得るこ
とを目的としている。
たもので、400nmという現在の波長の半分の波長におい
ても十分な再生出力を得ることのできる光強度変調ダイ
レクト・オーバーライト可能な光磁気記録媒体を得るこ
とを目的としている。
請求項1.3に記載の光磁気記録媒体は、基板上に垂直
磁気異方性を有する第０磁性層から第４磁性層までの５
層が順次積層され、それぞれの隣接する層は互いに交換
結合され、 Tc2＞Tc1,Tc3 Tc4＞Tc2 ただし、Tc1：第１磁性層のキュリー温度 Tc2：第２磁性層のキュリー温度 Tc3：第３磁性層のキュリー温度 Tc4：第４磁性層のキュリー温度 を満たす光強度変調方式によりダイレクト・オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であって、上記第０磁性層が
Nd（ネオジウム）を含む希土類−遷移金属合金膜である
ものや、上記第０磁性層がPtまたはPdとCoを交互に積層
した磁性層のものである。
磁気異方性を有する第０磁性層から第４磁性層までの５
層が順次積層され、それぞれの隣接する層は互いに交換
結合され、 Tc2＞Tc1,Tc3 Tc4＞Tc2 ただし、Tc1：第１磁性層のキュリー温度 Tc2：第２磁性層のキュリー温度 Tc3：第３磁性層のキュリー温度 Tc4：第４磁性層のキュリー温度 を満たす光強度変調方式によりダイレクト・オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であって、上記第０磁性層が
Nd（ネオジウム）を含む希土類−遷移金属合金膜である
ものや、上記第０磁性層がPtまたはPdとCoを交互に積層
した磁性層のものである。
請求項２に記載の光磁気記録媒体は、請求項１の光磁
気記録媒体であって、Nd（ネオジウム）を含む希土類−
遷移金属合金膜がNdTbFeCo、NdDyFeCo、NdGdFeCoであ
り、NdのFeCoに対する添加量が20at％（原子％）以下で
あることを特徴とするものである。請求項４に記載の光
磁気記録媒体は、請求項３の光磁気記録媒体であって、
第０磁性層のキュリー温度が第１磁性層のキュリー温度
よりも低いことを特徴とするものである。
気記録媒体であって、Nd（ネオジウム）を含む希土類−
遷移金属合金膜がNdTbFeCo、NdDyFeCo、NdGdFeCoであ
り、NdのFeCoに対する添加量が20at％（原子％）以下で
あることを特徴とするものである。請求項４に記載の光
磁気記録媒体は、請求項３の光磁気記録媒体であって、
第０磁性層のキュリー温度が第１磁性層のキュリー温度
よりも低いことを特徴とするものである。
この発明における光磁気記録媒体は、第１磁性層に隣
接して第１磁性層と交換結合しているNd含む希土類−遷
移金属合金膜からなる層又はPtもしくはPdとCoを交互に
積層された磁性層（第０磁性層）を設けたため、光強度
変調方式によりダイレクト・オーバーライト可能であ
り、かつ短波長においても十分な再生出力を得ることが
できる。
接して第１磁性層と交換結合しているNd含む希土類−遷
移金属合金膜からなる層又はPtもしくはPdとCoを交互に
積層された磁性層（第０磁性層）を設けたため、光強度
変調方式によりダイレクト・オーバーライト可能であ
り、かつ短波長においても十分な再生出力を得ることが
できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図に本発明の光磁気記録媒体の構成を示す。（３）は
ガラスまたはプラスチックの透明基板、（４）〜（７）
は互いに交換結合した４層の磁性層であり、（４）が第
１磁性層、（５）が第２磁性層、（６）が第３磁性層、
（７）が第４磁性層であり、（８）が第０磁性層であ
る。この発明の一実施例は透明基板（３）上に第０磁性
層（８）、第１磁性層（４）、第２磁性層（５）と順次
スパッタ法により成膜されている。
１図に本発明の光磁気記録媒体の構成を示す。（３）は
ガラスまたはプラスチックの透明基板、（４）〜（７）
は互いに交換結合した４層の磁性層であり、（４）が第
１磁性層、（５）が第２磁性層、（６）が第３磁性層、
（７）が第４磁性層であり、（８）が第０磁性層であ
る。この発明の一実施例は透明基板（３）上に第０磁性
層（８）、第１磁性層（４）、第２磁性層（５）と順次
スパッタ法により成膜されている。
