JPH0240148A - 光磁気ディスクおよびその記録ならびに消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光を用いて情報を記録、再生および消去
を行う光ディスクに係り、特に光磁気記録膜の温度分布
の制御性が良好で熱安定性に優れた信頼性の高い光磁気
ディスクおよびその記録ならびに消去方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、高度の情報化社会の進展に伴い、高密度で大容量
のファイルメモリのニーズが高まっており、その要望に
答えるものとして光ディスクが注目されている。その中
で、情報の書換えが可能でしかもランダムアクセスがで
きるメモリとして。

光磁気記録が実用化の直前にある。この光磁気記録は、
光磁気記録膜の熱磁気的性質と磁気光学的性質の両方を
用いて記録、再生および消去を行うが、その際に重要な
のは光磁気記録膜の熱安定性である。しかし、現在まで
のところ光磁気ディスクに関する研究は２例えば、テレ
ビジョン学会誌第３９巻第４号（１９８５年）第３６５
頁から第３７３頁［ｖｏｌ、３９．　Ｎｏ、４　（１，
９８５）　ｐｐ３６５−３７５）またはテレビジョン学
会誌第４２巻第４号（１９８８年）第３２３頁から第３
２９頁（ｖｏｌ、４２．　Ｎｏ、４　（１９８８）　ｐ
ｐ３２３〜３２９〕において論じられているごとく、光
磁気記録媒体の磁気的特性および磁気光学的特性を向上
し、光磁気ディスクの信頼性を得る研究が中心であり。

さらには実用化に向けてディスクドライブとディスクと
のマツチングをとるための検討などが盛んに行われてい
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術においては、光磁気記録媒体の熱磁気記録
における課題の一つである光磁気記録膜の熱安定性に関
する配慮が十分になされておらず。

記録ならびに消去の繰り返しにより光磁気ディスクの再
生出力が著しく低下するという問題があった。

本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解消し
、光磁気記録膜の熱安定性が優れ、情報の記録ならびに
消去の繰り返しに伴う再生出力の劣化を抑制するのに好
適な構造を有する光磁気ディスクおよびその記録ならび
に消去方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記本発明の目的は、光磁気ディスクにおける光磁気記
録膜の温度分布の制御を行うことのできる構造の光磁気
ディスクとすること、および情報の記録、再生ならびに
消去において、照射するレーザ出力を調整して光磁気記
録膜の温度分布を制御することにより、達成される。

本発明の光磁気ディスクは、透明基板上に、下地膜、光
磁気記録膜および保護膜、もしくは上記保護膜上に、さ
らに反射膜を順次積層して構成した光磁気ディスクであ
って、上記光磁気記録膜にレーザ光を照射して情報の記
録、再生および消去を行う場合に、上記光磁気記録膜の
温度分布を所定の温度以下に制御し得る構造の光磁気記
録膜。

保護膜もしくは反射膜を備えたものである。

本発明の光磁気ディスクにおいて、光磁気記録膜の温度
が、該光磁気記録膜のキュリー温度プラス５０〜８０℃
以下、もしくは補償温度プラス５０〜８０°Ｃ以下の範
囲に制御し得る構造を有するものである。

本発明の光磁気ディスクにおいて、光磁気記録膜は、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどのうちより選択される少なくとも１
種の遷移金属と、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙ＋Ｈｏ、Ｐｒ
、Ｎｄなどのうちより選択される少なくとも１種の希土
類元素と、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｔｉ、　Ｃｒ＋Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｒｈなどのうちより選択される少なくとも１
種の耐食性向上元素を含むものである。

そして、光磁気記録膜の膜厚が、おおよそ２００人〜５
００人もしくは８００〜１４００人の範囲にあることが
好ましい。

本発明の光磁気ディスクにおいて、設ける保護膜は熱伝
導性の良好な誘電体材料、もしくは上記誘電体材料と金
属材料とを混合もしくは複合させた材料などからなるこ
とが望ましく、保護膜を構成する材料としては、ＳｉＮ
ｘ、Ｓｉｎ、ＳｉＣなどの化合物およびＣｒ、　Ｎｉ、
　Ｃｕ、　Ａｌｌ、　Ａｕなどの金属のうちより選択さ
れる少なくとも１種の化合物または金属もしくは合金か
らなることが好ましい。

そして、保護膜の膜厚は、おおよそ２００〜６００人も
しくは１０００〜２０００人の範囲にあることが望まし
い。

本発明の光磁気ディスクに設ける反射膜は。

Ｃｒ、　Ｎｉ、　Ｃｕ、　Ａｎ、　Ａｕなどのうちより
選択される少なくとも１種の金属、もしくはそれらを主
成分とする合金からなるものが好ましい。

本発明の光磁気ディスクにおける情報の記録方法は、光
磁気ディスクを構成する光磁気記録膜に。

レーザ光を照射して情報の記録、再生および消去を行う
場合に、照射するレーザ光の出力を調整して、上記光磁
気記録膜の温度分布を所定の温度以下に制御しながら記
録、再生および消去を行うことにより、達成される。

本発明の光磁気ディスクにおける情報の記録方法は、光
磁気記録膜の温度が、該光磁気記録膜のキュリー温度プ
ラス５０〜８０℃以下、もしくは補償温度プラス５０〜
８０℃以下となるようにレーザ出力を制御しながら行う
ものである。

