JPS63253555A - 安定な磁気光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は無定形薄膜の磁気光記録媒体に関する。

より詳しくは、本発明はかかる媒体における無定形薄膜
の合金活性層を化′？的５＋′Ｐ、物や腐蝕による劣化
から防護することに関する。

背景 磁気光記録媒体は他のいくつかの名称、即も、熱磁気媒
体、消去可能な光奴体、ビームアドレッシング可能なフ
ァイル、および光磁気メモリーのような名称によっても
知られている。これ等用にｊｌはどれも、ラジアントエ
ネルギーに応答して記録と問合せの両方のためにレーザ
ービームのようなエネルギー源の使用を可能にＪる記憶
媒体または記憶要素に適用される。かかる媒体は入射偏
光ビームの特性を変調させるので、その、変調はフォト
ダイオードのような電子機圏によって検出できる。

この変調は通常、偏光に対するファラデー効果またはカ
ー効果のいずれかの現れである。ファラデー効果は成る
磁化媒体を通過Ｊる偏光の偏光面の回転である。カー効
果は光ビームが成る磁化媒体の表面で反射されるときの
光ビームの偏光面の回転である。

磁化性無定形薄膜が反射体上にデポジットされた場合に
は、カー効果にはファラデー効果が付加されることから
磁気光学回転は増大する。後者の効果は磁気光学層を通
って逆進する光の偏光面を回転さぜ、一方、カー効果は
層の表面でそれを回転させる。

光の偏向の方位の変化は偏光が入射するところのビット
またはサイトにおける材料の磁気光学的性質にＪ、って
起こる。従って、カー効果、ファラデー効果、またはこ
れ等２つの組み合わせは偏光面の変化を生じさせるため
に用いられる。透過された又は反射された光ビームの偏
光面と特有の回転角０を通して回転（る。上方ビット磁
化に関しては、それはθ°１転し、そして下方ビット磁
化に関しては、それは−θ°回転する。通常、ビット磁
化の方向に依存して１またはＯの理論値によって表わさ
れるデジタル形態の記録データは個々のビットを通過し
た又はそれから反射された光の強度変化を読取ることに
よって検出されてもよく、その強度は回転された光の間
および回転角に対して応答性である。

磁気光学（ＭＯ）材料を特徴付ける主なパラメーターは
回転角、保磁力（Ｈｃ　）　、キューリ一温度、および
補償点′Ａ疫である。媒体は一般に、単一元素から、ま
たは成分の少なくとも一つが無定形金属組成物であるよ
うな多成分システムから構成されている。これ等無定形
金属合金には２成分および３成分の組成物が特に適する
。適する例は希土類−遷移金ｉ　（ＲＥ−ｒＭ）組成物
、例えば、ガドリニウムニコバルト（Ｃｄ−Ｇｏ）、ガ
ドニリウムー鉄（Ｇｄ−Ｆｏｅ、’？ルビウムー鉄（Ｔ
　ｂ　−Ｆ　ｅ　）　、ジスプロシウム−鉄（Ｄｙ−Ｆ
ｅ）　、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ。

Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ、テルビウム−鉄−クロム（Ｔｂ−Ｆ
ｅ−ｃｒ）、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｂ　ｉ　（ビスマス）　、Ｇ
ｄ−Ｆｅ−８ｎ　（ｊｌ）　、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、　Ｑ
ｄ−ｃｏ−３ｉ　、およびＧｄ−Ｄｙ−・Ｆｅである。

Ｒｅ　−Ｔ　ｍ合金ノｒｍ！ｉＩＦ！４受性ｓ、ｔ　周
知ｒ　アル。

ＭＯディスク中の薄いフィルムとして使用される場合に
は、通常、合金はそれを誘電体層で囲むことによって、
部分的には、他の物質（例えば塩化物）によって助長さ
れるかも知れない水による腐蝕をＮ１１するために周囲
雰囲気との接触から防護されている。ＲＥ−ＴＭ金合金
よびそれを囲む誘電体層はしばしば、透明基体、例えば
、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレートのよう
な透明重合体上にデポジットされる。かがる防護は周囲
条件下で短３」問（数カ月）の間ならば、観測ｒ＋（能
な腐蝕を防ＩＦする。しかしながら、光ディスクには腐
蝕無しで長期の耐用年数（５〜１０年）が必要である。

