JPH0823943B2 - 光磁気記録素子 - Google Patents
光磁気記録素子Info
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- JPH0823943B2 JPH0823943B2 JP25126486A JP25126486A JPH0823943B2 JP H0823943 B2 JPH0823943 B2 JP H0823943B2 JP 25126486 A JP25126486 A JP 25126486A JP 25126486 A JP25126486 A JP 25126486A JP H0823943 B2 JPH0823943 B2 JP H0823943B2
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- JP
- Japan
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- magneto
- optical recording
- magnetic
- alloy
- recording element
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はGdDy Fe系磁性合金膜の耐蝕性を向上させて
光磁気特性の長期信頼性を達成した光磁気記録素子に関
するものである。
光磁気特性の長期信頼性を達成した光磁気記録素子に関
するものである。
近年、垂直記録媒体や光磁気記録媒体などによる高密
度記録が盛んに研究されており、光磁気記録媒体から成
る素子によれば、集束レーザー光を投光して記録媒体を
局部加熱することによりビットを書き込み、磁気光学効
果を利用して読み出すという方式が採られており、この
媒体には主として希土類元素一遷移金属元素から成る非
晶質金属垂直磁化膜が用いられる。
度記録が盛んに研究されており、光磁気記録媒体から成
る素子によれば、集束レーザー光を投光して記録媒体を
局部加熱することによりビットを書き込み、磁気光学効
果を利用して読み出すという方式が採られており、この
媒体には主として希土類元素一遷移金属元素から成る非
晶質金属垂直磁化膜が用いられる。
これに適した磁性膜材料として、本出願人は、既に特
願昭60-207462号にてGdDy Fe系磁性合金を提案してお
り、この合金を用いると、カーヒステリシスループにお
ける核発生磁界HN、保磁力HC、飽和磁界HSがともに100
℃以上においてほぼ同一値に制御することができ、これ
により、記録・消去特性、繰り返し再生特性及び熱的安
定性に優れた高性能の光磁気記録素子が提供された。
願昭60-207462号にてGdDy Fe系磁性合金を提案してお
り、この合金を用いると、カーヒステリシスループにお
ける核発生磁界HN、保磁力HC、飽和磁界HSがともに100
℃以上においてほぼ同一値に制御することができ、これ
により、記録・消去特性、繰り返し再生特性及び熱的安
定性に優れた高性能の光磁気記録素子が提供された。
しかしながら、上記磁性合金にはFeを必須成分として
いるために、このFe元素に起因して磁性膜に孔食及び表
面腐蝕が生じる傾向にあり、これにより、記録ビットを
安定して維持させることが困難となる。
いるために、このFe元素に起因して磁性膜に孔食及び表
面腐蝕が生じる傾向にあり、これにより、記録ビットを
安定して維持させることが困難となる。
従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであ
り、その目的は光磁気特性が低下しないようにして耐蝕
性を向上させ、これによって耐環境性及び信頼性に優れ
た光磁気記録素子を提供することにある。
り、その目的は光磁気特性が低下しないようにして耐蝕
性を向上させ、これによって耐環境性及び信頼性に優れ
た光磁気記録素子を提供することにある。
本発明によれば、基体上に膜面と垂直な方向に磁化容
易軸を有する非晶質磁性合金から成る磁性膜を形成した
光磁気記録素子において、この磁性膜が下記式 (Gdy Dy1-y)x Fe1-x 式中、0.15≦ｘ≦0.35 0.30≦ｙ≦0.95 で表される原子組成比を有する合金であると共に、第１
成分としてのCrと、Ti、Ag、Sb、Ni、Cuから選ばれる第
２成分との複合添加物を前記合金に３乃至15原子％で含
有したことを特徴とする光磁気記録素子が提供される。
易軸を有する非晶質磁性合金から成る磁性膜を形成した
光磁気記録素子において、この磁性膜が下記式 (Gdy Dy1-y)x Fe1-x 式中、0.15≦ｘ≦0.35 0.30≦ｙ≦0.95 で表される原子組成比を有する合金であると共に、第１
成分としてのCrと、Ti、Ag、Sb、Ni、Cuから選ばれる第
２成分との複合添加物を前記合金に３乃至15原子％で含
有したことを特徴とする光磁気記録素子が提供される。
以下、本発明を詳細に説明する。
本出願人は、既に特願昭60-207462号にてGdDy Fe系磁
性合金薄膜を提案しており、この合金を用いると、カー
ヒステリシスループにおいて、核発生磁界HN、保磁力
HC、飽和磁界HSがともに100℃以上においてほぼ同一値
になることを見出した。この場合、カーヒステリシスル
ープにおいて、その室温下の角型性ループ形状がキュリ
ー点温度TCにまで温度上昇しても、維持されることであ
って、測定誤差や磁性層の磁化反転時の応答性のバラツ
キに起因して、核発生磁界HNと保磁力HCの差が0.5KOe以
下、保磁力HCと飽和磁界HSの差が0.5KOe以下の範囲内で
あって、即ちカーヒステリシスループにおいて、核発生
磁界HN、保磁力HC、飽和磁界HSに対応する各部位を結ん
だ線がカー回転角θｋの縦軸とほぼ平行となることを意
味する。本発明者等は、この知見に加えてこの磁性合金
の耐蝕性を向上させんがためには上記の第１成分及び第
２成分から成る複合添加物を所定の範囲内で添加すれば
よいことも見出した。
性合金薄膜を提案しており、この合金を用いると、カー
ヒステリシスループにおいて、核発生磁界HN、保磁力
HC、飽和磁界HSがともに100℃以上においてほぼ同一値
になることを見出した。この場合、カーヒステリシスル
ープにおいて、その室温下の角型性ループ形状がキュリ
ー点温度TCにまで温度上昇しても、維持されることであ
って、測定誤差や磁性層の磁化反転時の応答性のバラツ
キに起因して、核発生磁界HNと保磁力HCの差が0.5KOe以
下、保磁力HCと飽和磁界HSの差が0.5KOe以下の範囲内で
あって、即ちカーヒステリシスループにおいて、核発生
磁界HN、保磁力HC、飽和磁界HSに対応する各部位を結ん
だ線がカー回転角θｋの縦軸とほぼ平行となることを意
味する。本発明者等は、この知見に加えてこの磁性合金
の耐蝕性を向上させんがためには上記の第１成分及び第
２成分から成る複合添加物を所定の範囲内で添加すれば
よいことも見出した。
即ち、GdDy Feの３成分合金に対して第１成分としてC
r、並びに第２成分としてTi、Ag、Sb、Ni、Cuから選ば
れる、これらの複合添加物を磁性合金に対して15原子％
