JP2674275B2 - 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体および光磁気記録方法Info
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- JP2674275B2 JP2674275B2 JP2111091A JP11109190A JP2674275B2 JP 2674275 B2 JP2674275 B2 JP 2674275B2 JP 2111091 A JP2111091 A JP 2111091A JP 11109190 A JP11109190 A JP 11109190A JP 2674275 B2 JP2674275 B2 JP 2674275B2
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- Japan
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- recording
- film
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- recording film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体および光磁気記録方法、特
に、１つの記録ピットに３値の情報を記録することがで
きる光磁気記録媒体および光記録方法に関する。
に、１つの記録ピットに３値の情報を記録することがで
きる光磁気記録媒体および光記録方法に関する。
光磁気ディスクは、大容量，ランダムアクセス可能，
可換媒体のファイルとして、既に製品化されている。従
来の光磁気ディスク媒体は、記録膜は単層で、その磁化
の方向を記録マークとしている。一部には２層の記録膜
も用いられているが、これは感度を向上させたり、ある
いはオーバーライトを可能とするための交換結合した２
層膜媒体である。
可換媒体のファイルとして、既に製品化されている。従
来の光磁気ディスク媒体は、記録膜は単層で、その磁化
の方向を記録マークとしている。一部には２層の記録膜
も用いられているが、これは感度を向上させたり、ある
いはオーバーライトを可能とするための交換結合した２
層膜媒体である。
多値記録用の多層膜としては、保持力の異なる膜を用
いることにより多値記録が可能であるとする報告がなさ
れている。
いることにより多値記録が可能であるとする報告がなさ
れている。
従来の単一の記録膜もしくは交換結合した記録膜にお
いて、多値記録は困難であり、レーザ光の波長限界から
くるレーザスポットの大きさにより高密度化については
限界があった。
いて、多値記録は困難であり、レーザ光の波長限界から
くるレーザスポットの大きさにより高密度化については
限界があった。
保持力の差による多値記録可能との報告（第13回日本
応用磁気学会学術講演概要集（1989）63頁）は、単に多
値記録が原理的に行えることを示したにすぎず、ディス
クとしてのR/W（リード／ライト）条件、特に読み出し
可能性について検討されていなかった。
応用磁気学会学術講演概要集（1989）63頁）は、単に多
値記録が原理的に行えることを示したにすぎず、ディス
クとしてのR/W（リード／ライト）条件、特に読み出し
可能性について検討されていなかった。
本発明の目的は、R/W条件を満足する多値記録用光磁
気記録媒体および光磁気記録方法を提供することにあ
る。
気記録媒体および光磁気記録方法を提供することにあ
る。
本発明は、垂直磁化膜を記録膜とする光磁気ディスク
媒体において、 記録膜が第１記録膜および第２記録膜の２層よりな
り、第１記録の記録しきい値パワーと第２記録膜の記録
しきい値パワーに2mW以上の差があり、第１記録膜の記
録しきい値パワーは第２記録膜の記録しきい値パワーよ
りも小さく、各記録膜層の層厚が50Å以上400Å以下で
あり、第１記録膜と第２記録膜の間には透明誘電体膜か
らなる層が50Å以上500Å以下存在し、リードビームの
入射方向とは逆側に、記録膜と透明誘電体膜とを介して
金属反射膜を持つ光磁気記録媒体の光磁気記録方法であ
って、 前記光磁気記録媒体に、室温で第１記録膜および第２
記録膜の磁化のいずれも反転させることができない大き