従って、ディスクは高い温度や高い相対湿度（例えば、
５０％を越す）のような、腐蝕プロセスを加速させる条
件に騙される。これ等試験の結果は低温でのディスク腐
蝕速度を推定するために用いられる。高湿・′Ｉ５潟で
の環境試験中に、水はプラスチック基体に浸透して、防
護用誘電体層中に存在するかも知れない小さなビン小−
ルや亀裂や多孔のような個所での局部Ｂ蝕を生じさせる
。

これ等障害は基体の形成に使用されたスタンバ−や型の
中のちょっとした奇形から生じることもある。実験（よ
、局部腐蝕の外観（活性Ｍ　Ｏｆｆ＝ｉ中のピットやピ
ンホール）は基体または環境中のＪ原素または硫黄含有
化合物の存在によって強く影響されるということを示し
ていた。

活性Ｍｏ層は通常実に岬いので、−１腹有意な腐蝕が起
こると、腐蝕部位は記録媒体上に透明な又は澄んだ斑点
として見えるようになる場合があり、其処では活性ＲＥ
−ＴＭ合金が透明な醇化物に崩壊または変換されて下層
の反射面が露出する。この腐蝕の結東は配憶情報の喪失
である。詩１１Ｊがたつと、腐蝕部位は成長し、喪失情
報量は増大り−る。

ＭＯ媒体の腐蝕について先行文献１’ＹＦＩは、チタン
、白金、およびその他の元素の添加はｊＷ水溶液に曝さ
れた裸のＭＯ媒体の号ンブルにＪ３ける腐蝕を抑制する
のに有効であると云うことを、示している［Ｎ、イマム
ラ等の「無定形フィルム上での磁気光記録（）ｌａｇｎ
ｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ　ｏｎｎ
レンズオン・マグネティックス（１９８５年９月）第１
６０７頁、Ｊ３よびコバへ７シ等のＩＥＥＥ月）］。し
かしながら、本発明者簀は完全な多層ディスク構成は裸
のＭＯフィルムと同じ腐蝕順行を示さないということを
解明した。

発明の概要 腐蝕の問題はＴＥ−ＴＭ合金組成物を特定の元素の添加
を通して改Ｙｊ（することによって解決された。本発明
は、基体と、肋の一つが基体であってもよい単数または
１１数の層によって全ての面を周囲雰囲気との接触から
防護されている磁化性の希土類−遷移金属合金層と、反
射性表面とからなる磁気光記録媒体において、磁化性合
金が鉄−テルビウム合金と、クツトリ１クム、タンタル
、およびそれ等の組み合わせからなる群から選択された
添加余病との組み合わせからなることを特徴とす゛る、
磁気光記録媒体として要約される。

タンタルおよびイツトリウムはどちらも腐１ｍｆｆ延化
に有効であることを示し、そして両添加は磁化性ＲＥ−
ＴＭ合金層の成分の元となる材料源［即ち、スパッター
ターゲット（Ｑｌ、敢または複数）］にイツトリウムま
たはタンタルを添加することによって行われる。イツト
リウムまたはタンタルの添加は７０℃または８０℃およ
び９０％相対湿度の強制老化条件下でのＭＯディスクの
試験中に局部腐蝕の発生を有意に減少させることを示し
た。これ笠強υ１老化試験は通常操作および保存条件下
で長期間のディスク安定性を予測するために用いられる
。

ｍ蝕を減少さＶるのに十分な濃度でのイツトリウムまた
はタンタルの添加は磁化性合金層の、耐腐蝕性以外の性
質に対してはたとえ影響があるとしても、小さな影響を
有するにすぎない。従って、改善された耐腐蝕性の膜を
使用して製造されたＭｏ１体の情報記憶容量は僅かに影
響を受けるにすぎない。

多数のフィルム基体が使用できる。それ等は寸法安定性
であって記録および再生中の半径方向の変位変動を最小
にするような材料から構成できる。

半導体、絶縁体、または金属が使用できる。適する基体
はガラス、スピネル、石英、す゛ファイア、酸化アルミ
ニウム、金属１５４えばアルミニウムや銅、１！３よび
重合体例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）や
ポリカーボネートやポリエステル、などである。基体は
代表的にはディスク形態である。

反射性表面は駐体自体（例えば、アルミニウム）の平滑
な高度に研磨された表面であってもよいし、又は真空蒸
着のような公知の技術によってデポジットされた別個の
反射性層の表面であってもよい。