実施例１ 基 板:1.2mm溝付きガラス基板 誘電体層 :SiNx 第０磁性層:NdTbFeCo4元系非晶質合金 Nd10Tb10Fe40Co40 膜厚:100Å 第１磁性層:TbFeCo3元系非晶質合金 Tb22Fe69Co9 膜厚:600Å 第２磁性層:GdDyFeCo4元系非晶質合金 Gd8Dy17Fe60Co15 膜厚:1000Å 第３磁性層:TbFeCo3元系非晶質合金 Tb18Fe78Co4 膜厚:200Å 第４磁性層:TbCo2元系非晶質合金 Tb30Co70 膜厚:400Å 保 護 層:SiNx 実施例１の光磁気記録媒体を用い、光変調ダイレクト
・オーバーライトの動作確認を行ったところ、ビット長
２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を線速11m/se
c印加磁界300 Oe,光ビーム強度13mWと5mWでダイレクト
・オーバーライトし、波長532nmの再生光で再生したと
ころCN比47dBが得られた。
・オーバーライトの動作確認を行ったところ、ビット長
２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を線速11m/se
c印加磁界300 Oe,光ビーム強度13mWと5mWでダイレクト
・オーバーライトし、波長532nmの再生光で再生したと
ころCN比47dBが得られた。
比較例として実施例１の光磁気記録媒体で第０層を省
いた媒体で同様な測定を行った場合は、CN比40dBであっ
た。
いた媒体で同様な測定を行った場合は、CN比40dBであっ
た。
第２図に実施例１と比較例の媒体のカー回転角の波長
依存性を示す。波長800nm付近では同程度であるが、400
〜500nmでは、実施例１のほうが比較例に比べ約２倍の
カー回転角を示す。
依存性を示す。波長800nm付近では同程度であるが、400
〜500nmでは、実施例１のほうが比較例に比べ約２倍の
カー回転角を示す。
第３図には第０磁性層のFeCoに対するNdの添加量を種
々変化させた時のカーループを示す。NdがFeCoとの比で
20at％をこえるとループがななめになるため、安定した
記録ビットの保持ができなくなり、雑音が上昇し良好な
CN比を得ることができなくなる。したがって、FeCoに対
するNdの添加量は20at％を越えないことが望ましい。
々変化させた時のカーループを示す。NdがFeCoとの比で
20at％をこえるとループがななめになるため、安定した
記録ビットの保持ができなくなり、雑音が上昇し良好な
CN比を得ることができなくなる。したがって、FeCoに対
するNdの添加量は20at％を越えないことが望ましい。
なお、本実施例では第０磁性層にNdTbFeCo層を用いた
が、NdDyFeCo層、NdGdFeCo層でも同様の結果が得られ
た。
が、NdDyFeCo層、NdGdFeCo層でも同様の結果が得られ
た。
実施例２ 基 板:1.2mm溝付きガラス基板 誘電体層 ：SiNx 第０磁性層:Pt/Co積層磁性膜 Pt（20Å）/Co（５Å） 膜厚:150Å 第１磁性層:TbFeCo3元系非晶質合金 Tb22Fe69Co9 膜厚:600Å 第２磁性層:GdDyFeCo4元系非晶質合金 Gd8Dy17Fe60Co15 膜厚:1000Å 第３磁性層:TbFeCo3元系非晶質合金 Tb16Fe78Co4 膜厚:200Å 第４磁性層:TbCo2元系非晶質合金 Tb30Co70 膜厚:400Å 保 護 層:SiNx 実施例２の光磁気記録媒体を用い、光変調ダイレクト
・オーバーライトの動作確認を行ったところ、ビット長
２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を線速11m/se
c印加磁界300 Oe,光ビーム強度13mWと5mWでダイレクト
・オーバーライトし、波長532nmの再生光で再生したと
ころCN比46dBが得られた。
・オーバーライトの動作確認を行ったところ、ビット長
２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を線速11m/se
c印加磁界300 Oe,光ビーム強度13mWと5mWでダイレクト
・オーバーライトし、波長532nmの再生光で再生したと
ころCN比46dBが得られた。
第４図に第２図と同様に実施例２と比較例の媒体のカ
ー回転角の波長依存性を示す。波長800nm付近ではわず
かに大きなカー回転角を示すが、400〜500nmでは、実施
例２のほうが比較例に比べ約２倍のカー回転角を示す。
ー回転角の波長依存性を示す。波長800nm付近ではわず
かに大きなカー回転角を示すが、400〜500nmでは、実施
例２のほうが比較例に比べ約２倍のカー回転角を示す。
第５図には第０磁性層のPt/Co積層膜の膜厚を変えな
いで、積層周期を種々変化させてキュリー温度を変えた
時のCN比の変化を示す。第１磁性層のキュリー温度は20