さの磁場Hbを印加しながら、前記第１記録膜側から光を
照射する過程からなる光磁気記録方法であって、 前記光の照射パワーを“0"、および第１記録膜のしき
い値パワー以上第２記録膜のしきい値パワーより小さい
パワーP1、および第１記録膜および第２記録膜のしきい
値パワー以上のパワーP2の３値とすることによって３値
記録を行うことを特徴とする。
媒体において、 記録膜が第１記録膜および第２記録膜の２層よりな
り、第１記録の記録しきい値パワーと第２記録膜の記録
しきい値パワーに2mW以上の差があり、第１記録膜の記
録しきい値パワーは第２記録膜の記録しきい値パワーよ
りも小さく、各記録膜層の層厚が50Å以上400Å以下で
あり、第１記録膜と第２記録膜の間には透明誘電体膜か
らなる層が50Å以上500Å以下存在し、リードビームの
入射方向とは逆側に、記録膜と透明誘電体膜とを介して
金属反射膜を持つ光磁気記録媒体の光磁気記録方法であ
って、 前記光磁気記録媒体に、室温で第１記録膜および第２
記録膜の磁化のいずれも反転させることができない大き
さの磁場Hbを印加しながら、前記第１記録膜側から光を
照射する過程からなる光磁気記録方法であって、 前記光の照射パワーを“0"、および第１記録膜のしき
い値パワー以上第２記録膜のしきい値パワーより小さい
パワーP1、および第１記録膜および第２記録膜のしきい
値パワー以上のパワーP2の３値とすることによって３値
記録を行うことを特徴とする。
本発明では、第１記録膜と第２記録膜の記録しきい値
パワーの違いを利用して、３値の情報記録を行ってい
る。例えば、第１記録膜と第２記録膜の磁化の向きが共
に上向きの時を初期状態とする。この磁化の向きと反対
方向に、室温で第１記録膜および第２記録膜の磁化のい
ずれも反転させることができない大きさの磁場Hbを印加
しながら、第１記録膜側から第１記録膜のしきい値パワ
ー以上第２記録膜のしきい値パワーより小さいパワーP1
でレーザを照射することにより、第１記録膜の磁化のみ
を反転させた第１状態が実現できる。さらに、照射パワ
ーを第１記録膜および第２記録膜のしきい値パワー以上
のパワーP2にすると、第１記録膜および第２記録膜両方
の磁化を反転させた第２状態が実現できる。初期状態に
戻すためには、印加する磁場の向きを初期状態の時と同
じ方向にして、第１記録膜および第２記録膜のしきい値
パワー以上のパワーP2でレーザを照射すれば良い。すな
わち、いかなる記録時や消去時においても磁界の強さは
一定であるから、記録時に磁界を選択して記録すること
なく、照射するレーザ光パワーの強弱を変化させるのみ
で完全な３値記録を行うことができ、実用上必要な記録
再生条件（R/W条件）を満足する。
パワーの違いを利用して、３値の情報記録を行ってい
る。例えば、第１記録膜と第２記録膜の磁化の向きが共
に上向きの時を初期状態とする。この磁化の向きと反対
方向に、室温で第１記録膜および第２記録膜の磁化のい
ずれも反転させることができない大きさの磁場Hbを印加
しながら、第１記録膜側から第１記録膜のしきい値パワ
ー以上第２記録膜のしきい値パワーより小さいパワーP1
でレーザを照射することにより、第１記録膜の磁化のみ
を反転させた第１状態が実現できる。さらに、照射パワ
ーを第１記録膜および第２記録膜のしきい値パワー以上
のパワーP2にすると、第１記録膜および第２記録膜両方
の磁化を反転させた第２状態が実現できる。初期状態に
戻すためには、印加する磁場の向きを初期状態の時と同
じ方向にして、第１記録膜および第２記録膜のしきい値
パワー以上のパワーP2でレーザを照射すれば良い。すな
わち、いかなる記録時や消去時においても磁界の強さは
一定であるから、記録時に磁界を選択して記録すること
なく、照射するレーザ光パワーの強弱を変化させるのみ
で完全な３値記録を行うことができ、実用上必要な記録
再生条件（R/W条件）を満足する。
また、情報の読み出しには磁気カー（Kerr）効果を用
いることができる。物質の磁化方向および磁化の大きさ
によってカー回転角の大きさは変わる。従って、前記初
期状態、第１状態および第２状態におけるカー回転角の
大きさは各々異なり、読み出しレベルにそれぞれのカー
回転角の大きさに相当するスライスレベルを設定するこ
とにより、初期状態、第１状態および第２状態を分離し
て読み出すことが可能となる。