以下、好適には３乃至10原子％の範囲で含有すればよ
く、これによってDdDy Fe系磁性合金膜のカーヒステリ
シスループにおけるHN、HC及びHSが実質上同一となると
共に耐蝕性が顕著に向上する。この複合添加物が15原子
％を超えるとカー回転角θｋ、保磁力HC及びキュリー温
度TC等の光磁気特性のなかでいずれかの特性が実用不可
能になるまで著しく低下する。
r、並びに第２成分としてTi、Ag、Sb、Ni、Cuから選ば
れる、これらの複合添加物を磁性合金に対して15原子％
以下、好適には３乃至10原子％の範囲で含有すればよ
く、これによってDdDy Fe系磁性合金膜のカーヒステリ
シスループにおけるHN、HC及びHSが実質上同一となると
共に耐蝕性が顕著に向上する。この複合添加物が15原子
％を超えるとカー回転角θｋ、保磁力HC及びキュリー温
度TC等の光磁気特性のなかでいずれかの特性が実用不可
能になるまで著しく低下する。
この複合添加物の第１成分（Cr）は主として磁性合金
の耐蝕性を向上させるためのものであり、このように耐
蝕性が得られる点については、磁性膜の腐蝕が進行する
のに際して生成される鉄酸化物を、Crが所定の範囲内で
含有されることによって不働態化させ、これによって磁
性膜表面に極薄且つ緻密な不働態皮膜が形成され、その
結果、酸化反応の進行が阻止されるものと考えられる。
の耐蝕性を向上させるためのものであり、このように耐
蝕性が得られる点については、磁性膜の腐蝕が進行する
のに際して生成される鉄酸化物を、Crが所定の範囲内で
含有されることによって不働態化させ、これによって磁
性膜表面に極薄且つ緻密な不働態皮膜が形成され、その
結果、酸化反応の進行が阻止されるものと考えられる。
第２成分を添加する理由は、第１成分を添加するとカ
ー回転角θｋ、キュリー温度TC等の光磁気特性が顕著に
低下し、これを補完させるためであり、第１成分の添加
量を少なくして第２成分としてTi、Ag、Sb、Ni、Cuがそ
れぞれ単独或いは組み合わせて添加させる。これによ
り、第１成分だけを用いてその添加量を上記複合添加物
と同量にした場合に比べて光磁気特性及び耐蝕性が顕著
に向上する。
ー回転角θｋ、キュリー温度TC等の光磁気特性が顕著に
低下し、これを補完させるためであり、第１成分の添加
量を少なくして第２成分としてTi、Ag、Sb、Ni、Cuがそ
れぞれ単独或いは組み合わせて添加させる。これによ
り、第１成分だけを用いてその添加量を上記複合添加物
と同量にした場合に比べて光磁気特性及び耐蝕性が顕著
に向上する。
これら第１成分及び第２成分のそれぞれの添加量を決
めるために本発明者等が繰り返し行った実験によれば、
磁性合金に対して第１成分は５原子％以下、好適には0.
5乃至３原子％、第２成分は３乃至15原子％にすればよ
い。
めるために本発明者等が繰り返し行った実験によれば、
磁性合金に対して第１成分は５原子％以下、好適には0.
5乃至３原子％、第２成分は３乃至15原子％にすればよ
い。
本発明によれば、上記の通りに複合添加物を含有した
GdDy Fe磁性合金膜に対して下記式で表される原子組成
とするのがよい。
GdDy Fe磁性合金膜に対して下記式で表される原子組成
とするのがよい。
即ち、(Gdy Dy1-y)x Fe1-x 式中、0.15≦ｘ≦0.35 0.30≦ｙ≦0.95 とし、この式中ｘの範囲は垂直磁化膜を得ることができ
る条件として設定されており、特にｘの値を0.18乃至0.
33の範囲内に設定すると保磁力HCを1kOe以上にすること
が可能となる。
る条件として設定されており、特にｘの値を0.18乃至0.