それは磁化性合金層を通して光を反射し返すように記録
媒体内に配置されている。反射性表面または層は通常、
記録用波長に於いて約５０％（好ましくは７０％）より
高い反射率を右する。デポジットされた反射性層は通常
、約５０〜５００　ｎｍの厚さをｈしている。反射性表
面または層としては銅、アルミニウム、または金が有効
である。

第１図はタンタル２．５％を含有している木発明のＭＯ
ディスクの、８０℃および９０％相対湿度の条件に４３
　／ｌ　１１５　ｌ？Ｘ１暉されたときの、金属組織を
示す倍率５２０倍の光学顕微鏡写真である。日蝕部位は
第１図では明るい斑点として見える。

第２図は磁化性ＲＥ−ＴＭ合金がタンタルを含有してい
ないこと以外、第１図のディスクと同じであり、かつ同
じ成形装置で製造された、別のＭＯディスクの金属組織
を示す光学顕微鏡写真（５２０倍の倍率）である。この
顕微鏡写真は第１図のために使用されたディスクと同じ
領域のものであるので、それは成形装置から伝えられた
同一のマイナーな欠損および引っ掻き傷に対して露光さ
れており、そしてディスクが−された環境条件は同じで
あった（即ち、８０℃および９０％相対湿度で４３４時
間）。腐蝕部位は第２図中に明るい斑点として明白に児
える。第２図中の腐蝕部位の数およびサイズは第１図中
のものよりもはるかに大きかった。

発明の詳細 な説明の媒体中の磁化性ＲＥ−ＴＭ合金層は一般に５〜
２００ｎｍ（ツノメーター）の厚さである。

成分の濃度範囲は通常、次の通りである：鉄　　　　　
　残分 テルビウム　　１０〜３０原子％（好ましくは１５〜３
０原子％） コバルト　　　Ｏ〜３０原子％ タンタル　　　０．１〜１０１ｍ子％（好ましくは５％
未満） イツトリウム　０．１〜１０原子％（好ましくは５％以
下） ＲＥ−ＴＭ金合金また一般に無定形すなわら、立体周期
ｌＩλ子配列配列たない非結晶性固体として特徴付けら
ｈる。無定形材料は長いレンジの原子秩序を有していな
い。電子ビーム回折によって分析されたとき、無定形合
金は多数の弱くて広い線によって多分フオ′ローされて
いるであろう広い回折線を生じる。非常に小さなスケー
ルの成る種の局在原子整列が存在するかも知れないが、
広い線または量を有するかかる回折パターンは結晶構造
に容易に割り当てられない。

ＲＥ−ＴＭ合金層は多数の磁気ドメイン（好ましくは、
その全てが最大寸法において５００人未満ぐある）を有
するものとして特徴付けられてもよい。ドメインは合金
中の最小の安定な磁化性領域を意味する二通常の使用で
は、ドメインは任意のサイズの均一に磁化される領域で
あるが、ここで使用されているドメインのサイズはＲＥ
　−Ｔ　Ｍ合金層の平面中で測定されたドメインの最大
１法を意味する。

三極スパッタリング法は本発明のＲＥ−ＴＭフィルムを
デポジットさせるのに適する。二極スパッタリング装置
は金属合金が置かれているスパッタリング陰極ターゲッ
トを収容する真空チャンバーからなる。合金はｉＪ棒体
ホルダー上！ＩＣかれた基体上に堆積するようにスパッ
ターされる。陰極ターゲットは水冷され、そして基体は
外部駆動手段を介して回転されることらある。デポジシ
ョンに先だってターゲットのスパッター洗浄を可能にす
るために、通常、シャッターがターゲラ１へとサンプル
との間に設けられている。スパッタリングチャンバー自
体はステンレス鋼からつくられている。

操作に４３いて、スパッタリングチャンバーは代表的に
は成る初期背景圧力（例えば４．０×１０−１トル）に
排気され、そこでスパッターガス（アルゴン）が導入さ
れる。代表的には、ターゲットは約３００ボルトのバイ
アス電圧での約６０秒間のプレスバッタリングによって
清浄される。

