JP2762445B2 - 光磁気記録媒体の信号再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の信号再生方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気相互作用によって情報ビット（磁
区）の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法に
係わる。 〔発明の概要〕 本発明は、少なくとも記録保持磁性膜と信号再生磁性
膜とを有する記録媒体の磁性膜に対するレーザ光照射よ
る温度上昇を与えて、磁化状態を変化させて記録磁区を
縮小させ、この状態で、レーザ光と信号再生磁性膜にお
ける光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行っ
てS/Nの向上をはかる。 〔従来の技術〕 レーザー光照射による局部的加熱によって情報ビット
すなわちバルブ磁区を形成し、これを光磁気相互作用に
よって読み出す光磁気記録再生方法をとる場合、その光
磁気記録の記録密度を上げるには、そのビット長の短縮
化即ち情報磁区の微小化をはかることになるが、この場
合通常一般の光磁気記録再生方式では、その再生時のS/
Nを確保する上で再生時のレーザー波長，レンズの開口
数等によって制約を受けている。例えば現状では、0.2
μｍの情報ビット（磁区）の読み出しを、スポット径が
１μｍのレーザー光ではその読み出しは不可能である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上述した再生時の条件から規定される記録密
度の制約の問題点を解決し、記録情報ビットの微小化を
はかった場合においても充分な再生出力従ってS/N（C/
N）を向上する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は第１図に示すように光透過性基体（１）上に
必要に応じて同様に光透過性の保護膜ないしは干渉膜と
しての誘電体膜（２）を被着形成し、この誘電体膜
（２）上に室温TRTで互に磁気的に結合する主として信
号再生に寄与する第１の磁性膜（11）と、中間膜となる
第２の磁性膜（12）と、主として記録保持に寄与する第
３の磁性膜（13）の各垂直磁化膜の積層構造を形成し、
第1,第２および第３の各磁性膜（11），（12）および
（13）の各キュリー温度をTc1,Tc2およびTc3とすると
き、Tc2＞TRTで、かつTc2＜Tc1,Tc3とされ、第１の磁性
膜（11）の保磁力Hc1が第２の磁性膜（12）のキュリー
点Tc2近傍で充分小さく、第３の磁性膜（13）の保磁力H
c3が、室温TRTから第２の磁性膜（12）のキュリー温度T
c2より高い所要の温度TpBまでの温度範囲で所要の磁場
よりも充分大きい光磁気記録媒体Ｓを用いる。 そして、その再生に当って第２の磁性膜（12）のキュ
リー温度Tc2以上の上述の所要温度TpBで第１の磁性膜
（11）の記録磁区すなわち情報ビットを、これに加わる
反磁場等と、更に必要に応じて与える外部印加磁場とに
よる磁場によって縮小させつつこれを読み出す。また、
この第１の磁性膜（11）は、カー回転角ないしはファラ
デー回転角が大きい磁性膜を用いる。 また第３の磁性膜（13）上には必要に応じて表面保護
膜（４）を被着形成する。 〔作用〕 上述の光磁気記録媒体Ｓに対する記録即ち情報磁区の
形成は、通常のように、例えば初期状態における第３の
磁性膜（13）の記録温度付近の磁化方向と逆向きのバイ
アス磁界を印加した状態でレーザー光をフォーカシング
させて照射し、これによって第３の磁性膜（13）を、そ
のキュリー温度以上に加熱し、かつレーザー光走査が去
った後の冷却時に外部磁場および浮遊磁場等による方向
に反転されたバブル磁区の形成によって例えば“1"の情
報の記録を行う。つまり、この情報バブル磁区の有無に
よって“1",“0"の２値の情報の記録を行う。 そして、特に本発明においては、このような情報の記
録がなされた光磁気記録媒体Ｓからの情報の読み出し、
即ち、その再生にあたって例えばレーザー光照射によっ
てその磁区の有無による光磁気相互作用によるカー回転
角ないしはファラデー回転角によってその記録の読み出
しを行うに当ってその読み出部の温度を所要の温度TpB
に、つまり、第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2を超
える温度としたことによって、第１及び第３の磁性膜
（11）及び（13）間の磁気的結合が切断される。したが
ってこの状態で、第１の磁性膜（11）は、第３の磁性膜
（13）による磁気的制約を受けることなく、この記録情
報磁区は、これに与えられる反磁場と、更にこのとき必
要に応じて与えられる外部印加磁場等の和による所要の
磁場によって、更にこの第１の磁性膜（11）がこの温度
TpBで保磁力が低下していることによって縮小させるこ
とができる。 そしてその再生後即ちレーザー光の走査によりその照
射部が移動した後、読み出し部が冷却されれば、第１〜
第３の磁性膜（11）〜（13）が例えば室温TRTに低下冷
却する過程で、高保磁力の第３の磁性膜（13）が磁気記
録保持膜として作用し、第２の磁性膜（12）がその磁気
的結合によって同一方向に転写磁化され、更にこの第２
の磁性膜（12）と磁気的に結合する第１の磁性膜（11）
に磁化が転写され、初期の記録状態の情報ビット磁区を
再び形成し記録状態に復元される。 上述したように本発明によれば、その光磁気記録媒体
