JPH04192136A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04192136A JPH04192136A JP2324272A JP32427290A JPH04192136A JP H04192136 A JPH04192136 A JP H04192136A JP 2324272 A JP2324272 A JP 2324272A JP 32427290 A JP32427290 A JP 32427290A JP H04192136 A JPH04192136 A JP H04192136A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光強度変調ダイレクト・オーバーライト可
能な光磁気記録媒体に関するものである。
能な光磁気記録媒体に関するものである。
第６図は、例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓｖｏｌ、６７ Ｎｏ、９ ｐａｒ
ｔＩ［Ａ、（１，Ｍａｙ、’９０）、 ｐｐ、４４１５
〜４４１６に示された従来の光磁気記録媒体の構成図お
よび記録・再生時の光ビームである。（１）は半導体レ
ーザ等より出射されレンズにより集光された光ビーム、
（２）はＨｂの磁界を発生させる外部磁界発生装置、（
３）はガラスまたはプラスチックの透明基板、（４）〜
（７）は互いに交換結合した４層の磁性層であり、（４
）が第１磁性層、（５）が第２磁性層、（６）が第３磁
性層、（７）が第４磁性層である。
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓｖｏｌ、６７ Ｎｏ、９ ｐａｒ
ｔＩ［Ａ、（１，Ｍａｙ、’９０）、 ｐｐ、４４１５
〜４４１６に示された従来の光磁気記録媒体の構成図お
よび記録・再生時の光ビームである。（１）は半導体レ
ーザ等より出射されレンズにより集光された光ビーム、
（２）はＨｂの磁界を発生させる外部磁界発生装置、（
３）はガラスまたはプラスチックの透明基板、（４）〜
（７）は互いに交換結合した４層の磁性層であり、（４
）が第１磁性層、（５）が第２磁性層、（６）が第３磁
性層、（７）が第４磁性層である。
次に、ダイレクト・オーバーライトのメカニズムについ
て説明する。第７図（ａ）は、ある温度での遷移金属副
格子磁化の方向を示し、第６図（ｂ）に記録時（Ｐ １
４＋ｏ１４． Ｐ Ｌ。Ｗ）と再生時（Ｐ■ＡＤ）の
３値変調される光ビームの光強度を示している。
て説明する。第７図（ａ）は、ある温度での遷移金属副
格子磁化の方向を示し、第６図（ｂ）に記録時（Ｐ １
４＋ｏ１４． Ｐ Ｌ。Ｗ）と再生時（Ｐ■ＡＤ）の
３値変調される光ビームの光強度を示している。
Ｐ ａｍＡｏは非常に小さなパワーのため磁化状態（記
録状態）は変化しないが、Ｐ Ｌｏｗ、 Ｐ 、ｌ＋。
録状態）は変化しないが、Ｐ Ｌｏｗ、 Ｐ 、ｌ＋。
□では記録膜の温度が上昇し、その最高到達温度はＴ
Ｌｏｗ、ＴＩＩＩｏ□となり、以後冷却時の磁化状態の
変化によす０“または１”の記録が行われ、それぞれ“
低パワー・プロセス”と“高パワー・プロセス”と呼び
、この２つについて説明する。°低パワー・プロセス”
においては第２磁性層（５）と第４磁性層（７）はその
遷移金属副格子磁化の方向に変化な（上向であり、その
後の冷却時に第１磁性層（４）は第２磁性層（５）から
の交換力により遷移金属副格子磁化の方向は揃い上向き
となり“０”が記録される。また、“高パワー・プロセ
ス”においては媒体温度かＴ、１１゜、まで、つまり第
２磁性層（５）のキュリー温度Ｔｃ、近傍まで上昇する
ため第４磁性層（７）のみが遷移金属副格子磁化の方向
は上向きとなっている。
Ｌｏｗ、ＴＩＩＩｏ□となり、以後冷却時の磁化状態の
変化によす０“または１”の記録が行われ、それぞれ“
低パワー・プロセス”と“高パワー・プロセス”と呼び
、この２つについて説明する。°低パワー・プロセス”
においては第２磁性層（５）と第４磁性層（７）はその
遷移金属副格子磁化の方向に変化な（上向であり、その
後の冷却時に第１磁性層（４）は第２磁性層（５）から
の交換力により遷移金属副格子磁化の方向は揃い上向き
となり“０”が記録される。また、“高パワー・プロセ
ス”においては媒体温度かＴ、１１゜、まで、つまり第
２磁性層（５）のキュリー温度Ｔｃ、近傍まで上昇する