基体は予め定められたスパッタリング条件に達した後で
ターゲットからの原子の流れの中に曝される。

イツトリウムおよびタンタル添加はスパッタリング装置
内のＦｅ−Ｔｂ−ＣｏターゲットのＩ！′１上に必要な
添加物の片を置くことによって行われた。

スバツタードＲＥ−ＴＭＩ１２に添加されたイツトリウ
ムおよびタンタル両１１度はＦｅ−Ｔｂ−Ｃｏターゲッ
トの頂上の添加片の面積を変動さぼることによって変え
られる。必要な元素全ての合金であるターゲットを使用
するスパッターデポジションによって必要な合金膜を製
造することも可能である。

希土類−遷移金属膜【よ完全な磁気光学媒体の一藍索で
ある。その他の要素は剛性基体と挿々な透明誘電体膜と
反射性金属性膜である。光ビームが基体側から磁化性膜
をアドレスする場合（基体側入射型媒体）には、透明プ
ラスチック（ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレ
ート等）またはガラス製基体が使用される。光ビームが
基体とは反対の側から希土類−遷移金属をアドレスする
場合（人気側入射へ！媒体）には、基体はフルミニウｌ
＼や銅やその他の金属おＪ、σ半）り休のよう４丁不透
明なぞして／または反射性の材料ひあってもよい。

どららの場合（基体側人Ｑ・ｊ　！Ｖ！おにび人気犯人
用型）ｂ、基体【ユ材料デポジションのための剛性ベー
スを与え、そしてレーザービームトラッキングのための
（満のような）物理的形状を含有していてもよい。

薄い透明な誘電体層（代表的には１００〜２０Ｑｎｍの
厚さ）がＲＥ−１Ｍ膜の片面または両面にデポジットさ
れてもよい。Ｊ？１ｌｉｉ体層（ユスバツリングまたは
蒸発のような真空デポジション技術によってデボジツ１
へされることがて・きる。これ等股は１’＜　Ｅ−丁Ｍ
ＩＦＩ！からの光学１５号を増強させることと、ＲＥ−
ＴＭ膜を水や水蒸気や空気のようへ腐蝕性で酸化性のＦ
Ｍ境およびｆｒＡ索や硫黄のような腐蝕増強性化学物質
から防諜することの２つの役割を果たす。透明誘電体用
に適する材料は二酸化珪素、−ｇ化珪素、酸化アルミニ
ウム、Ｊ５よび窒化アルミニウムである。その他の材ｒ
１の使用も可能である。それ等を選択Ｊるための４：％
　ｊｐ：はそれ等が透明性と、約１．２より大ぎい屈折
率と、良好な化学的安定’ｔ’Ｊ（即ち、経時によって
又は遭遇ずる化学物質によって劣化されない）を有して
いるべきであると云うことである。

ＭＯ媒体が大気個人ｒＡ型であり、かつ非反射性３Ｊ体
が使用される輪金、および基体側入射型媒体では、ＲＥ
−ＴＭ膜を通って伝達された光を反射させてＲＥ−丁Ｍ
膜を通って戻すために反射性１４石（例えば、アルミニ
ウムや銅や金や銀のような金属）のフィルムが使用され
てもよい。この手段によって、ＭＯ倍信号１９強される
。

厚い透明な保護カバリングまたはデフオーカシング層に
にってＭＯ媒体を保護することが望ましい。この保護層
は取扱いによる媒体１０傷を防ぐのを助けると共に、Ｒ
Ｅ−ＴＭ層から反射された光ビームを読み取るレンズ装
置に関し【表面上の指紋Ｊ５よび塵粒子を焦点から外れ
たものにする。デフオーカシング層は通常、少なくとも
１．２ａｍの厚さである。基体側人（ト）型の構成体に
おいては、λ（体は保護用カバリングとして作用する。

水や水蒸気や塩素や硫黄のような腐蝕性化学物質をＲＥ
　−Ｔ　Ｍ膜と接触させないための保護フィルムおよび
球体を使用するにしかかわらず、希土類−ｊコ移金属膜
の腐蝕が認められる。この腐蝕は保護手段が保護フィル
ムおよび基体を通しての水浸透によって破壊された部位
に発生する。この浸透は拡散作用によって起こることも
あるし、欠損や亀裂やピンホールを通して起こることも
ある。