Ｓの中間層としての第２の磁性膜（12）が、第１および
第３の磁性膜（11）および（13）間の磁気的結合状態お
よび断絶状態の両態様を採ることによって、再生時にお
いては、この中間層の第２の磁性膜（12）が、第１およ
び第３の磁性膜（11）および（13）間の磁気的結合を分
離して第１の磁性膜（11）の記録情報磁区の縮小を可能
にするものであり、第３の磁性膜（13）はその磁化状態
を保持する磁気記録保持層としての機能を保持させるこ
とができる。 更に第２図を参照して第１〜第３の磁性膜（11）〜
（13）がそれぞれフェロ磁性膜である場合の磁化状態を
説明する。今第２図Ａに示すように各磁性膜（11）〜
（13）が未記録状態においてその磁化の向きが矢印で示
すように一方向の垂直磁化状態にある場合を想定する
と、これに今情報“1"の記録がなされることによって第
２図Ｂに示すように初期の状態とは逆向きの磁化による
情報ビット即ち情報磁区BMが形成される。この情報磁区
BMに対する読み出しについて説明すると、この場合前述
したように第２図Ｃに示すようにその情報磁区BMに対し
てレーザー光LBを照射した状態において、その例えば中
心部において前述した所要の温度TpBが得られるように
する。このとき、第２の磁性膜（12）は、そのキュリー
温度Tc2以上とされることによってその磁性が失われ第
１及び第３の磁性膜（11）及び（13）間の磁気的結合が
遮断された状態にある。この状態で、記録時の外部バイ
アス磁場の方向、つまり磁区BMの本来の磁化方向、つま
り記録時での磁化の方向とは逆方向の外部印加磁場Hex
を与えることによってこの磁場と反磁場との兼ね合いに
よって、この温度TpBで保磁力Hc1が小さい状態にある第
１の磁性膜（11）の磁区BMは例えば幅W2に縮小なる変化
が与えられる。 したがって、この磁区BMによる読み出しを例えばカー
回転角の変化の微分量による出力としてとり出すことが
できる。このように第１の磁性膜（11）は再生時にその
磁区を縮小させて再生出力を向上する再生層としての機
能を有するようにしたので記録密度を向上させてビット
情報としての磁区を微細化しても充分な再生出力を得る
ことができ、記録の高密度化をはかることができる。 なお、実際上、第１〜第３の磁性膜（11）〜（13）が
希土類−遷移金属磁性膜であってその遷移金属の副格子
磁化と希土類金属の副格子磁化が互に逆向きのフェリ磁
性を有する場合、各磁性膜が遷移金属副格子磁化優勢膜
であるか、希土類副格子磁化優勢膜であるかによって再
生時に与える外部印加磁場Hexの向きを選定する必要が
ある。 これについて説明するに、今この場合において再生時
の外部印加磁場Hex方向を記録時の外部バイアス磁場方
向を基準として考え、この場合記録の方向を支配する第
３の磁性膜（13）のキュリー温度Tc3直下での飽和磁化
が遷移金属副格子磁化優勢膜であるか希土類副格子磁化
優勢膜であるかについて分離して考察する。ここで第１
の磁性膜（11）における情報磁区BMに加わる浮遊磁場お
よび反磁場については除外して考える。 〔１〕第３の磁性膜（13）の磁化がキュリー点Tc3直下
で遷移金属副格子磁化優勢である場合、 （１−ａ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が遷移金属副格子優勢であ
る場合は、その再生時の外部印加磁場方向は記録時の外
部バイアス磁場方向と逆方向に与えることによって情報
記録磁区BMを縮小できる。 （１−ｂ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が零に近い場合は、その再
生時の温度を第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
より更に上昇させて第１の磁性膜（11）の磁化が遷移金
属副格子優勢になる状態において再生して、この場合記
録時の外部磁場と逆方向の外部印加磁場Hex下でバブル
磁区BMを縮小できる。 （１−ｃ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が希土類副格子優勢の場
合、再生時の外部印加磁場Hexは記録時のそれと同方向
に設定することによって磁区BMを縮小できる。 〔２〕第３の磁性膜（13）の磁化がそのキュリー点Tc3
直下で希土類副格子優勢である場合、 （２−ａ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が遷移金属副格子優勢の場
合、再生時の外部印加磁場Hexは、記録時のそれと同方
向に選定することによってバブル磁区BMを縮小できる。 （２−ｂ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が零に近い場合は、再生時
の温度TpBを第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍よ
り更に上昇させて第１の磁性膜（11）の磁化が遷移金属
副格子優勢になる状態にしてその外部印加磁場Hexを記
録時のそれと同方向にすることによって磁区BMを縮小で
きる。 （２−ｃ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が希土類副格子優勢の場
合、再生時の外部バイアス磁場Hexは記録時のそれと逆
方向とすることによってバルブ磁区BMを縮小できる。 〔実施例〕 基体（１）は、光透過性の零えばガラス板、或いは例
えばアクリル板等の樹脂板等よりなり、図示しないが一
方の面にトラッキングサーボ用のトラック溝が例えば1.