33の範囲内に設定すると保磁力HCを1kOe以上にすること
が可能となる。
また、ｙの値は上記の範囲内に、好適には0.5≦ｙ≦
0.85の範囲内に設定するのがよく、これによって磁性膜
のカー回転角θｋ、保磁力HC、キュリー温度TC等の光磁
気特性に優れた媒体が得られる。
0.85の範囲内に設定するのがよく、これによって磁性膜
のカー回転角θｋ、保磁力HC、キュリー温度TC等の光磁
気特性に優れた媒体が得られる。
更に本発明によれば、上記ｘの値が記録方式の差異に
よっても決定される。
よっても決定される。
即ち、光磁気記録では光と磁界とを記録に用いてお
り、そこで、信号を反転磁界に変換して記録する磁界変
調方式と、光の点滅に変換して記録する光変調方式とが
あるが、磁界変調方式においては、レーザー光は常に連
続照射しておき外部からの磁界反転によって信号を記録
するので、従来の磁気記録と同様に重ね書きが可能にな
るという特徴がある。本発明の光磁気記録素子は磁界変
調方式にも、光変調方式にも広く適用することができる
が、ｘの値が0.23≦ｘ≦0.35を満足するGdDyFe合金を磁
性膜としたものは、磁界変調記録用の素子として特に有
用であることが見出された。
り、そこで、信号を反転磁界に変換して記録する磁界変
調方式と、光の点滅に変換して記録する光変調方式とが
あるが、磁界変調方式においては、レーザー光は常に連
続照射しておき外部からの磁界反転によって信号を記録
するので、従来の磁気記録と同様に重ね書きが可能にな
るという特徴がある。本発明の光磁気記録素子は磁界変
調方式にも、光変調方式にも広く適用することができる
が、ｘの値が0.23≦ｘ≦0.35を満足するGdDyFe合金を磁
性膜としたものは、磁界変調記録用の素子として特に有
用であることが見出された。
本発明の光磁気記録素子によれば、基体に対して種々
の形状を取り得るが、以下、ディスク状基体を例にとて
積層構成を説明する。
の形状を取り得るが、以下、ディスク状基体を例にとて
積層構成を説明する。
第１図は本発明の光磁気記録素子の典型的な層構成を
示し、ディスク用基板１の上に第１誘電体層２を介して
磁性層３を積層し、その上に第２誘電体層４が設けら
れ、更にその上に樹脂等の保護層５を形成している。
尚、この第２誘電体層４の代りに、Ti、Cr、Zr、Ta、Al
等の金属膜を設けることもできる。
示し、ディスク用基板１の上に第１誘電体層２を介して
磁性層３を積層し、その上に第２誘電体層４が設けら
れ、更にその上に樹脂等の保護層５を形成している。
尚、この第２誘電体層４の代りに、Ti、Cr、Zr、Ta、Al
等の金属膜を設けることもできる。
第２図に示すように、第１図における第２誘電体層４
を省略し、磁性層３の表面に樹脂保護層５を設けてもよ
い。
を省略し、磁性層３の表面に樹脂保護層５を設けてもよ
い。
前記基体１の材料にはガラス、並びにポリカーボネー
ト樹脂やポリメチルメタクリレート樹脂などのプラスチ
ックスがあり、基体１の全体がプラスチックスにより成
るプラスチック基体によれば、軽量、低価格、耐久性及
び安全性、並びに射出成型によりガイドトラック入り基
板を大量に複製できる利点を有するのに加えて、ガラス
基板に比べて熱膨張率が大きいために成膜時の熱歪みに
起因して誘導異方性が作用し、カー回転角θｋや保磁力
HCなどの光磁気特性が顕著に向上するという利点もあ
る。
ト樹脂やポリメチルメタクリレート樹脂などのプラスチ
ックスがあり、基体１の全体がプラスチックスにより成
るプラスチック基体によれば、軽量、低価格、耐久性及
び安全性、並びに射出成型によりガイドトラック入り基
板を大量に複製できる利点を有するのに加えて、ガラス
基板に比べて熱膨張率が大きいために成膜時の熱歪みに
起因して誘導異方性が作用し、カー回転角θｋや保磁力
HCなどの光磁気特性が顕著に向上するという利点もあ
る。
前記第１誘電体層２及び第２誘電体層４の材料にはAl
2O3、CeO2、ZrO2、CdO、Bi2O3等の酸化物、Si3N4、SiC、CdS、T
iN、MgF2、ZnS等の非酸化物があり、それぞれを単独又は
組み合わせて用いることができる。就中、非酸化物系誘
電体或いはこの非酸化物系誘電体に酸化物を含有させて
も酸素が遊離しないような誘電体を用いた場合、磁性層
の内部へ酸素が拡散し難く、また、水や大気中の酸素な
どの侵入に対する遮断性に優れていることによって長期
安定性且つ高信頼性の光磁気記録素子と成り得る。
2O3、CeO2、ZrO2、CdO、Bi2O3等の酸化物、Si3N4、SiC、CdS、T
iN、MgF2、ZnS等の非酸化物があり、それぞれを単独又は
