JPS63173248A - 光磁気デイスク - Google Patents

光磁気デイスク

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JPS63173248A
JPS63173248A JP408787A JP408787A JPS63173248A JP S63173248 A JPS63173248 A JP S63173248A JP 408787 A JP408787 A JP 408787A JP 408787 A JP408787 A JP 408787A JP S63173248 A JPS63173248 A JP S63173248A
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JP
Japan
Prior art keywords
magneto
optical recording
protective layer
recording material
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP408787A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotoshi Niwa
丹羽 弘敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Daicel Chemical Industries Ltd filed Critical Daicel Chemical Industries Ltd
Priority to JP408787A priority Critical patent/JPS63173248A/ja
Publication of JPS63173248A publication Critical patent/JPS63173248A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はレーザー光を用いて情報の記録・再生を行う光
学式記録・再生装置に用いられる高密度情報記録媒体に
関するものであり、特に、光磁気特性に優れた光磁気記
録・再生用高密度情報記録媒体に関するものである、。
(従来技術) 光磁気ディスクにおいて、現在、技術的に最も重要な点
は、記録再生特性に優れ、1だ高い耐久性をもつ光磁気
ディスクをいかにして安価に製造するかということであ
る。
光磁気記録材は、一般に、希土類金属−遷移金属のアモ
ルファス合金薄膜である。遷移金属としてFe 、 C
oが主に使われ、共に安価な金属である。
しかし、希土類金属としては、Tb # Qd −Dy
# H。
などであるが、全て、非常に高価なものである。
一般に知られている光磁気記録材は、 TbFeCo5
TbCo 、 TbFe 、 GdTbFeなとのアモ
ルファス合金薄膜であり、膜厚としては100OX程度
が最適である。膜厚をそれ以下にすると、光磁気記録材
層上で反射する光景が減少し、これにより記録再生特性
が劣化し、満足できる光磁気ディスクは得られない。従
来の技術では、高価なTb 、 Gdなとの希土類金属
の使用量を減らして、光磁気ディスクを安価に製造する
ことができなかった。
(従来技術) 記録再生特性を向上させるため光磁気記録材層の外に反
射層やエンハンス層をさらに追加すること自体は周知で
ある。例えば、特開昭61−57053号には反射層と
してCr5Ti*Mo5WsTa単独またはこれらとA
L s Cu I Nt s Co s St IB、
C等との合金よシなる薄膜を用いることが開示されてい
る。この文献では上記反射層によって耐食性に優れた記
録媒体が提供されると記載されている。しかし、この反
射層単独による耐酸化性には限度があり、記録ビット長
を変える変調方式とのデー−ティーが悪くなるという問
題がある。
一方、空中の酸素や水あるいはプラスチック基板からの
モノマーによる光磁気記録材の酸化、劣化を防ぐために
、本出願人はグラスチック基板と光磁気記録材層との間
に無機ガラスよシなる薄膜層を介在させることを提案し
た(特開昭60−177449号)。この保護層は完全
に満足なものであるが、高価な希土類の量、従って光磁
気記録材層の厚さを減すには限度があり、また、この保
護に万一存在する危険性のあるピンホール対策が求めら
れている。
(発明の目的) 本発明の目的は、上述の問題点を解決し、記録再生特性
、耐久性を維持させたまま、ビット長を変える変調方式
に使える安価な光磁気ディスクを提供することにある。
(発明の構成) 本発明による高密度情報記録媒体は透明グラスチック基
板と、この基板上に形成された無機質薄膜より成る中間
保護層と、この中間保護層上に形成された光磁気記録材
層と必要に応じて設けられる前記光磁気記録材層上に形
成された無機質薄膜より成る表面保護層とを有する光磁
気記録媒体において、上記光磁気記録材層の少なくとも
一方の表面と上記保護層との間に金属反射層が設けられ
ていることを特徴とする。
なお、前記の表面保護層は必要に応じて設けられるもの
で、2枚の光磁気ディスクを貼合せる場合および/また
は耐候性反射層を用いる場合には省略することもできる
上記保護層は無機ガラス、特に無アルカリガラスで構成
されているのが好ましい。この無アルカリガラスの組成
、効果、製膜法については本出願人による特開昭60−
177449号、特願昭60−132147号に記載さ
れており、これを参照されたい。
上記金属反射層の効果は公知であり、その作用は光磁気
記録材層を薄くして金属反射層を設けると、光磁気記録
材層を通過した元も戻ることになり、カー効果と7丁う
デー効来が相乗するからと考えられる。一般には、kl
 m Cu e Ag # Auなどが用いられる。こ
れらの金属反射層は周知の物理蒸着法、例えば、スA?
ツタリングで形成できその膜厚は、材料によっても異な
るが、一般には、200〜3000Xである。
これらの金属反射膜を用いることによシ、記録再生特性
を表わす評価項目のひとつであるC / N値は良好に
なる反面、記録感度が悪くなる。また、記録したいビッ
トの大きさと、実際に記録されたビットの大きさの差が
増大することが従来から問題であった。このことは、光
磁気記録媒体に信号を記録する方法のひとつとして、記
録ビットの長さを変えて記録する変調方式(例えばEF
M変調)を用いる場合、特に問題であった。
光磁気記録媒体の記録の仕組みは、1ず記録したい方向
に直流の弱い外部磁場をかけておく。次に書き込みをし
たいところにレーザーを当てて熱を加えると保磁力が落
ち、磁化は外部磁化の方向【反転する。レーザーの照射
後、磁化の向きの違いをカー効果、ファラデー効果によ
り記録を読み出す。
従来の金属反射層を用いた場合、レーザーによる熱が、
記録したい部分以外に、逃げてしまうため、記録感度の
低下、及び、記録ビットの大きさに関する上述の問題が
生じるものと思われる。すなわち、レーザーによる熱が
金属反射層を通して逃げることにより、記録したい部分
以外のところも温度が上昇し、磁化の一部が外部磁化の
方向に反転する。そのため記録感度も悪くなるしぼた、
記録したい部分とそうでない部分の境界が不鮮明になり
、ビット長による記録変調特性が低下するものと思われ
る。
本発明者は、記録感度とビット長による記録変調特性が
共に低下する原因について、鋭意検討した結果、金属反
射層の熱伝導度の小さい材質を用いれば解決できること
を見い出し本発明に至った。
光磁気記録材に使用される主な元素であるFeeCol
の熱伝導度(Cal/CmCm−8eC−deは共に約
0.15、Tb 、 Gdは共に約0.02である。従
来、金属反射層として使われているht * Cu #
 Ag * Auは、各々、0.5 、0.9 、1.
0 、0.7程度で、大きな値をもつ。したがって、こ
れらの金属反射層を用いると、レーザーの熱が、それを
通って逃げるため、記録感度も落ちるし、1だ、ビット
長による記録変調特性も低下する。金属反射層の熱伝導
度が、 Fe 、 Coと同等、或いはそれ以下である
ような物質を用いる必要性がある。
本発明により見い出したCr x Tlの熱伝導度は、
各々、0.16 、0.05であり、Ta 、 Nbは
共に0.13程度である。これらの中から選ばれる少な
くともひとつによって構成された金属反射層付きの+磁
気記録媒体は、C/N値のみならず、記録感度、記録変
調特性も良好であった。壕だ、これらは、化学的に安定
で、空気や水に侵されないので、耐候性をもつ金属反射
層として更に有用である。
本発明を用いることにより、希土類−遷移金属のアモル
ファス合金である光磁気記録材層を従来よシ薄くするこ
と、つ1シ、高価な希土類金属の使用量を少なくするこ
とが可能となシ、初めて、安価に光磁気記録媒体を製造
することができるようになった。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
(実施例1) プラスチックス基板として直径130wmで厚さが1.
2瓢のポリカーがネート(pc )基板全用意した。こ
の基板上にスパッタリング装置(日本真空技術(株)製
RFマグネトロンス・9ツタリング装置)を用いて、コ
ーニング7059を中間保護層としてスiJ?ツタリン
グで膜厚500Xの薄膜に形成した後、光磁気記録材層
として、その上に、Tb25Fe68Co7の記録膜を
上記スパッタリング装置を用いて膜厚500′Aに形成
し、更に、その上に、金属反射層としてCr ’i(5
00Xに上記と同じ方法で成膜した。またその上、表面
保護層として上記と同様に、コーニング7059を50
0Xに形成した。
得られた光磁気ディスク(サンプルA)の評価は、C/
N値(記録周波数I MF(z 、 dut)r=50
150、線速4.2m/5eC1分解能帯域帯= 30
 kHz)と最適記録パワーPw及びソノター(記録ビ
ットのパルス時間=500 n5ec )の標準偏差値
(δ値)により行なった。その結果を表1に示した。
(実施例2) 実施例1と同様にして、PC基板上に、コーニング70
59の中間保護層、Tb25Fe68CO7の記録層、
Tiの金属反射層、コーニング7059の表面保護層の
順に、各々500Xに形成した。得られた光磁気ディス
ク(サンプルB)tc/N値、pw及びδ値で評価し、
その結果を表1に示した。
(比較例1) 実施例1と同様にして、PC基板上に、コーニング70
59の中間保護層、Tb25Fe68Co7の記録層、
コーニング70590表面保護層の順に、各各500.
1000,500Xに形成した。得られた光磁気ディス
ク(サンプルC) f D / N値、Pw及びδ値で
評価し、その結果を表1に示した。
(比較例2) 実施例1と同様にして、PC基板上に、コーニング70
59の中間保護層、Tb25Fe68Co7の記録層、
Atの金属反射層、コーニング7059の表面保護層の
順に、各々、500xに形成した。得られた光磁気ディ
スク(サンプルD ) t、c /N値、Pw及びδ値
で評価し、その結果を表1に示した。
表  1 なお、表1には各サンプルを60℃、90%RH下に3
0日間放置した後のC/N比の変化率(初期値に対する
変化率(%))も示しである。
表1から明らかなように、本発明による構成の記録媒体
は耐久性、記録感度、再生特性において反射層の無い従
来の媒体と同等な性能全持ち、ジッターにおいては優れ
ている安価な記録媒体である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)透明プラスチックス基板と、この基板上に形成され
    た無機質薄膜より成る中間保護層と、この中間保護層上
    に形成された光磁気記録材層と、必要に応じて設けられ
    る前記光磁気記録材層上に形成された無機質薄膜より成
    る表面保護層とを有する光磁気を用いた高密度情報記録
    媒体において、上記光磁気記録材層の少なくとも一方の
    表面と上記保護層との間に金属反射層が設けられている
    ことを特徴とする高密度情報記録媒体。 2)上記金属反射層が、Cr、Ti、Ta、Nbの中か
    ら選ばれる少なくともひとつによって構成されることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の高密度情報記録
    媒体。 3)上記金属反射層の膜厚が50〜2500Åの範囲で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の高密
    度情報記録媒体。 4)上記光磁気記録材の膜厚と上記金属反射層の膜厚の
    和が100〜2600Åの範囲であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の高密度情報記録媒体。 5)上記無機質薄膜が無アルカリガラスの薄膜であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項から第4項いずれ
    か一項に記載の高密度情報記録媒体。 6)上記高密度情報記録媒体がビット長を変化させて記
    録する変調方式用の媒体であることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の高密度情報記録媒体。
JP408787A 1987-01-13 1987-01-13 光磁気デイスク Pending JPS63173248A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7515866B2 (en) 2004-12-14 2009-04-07 Ricoh Company, Ltd. Image forming apparatus

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