6μｍピッチをもって形成され、これの上に例えばSi3N4
膜よりなる誘電体膜（２）と、さらに第１〜第３の磁性
膜（11）〜（13）と、さらにそれの上に保護膜（４）と
が例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタ
リングあるいは蒸着等によって連続的に被着形成され
る。 第１の磁性膜（11）としては、例えばGdCo,GdFeCo,Gd
Feによって構成し得、第２の磁性膜（12）は、例えばDy
Fe,DyFeCo,TbFeによって構成し得、第３の磁性膜（13）
は、TbFe,TbFeCo,DyFeCo等によって形成し得、これら第
３の磁性膜（13）によれば0.1μｍ以下の直径の磁区BM
を形成することができる。 実施例１ トラックピッチ1.6μｍのトラック溝を有するガラス
基板上にSi3N4より成る誘電体膜（２）と、GdFeCo膜よ
り成る第１の磁性膜（11）と、DyFeCo膜より成る第２の
磁性膜（12）と、DyFeCo膜より成る第３の磁性膜（13）
と、Si3N4膜より成る保護膜（４）とを順次マグネトロ
ンスパッタ装置によって連続スパッタリングによって被
着形成して、光磁気記録媒体即ち光ディスクＳを作製し
た。この場合の各磁性膜（11）〜（13）の各単層膜とし
ての厚さおよび磁気特性を表１に示す。 上記表１においてFeCoリッチとは室温でFeCo副格子磁
化優勢膜を示すものであり、Dyリッチとは室温でDy副格
子磁化優勢膜を示す。 この実施例１による光磁気記録媒体Ｓの第１の磁性膜
（11）の磁区縮小をなす反転磁界の温度特性を第３図に
示す。また、この媒体Ｓのキャリアレベル対ノイズレベ
ル（C/N）の記録周波数依存性の測定結果を第４図に示
す。第４図中実線曲線は、対物レンズの開口数N.A.＝0.