希土類−遷移金属膜にタンタルおよび／またはイツトリ
ウムを添加することを用いることによって、腐蝕の酷さ
は大いに抑制できる。

本発明はさらに下記実施例によって明らかに仕るであろ
うが、実施例は単に例示である。

実施例１ ２走行においてはＦｅＴｂＣｏ膜にイツトリウムが添加
されなかったが、４走行においてｔまＦｅＴｂＣｏ膜に
同量のイツトリウムが添加されたこと以外は、同じ条件
を使用して６件のデポジション走行を実施した。各実験
につぎ、約５×１０’トルに排気された真空チャンバー
内には、２ＵＡの、射出成形された溝付きポリカーボネ
ート基体と、２個のガラススライドが装置された。デポ
ジション中にディスクをチャンバー中心Ｊ３よびそれ等
の軸の周りに回転されるために、サンプル回転プラテン
またはプラネタリ−が使用された。

−酸化珪素粉末を充填された抵抗加熱蒸発ボートを使用
して、まヂ５２５人のｊ９ざのＳ＋Ｏｘ膜がデポジット
された。それから、アルゴンガス中で磁気的に強化され
た三極スパッタリングによって約３３０人の厚さのＦ　
ｅ　Ｔ　ｂ　ＣｏまたはＦｅＴｂＣｏＹの股が約３人／
秒の速疫でデボジツトされた。スパッタリング陰極用ソ
ース＋４　＄１（ターゲット）は５１ｍａＸ１５２ａ＊
であり、そして鉄、コバルト、およびテルビウムのバー
から構成されてＪ３す、バーの相対り゛イズは良好な磁
気光学的性！１の膜を与えるように選択されていた。イ
ツトリウム添加は三極管ターゲット中の鉄の上面に直径
６．４層のイツトリウムのディスク２個を置くことによ
って行われた。従来のｒｃＰ（誘電的カップリングされ
たプラズマ）実験によれば、Ｆ　ｅ　Ｔ　ｂ　ＣＯ膜の
近似原子組成はＦｅ−６５％、Ｃｏ−１３％、−ｒ　ｂ
　−２２％であった。

ＦｅＴｂＣｏＹｌｌＩでは、近似原子組成はＦｅ−６１
％、Ｇｏ−１３％、−ｒ　ｂ−２２％、Ｙ−４％であっ
た。スパッターデポジション中のアルゴン流１１は３　
Ｑ　５ＣＣＩＩＩ　（標準０３／分）であり、そしてチ
ャンバー圧は１．３Ｘ１０−３トルであった。その他の
パラメーターは次の通りであった：ターゲツト電圧−２
００ボルト、ターゲット電流＝１．２５アンペア、エミ
ッター電流＝３３アンペア、プラズマ電圧＝６８ポル１
・、プラズマ−Ｕ流−５，９アンペア。金属合金膜のデ
ポジションの後に、抵抗加熱蒸発ボートを使用して４０
０人の厚さのＳｉＯ膜が約２．９人／秒の速度でデボジ
× ツトされた。最後に、ＤＣブレイナーマグネトロンスパ
ッタリングソースを使用して１４００人のすさの、アル
ミニウム＋２原了％クロムの膜が約８人／秒でデボジツ
Ｉ・された。アルゴンの流量は３４３ＣＣ１１であり、
圧力は約１×１０−３トルであり、ターゲット電流は１
０アンペアであり、そしてターゲット電圧は５２０ボル
トであった。

これ等６走行で得たディスクはキＡ／リヤ／ノイズ比（
ＣＮＲ）を測定するために光学記録計を使用して試験さ
れた。イツトリウムをドープされたディスクも、イツト
リウムを含有していないディスクも、どちらもＣＮＲは
良好であった。６ｍＷのレーザー内き込みパワーを使用
して得られた平均ＣＮＲはイツトリウム不含ディスクで
は５１　ｄＢであり、そしてイツトリウム含有ディスク
では５２ｄＢであった。

各走行から得られた一方のディスクは７０℃、相対湿度
９０％の腐蝕試験を受けた。その試ｊｌ！は腐蝕迫イロ
の発生および成長についての光学顕ｍ鏡的考察を行うた
めに３９７時間間抜５３６時間［１に中断された。３９
７時間後の任意領域におけるディスク当たりのＪ１１ｒ
ｔＡ部位の平均数はイツトリウム不含ディスクでは１５
０であり、そしてイツトリウム含有ディスクでは２３で
あった。５３６時間後、イツトリウム不含ディスクは平
均損傷数２１３であり、そしてイツトリウム含有ディス
クは損傷数７４であった。これ等結果は−ｆツトリウム
が腐Ｐ！Ｉｉｍの発生を大幅に減少させることを表わし
ている。