いることができる。物質の磁化方向および磁化の大きさ
によってカー回転角の大きさは変わる。従って、前記初
期状態、第１状態および第２状態におけるカー回転角の
大きさは各々異なり、読み出しレベルにそれぞれのカー
回転角の大きさに相当するスライスレベルを設定するこ
とにより、初期状態、第１状態および第２状態を分離し
て読み出すことが可能となる。
（実施例１） 第１図は、本発明による光磁気媒体の構造を示す部分
断面図である。ポリカーボネート基板１上に透明誘電体
膜2,4,6、記録膜3,5および金属反射膜７が合計６層積層
してある。透明誘電体膜2,4,6にはSi3N4を反応性RFスパ
ッタ法で作製した。第１記録膜３には（Nd13Dy87）
21（Fe84Co20）79非晶質膜を、第２記録膜５にはTb
22（Fe80Co20）78非晶質膜を、DCマグネトロン・スパッ
タ法で作製した。金属反射膜７にはAlをDCスパッタ法で
作製した。表１に実施例１における各層の膜厚とその種
類を示す。
断面図である。ポリカーボネート基板１上に透明誘電体
膜2,4,6、記録膜3,5および金属反射膜７が合計６層積層
してある。透明誘電体膜2,4,6にはSi3N4を反応性RFスパ
ッタ法で作製した。第１記録膜３には（Nd13Dy87）
21（Fe84Co20）79非晶質膜を、第２記録膜５にはTb
22（Fe80Co20）78非晶質膜を、DCマグネトロン・スパッ
タ法で作製した。金属反射膜７にはAlをDCスパッタ法で
作製した。表１に実施例１における各層の膜厚とその種
類を示す。
次に、この光磁気媒体のR/W特性を測定した。基板回
転数3000rpm、線速11m/s、記録周波数3.7MHz、バイアス
磁場Hb＝3000eの条件での、キャリアレベル（dBm）の記
録パワー（Ｗ）依存性を第２図に示す。読み出しパワー
は1mWである。キャリアレベルは、記録パワー４〜5mWの
範囲と、記録パワー6.5mW以上とで２段階で飽和してい
る。このとき記録パワー４〜5mWの範囲のキャリアレベ
ルと、記録パワー6.5mW以上でのキャリアレベルには8dB
の差があり、記録パワー6.5mW以上の方がキャリアレベ
ルは大きい。したがって、記録パワーを０、４〜5mW
（これをP1とする）、および6.5mW以上（これをP2とす
る）と３段階にすることにより、１つのピットに３値の
情報を記録することが可能となり、記録パワーの強弱で
３値記録が実現できた。また、その記録パワーに対応し
た再生出力が得られるので、それぞれの再生出力に対応
するスライスレベルを設けることにより、３値記録の再
生が実現できる。
転数3000rpm、線速11m/s、記録周波数3.7MHz、バイアス
磁場Hb＝3000eの条件での、キャリアレベル（dBm）の記
録パワー（Ｗ）依存性を第２図に示す。読み出しパワー
は1mWである。キャリアレベルは、記録パワー４〜5mWの
範囲と、記録パワー6.5mW以上とで２段階で飽和してい
る。このとき記録パワー４〜5mWの範囲のキャリアレベ
ルと、記録パワー6.5mW以上でのキャリアレベルには8dB
の差があり、記録パワー6.5mW以上の方がキャリアレベ
ルは大きい。したがって、記録パワーを０、４〜5mW
（これをP1とする）、および6.5mW以上（これをP2とす
る）と３段階にすることにより、１つのピットに３値の
情報を記録することが可能となり、記録パワーの強弱で
３値記録が実現できた。また、その記録パワーに対応し
た再生出力が得られるので、それぞれの再生出力に対応
するスライスレベルを設けることにより、３値記録の再
生が実現できる。
（実施例２） 実施例１と同様の媒体構成で、各層の膜厚だけを変え
た光磁気記録媒体を、同様の方法で作製した。表２に実
施例２における各層の膜厚とその種類を示す。
た光磁気記録媒体を、同様の方法で作製した。表２に実
施例２における各層の膜厚とその種類を示す。
次に、この光磁気媒体のR/W特性を測定した。実施例
１と同様の条件での、キャリアレベルの記録パワー依存
性を第３図に示す。読み出しパワーは1mWである。キャ
リアレベルは、記録パワー３〜4.5mWの範囲と、記録パ
ワー6.5mW以上とで２段階で飽和している。このとき記
録パワー３〜4.5mWの範囲の１キャリアレベルと、記録
パワー6.5mW以上でのキャリアレベルには7dBの差があ
り、記録パワー6.5mW以上の方がキャリアレベルは大き