50,レーザ波長780nmのピックアップを用いてその線速度
を7.5m/sec,記録パワー7.0mW,記録外部磁場500（Oe）と
し、再生時外部印加磁場を記録時の外部磁界と同方向の
600（Oe）とし、再生パワー3.5mWとしたものであり、第
４図中破線図示は、その再生パワーを1.5mWとした場合
である。このように再生パワーを1.5mWとした場合は、
その磁性膜全体をTbFeCoの単層膜によって構成した場合
の光ディスクにおけるC/Nの周波数依存性と同等の結果
を示した。これはこの程度の再生パワーでは、第２の磁
性膜（12）のキュリー点Tc2まで加熱温度が達しておら
ず記録された磁区は再生時において変形していないもの
と考えられる。これに比し再生パワーが3.5mWの場合、
再生パワーが1.5mWの場合に比して磁区長即ちビット長
ｌ＜0.7μｍでC/Nは著しく増加した。またｌ＝0.3μｍ
でもC/Nは低いものの信号成分は得られた。またｌ＞0.7
μｍでは逆にC/Nは減少しているが、これはノイズＮの
増加によるものである。また、第４図中１点鎖線の曲線
は、再生パワー3.5mW（ｌ＜0.5μｍ）で、Hex＝０（O
e）とした場合、ｌ＜0.5μｍでは、Hex＝600（Oe）の方
がHex＝０に比し高いC/Nが得られている。 また再生パワー3.5mWで再生した場所を再び再生した
場合、再生パワー1.5mW,3.5mWの何れでもC/Nは再現され
ていることが確かめられた。 また、上述の実施例１において再生時のレーザー光の
パワーを一定とした場合、媒体Ｓ中の熱拡散のために、
温度プロファイルが広がり、微小情報ビット（磁区）の
再生分解能が低下するが、この温度プロファイルを急峻
にするためには例えば最小ビット長に対応する周波数の
間隔で幅の狭いパルスレーザー光で再生を行えば良いこ
とになる。更に、磁性膜に吸収された熱エネルギーが速
やかに放熱されるように熱伝導性の良い例えばAl放熱膜
を第３の磁性膜（13）上（第２の磁性膜（12）と接する
側とは反対側）に被着することもできる。 〔発明の効果〕 上述したように本発明によれば、磁性膜が第１〜第３
の磁性膜（11）〜（13）が積層された構造として常温に
おいては、即ち常態においては３者が磁気的に結合常態
を保持できるようにするも、再生時においての加熱にお
いて第２の磁性膜（２）が第１および第３の磁性膜（1
1）及び（13）の磁気的結合を分断させる効果を得るよ
うにして第１の磁性膜（11）の情報磁区の縮小をはかる
ようにしたことによって再生出力のS/N（C/N）の向上を
はかることができるにもかかわらず、その第３の磁性膜
（13）に関しては記録状態が保持できるようにするの
で、再生終了後においては再び記録状態に復元でき、く
り返しの再生を害うことなく良好な再生特性を得ること
ができる。 そして、上述したように本発明によれば、充分な再生
出力を得ることができることからその記録状態での情報
磁区BMを充分縮小することができ、このこと自体で記録
密度の向上をはかることができると共に、更にその光磁
気記録媒体としては、その基板にトラック溝が形成され
た構成をとる場合においても、情報磁区BMの縮小化が充
分はかられることによって、通常のようにランド部にの
みその記録磁区の形成を行うに限られるものではなく、
ランド部とトラック溝内との双方に記録磁区の形成を行
うことができることによって、更に情報の記録密度を向
上することができる。
区）の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法に
係わる。 〔発明の概要〕 本発明は、少なくとも記録保持磁性膜と信号再生磁性
膜とを有する記録媒体の磁性膜に対するレーザ光照射よ
る温度上昇を与えて、磁化状態を変化させて記録磁区を
縮小させ、この状態で、レーザ光と信号再生磁性膜にお
ける光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行っ
てS/Nの向上をはかる。 〔従来の技術〕 レーザー光照射による局部的加熱によって情報ビット
すなわちバルブ磁区を形成し、これを光磁気相互作用に
よって読み出す光磁気記録再生方法をとる場合、その光
磁気記録の記録密度を上げるには、そのビット長の短縮
化即ち情報磁区の微小化をはかることになるが、この場
合通常一般の光磁気記録再生方式では、その再生時のS/
Nを確保する上で再生時のレーザー波長，レンズの開口
数等によって制約を受けている。例えば現状では、0.2
μｍの情報ビット（磁区）の読み出しを、スポット径が
１μｍのレーザー光ではその読み出しは不可能である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上述した再生時の条件から規定される記録密
度の制約の問題点を解決し、記録情報ビットの微小化を
はかった場合においても充分な再生出力従ってS/N（C/
N）を向上する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は第１図に示すように光透過性基体（１）上に
必要に応じて同様に光透過性の保護膜ないしは干渉膜と
しての誘電体膜（２）を被着形成し、この誘電体膜
（２）上に室温TRTで互に磁気的に結合する主として信
号再生に寄与する第１の磁性膜（11）と、中間膜となる
第２の磁性膜（12）と、主として記録保持に寄与する第