火」ｕ」２ ２つのＭＯディスクが２３％］ｂ、１４％Ｃ０１３，６
％Ｙ１および残分Ｆｅの原ｒ・組成からなる場合のデポ
ジション走行の結果によっても、イツ］・リウム添加の
効果が示される。比較のためにイツトリウムを添加しな
いで、３種類の基線デポジション走行も行った。それ等
の原子組成は次の通りであった：走行４６０：２１．８
％Ｔｂ１１２．９％ＣＯ１残分Ｆｅ：走行４６２：２１
．４％Ｔｂ、１３％ＣＯ１残分１”ｅおよび走行４６７
：２２．８％Ｔｂｖ　１３．５％ＣＯ１残分Ｆ６０これ
笠４秤類のｒｉ４媒体は実施例１と同じ条件下でｖＪ造
された。ディスクは全て７０℃および相対Ｎ１！１９０
％の環境に曝され、で・して記録データのビットに対す
るビットエラー数の比（即ち、ビットエラー率またはＢ
ＥＲ）を求めるために定期的に取り出されて光学顕微鏡
？？貞によって及び光学レーザー記録計を使用すること
によって検査された。４００時間を越す仝試Ｓ時間にわ
たつで、本発明のイツトリウムドープト媒体のＢ　Ｅ　
Ｒは約３Ｘ１０−５から約ｌＸｌ０−’に増加したに過
ぎなかった。他方、走行間４６２および４６７のディス
クは本発明の媒体ディスクとほぼ同じ初期Ｂ　Ｅ　Ｉｔ
を有していたが、走行４６７のＢＥＲは約２００時間で
４Ｘ１０’に増加し、走行４６２のＢ　Ｅ　Ｒは約３８
０時間で４Ｘ１０−’に増加した。

走行４６０のディスクは約２Ｘ１０’の初期ＢＥＲを有
しており、それが約１２０時間で４×１０−４に増加し
た。苛酷条件下での経時におけるＢＥＲ増加率のこの顕
りな減少は局部腐蝕からの保護に帰因せしめることがで
き、そしてこのイツトリウムをドープされたディスクに
おける減少した局部腐蝕は光学的に顕微鏡写真によって
確認された。

実施例３ く２×１０−７トルに排気された真空デポジションシス
テム内に、直径１３０ｍの注入成形された溝付きポリカ
ーボネートディスク７ｉｉｊ類とガラススライド３種類
が装着された。真空デボジシ」ンシステムは均一な模デ
ポジションを確保するためにディスクがその軸と真空チ
ャンバーの中心軸の両方の周りに回転させられるのを可
能にする遊星装置をＶｉ備されていた。−酸化珪素粉末
を充填された抵抗加熱された蒸発ボートを使用して、ま
ず、厚さ５００人の５ｈｏｘ膜が約４人／秒の速度でデ
ポジットされた。磁気的に強化されたスパッターソース
を使用して約１．７人／秒で三極スパッタリングによっ
て、ＦｅとＧｏと丁すと１’−ａの合金からなる３　０
０人厚さの膜がデポジットされた。

スパッターターゲットは５１ｍＸ３８１ａ＊であり、そ
して６８％Ｆｅと８％ＣＯと２４％丁ｂ（原子％）から
構成されており、その上にはタンタル片２５＃１ＩＩＸ
１３Ｊｌｌ＋が置かれていた。デポジション中のアルゴ
ンスパッタリングガス流は２２０ｓｃｃｌであり、そし
てチャンバー圧は１．３Ｘ１０−３１−ルであった。ソ
ース操作条ｆ１は次の通りであった：ターゲツト電圧−
５００ボルト、ターゲット電流＝２．２アンペア、プラ
ズマ電Ｈ−＝　ｆｌ　Ｏボルト、プラズマ電流−５アン
ペア、エミッター電流＝３４アンペア。ＦｃＴｂＣｏＴ
ａ合金をデポジットした後に、システムは８Ｘ１０’ｌ
−ルに再排気され、そして−酸化珪素粉末を充填された
抵抗加熱された蒸発ボートを使用して３００人厚さの８
１０ｘＩ！Ｊがデポジットされた。最後に、アルミニウ
ム＋２原子％クロムの１５００人厚さの膜が、ＤＣブレ
イナーマグネトロンスパッターソースを使用して、約３
．６Ａ／秒でデポジットされた。