組み合わせて用いることができる。就中、非酸化物系誘
電体或いはこの非酸化物系誘電体に酸化物を含有させて
も酸素が遊離しないような誘電体を用いた場合、磁性層
の内部へ酸素が拡散し難く、また、水や大気中の酸素な
どの侵入に対する遮断性に優れていることによって長期
安定性且つ高信頼性の光磁気記録素子と成り得る。
前記保護層５には、それ自体公知の紫外線硬化型のエ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリ
ルウレタン樹脂等を用いることができる。
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリ
ルウレタン樹脂等を用いることができる。
本発明の光磁気記録素子を製造するに当たっては、磁
性層及び誘電体層を公知の薄膜形成手段を用いて形成す
ることができる。例えば、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、イオン注入法、メッキ法
等の方法を用いることができ、特にスパッタリング法が
組成の均一性及び再現性の点で望ましい。
性層及び誘電体層を公知の薄膜形成手段を用いて形成す
ることができる。例えば、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、イオン注入法、メッキ法
等の方法を用いることができ、特にスパッタリング法が
組成の均一性及び再現性の点で望ましい。
次に本発の実施例を（例１）乃至（例４）により述べ
る。
る。
（例１） 本例においては、GdDyFe磁性合金に各種添加物元素を
含有させて耐蝕性試験を行った。
含有させて耐蝕性試験を行った。
即ち、高周波二元同時スパッタリング装置を用いて、
一方のターゲットをGdDy合金とし、他方のターゲットを
Feとし、更に両者のターゲットに同量の添加元素（Al,A
g,Cu,Mo,Cr,Sb,Si,Ni,Ti）をチップ状にして載置し、こ
れによって複合ターゲットとした。そして、カソード側
に取り付けられたディスク状のガラス基板を回転させな
がらスパッタリング行ってこの基板上に各添加元素を４
乃至７原子％含有する膜厚1500Åの４元系合金膜を作成
し、試料番号１乃至10を得た。尚、この製法において到
達真空度を5×10-7Torrに、アルゴンガス圧を5×10-3To
rrに設定した。
一方のターゲットをGdDy合金とし、他方のターゲットを
Feとし、更に両者のターゲットに同量の添加元素（Al,A
g,Cu,Mo,Cr,Sb,Si,Ni,Ti）をチップ状にして載置し、こ
れによって複合ターゲットとした。そして、カソード側
に取り付けられたディスク状のガラス基板を回転させな
がらスパッタリング行ってこの基板上に各添加元素を４
乃至７原子％含有する膜厚1500Åの４元系合金膜を作成
し、試料番号１乃至10を得た。尚、この製法において到
達真空度を5×10-7Torrに、アルゴンガス圧を5×10-3To
rrに設定した。
かくして得られた試料に対してカーヒステリシスルー
プの角型性、カー回転角θｋ、保磁力HC、キュリー温度
TC及び耐蝕性を測定したところ、第１表に示す通りの結
果が得られた。
プの角型性、カー回転角θｋ、保磁力HC、キュリー温度
TC及び耐蝕性を測定したところ、第１表に示す通りの結
果が得られた。
この結果を得るに当たって、カーヒステリシスループ
の角型性、カー回転角及び保磁力は日本分光（株）製の
カー効果測定装置を用いてガラス基板側よりレーザー光
（発光波長633nm）を投光して求められ、キュリー温度
は試料振動型磁力計により求めた。そして、磁性合金の
原子組成はICP発光分光分析により求めた。
の角型性、カー回転角及び保磁力は日本分光（株）製の
カー効果測定装置を用いてガラス基板側よりレーザー光
（発光波長633nm）を投光して求められ、キュリー温度
は試料振動型磁力計により求めた。そして、磁性合金の
原子組成はICP発光分光分析により求めた。
また、耐蝕性試験においては人工汗液（NaHPO4 0.9g、
NaCl 0.8g、CH3COOH 0.5gを純水に溶解して100ccとした
もの）に各々の試料を４時間浸漬し、その膜面状態の変
化により三種類に区分した。○印は全く変化が生じなか
ったものであり、Ｘ印はGdDyFe合金（試料番号１）と同
程度に孔蝕及び表面腐蝕が進行したものを表し、△印は
孔食が生じたが、表面腐蝕が発生しなかったものを示し
ている。
NaCl 0.8g、CH3COOH 0.5gを純水に溶解して100ccとした
もの）に各々の試料を４時間浸漬し、その膜面状態の変
化により三種類に区分した。○印は全く変化が生じなか
ったものであり、Ｘ印はGdDyFe合金（試料番号１）と同
程度に孔蝕及び表面腐蝕が進行したものを表し、△印は
孔食が生じたが、表面腐蝕が発生しなかったものを示し
ている。
第１表から明らかな通り、試料番号３、４、６、７、
８、10に用いられた添加元素（Ag,Cu,Cr,Ti,Sb,Ni）は
耐蝕性に顕著な効果があり、就中、Crが耐食性に最も優
れている。
８、10に用いられた添加元素（Ag,Cu,Cr,Ti,Sb,Ni）は
耐蝕性に顕著な効果があり、就中、Crが耐食性に最も優
れている。
（例２） 本例においては、（例１）の結果よりCrを添加元素と
して選択し、その添加量を変えて光磁気の諸特性を求め
たところ、第２表に示す通りの結果が得られた。
して選択し、その添加量を変えて光磁気の諸特性を求め
たところ、第２表に示す通りの結果が得られた。
これらの諸特性は（例１）と同じようにして求める
が、孔食量については（例１）にて述べられたなかで、
試料表面の孔食によって発生したピンホール状の透明酸
化部分が、それを核として面内方向に拡がっていく程度
として表し、その透明化した面積の全体に対する割合を
孔食量とした。
が、孔食量については（例１）にて述べられたなかで、
試料表面の孔食によって発生したピンホール状の透明酸
化部分が、それを核として面内方向に拡がっていく程度
として表し、その透明化した面積の全体に対する割合を
孔食量とした。
第２表により明らかな通り、Crを添加すると耐食性に
優れるが、これに伴ってカー回転角が低下傾向にある。
優れるが、これに伴ってカー回転角が低下傾向にある。
（例３） 本例においては、第１成分（Cr）と第２成分（Cu,Ag,
Sb,Ni,Ti）を添加して光磁気の諸特性を求めており、そ
の結果は第３表に示す通りである。尚、これらの諸特性
は（例２）と同じようにして求めた。
Sb,Ni,Ti）を添加して光磁気の諸特性を求めており、そ
の結果は第３表に示す通りである。尚、これらの諸特性
は（例２）と同じようにして求めた。
第３表より明らかな通り、試料番号16乃至22は光磁気
の諸特性が十分に満足し得る値を示し、且つ優れた耐蝕
性が得られている。
の諸特性が十分に満足し得る値を示し、且つ優れた耐蝕
性が得られている。
これに対して、試料番号23はCuが多過ぎ、試料番号24
はCrが多過ぎたために光磁気特性が顕著に低下してい
る。
はCrが多過ぎたために光磁気特性が顕著に低下してい
る。
（例４） 本例においては、試料番号16,19乃至22に対して室温
（20℃）、100℃、150℃、200℃までのカーヒステリシ
スループの形状を調べており、その結果は第３図に示す
通りである。
（20℃）、100℃、150℃、200℃までのカーヒステリシ
スループの形状を調べており、その結果は第３図に示す
通りである。
同図のループは縦軸にカー回転角θｋ、横軸に外部磁
場Hexをとり、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）はそ
れぞれ室温（20℃）、100℃、150℃及び200℃の温度設
定を示している。尚、図中HN、HC、HSはそれぞれ核発生磁
界、保磁力及び飽和磁界を表している。
場Hexをとり、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）はそ
れぞれ室温（20℃）、100℃、150℃及び200℃の温度設
定を示している。尚、図中HN、HC、HSはそれぞれ核発生磁
界、保磁力及び飽和磁界を表している。
これから明らかな通り、複合添加物を含有したGdDyFe
系垂直磁化膜は室温下で角型性に優れたループ形が得ら
れ、温度が上昇してもそのまま角型性を維持しながら保
磁力HCが小さくなり、そしてキュリー温度でカー回転角
θｋ、保磁力HC共に零になる。
系垂直磁化膜は室温下で角型性に優れたループ形が得ら
れ、温度が上昇してもそのまま角型性を維持しながら保
磁力HCが小さくなり、そしてキュリー温度でカー回転角
θｋ、保磁力HC共に零になる。
以上の通り、本発明によれば、希土類元素としてGd及
びDyを、遷移金属としてFeを選択し、これらを所定の割
合で合金化した垂直磁化膜に対し、第１成分及び第２成
分を含有させると耐蝕性が向上し、更にこの複合添加物
を含有させても核発生磁界HN、保磁力HC及び飽和磁界HS
がともに100℃以上においてほぼ同一値に制御すること
ができ、これにより、GdDyFe磁性合金自体が有する記録
・消去特性及び繰り返し再生特性並びに熱的安定性の光
磁気特性を何ら損うことなく、この光磁気特性の経時的
劣化を小さくすることができ、その結果、高性能且つ高
信頼性並びに耐環境性に優れた光磁気記録素子が提供で
きる。
びDyを、遷移金属としてFeを選択し、これらを所定の割
合で合金化した垂直磁化膜に対し、第１成分及び第２成
分を含有させると耐蝕性が向上し、更にこの複合添加物
を含有させても核発生磁界HN、保磁力HC及び飽和磁界HS
がともに100℃以上においてほぼ同一値に制御すること
ができ、これにより、GdDyFe磁性合金自体が有する記録
・消去特性及び繰り返し再生特性並びに熱的安定性の光
磁気特性を何ら損うことなく、この光磁気特性の経時的
劣化を小さくすることができ、その結果、高性能且つ高
信頼性並びに耐環境性に優れた光磁気記録素子が提供で
きる。
第１図は本発明に係る光磁気記録素子の層構成を示す断
面図、第２図は本発明に係る光磁気記録素子の他の層構
成を示す断面図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本
発明の光磁気記録素子の室温からキュリー温度までのカ
ーヒステリシスループの形状を示す図である。
面図、第２図は本発明に係る光磁気記録素子の他の層構
成を示す断面図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本
発明の光磁気記録素子の室温からキュリー温度までのカ
ーヒステリシスループの形状を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】基体上に膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有する非晶質磁性合金から成る磁性膜を形成してなる光
磁気記録素子であって、上記磁性膜が下記式、 (Gdy Dy1-y)x Fe1-x 式中、0.15≦ｘ≦0.35 0.30≦ｙ≦0.95 で表される原子組成比を有する合金であると共に、第１
成分としてのCrと、Ti、Ag、Sb、Ni、Cuから選ばれる第
２成分との複合添加物を前記合金に３乃至15原子％で含
有したことを特徴とする光磁気記録素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25126486A JPH0823943B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 光磁気記録素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25126486A JPH0823943B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 光磁気記録素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104243A JPS63104243A (ja) | 1988-05-09 |
| JPH0823943B2 true JPH0823943B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=17220193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25126486A Expired - Fee Related JPH0823943B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 光磁気記録素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823943B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240148A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | 光磁気ディスクおよびその記録ならびに消去方法 |
| JPH0388152A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
-
1986
- 1986-10-22 JP JP25126486A patent/JPH0823943B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63104243A (ja) | 1988-05-09 |
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