３の磁性膜（13）の各垂直磁化膜の積層構造を形成し、
第1,第２および第３の各磁性膜（11），（12）および
（13）の各キュリー温度をTc1,Tc2およびTc3とすると
き、Tc2＞TRTで、かつTc2＜Tc1,Tc3とされ、第１の磁性
膜（11）の保磁力Hc1が第２の磁性膜（12）のキュリー
点Tc2近傍で充分小さく、第３の磁性膜（13）の保磁力H
c3が、室温TRTから第２の磁性膜（12）のキュリー温度T
c2より高い所要の温度TpBまでの温度範囲で所要の磁場
よりも充分大きい光磁気記録媒体Ｓを用いる。 そして、その再生に当って第２の磁性膜（12）のキュ
リー温度Tc2以上の上述の所要温度TpBで第１の磁性膜
（11）の記録磁区すなわち情報ビットを、これに加わる
反磁場等と、更に必要に応じて与える外部印加磁場とに
よる磁場によって縮小させつつこれを読み出す。また、
この第１の磁性膜（11）は、カー回転角ないしはファラ
デー回転角が大きい磁性膜を用いる。 また第３の磁性膜（13）上には必要に応じて表面保護
膜（４）を被着形成する。 〔作用〕 上述の光磁気記録媒体Ｓに対する記録即ち情報磁区の
形成は、通常のように、例えば初期状態における第３の
磁性膜（13）の記録温度付近の磁化方向と逆向きのバイ
アス磁界を印加した状態でレーザー光をフォーカシング
させて照射し、これによって第３の磁性膜（13）を、そ
のキュリー温度以上に加熱し、かつレーザー光走査が去
った後の冷却時に外部磁場および浮遊磁場等による方向
に反転されたバブル磁区の形成によって例えば“1"の情
報の記録を行う。つまり、この情報バブル磁区の有無に
よって“1",“0"の２値の情報の記録を行う。 そして、特に本発明においては、このような情報の記
録がなされた光磁気記録媒体Ｓからの情報の読み出し、
即ち、その再生にあたって例えばレーザー光照射によっ
てその磁区の有無による光磁気相互作用によるカー回転
角ないしはファラデー回転角によってその記録の読み出
しを行うに当ってその読み出部の温度を所要の温度TpB
に、つまり、第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2を超
える温度としたことによって、第１及び第３の磁性膜
（11）及び（13）間の磁気的結合が切断される。したが
ってこの状態で、第１の磁性膜（11）は、第３の磁性膜
（13）による磁気的制約を受けることなく、この記録情
報磁区は、これに与えられる反磁場と、更にこのとき必
要に応じて与えられる外部印加磁場等の和による所要の
磁場によって、更にこの第１の磁性膜（11）がこの温度
TpBで保磁力が低下していることによって縮小させるこ
とができる。 そしてその再生後即ちレーザー光の走査によりその照
射部が移動した後、読み出し部が冷却されれば、第１〜
第３の磁性膜（11）〜（13）が例えば室温TRTに低下冷
却する過程で、高保磁力の第３の磁性膜（13）が磁気記
録保持膜として作用し、第２の磁性膜（12）がその磁気
的結合によって同一方向に転写磁化され、更にこの第２
の磁性膜（12）と磁気的に結合する第１の磁性膜（11）
に磁化が転写され、初期の記録状態の情報ビット磁区を
再び形成し記録状態に復元される。 上述したように本発明によれば、その光磁気記録媒体
Ｓの中間層としての第２の磁性膜（12）が、第１および
第３の磁性膜（11）および（13）間の磁気的結合状態お
よび断絶状態の両態様を採ることによって、再生時にお
いては、この中間層の第２の磁性膜（12）が、第１およ
び第３の磁性膜（11）および（13）間の磁気的結合を分
離して第１の磁性膜（11）の記録情報磁区の縮小を可能
にするものであり、第３の磁性膜（13）はその磁化状態
を保持する磁気記録保持層としての機能を保持させるこ
とができる。 更に第２図を参照して第１〜第３の磁性膜（11）〜
（13）がそれぞれフェロ磁性膜である場合の磁化状態を
説明する。今第２図Ａに示すように各磁性膜（11）〜
（13）が未記録状態においてその磁化の向きが矢印で示
すように一方向の垂直磁化状態にある場合を想定する
と、これに今情報“1"の記録がなされることによって第
２図Ｂに示すように初期の状態とは逆向きの磁化による
情報ビット即ち情報磁区BMが形成される。この情報磁区
BMに対する読み出しについて説明すると、この場合前述
したように第２図Ｃに示すようにその情報磁区BMに対し
てレーザー光LBを照射した状態において、その例えば中
心部において前述した所要の温度TpBが得られるように
する。このとき、第２の磁性膜（12）は、そのキュリー
温度Tc2以上とされることによってその磁性が失われ第
１及び第３の磁性膜（11）及び（13）間の磁気的結合が
遮断された状態にある。この状態で、記録時の外部バイ
アス磁場の方向、つまり磁区BMの本来の磁化方向、つま
り記録時での磁化の方向とは逆方向の外部印加磁場Hex
を与えることによってこの磁場と反磁場との兼ね合いに
よって、この温度TpBで保磁力Hc1が小さい状態にある第
１の磁性膜（11）の磁区BMは例えば幅W2に縮小なる変化
が与えられる。 したがって、この磁区BMによる読み出しを例えばカー
回転角の変化の微分量による出力としてとり出すことが
できる。このように第１の磁性膜（11）は再生時にその
磁区を縮小させて再生出力を向上する再生層としての機