い。したがって、記録パワーを０、３〜4.5mW（これをP
1とする）、および6.5mW以上（これをP2とする）と３段
階にすることにより、１つのピットに３値の情報を記録
することが可能となり、記録パワーの強弱で３値記録が
実現できた。情報の読み出しは、実施例１と同様にして
実現できた。
１と同様の条件での、キャリアレベルの記録パワー依存
性を第３図に示す。読み出しパワーは1mWである。キャ
リアレベルは、記録パワー３〜4.5mWの範囲と、記録パ
ワー6.5mW以上とで２段階で飽和している。このとき記
録パワー３〜4.5mWの範囲の１キャリアレベルと、記録
パワー6.5mW以上でのキャリアレベルには7dBの差があ
り、記録パワー6.5mW以上の方がキャリアレベルは大き
い。したがって、記録パワーを０、３〜4.5mW（これをP
1とする）、および6.5mW以上（これをP2とする）と３段
階にすることにより、１つのピットに３値の情報を記録
することが可能となり、記録パワーの強弱で３値記録が
実現できた。情報の読み出しは、実施例１と同様にして
実現できた。
（実施例３） 実施例１と同様の媒体構成で、各層の膜厚だけを変え
た光磁気記録媒体を、同様の方法で作製した。表３に実
施例３における各層の膜厚とその種類を示す。
た光磁気記録媒体を、同様の方法で作製した。表３に実
施例３における各層の膜厚とその種類を示す。
次に、この光磁気媒体のR/W特性を測定した。実施例
１と同様の条件での、キャリアレベルの記録パワー依存
性を第４図に示す。読み出しパワーは0.5mWである。キ
ャリアレベルは、記録パワー2.5〜4mWの範囲と、記録パ
ワー5.5mW以上とで２段階で飽和している。このとき記
録パワー2.5〜4mWの範囲のキャリアレベルと、記録パワ
ー5.5mW以上でのキャリアレベルには8dBの差があり、記
録パワー5.5mW以上の方がキャリアレベルは大きい。し
たがって、記録パワーを０、2.5〜4mW（これをP1とす
る）、および5.5mW以上（これをP2とする）と３段階に
することにより、１つのピットに３値の情報を記録する
ことが可能となり、記録パワーの強弱で３値記録が実現
できた。情報の読み出しは、実施例１と同様にして実現
できた。
１と同様の条件での、キャリアレベルの記録パワー依存
性を第４図に示す。読み出しパワーは0.5mWである。キ
ャリアレベルは、記録パワー2.5〜4mWの範囲と、記録パ
ワー5.5mW以上とで２段階で飽和している。このとき記
録パワー2.5〜4mWの範囲のキャリアレベルと、記録パワ
ー5.5mW以上でのキャリアレベルには8dBの差があり、記
録パワー5.5mW以上の方がキャリアレベルは大きい。し
たがって、記録パワーを０、2.5〜4mW（これをP1とす
る）、および5.5mW以上（これをP2とする）と３段階に
することにより、１つのピットに３値の情報を記録する
ことが可能となり、記録パワーの強弱で３値記録が実現
できた。情報の読み出しは、実施例１と同様にして実現
できた。
以上の実施例１〜実施例３で明らかなように、光磁気
媒体のR/W特性の測定時、記録パワーをP1とP2との３段
階に変化させることで、すなわち照射パワーの強弱を変
化させて３値記録を実現できる。
媒体のR/W特性の測定時、記録パワーをP1とP2との３段
階に変化させることで、すなわち照射パワーの強弱を変
化させて３値記録を実現できる。
以上説明したように本発明の光磁気媒体および光磁気
記録方法においては、３値記録が可能であるので、記録
密度が従来の媒体に比較して1.5倍に向上した。
記録方法においては、３値記録が可能であるので、記録
密度が従来の媒体に比較して1.5倍に向上した。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の膜構成を示す部分断
面図、 第２図は実施例１におけるキャリアレベルの記録パワー
依存性を示す図、 第３図は実施例２におけるキャリアレベルの記録パワー
依存性を示す図、 第４図は実施例３におけるキャリアレベルの記録パワー
依存性を示す図である。 １……基板 2,4,6……透明誘電体膜 ３……第１記録膜 ５……第２記録膜 ７……金属反射膜
面図、 第２図は実施例１におけるキャリアレベルの記録パワー
依存性を示す図、 第３図は実施例２におけるキャリアレベルの記録パワー