アルゴン流速は４　Ｑ　ｓｃｃｍであり、そしてチャン
バー圧は８×１０−４トルであった。マグネトロンスパ
ッタリングターゲラ］・電圧および電流は７００ボルト
および２．２アンペアであった。

実験中にガラススライド上にデポジットされたＦｅＴｂ
ＣｏＴａフィルムの組成はＩＣＰ分析を使用して求めら
れた。その結果を原子％で表すと次の通りである： Ｆｅ　　　　６８．１％ Ｔｂ　　　　２２．０％ Ｇｏ　　　　　７．９％ ｌａ　　　　　２．０％ Ｆｅ−Ｔｂ−Ｃｏ合金の耐腐り性に対するタンタル濃度
変動の影響を求めるために、２つの方法が使用された。

１直１１ 第一の方法では、ＳｉＯｘの５００人厚さの層で被覆さ
れているポリメチルメタクリレート以体上に１０００人
厚さの膜がデポジットされた。それ等の電気化学的偏光
曲線は２１ｖ／秒の走査達磨を用いるＡＳＴＭスタンダ
ード・ブラクチス・フォア・スタンダード・リファレン
ス・メソッド・フォア・メイキング・ボテンシオスタテ
ィック・アンド・ボテンシＡダイナミック・アノ−ディ
ック・ボーラリゼイション・メジャメンツ（ＡＳＴＭ　
　５ｔａｎｄａｒｄ　Ｐｒａｃｔｉｃｅ　ｆｏｒ　５ｔ
ａｎｄａｒｄＲｅｆｅｒｅｎｃｅ　　Ｍｅｔｈｏｄ　ｒ
ｏｒ　ＨａｋｉｎＯＰｏｔｅｎｔｉｏｓｔａｔｉｃａｎ
ｄ　　Ｐｏｔｅｎｔｉｏｄｙｎａｍｉｃ　Ａｎｏｄｉｃ
　ＰｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ
　）　　（ＡＳＴＭ　　Ｇ５−８２）に従って、窒素を
飽和された０、ＩＮ　　ＮａＣ！水溶液中で測定された
。これは材料の耐腐蝕性を測定するために使用される標
準的方法である。電位をａ＋＋１　ＩＩＩおよび変動さ
せるために使用された装置はＥＧ＆Ｇプリンセトン・ア
プライド・リリーチ・ボテンシオスタト／ガルバノスタ
ト・モデル２７３であり、そして参照電極は飽和力［１
メル参照゛市極であった。　゛ この方法によって試験された合金は３種類の合金のうち
の二つがそれぞれ２．５原子％と５原子％のタンタルを
有しており、第三の標準対照用のものはタンタルを含ａ
していないこと以外は同一であった。タンタル添加は腐
蝕電位（腐蝕電流が０であるための電圧）をポジ方向へ
有意に変動させた。標準対照の腐蝕電位は約−７１Ｏｎ
＋Ｖであり、２．５％Ｔａ合金の腐蝕電位は飽和力［１
メル電極に対して約−６４０１＋１Ｖであった。このよ
うなポジティブな電圧は腐蝕反応に駆り立てる力の減少
を表わしている。加えて、電位対電流の曲線は実験され
たタンタルドープト合金では電圧が増大すると腐蝕電流
が有意に低下するということを表わしていた。例えば、
約−４５０ｍＶの電圧では、本発明の合金の腐蝕電流は
非ドープト椋準対照のくれよりも１００倍以上も減少し
た。

１１五１ ＃Ａ腐蝕性に対するタンタル濃度の影響を求めるための
第二の試験は実施例３で製造されたと同じＦＯ−Ｔｂ−
Ｇｏ−Ｔａ膜を組み込んだ完全構成ＭＯｖＸ体をつくる
ことであった。これ等媒体を８０℃および相対湿度９０
％に４３４時闇瞑し、そして腐蝕痕を光学顕微鏡写真に
よって求めた。完全構成媒体は射出成形ポリカーボネー
ト林体と、ＳｉＯｘの厚さ５００人の層と、Ｆｅ−Ｔｂ
−ＧＯ−７ａ合金の厚さ３００人の層と、Ｓ　＋　Ｏｘ
の厚さ４００人の層と、へ！−２％Ｃｒの厚さ１５００
人の反射性層とからなる、叩も、基体側入射型構造の４
層媒体からなる。８蝕部位は成形時にＭＯディスクに伝
えられたＩＩ　傷および引っ掻く傷のところに発生して
いた。従って、様々なタンタル吊のディスクに同一損傷
を局在させること、即ら、同じ成形装置で製造された異
なるディスク上に成形プロセスからの同一損傷を局在さ
せることが可能である。これ等同じ領域の比較は腐蝕部
位の数および大ぎさがタンタルの存在によつＣ４ｉ意に
減少されたことを表わしていた。

これはＲＥ　−Ｔ　Ｍ合金中にタンタルを含有する本発
明のディスクと含有しない標準対照ディスクの上の同じ
対応領域を表わしている第１図と第２図を比較すること
によって明らかである。第１図の本発明のディスクはは
るかに少ない腐蝕部位を示しており、そしてはっきりし
ているものは第２図におＧ）るものよりも小さい。

タンタルの有益な効果は良好な磁気光学的性質を有する
ＭＯ媒体が製造されないならば無意味であろう。従って
、様々なタンタルａｍのＭＯディスクはキャリＶ対ノイ
ズ比（ＣＮＲ）と限界書き込みレーザーパワー（有意な
ＣＮＲが得られるところのレーザーパワー）を求めるた
めに試験された。結果はタンタル濃度の増大は限界書き
込みパワーを幾分低下させ、かつＣＮＲをも少し低下さ
せることを示した。しかしながら、サンプルの全てにお
いて、ＣＮ　Ｒは許容されるものであった。

タンタルを含有しない標準対照ディスクのＣＮＲは約５
３デシベル（ｄＢ）であり、　（ｌ！！方、２．５％タ
ンタルをドープされたサンプルのＣＮＲは約５２ｄＢで
あり、そして３．８％「ａをドープされたサンプルのＣ
ＮＲは約５０ｄＢであった。

本発明を説明する目的で成る代表的な態様および詳細を
示したが、当業者には特許請求の範囲によって規定され
ているその真の思想および範囲から逸脱することなく本
発明にお番）る様々な変形および変更が可能であること
が明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図はタンタル２．５％を含有している本発明のＭＯ
ディスクの、８０℃および９０％相対湿度の条件に４３
４時間間抜れたときの、金属組織を示１光学顕微鏡写真
（倍率５２０倍）である。 第２図は磁化性ＲＥ−ＴＭ合金がタンタルを含有してい
ないこと以外、第１図のディスクと同じであり、かつ同
じ成形装置で製造された、別のＭＯディスクの金属組織
を示す光学顕微ｖＥ写ど、−（５２０倍の倍率）である
。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体と、層の一つが基体であつてもよい単数また
   は複数の層によつて周囲雰囲気との接触から全ての面を
   保護されている、基体上の磁化性の希土類−遷移金属合
   金層と、磁化性合金層を通つた光を反射させるように位
   置している反射性表面とからなる磁気光記録媒体であつ
   て、磁化性合金が鉄−テルビウム合金と、イットリウム
   、タンタル、およびそれ等の組み合わせからなる群から
   選択された添加金属との組み合わせからなることを特徴
   とする、磁気光記録媒体。
2. （２）希土類−遷移金属合金がコバルトを含有している
   、特許請求の範囲第１項の磁気光記録媒体。
3. （３）希土類−遷移金属合金が無定形である、特許請求
   の範囲第１項の磁気光記録媒体。
4. （４）基体が硫黄および塩素からなる群から選択された
   不純物を含有している、特許請求の範囲第１項の磁気光
   記録媒体。
5. （５）合金中のイットリウムの濃度が５原子％以下であ
   り、そして合金中のタンタルの濃度が５原子％以下であ
   る、特許請求の範囲第１項の磁気光記録媒体。
6. （６）基体と、基体上の磁化性の希土類−遷移−金属合
   金層とからなる磁気光記録媒体であつて、磁化性合金が
   鉄とテルビウムとタンタルからなることを特徴とする、
   磁気光記録媒体。
7. （７）希土類−遷移金属合金層からなる磁気光記録媒体
   を、５０℃より高い温度、５０％より高い相対湿度、塩
   素、または硫黄から選択された少なくとも一つの有害な
   環境から保護するための方法であつて、希土類−遷移金
   属合金中に、イットリウム、タンタル、およびそれ等の
   組み合わせからなる群から選択された添加金属を組み入
   れることを特徴とする上記方法。