能を有するようにしたので記録密度を向上させてビット
情報としての磁区を微細化しても充分な再生出力を得る
ことができ、記録の高密度化をはかることができる。 なお、実際上、第１〜第３の磁性膜（11）〜（13）が
希土類−遷移金属磁性膜であってその遷移金属の副格子
磁化と希土類金属の副格子磁化が互に逆向きのフェリ磁
性を有する場合、各磁性膜が遷移金属副格子磁化優勢膜
であるか、希土類副格子磁化優勢膜であるかによって再
生時に与える外部印加磁場Hexの向きを選定する必要が
ある。 これについて説明するに、今この場合において再生時
の外部印加磁場Hex方向を記録時の外部バイアス磁場方
向を基準として考え、この場合記録の方向を支配する第
３の磁性膜（13）のキュリー温度Tc3直下での飽和磁化
が遷移金属副格子磁化優勢膜であるか希土類副格子磁化
優勢膜であるかについて分離して考察する。ここで第１
の磁性膜（11）における情報磁区BMに加わる浮遊磁場お
よび反磁場については除外して考える。 〔１〕第３の磁性膜（13）の磁化がキュリー点Tc3直下
で遷移金属副格子磁化優勢である場合、 （１−ａ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が遷移金属副格子優勢であ
る場合は、その再生時の外部印加磁場方向は記録時の外
部バイアス磁場方向と逆方向に与えることによって情報
記録磁区BMを縮小できる。 （１−ｂ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が零に近い場合は、その再
生時の温度を第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
より更に上昇させて第１の磁性膜（11）の磁化が遷移金
属副格子優勢になる状態において再生して、この場合記
録時の外部磁場と逆方向の外部印加磁場Hex下でバブル
磁区BMを縮小できる。 （１−ｃ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が希土類副格子優勢の場
合、再生時の外部印加磁場Hexは記録時のそれと同方向
に設定することによって磁区BMを縮小できる。 〔２〕第３の磁性膜（13）の磁化がそのキュリー点Tc3
直下で希土類副格子優勢である場合、 （２−ａ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が遷移金属副格子優勢の場
合、再生時の外部印加磁場Hexは、記録時のそれと同方
向に選定することによってバブル磁区BMを縮小できる。 （２−ｂ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が零に近い場合は、再生時
の温度TpBを第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍よ
り更に上昇させて第１の磁性膜（11）の磁化が遷移金属
副格子優勢になる状態にしてその外部印加磁場Hexを記
録時のそれと同方向にすることによって磁区BMを縮小で
きる。 （２−ｃ）第２の磁性膜（12）のキュリー点Tc2近傍
で第１の磁性膜（11）の磁化が希土類副格子優勢の場
合、再生時の外部バイアス磁場Hexは記録時のそれと逆
方向とすることによってバルブ磁区BMを縮小できる。 〔実施例〕 基体（１）は、光透過性の零えばガラス板、或いは例
えばアクリル板等の樹脂板等よりなり、図示しないが一
方の面にトラッキングサーボ用のトラック溝が例えば1.
6μｍピッチをもって形成され、これの上に例えばSi3N4
膜よりなる誘電体膜（２）と、さらに第１〜第３の磁性
膜（11）〜（13）と、さらにそれの上に保護膜（４）と
が例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタ
リングあるいは蒸着等によって連続的に被着形成され
る。 第１の磁性膜（11）としては、例えばGdCo,GdFeCo,Gd
Feによって構成し得、第２の磁性膜（12）は、例えばDy
Fe,DyFeCo,TbFeによって構成し得、第３の磁性膜（13）
は、TbFe,TbFeCo,DyFeCo等によって形成し得、これら第
３の磁性膜（13）によれば0.1μｍ以下の直径の磁区BM
を形成することができる。 実施例１ トラックピッチ1.6μｍのトラック溝を有するガラス
基板上にSi3N4より成る誘電体膜（２）と、GdFeCo膜よ
り成る第１の磁性膜（11）と、DyFeCo膜より成る第２の
磁性膜（12）と、DyFeCo膜より成る第３の磁性膜（13）
と、Si3N4膜より成る保護膜（４）とを順次マグネトロ
ンスパッタ装置によって連続スパッタリングによって被
着形成して、光磁気記録媒体即ち光ディスクＳを作製し
た。この場合の各磁性膜（11）〜（13）の各単層膜とし
ての厚さおよび磁気特性を表１に示す。 上記表１においてFeCoリッチとは室温でFeCo副格子磁
化優勢膜を示すものであり、Dyリッチとは室温でDy副格
子磁化優勢膜を示す。 この実施例１による光磁気記録媒体Ｓの第１の磁性膜
（11）の磁区縮小をなす反転磁界の温度特性を第３図に
示す。また、この媒体Ｓのキャリアレベル対ノイズレベ
ル（C/N）の記録周波数依存性の測定結果を第４図に示
す。第４図中実線曲線は、対物レンズの開口数N.A.＝0.
50,レーザ波長780nmのピックアップを用いてその線速度
を7.5m/sec,記録パワー7.0mW,記録外部磁場500（Oe）と
し、再生時外部印加磁場を記録時の外部磁界と同方向の
600（Oe）とし、再生パワー3.5mWとしたものであり、第
４図中破線図示は、その再生パワーを1.5mWとした場合
である。このように再生パワーを1.5mWとした場合は、
その磁性膜全体をTbFeCoの単層膜によって構成した場合
の光ディスクにおけるC/Nの周波数依存性と同等の結果
を示した。これはこの程度の再生パワーでは、第２の磁
性膜（12）のキュリー点Tc2まで加熱温度が達しておら
ず記録された磁区は再生時において変形していないもの
と考えられる。これに比し再生パワーが3.5mWの場合、
再生パワーが1.5mWの場合に比して磁区長即ちビット長
ｌ＜0.7μｍでC/Nは著しく増加した。またｌ＝0.3μｍ
でもC/Nは低いものの信号成分は得られた。またｌ＞0.7
μｍでは逆にC/Nは減少しているが、これはノイズＮの
増加によるものである。また、第４図中１点鎖線の曲線
は、再生パワー3.5mW（ｌ＜0.5μｍ）で、Hex＝０（O
e）とした場合、ｌ＜0.5μｍでは、Hex＝600（Oe）の方
がHex＝０に比し高いC/Nが得られている。 また再生パワー3.5mWで再生した場所を再び再生した
場合、再生パワー1.5mW,3.5mWの何れでもC/Nは再現され
ていることが確かめられた。 また、上述の実施例１において再生時のレーザー光の
パワーを一定とした場合、媒体Ｓ中の熱拡散のために、
温度プロファイルが広がり、微小情報ビット（磁区）の
再生分解能が低下するが、この温度プロファイルを急峻
にするためには例えば最小ビット長に対応する周波数の
間隔で幅の狭いパルスレーザー光で再生を行えば良いこ
とになる。更に、磁性膜に吸収された熱エネルギーが速
やかに放熱されるように熱伝導性の良い例えばAl放熱膜
を第３の磁性膜（13）上（第２の磁性膜（12）と接する
側とは反対側）に被着することもできる。 〔発明の効果〕 上述したように本発明によれば、磁性膜が第１〜第３
の磁性膜（11）〜（13）が積層された構造として常温に
おいては、即ち常態においては３者が磁気的に結合常態
を保持できるようにするも、再生時においての加熱にお
いて第２の磁性膜（２）が第１および第３の磁性膜（1
1）及び（13）の磁気的結合を分断させる効果を得るよ
うにして第１の磁性膜（11）の情報磁区の縮小をはかる
ようにしたことによって再生出力のS/N（C/N）の向上を
はかることができるにもかかわらず、その第３の磁性膜
（13）に関しては記録状態が保持できるようにするの
で、再生終了後においては再び記録状態に復元でき、く
り返しの再生を害うことなく良好な再生特性を得ること
ができる。 そして、上述したように本発明によれば、充分な再生
出力を得ることができることからその記録状態での情報
磁区BMを充分縮小することができ、このこと自体で記録
密度の向上をはかることができると共に、更にその光磁
気記録媒体としては、その基板にトラック溝が形成され
た構成をとる場合においても、情報磁区BMの縮小化が充
分はかられることによって、通常のようにランド部にの
みその記録磁区の形成を行うに限られるものではなく、
ランド部とトラック溝内との双方に記録磁区の形成を行
うことができることによって、更に情報の記録密度を向
上することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法に用いる光磁気記録媒体の略線的構
成図、第２図Ａ〜Ｃは本発明方法の説明に供する磁化状
態を示す図、第３図は磁性膜の反転磁界の温度特性曲線
図、第４図は記録周波数に対する再生特性曲線図であ
る。 （１）は基体、（11）〜（13）は第１〜第３の磁性膜、
Ｓは光磁気記録媒体である。
成図、第２図Ａ〜Ｃは本発明方法の説明に供する磁化状
態を示す図、第３図は磁性膜の反転磁界の温度特性曲線
図、第４図は記録周波数に対する再生特性曲線図であ
る。 （１）は基体、（11）〜（13）は第１〜第３の磁性膜、
Ｓは光磁気記録媒体である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．光磁気記録媒体の磁性膜にレーザ光を照射し、該レ
ーザ光と上記磁性膜の記録磁区における光磁気相互作用
によって記録情報の読み出しを行う光磁気記録媒体の信
号再生方法において、 上記光磁気記録媒体は、室温TRTで互いに磁気的に結合
した、少なくとも信号再生磁性膜となる第１の磁性膜
と、第２の磁性膜と、記録保持磁性膜となる第３の磁性
膜とを有してなり、 上記第1,第２及び第３の各磁性膜のキュリー温度をTc1,
Tc2及びTc3とするとき、Tc2＞TRTで、かつTc2＜Tc1,Tc3
とされ、 上記第１の磁性膜の保磁力Hc1は、上記第２の磁性膜の
キュリー温度Tc2近傍で充分小さく、 上記第３の磁性膜の保磁力Hc3は、上記室温TRTから上記
第２の磁性膜のキュリー温度Tc2より高い所要の温度TpB
までの範囲では、再生時に印加する外部磁場より充分大
きい保磁力を有し、 外部磁場印加の下で上記第２の磁性膜のキュリー温度Tc
2以上の上記温度TpBで、反磁場と上記外部磁場との和に
よる所要の磁場によって、上記第１の磁性膜の記録磁区
を縮小させ、かつ上記第３の磁性膜の磁区状態を変化さ
せない温度を与えるパワーのレーザ光照射によって上記
記録情報の読み出しを行うことを特徴とする光磁気記録
媒体の信号再生方法。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP30192387A JP2762445B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光磁気記録媒体の信号再生方法 |