ため第４磁性層（７）のみが遷移金属副格子磁化の方向
は上向きとなっている。
その後の冷却時に外部磁界発生装ｆｌ（２）による磁界
Ｈｂにより第２磁性層（５）の遷移金属副格子磁化の方
向が下向きとなり、次に第１磁性層（４）が“低パワー
・プロセス”同様に第２磁性層（５）からの交換力によ
り下向きになる。そして、室温近傍において第２磁性層
（５）が第３磁性層（６）からの交換力により上向きと
なる初期化過程か起こるが、第１磁性層（４）はこの時
点では交換力による反転はなく下向きを保ち“ｌ”が記
録される。
Ｈｂにより第２磁性層（５）の遷移金属副格子磁化の方
向が下向きとなり、次に第１磁性層（４）が“低パワー
・プロセス”同様に第２磁性層（５）からの交換力によ
り下向きになる。そして、室温近傍において第２磁性層
（５）が第３磁性層（６）からの交換力により上向きと
なる初期化過程か起こるが、第１磁性層（４）はこの時
点では交換力による反転はなく下向きを保ち“ｌ”が記
録される。
以上のような光磁気記録媒体ては、第１磁性層は第２磁
性層の交換力の関係なとから、ＴｂＦｅＣｏを代表とす
る磁性層を用いている。
性層の交換力の関係なとから、ＴｂＦｅＣｏを代表とす
る磁性層を用いている。
ところで、光磁気記録装置では、高記録密度の達成のた
め記録・再生に用いる光ヘッド（半導体レーザ）の波長
を短くする検討がなされている。
め記録・再生に用いる光ヘッド（半導体レーザ）の波長
を短くする検討がなされている。
しかしながら、従来の光磁気記録媒体においては現在の
波長８００ｒ＋ｍ付近では再生出力に十分な磁気光学効
果（カー回転角）を有しているが、例えば、４００ｎｍ
という現在の波長の半分の波長に短波長化が達成された
場合、カー回転角は現波長で得られている値の半分以下
に減少し、十分な再生出力が得られないという課題があ
る。
波長８００ｒ＋ｍ付近では再生出力に十分な磁気光学効
果（カー回転角）を有しているが、例えば、４００ｎｍ
という現在の波長の半分の波長に短波長化が達成された
場合、カー回転角は現波長で得られている値の半分以下
に減少し、十分な再生出力が得られないという課題があ
る。
本発明は上記のような問題点を解消するために成された
もので、４００ｎｍという現在の波長の半分の波長にお
いても十分な再生出力を得ることのできる光強度変調ダ
イレクト・オーバーライト可能な光磁気記録媒体を得る
ことを目的としている。
もので、４００ｎｍという現在の波長の半分の波長にお
いても十分な再生出力を得ることのできる光強度変調ダ
イレクト・オーバーライト可能な光磁気記録媒体を得る
ことを目的としている。
請求項１．３に記載の光磁気記録媒体は、垂直磁気異方
性を有する第１磁性層から第４磁性層までの４層が積層
され、それぞれの隣接する層は互いに交換結合されてい
る光強度変調方式によりダイレクト・オーバーライト可
能な光磁気記録媒体において、光ビームが最初に入射す
る第１磁性層に隣接 し、かつ、光の照射方向に第１磁
性層と交換結合しているＮｄ含む希土類−遷移金属合金
膜からなる層又はＰｔもしくはＰｄとＣＯを交互に積層
された磁性層を設けたものである。
性を有する第１磁性層から第４磁性層までの４層が積層
され、それぞれの隣接する層は互いに交換結合されてい
る光強度変調方式によりダイレクト・オーバーライト可
能な光磁気記録媒体において、光ビームが最初に入射す
る第１磁性層に隣接 し、かつ、光の照射方向に第１磁
性層と交換結合しているＮｄ含む希土類−遷移金属合金
膜からなる層又はＰｔもしくはＰｄとＣＯを交互に積層
された磁性層を設けたものである。
請求項２に記載の光磁気記録媒体は、請求項１の光磁気
記録媒体であって、Ｎｄ（ネオジウム）を含む希土類−
遷移金属合金膜がＮｄＴｂＦｅＣｏ、 ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏであり、ＮｄのＦｅＣｏに対する
添加量が２０８ｔ％（原子９６）以下であること特徴と
するものである。
記録媒体であって、Ｎｄ（ネオジウム）を含む希土類−
遷移金属合金膜がＮｄＴｂＦｅＣｏ、 ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏであり、ＮｄのＦｅＣｏに対する
添加量が２０８ｔ％（原子９６）以下であること特徴と
するものである。
請求項に記載の光磁気記録媒体は、請求項１の光磁気記
録媒体であって、ＰｔまたはＰｄとＣＯを交互に積層さ
れた磁性層のキュリー温度が第１磁性層のキュリー温度
よりも低いことを特徴とするものである。
録媒体であって、ＰｔまたはＰｄとＣＯを交互に積層さ
れた磁性層のキュリー温度が第１磁性層のキュリー温度
よりも低いことを特徴とするものである。
この発明における光磁気記録媒体は、第１磁性層に隣接
して第１磁性層と交換結合しているＮｄ含む希土類−遷
移金属合金膜からなる層又はＰｔもしくは、ＰｄとＣｏ
を交互に積層された磁性層（第０磁性層）を設けたちの
ため、光強度変調方式によりダイレクト・オーバーライ
ト可能であり、かつ短波長においても十分な再生出力を
得ることができる。
して第１磁性層と交換結合しているＮｄ含む希土類−遷
移金属合金膜からなる層又はＰｔもしくは、ＰｄとＣｏ
を交互に積層された磁性層（第０磁性層）を設けたちの
ため、光強度変調方式によりダイレクト・オーバーライ
ト可能であり、かつ短波長においても十分な再生出力を
得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図に本発明の光磁気記録媒体の構成を示す。（３）はガ
ラスまたはプラスチックの透明基板、（４）〜（７）は
互いに交換結合した４層の磁性層であり、（４）が第１
磁性層、（５）が第２磁性圏、（６）が第３磁性層、（
７）が第４磁性層であり、（８）が第０磁性層である。
図に本発明の光磁気記録媒体の構成を示す。（３）はガ
ラスまたはプラスチックの透明基板、（４）〜（７）は
互いに交換結合した４層の磁性層であり、（４）が第１
磁性層、（５）が第２磁性圏、（６）が第３磁性層、（
７）が第４磁性層であり、（８）が第０磁性層である。
この発明の一実施例は透明基板（３）上に第Ｏ磁性層（
８）、第１磁性層（４）、第２磁性層（５）と順次スパ
ッタ法により成膜されている。
８）、第１磁性層（４）、第２磁性層（５）と順次スパ
ッタ法により成膜されている。
実施例１
基板 ： １．２ｍｍ溝付きガラス基板誘電体層
： ＳｉＮｘ 第Ｏ磁性層： ＮｄＴｂＦｅＣｏ ４元系非晶質合金Ｎ
ｄ１６Ｔｂ＋ｏＦｅ４ｏＣＯ４ｏ 膜厚：１００人
第１磁性層： ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金Ｔｂ２２
ＦｅｓｓＣＯｓ 膜厚： ６００人第２磁性
層： ＧｄＤｙＦｅＣｏ ４元系非晶質合金Ｇｄ５Ｄｙ
＋ｔＦｅｓ＊ＣＯ＋ｓ 膜厚： １０００人第３
磁性層： ＴｂＰｅＣｏ３元系非晶質合金ＴｂｚＦｅｓ
４ 膜厚：２００人第４磁性層：Ｔｂ
Ｃｏ２元系非晶質合金Ｔｂ＊ｏＣＯｖａ
膜厚：４００人保護ＩＩ ：ＳｉＮｘ 実施例１の光磁気記録媒体を用い、光変調ダイレクト・
オーバーライトの動作確認を行ったところ、ビット長２
μｍの信号上にビット長０．７６μｍの信号を線速１１
ｍ／ｓｅｃ印加磁界３０００ｅ、光ビーム強度１３ｍＷ
と５ｍＷでダイレクト・オーバーライトし、波長５３２
ｎｍの再生光で再生したところＣＮ比４７ｄＢが得られ
た。
： ＳｉＮｘ 第Ｏ磁性層： ＮｄＴｂＦｅＣｏ ４元系非晶質合金Ｎ
ｄ１６Ｔｂ＋ｏＦｅ４ｏＣＯ４ｏ 膜厚：１００人
第１磁性層： ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金Ｔｂ２２
ＦｅｓｓＣＯｓ 膜厚： ６００人第２磁性
層： ＧｄＤｙＦｅＣｏ ４元系非晶質合金Ｇｄ５Ｄｙ
＋ｔＦｅｓ＊ＣＯ＋ｓ 膜厚： １０００人第３
磁性層： ＴｂＰｅＣｏ３元系非晶質合金ＴｂｚＦｅｓ
４ 膜厚：２００人第４磁性層：Ｔｂ
Ｃｏ２元系非晶質合金Ｔｂ＊ｏＣＯｖａ
膜厚：４００人保護ＩＩ ：ＳｉＮｘ 実施例１の光磁気記録媒体を用い、光変調ダイレクト・
オーバーライトの動作確認を行ったところ、ビット長２
μｍの信号上にビット長０．７６μｍの信号を線速１１
ｍ／ｓｅｃ印加磁界３０００ｅ、光ビーム強度１３ｍＷ
と５ｍＷでダイレクト・オーバーライトし、波長５３２
ｎｍの再生光で再生したところＣＮ比４７ｄＢが得られ
た。
比較例として実施例１の光磁気記録媒体で第０層を省い
た媒体で同様な測定を行った場合は、ＣＮ比４０ｄＢで
あった。
た媒体で同様な測定を行った場合は、ＣＮ比４０ｄＢで
あった。
第２図に実施例１と比較例の媒体のカー回転角の波長依
存性を示す。波長８００ｎｍ付近では同程度であるが、
４００〜５００ｎｍでは、実施例１のほうが比較例に比
べ約２倍のカー回転角を示す。
存性を示す。波長８００ｎｍ付近では同程度であるが、