0℃であり、この結果より第０磁性層のキュリー温度が
第１磁性層のキュリー温度より低い場合に良好な特性を
示す。この原因は第０磁性層のキュリー温度が第１磁性
層のキュリー温度より高い場合、第１磁性層に記録され
るビットが第０磁性層の磁化の影響を受けて乱されるた
め、雑音が上昇からである。このため第０磁性層のキュ
リー温度が第１磁性層のキュリー温度より低いほうが望
ましい。なお、本実施例では光の照射方向にPtとCoを積
層したPt/Co積層膜を第０磁性層に用いたが、Pd/Co積層
膜でも同様な結果が得られている。
いで、積層周期を種々変化させてキュリー温度を変えた
時のCN比の変化を示す。第１磁性層のキュリー温度は20
0℃であり、この結果より第０磁性層のキュリー温度が
第１磁性層のキュリー温度より低い場合に良好な特性を
示す。この原因は第０磁性層のキュリー温度が第１磁性
層のキュリー温度より高い場合、第１磁性層に記録され
るビットが第０磁性層の磁化の影響を受けて乱されるた
め、雑音が上昇からである。このため第０磁性層のキュ
リー温度が第１磁性層のキュリー温度より低いほうが望
ましい。なお、本実施例では光の照射方向にPtとCoを積
層したPt/Co積層膜を第０磁性層に用いたが、Pd/Co積層
膜でも同様な結果が得られている。
以上のように、この発明によれば、基板上に垂直磁気
異方性を有する第０磁性層から第４磁性層までの５層が
順次積層され、それぞれの隣接する層は互いに交換結合
され、 Tc2＞Tc1,Tc3 Tc4＞Tc2 ただし、Tc1：第１磁性層のキュリー温度 Tc2：第２磁性層のキュリー温度 Tc3：第３磁性層のキュリー温度 Tc4：第４磁性層のキュリー温度 を満たす光強度変調方式によりダイレクト・オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であって、上記第０磁性層が
Nd（ネオジウム）を含む希土類−遷移金属合金膜や、上
記第０磁性層がPtまたはPdとCoを交互に積層した磁性層
であることにより、光強度変調方式によりダイレクト・
オーバーライト可能であり、かつ短波長においても十分
な再生出力を得ることができる。
異方性を有する第０磁性層から第４磁性層までの５層が
順次積層され、それぞれの隣接する層は互いに交換結合
され、 Tc2＞Tc1,Tc3 Tc4＞Tc2 ただし、Tc1：第１磁性層のキュリー温度 Tc2：第２磁性層のキュリー温度 Tc3：第３磁性層のキュリー温度 Tc4：第４磁性層のキュリー温度 を満たす光強度変調方式によりダイレクト・オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であって、上記第０磁性層が
Nd（ネオジウム）を含む希土類−遷移金属合金膜や、上
記第０磁性層がPtまたはPdとCoを交互に積層した磁性層
であることにより、光強度変調方式によりダイレクト・
オーバーライト可能であり、かつ短波長においても十分
な再生出力を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による光磁気記録媒体の構
成図、第２図は実施例１と比較例の媒体のカー回転角の
波長依存性、第３図は第０磁性層のFeCoに対するNdの添
加量を種々変化させた時のカーループ。第４図は実施例
２と比較例の媒体のカー回転角の波長依存性。第５図は
第０磁性層のPt/Co積層膜の膜厚を変えないで、積層周
期を種々変化させてキュリー温度を変えた時のCN比の変
化、第６図は従来の光磁気記録媒体の構成および記録・
再生時の光ビームを示す状態図、第７図は第６図による
記録媒体の磁化状態を示す図である。（３）はガラスま
たはプラスチックからなる透明基板、（４）は第１磁性
層、（５）は第２磁性層、（６）は第３磁性層、（７）
は第４磁性層、（８）は第０磁性層、（９）は誘電体
層、（10）は保護層である。なお、図中、同一符号は同
一または相当部分を示す。
成図、第２図は実施例１と比較例の媒体のカー回転角の
波長依存性、第３図は第０磁性層のFeCoに対するNdの添
加量を種々変化させた時のカーループ。第４図は実施例
２と比較例の媒体のカー回転角の波長依存性。第５図は
第０磁性層のPt/Co積層膜の膜厚を変えないで、積層周
期を種々変化させてキュリー温度を変えた時のCN比の変
化、第６図は従来の光磁気記録媒体の構成および記録・
再生時の光ビームを示す状態図、第７図は第６図による
記録媒体の磁化状態を示す図である。（３）はガラスま
たはプラスチックからなる透明基板、（４）は第１磁性
層、（５）は第２磁性層、（６）は第３磁性層、（７）
は第４磁性層、（８）は第０磁性層、（９）は誘電体
層、（10）は保護層である。なお、図中、同一符号は同
一または相当部分を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に垂直磁気異方性を有する第０磁性
層から第４磁性層までの５層が順次積層され、それぞれ
の隣接する層は互いに交換結合され、 Tc2＞Tc1,Tc3 Tc4＞Tc2 ただし、Tc1：第１磁性層のキュリー温度 Tc2：第２磁性層のキュリー温度 Tc3：第３磁性層のキュリー温度 Tc4：第４磁性層のキュリー温度 を満たす光強度変調方式によりダイレクト・オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であって、上記第０磁性層が
Nd（ネオジウム）を含む希土類−遷移金属合金膜からな
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】Nd（ネオジウム）を含む希土類−遷移金属
合金膜がNdTbFeCo、NdDyFeCo、NdGdFeCoであり、NdのFe
Coに対する添加量が20at％（原子％）以下であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】基板上に垂直磁気異方性を有する第０磁性
層から第４磁性層までの５層が積層され、それぞれの隣
接する層は互いに交換結合され、 Tc2＞Tc1,Tc3 Tc4＞Tc2 ただし、Tc1：第１磁性層のキュリー温度 Tc2：第２磁性層のキュリー温度 Tc3：第３磁性層のキュリー温度 Tc4：第４磁性層のキュリー温度 を満たす光強度変調方式によりダイレクト・オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体であって、上記第０磁性層が
PtまたはPdとCoを交互に積層した磁性層であることを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】第０磁性層のキュリー温度が第１磁性層の
キュリー温度よりも低いことを特徴とする特許請求の範
囲第３項の光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32427290A JP2712829B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
| US07/757,685 US5191561A (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium including five magnetic layers for direct overriding by light intensity modulation without an external bias field |
| EP91115375A EP0487847A1 (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium |
| EP96113822A EP0750295A3 (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium |
| KR1019910017041A KR950003184B1 (ko) | 1990-11-26 | 1991-09-30 | 광자기 기록매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32427290A JP2712829B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192136A JPH04192136A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2712829B2 true JP2712829B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=18163958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32427290A Expired - Fee Related JP2712829B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
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1990
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