| CA000584140A CA1315880C (en) | 1987-11-30 | 1988-11-25 | Method for reproducing signal from magneto-optical recording medium |
| KR1019880015737A KR970002341B1 (ko) | 1987-11-30 | 1988-11-29 | 자기 광 기록 매체의 신호 재생 방법 |
| EP88119890A EP0318925B1 (en) | 1987-11-30 | 1988-11-29 | Method for optically reproducing a signal from magneto-optical recording medium |
| DE3889203T DE3889203T2 (de) | 1987-11-30 | 1988-11-29 | Methode zum optischen Abtasten eines Signals aus einem magneto-optischen Speichermedium. |
| US07/278,011 US5018119A (en) | 1987-11-30 | 1988-11-30 | Method for reproducing signal using an external magnetic field from magneto-optical recording medium having three magnetic layers |
| JP2000268920A JP3428573B2 (ja) | 1987-11-30 | 2000-09-05 | 光磁気記録媒体の信号再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30192387A JP2762445B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光磁気記録媒体の信号再生方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33591196A Division JP2888218B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143042A JPH01143042A (ja) | 1989-06-05 |
| JP2762445B2 true JP2762445B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30192387A Expired - Fee Related JP2762445B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光磁気記録媒体の信号再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762445B2 (ja) |
| CA (1) | CA1315880C (ja) |
Families Citing this family (7)
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| JP3057516B2 (ja) * | 1991-02-05 | 2000-06-26 | ソニー株式会社 | 光記録媒体の信号再生方法 |
| US5335213A (en) * | 1991-02-13 | 1994-08-02 | Sony Corporation | Positional detection of a magneto-optic recording medium for controlling irradiation of a relief region |
| EP0525191B1 (en) * | 1991-02-15 | 1998-04-22 | Sony Corporation | OPTICALLY Reproducing method and device |
| WO1992015091A1 (en) * | 1991-02-15 | 1992-09-03 | Sony Corporation | Optically recording medium |
| JP2003233937A (ja) | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 光学記録再生方法及び光記録媒体 |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP30192387A patent/JP2762445B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-25 CA CA000584140A patent/CA1315880C/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01143042A (ja) | 1989-06-05 |
| CA1315880C (en) | 1993-04-06 |
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|---|---|---|---|
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