４００〜５００ｎｍでは、実施例１のほうが比較例に比
べ約２倍のカー回転角を示す。
第３図には第Ｏ磁性層のＦｅＣｏに対するＮｄの添加量
を種々変化させた時のカーループを示す。ＮｄがＦｅＣ
ｏとの比で２０８ｔ％をこえるとループがななめになる
ため、安定した記録ビットの保持ができなくなり、雑音
が上昇し良好なＣＮ比を得ることができなくなる。した
がって、ＰｅＣｏに対するＮｄの添加量は２０ａ ｔ％
を越えないことが望ましい。
を種々変化させた時のカーループを示す。ＮｄがＦｅＣ
ｏとの比で２０８ｔ％をこえるとループがななめになる
ため、安定した記録ビットの保持ができなくなり、雑音
が上昇し良好なＣＮ比を得ることができなくなる。した
がって、ＰｅＣｏに対するＮｄの添加量は２０ａ ｔ％
を越えないことが望ましい。
なお、本実施例では第０磁性層にＮｄＴｂＦｅＣｏ層を
用いたが、ＮｄＤｙＦｅＣｏ層、ＮｄＧｄＦｅＣｏ層で
も同様の結果が得られた。
用いたが、ＮｄＤｙＦｅＣｏ層、ＮｄＧｄＦｅＣｏ層で
も同様の結果が得られた。
実施例２
基板 ：１．２ｍｍ溝付きガラス基板誘電体層 ：
ＳｉＮ工 第Ｏ磁性層： Ｐｔ／Ｇｏ積層磁性膜 Ｐ ｔ （２０人） ／Ｃｏ（５人） 膜厚：１５０人
第１磁性層： ＴｂＦｅＣｏ ３元系非晶質合金Ｔｂ＊
２Ｆｅ、ＣＯ＊ 膜厚：６００人第２磁性層：
ＧｄＤｙＦｅＣｏ ４元系非晶質合金Ｇｄ５Ｄ）’ｔ
ｔＦｅｓｏｃＯ４膜厚： １０００人第３磁性層： Ｔ
ｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金Ｔｂ＋ａＦｅｓｉ
膜厚：２００人第４磁性層：ＴｂＣｏ２元系非晶
質合金Ｔｂ−ｅＣＯｔｏ 膜厚；４００人
保護眉 ： ＳｉＮｘ 実施例２の光磁気記録媒体を用い、光変調ダイレクト・
オーバーライトの動作確認を行ったところ、ビット長２
μｍの信号上にビット長０．７６μｍの信号を線速１１
ｒｎ／ｓｅｅ印加磁界３０００ｅ、光ビーム強度１３ｍ
Ｗと５ｍＷでダイレクト・オーバーライトし、波長５３
２ｎｍの再生光で再生したところＣＮ比４６ｄＢが得ら
れた。
ＳｉＮ工 第Ｏ磁性層： Ｐｔ／Ｇｏ積層磁性膜 Ｐ ｔ （２０人） ／Ｃｏ（５人） 膜厚：１５０人
第１磁性層： ＴｂＦｅＣｏ ３元系非晶質合金Ｔｂ＊
２Ｆｅ、ＣＯ＊ 膜厚：６００人第２磁性層：
ＧｄＤｙＦｅＣｏ ４元系非晶質合金Ｇｄ５Ｄ）’ｔ
ｔＦｅｓｏｃＯ４膜厚： １０００人第３磁性層： Ｔ
ｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金Ｔｂ＋ａＦｅｓｉ
膜厚：２００人第４磁性層：ＴｂＣｏ２元系非晶
質合金Ｔｂ−ｅＣＯｔｏ 膜厚；４００人
保護眉 ： ＳｉＮｘ 実施例２の光磁気記録媒体を用い、光変調ダイレクト・
オーバーライトの動作確認を行ったところ、ビット長２
μｍの信号上にビット長０．７６μｍの信号を線速１１
ｒｎ／ｓｅｅ印加磁界３０００ｅ、光ビーム強度１３ｍ
Ｗと５ｍＷでダイレクト・オーバーライトし、波長５３
２ｎｍの再生光で再生したところＣＮ比４６ｄＢが得ら
れた。
第４図に第２図と同様に実施例２と比較例の媒体のカー
回転角の波長依存性を示す。波長８００ｎｍ付近ではわ
ずかに大きなカー回転角を示すが、４００〜５００ｎｍ
では、実施例２のほうが比較例に比べ約２倍のカー回転
角を示す。
回転角の波長依存性を示す。波長８００ｎｍ付近ではわ
ずかに大きなカー回転角を示すが、４００〜５００ｎｍ
では、実施例２のほうが比較例に比べ約２倍のカー回転
角を示す。
第５図には第０磁性層のＰｔ／Ｃｏ積層膜の膜厚を変え
ないで、積層周期を種々変化させてキュリー温度を変え
た時のＣＮ比の変化を示す。第１磁性層のキュリー温度
は２００℃であり、この結果より第０磁性層のキュリー
温度が第１磁性層のキュリー温度より低い場合に良好な
特性を示す。この原因は第０磁性層のキュリー温度が第
１磁性層のキュリー温度より高い場合、第１磁性層に記
録されるビットが第０磁性層の磁化の影響を受けて乱さ
れるため、雑音が上昇からである。このため第０磁性層
のキュリー温度が第１磁性層のキュリー温度より低いほ
うが望ましい。 なお、本実施例ではＰｔ／Ｃｏ積層膜
を第Ｏ磁性層に用いたが、Ｐｄ／Ｃｏ積層膜でも同様な
結果が得られている。
ないで、積層周期を種々変化させてキュリー温度を変え
た時のＣＮ比の変化を示す。第１磁性層のキュリー温度
は２００℃であり、この結果より第０磁性層のキュリー