依存性を示す図、 第４図は実施例３におけるキャリアレベルの記録パワー
依存性を示す図である。 １……基板 2,4,6……透明誘電体膜 ３……第１記録膜 ５……第２記録膜 ７……金属反射膜
Claims (3)
- 【請求項１】垂直磁化膜を記録膜とする光磁気ディスク
媒体において、 記録膜が第１記録膜および第２記録膜の２層よりなり、
第１記録膜の記録しきい値パワーと第２記録膜の記録し
きい値パワーに2mW以上の差があり、第１記録膜のしき
い値パワーは第２記録膜の記録しきい値パワーよりも小
さく、各記録膜層の層厚が50Å以上400Å以下であり、
第１記録膜と第２記録膜の間には透明誘電体膜からなる
層が50Å以上500Å以下存在し、リードビームの入射方
向とは逆側に、記録膜と透明誘電体膜とを介して金属反
射膜を持つ光磁気記録媒体の光磁気記録方法であって、 前記光磁気記録媒体に、室温で第１記録膜および第２記
録膜の磁化のいずれも反転させることができない大きさ
の磁場Hbを印加しながら、前記第１記録膜側から光を照
射する過程からなる光磁気記録方法であって、前記光の
照射パワーを“0"、および第１記録膜のしきい値パワー
以上第２記録膜のしきい値パワーより小さいパワーP1、
および第１記録膜および第２記録膜のしきい値パワー以
上のパワーP2の３値とすることによって３値記録を行う
ことを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項２】第１記録膜と第２記録膜の間の透明誘電体
膜の膜厚が200Å以上400Å以下であることを特徴とす
る、請求項１記載の光磁気記録方法。 - 【請求項３】前記記録膜と前記金属反射膜との間にある
透明誘電体膜の膜厚が100Å以上800Å以下であることを
特徴とする、請求項１記載の光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111091A JP2674275B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111091A JP2674275B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410256A JPH0410256A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2674275B2 true JP2674275B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=14552156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2111091A Expired - Fee Related JP2674275B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674275B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5359579A (en) * | 1992-07-10 | 1994-10-25 | Nec Corporation | Magneto-optical recording method and medium for recording three-value information |
| JPH0676390A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-03-18 | Nec Corp | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155533A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-19 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP2111091A patent/JP2674275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410256A (ja) | 1992-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |