JPS63131353A

JPS63131353A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS63131353A
Application number: JP27837286A
Authority: JP
Inventors: Hirotoshi Niwa; 丹羽　弘敏; Seiichi Ota; 誠一太田
Original assignee: Daicel Chemical Industries Ltd
Current assignee: Daicel Corp
Priority date: 1986-11-21
Filing date: 1986-11-21
Publication date: 1988-06-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は光磁気ディスク、テープ、カード等のレーザー
ビームを用いて情報を高密度に記録するの（ご用いられ
ろ光磁気記録媒体に関するものであり、特にテルビウム
、鉄およびコバルトより成る３元素光磁気記録材の改良
に関するものである。

（発明の背景）希土類−遷移金属（ｒ？、−Ｔ）よる成るアモルファス
合金薄膜を有する光磁気記録媒体にレーザービームを用
いて熱−磁気記録し、光−磁気再生することは既に周知
である。上記Ｒ−Ｔ膜としてはＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ
、ＴｂＦｅＣｏ等が提案されており、実験室レベルでは
既に十分な性能のものが作られている。光磁気記録方式
の実用化上の最大の問題点は記録媒体の耐久性である。

すなわち、上記アモルファス合金薄膜は空気中の酸素、
水分によって酸化され易いため、記録膜の性質が時間の
経過とともに変化する。そのため、記録膜の記録−再生
特性が経時変化し、この変化が許容限度を超えると、最
悪の場合には記録・再生が不可能になる。

従って、耐久性に優れたＲ−Ｔアモルファス光磁気記録
膜の開発が強く望まれている。

上記問題点を解決する、すなわち記録膜の耐久性を向上
さける対策としては２つの方法があり、一つは保護膜を
用いる方法であり、他はＲ−Ｔ合金の組成そのものの耐
久性を向上させる方法であり、本発明は後者の場合であ
る。

（従来技術）耐久性を向上させた光磁気記録材用Ｒ−Ｔ合金組成に関
しては既に種々のアイデアが提案されている。例えば特
開昭５９−１６８９５３号ではＧｄＴｂＦｅＣｏにＳｉ
を０．１〜３０原子％添加している。また、Ｒ−Ｔ合金
組成に耐久性を向上させろための他の成分を添加するこ
とに関した研究報告としては「電気学会研究会資料−マ
グネティック研究会」（昭６０年）のＭＡＧ−８５−８
０およびＭＡＧ−８５−８１がある。前者ではＡ　Ｉ、
　Ｃｒ。

Ｔ　ｉ、Ｍｏの添加効果が記載されており、後者でもＣ
ｒ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡＩ、Ｓｂ、ＡＩ、Ｍｏの添加効果が
記載されている。本発明はこれらの研究の延長上にある
。

（発明の目的）本発明の目的は耐久性の面で実用に十分耐え得ると同時
に記録−再生特性に優れた光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。特に、本発明はＴｂＦｅＣ０の３元系光磁気
記記録材の耐久性を向上させることにある。

（発明の構成）本発明の特徴は基板と、この基板上に直接または保護層
／エンハンス層を介して形成されたテルビウム（Ｔ　ｂ
）、鉄（Ｆｅ）およびコバルト（Ｃｏ）より成る光磁気
記録材の薄膜とを有する光磁気記録媒体において、上記
光磁気記録材にニオブ（Ｎ　ｂ）を０．５〜５原子％さ
らに添加することにある。

上記基板はガラス、セラミックス、プラスチック、金属
等任意の材料から作ることができるが、生産性、コスト
等から透明プラスチック、特にポリカーボネートが好ま
しい。アクリル樹脂の場合には吸水性が高く、Ｒ−Ｔ合
金膜の酸化を促進するので、保護膜を用いるのが望まし
い。

光磁気記録材としては種々のＲ−Ｔの組合せが公知であ
るが、本発明はＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏの三元系合金をベース
として用いる。この３元系合金の組成は主として記録−
再生特性の観点から決められる。各成分の比率は特に限
定されないが、本発明の好ましい３元系合金の組成とし
ては以下のような乙のが挙げられる：Ｔ　ｂ２＋　（Ｆ　ｅｅｓｃＯ＋５）ｔａＴ　ｂｚｓ　
（Ｆ　ｅｓ３ｃＯ９ＬｓＴ　Ｌ７（Ｆ　ｅｓｅｃｏｚ）ｔｓＴ　Ｌｓ　（Ｆ　ｅｐ３ｃ　０１７）？＋一般的にはベ
ースとなる３元系合金は下記式で表わすことができる：Ｔ　ｂｙ　（Ｆ　ｅ＋ｏｏ−ｚＣＯ２）＋ｏｏ　ｙここ
で、ｙは２０〜３０２は５〜２０である。

本発明の特徴は上記の３元系合金にＮｂを０．５〜５原
子％添加して、４元系の合金としたものを光磁気記録材
として用いる点にある。

従って、本発明の光磁気記録材は下記一般式で表わされ
る；［Ｔｂｙ　（Ｆｅｔｏｏ　　ｚｃＯ２）＋ｏｏ　　ｙ］
ｔｏｏ−ＸＮｂＸここで、Ｘ＝０．５〜５ｙ＝　２０〜３０ｚ＝　　５　〜２０上記元素の添加によって耐久性−耐酸化性、耐食性−が
向上する理由は一般に不ｌ！ｂＦ、！が膜表面に形成さ
れるためであると考えられている　（前記ＭＧ−８５−
８０参照）上記Ｎｂの添加量が０．５原子％未満では耐久性の効果
がなく、５原子％を超えるとＣＮＲ。

ＢＥＲ等の記録−再生特性が時間の経過とともに低下し
、ともに実用にならない。

以下、実施例を用いて本発明を説明する。

（実　施　例）射出成形によって成形した直径１３０　ｍｍ、厚さ１．
２ＩＩ１ｍのポリカーボネート製基板をスパッタリング
装置（日本真空製）にセットし、到達真空度＝　５　Ｘ
　１０−’Ｔｏｒｒ、スパッター（Ａｒ）圧力＝７×１
０−３Ｔ　ｏｒｒ、スパッタ電力＝　１．４０．Ｗで、
各種組成のターゲットを用いて上記基板上に膜厚的ｔ、
ｏｏｏ人の磁性薄膜を形成した。

上記ターゲットとしてはＴｂ□（Ｆｅ、、Ｃｏ目）７８
の合金ターゲット上に所定数のＮｂのチップを置いたも
のを使用した。スパッター後の薄膜の組成はターゲット
の組成とほぼ同じであることが分析結果かられかってい
る。

得られた磁性薄膜の評価はピンホール数（Ｎ）の増加率
（Ｎ／Ｎｏ、Ｎｏは第４元素を添加しないディスクのピ
ンホール数）とＥＥｒ（変化率（ＢＥＲ／Ｂ　Ｅ　Ｒｏ
、　Ｂ　Ｅ　Ｒｏは初期値）の６０℃、９０％ＲｔＩ下
での経時変化により行った。

第１図は上記チップとしてＮｂを用いた場合のピンホー
ル数の変化（Ｎ／Ｎｏ）を６０’Ｃ，９０％ＲＨ下での
保持時間（時）で示したものである。第２図は同じ＜　
ＢＥＨの変化（ＢＥＲ／ＢＥＲ，・・・初期値に対する
変化率）を示したものである。第１゜２図から明らかな
ようにＮｂ添加の場合、最適添加量は０．５〜５原子％
である。

（比較例Ｉ）上記Ｎｂを添加しない場合について実施例と同じ方法で
光ディスクを製造し、評価を行った。結果は第３図およ
び第４図に示しである。これら添加物を加えない場合に
は膜の劣化が止らないことを示している。

（比較例２）第４成分としてＴｉを用いた場合について実施した。成
膜法および評価法は実施例と同じである。

第５．６図から明らかなように、Ｔｉの添加ではＮｂは
ど耐久性に効果がない。

以上の実施例からも明らかなように、本発明の４元系合
金の耐久効果を実用レベルまで向上させることができる
。

本発明の記録材薄膜はそれだけで十分な耐久性を有する
が、これを保護膜と組合せることにより耐久性はさらに
向上する。この保護膜としては本出願人による特開昭６
０−１７７４４９号に記載の無アルカリガラスの保護膜
が特に好ましい。この保護膜の組成等については上記公
開公報を参照されたい。

本発明媒体は上記保護膜の他に公知のエンハンス膜等と
組合仕ることができるということは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明？こよるＮｂ添加効果を示すための記録
媒体の６０℃、９０％ＲＨ下でのピンホール数変化率を
経過時間に対して描いた図。第２図は同じ＜　ＢＥＲ（ビットエラー率）の変化率を
経過時間に対して描いたもの。第３〜６図は比較例を示す図で、第３図および第４図は
本発明を用いない場合のピンホール数変化とＢＥＲ変化
率を各々示し、第５図および第６図は本発明でないＴｉ
の添加では効果が少ないということを示す、　ピンホー
ル変化率とＢＥＲ変化率を各々示す図。第１図０　２００　４００　６００　８００　１．０００６０
℃、９０％ＲＨ保持時間（Ｈｒ）第２図６０℃、９０％ＲＨ保持時間（Ｈｒ）第３図　　　　　第４図

Claims

【特許請求の範囲】１）基板と、この基板上に形成されたテルビウム、鉄お
よびコバルトより成る光磁気記録材の薄膜とを有する光
磁気記録媒体において、上記光磁気記録材がさらにニオ
ブを０．５〜５原子％含むことを特徴とする光磁気記録
媒体。２）上記光磁気記録材薄膜の組成が下記の式で表わされ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気
記録媒体：［Ｔｂ＿ｙ（Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｚＣＯ＿ｚ）＿１
＿０＿０＿−＿ｙ］＿１＿０＿０＿−＿ｘＮｂ＿ｘここ
でｘは０．５〜５、ｚは５〜２０、ｙは２０〜３０３）上記基板と光磁気記録材薄膜との間および／または
光磁気記録材薄膜の外表面上に保護層および／またはエ
ンハンス層がさらに設けられていることを特徴とする特
許請求の範囲第１、２項いずれか一項に記載の光磁気記
録媒体。