温度が第１磁性層のキュリー温度より低い場合に良好な
特性を示す。この原因は第０磁性層のキュリー温度が第
１磁性層のキュリー温度より高い場合、第１磁性層に記
録されるビットが第０磁性層の磁化の影響を受けて乱さ
れるため、雑音が上昇からである。このため第０磁性層
のキュリー温度が第１磁性層のキュリー温度より低いほ
うが望ましい。 なお、本実施例ではＰｔ／Ｃｏ積層膜
を第Ｏ磁性層に用いたが、Ｐｄ／Ｃｏ積層膜でも同様な
結果が得られている。
以上のように、この発明によれば第１磁性層に隣接して
第１磁性層と交換結合しているＮｄ含む希土類−遷移金
属合金膜からなる層又はＰ【もしくはＰｄとＣＯを交互
に積層された磁性層（第０磁性層）を設けたちのため、
光強度変調方式によりダイレクト・オーバーライト可能
であり、かつ短波長においても十分な再生出力を得るこ
とができる。
第１磁性層と交換結合しているＮｄ含む希土類−遷移金
属合金膜からなる層又はＰ【もしくはＰｄとＣＯを交互
に積層された磁性層（第０磁性層）を設けたちのため、
光強度変調方式によりダイレクト・オーバーライト可能
であり、かつ短波長においても十分な再生出力を得るこ
とができる。
第１図はこの発明の一実施例による光磁気記録媒体の構
成図、第２図は実施例１と比較例の媒体のカー回転角の
波長依存性、第３図は第０磁性層のＦｅＣｏに対するＮ
ｄの添加量を種々変化させた時のカーループ。第４図は
実施例２と比較例の媒体のカー回転角の波長依存性。第
５図は第０磁性層のＰｔ／Ｃｏ積層膜の膜厚を変えない
で、積層周期を種々変化させてキュリー温度を変えた時
のＣＮ比の変化。（３）はガラスまたはプラスチックか
らなる透明基板、（４）は第１磁性層、（５）は第２磁
性層、（６）は第３磁性層、（７）は第４磁性層、（８
）は第Ｏ磁性層、（９）は誘電体層、ＱＯＩは保護層で
ある。なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
成図、第２図は実施例１と比較例の媒体のカー回転角の
波長依存性、第３図は第０磁性層のＦｅＣｏに対するＮ
ｄの添加量を種々変化させた時のカーループ。第４図は
実施例２と比較例の媒体のカー回転角の波長依存性。第
５図は第０磁性層のＰｔ／Ｃｏ積層膜の膜厚を変えない
で、積層周期を種々変化させてキュリー温度を変えた時
のＣＮ比の変化。（３）はガラスまたはプラスチックか
らなる透明基板、（４）は第１磁性層、（５）は第２磁
性層、（６）は第３磁性層、（７）は第４磁性層、（８
）は第Ｏ磁性層、（９）は誘電体層、ＱＯＩは保護層で
ある。なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
Claims (4)
- （１）基板上に垂直磁気異方性を有する第１磁性層から
第４磁性層までの４層が積層され、それぞれの隣接する
層は互いに交換結合されている光強度変調方式によりダ
イレクト・オーバーライト可能な光磁気記録媒体におい
て、光ビームが最初に入射する第１磁性層に隣接し、か
つ、光の照射方向にＮｄ（ネオジウム）を含む希土類−
遷移金属合金膜からなる層を有し、この層が第１磁性層
と交換結合していることを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）Ｎｄ（ネオジウム）を含む希土類−遷移金属合金
膜がＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦ
ｅＣｏであり、ＮｄのＦｅＣｏに対する添加量が２０ａ
ｔ％（原子％）以下であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項の光磁気記録媒体。 - （３）垂直磁気異方性を有する第１磁性層から第４磁性
層までの４層が積層され、それぞれの隣接する層は互い
に交換結合されている光強度変調方式によりダイレクト
・オーバーライト可能な光磁気記録媒体において、光ビ
ームが最初に入射する第１磁性層に隣接し、かつ、光の
照射方向にＰｔまたはＰｄとＣｏを交互に積層された磁
性層を有し、この層が第１磁性層と交換結合しているこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - （４）ＰｔまたはＰｄとＣｏを交互に積層された磁性層
のキュリー温度が第１磁性層のキュリー温度よりも低い
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項の光磁気記録媒
体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32427290A JP2712829B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
| EP96113822A EP0750295A3 (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium |
| US07/757,685 US5191561A (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium including five magnetic layers for direct overriding by light intensity modulation without an external bias field |
| EP91115375A EP0487847A1 (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium |
| KR1019910017041A KR950003184B1 (ko) | 1990-11-26 | 1991-09-30 | 광자기 기록매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32427290A JP2712829B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192136A true JPH04192136A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2712829B2 JP2712829B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=18163958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32427290A Expired - Fee Related JP2712829B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712829B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993010530A1 (en) * | 1991-11-22 | 1993-05-27 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical recording media |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP32427290A patent/JP2712829B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993010530A1 (en) * | 1991-11-22 | 1993-05-27 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical recording media |
| US5648161A (en) * | 1991-11-22 | 1997-07-15 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium having large kerr rotational angle in short wavelength range |
| US5792571A (en) * | 1991-11-22 | 1998-08-11 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium having large kerr rotational angle in short wavelength range |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712829B2 (ja) | 1998-02-16 |
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