本発明の光磁気ディスクにおける情報の記録方法におい
て、記録または消去を行うレーザ光の出力を、光磁気デ
ィスクの位置によって変化させ。

かつ消去レーザ出力を記録レーザ出力とほぼ同じとする
か、もしくは記録レーザ出力よりも大きくすることによ
って、光磁気記録膜の温度分布を制御することができる
。

そして９本発明の光磁気ディスクにおける情報の記録方
法において、光磁気ディスクの内周部分では記録レーザ
出力を小さくし、上記光磁気ディスクの外周部分では記
録のレーザ出力を大きくすることにより好適に光磁気記
録膜の温度分布を制御することができる。

〔作用〕

光磁気記録膜の温度分布の制御を行うことにより、光磁
気記録膜の最高到達温度を自在に制御することが可能と
なり、光磁気記録膜の熱安定性が確保できる。これによ
り、記録ならびに消去の繰り返しに伴う磁気特性の劣化
の抑制、さらには再生出力信号の低下を防止することが
でき、光磁気ディスクの耐熱性さらには信頼性の向上を
はかることが可能となる。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ２図面を参照しながら、
さらに詳細に説明する。

（実施例１） 第１図に示す構造の光磁気ディスクを以下の手順で作製
した。まず、直径が５．２５インチのガラス円板上に、
紫外線硬化樹脂により案内溝を設けた基板１上に、スパ
ッタリング法によりＳｉＮｘよりなる下地膜２を７００
人の膜厚に形成し、その上に光磁気記録膜３としてＴｂ
２４Ｆｅ６３Ｃｏ□。Ｎｂ３からなる膜を８００人の膜
厚に成膜し、さらにその上に保護膜４としてＳ　ｉ　Ｎ
　ｘよりなる膜を１５００人の膜厚に順次積層した多層
構造の光磁気ディスクを作製した。

この光磁気ディスクを用いて、光磁気ディスクの半径が
３０ｍｍ上（内周部分）にレーザ出力８ｍＷで、半径が
６０闘上（外周部分）にはレーザ出力１０．５ｍＷで２
周期１．５Ｔ　、パルス幅は内周部分で７０ｎｓ、外周
部分で６０ｎｓとして、記録／再生／消去（Ｗ／　Ｒ／
　Ｅ　）を繰返した。このＷ／Ｒ／Ｅの繰返し回数と、
キャリアレベルの変化ＡＣ（ｄＢｍ）を第２図に示す。

ここで、再生時のレーザ出力は１．５ｍＷであった。

（比較例１） 上記実施例１と比較するために、光磁気ディスクの内周
部分における記録レーザ出力を９．５ｍＷとし、消去レ
ーザ出力を１０．５ｍＷとし、光磁気ディスクの位置に
よりレーザ出力を変えない場合についてテストした。

以上の実施例１および比較例１における結果を第２図に
示す。図から明らかなごとく、光磁気ディスクの内周部
分と外周部分とで記録および消去レーザ出力を変えて記
録および消去を行った本発明の実施例１の場合には、Ｗ
／Ｒ／Ｅを１０６回繰返してもキャリアレベルの変化Δ
Ｃが起こらなかった。これに対し、比較例１に示すごと
く、光磁気ディスクの内周部から外周部まで同じレーザ
出力（１０，５ｍＷ）で記録および消去を繰返すと。

２０００回のＷ／Ｒ／Ｅを繰返した後からキャリアレベ
ルが劣化しはじめ１０６回繰返しで約１０ｄＢｍ低下し
た。本発明の実施例１に示すごとく、記録および消去の
レーザパワーを、光磁気ディスクの位置により適正な大
きさに変えることによりキャリアレベルの低下、ひいて
は再生出力の低下を抑制することができる。

この原因は、光磁気記録膜における温度分布にあって、
これを計算機シミュレーションで求めると、第３図に示
すようになる。すなわち、光磁気ディスクの外周部分で
は、光磁気記録膜の最高到達温度を２４０℃以下にする
ことができ、また内周部分においては、レーザ出力を８
ｍＷとすると最高到達温度は２５０以下となり、外周部
分のそれとほぼ同じ温度にすることができた。ところが
、内周部分におけるレーザパワーを１０．５ｍＷに上昇
させると、光磁気記録膜の最高到達温度が３４０℃と著
しく上昇し、また２００℃以上の温度領域もｌｐ幅と著
しく大きくなる。この温度で、Ｗ／Ｒ／Ｅを繰返すと光
磁気記録膜に構造緩和を引き起こし。

磁気的特性、特に垂直磁気異方性エネルギーが低下して
しまい、そのため、再生出力がＷ／Ｒ／Ｅの繰返しと共
に減少するものと考えられる。

（実施例２） 第４図に示す構造の光磁気ディスクを以下の手順で作製
した。まず、ポリカーボネートからなる基板１上に、下
地膜２として安定化ジルコニア膜を８５０人の膜厚にス
パッタ法により形成し、その上にＴｂ２４　Ｆｅ６３Ｃ
ｏ、ｏＮｂａからなる光磁気記録膜３を２００人の膜厚
にスパッタ法により形成した。

次に、これを包込むような形で、ＳｉＯからなる保護膜
４を５００人の膜厚に成膜し、最後にＣｒからなる反射
膜５を５００人の膜厚に形成した。この光磁気ディスク
を用い、内周部分（半径＝　３０ｍｍ）に記録レーザ出
力９．５ｍＷ、そして消去レーザ出力１０．５ｍＷ、周
期１．５Ｔ、パルス幅６４ｎｓ＋再生レーザパワー１．
５ｍＷにて、記録／再生／消去（Ｗ／Ｒ／Ｅ）を繰返し
た。その時のキャリアレベルの変化ΔＣ（ｄＢｍ）とＷ
／Ｒ／Ｅ繰返し回数との関係を第５図に示す。なお１反
射膜としてＣｒ以外にＣｕ。

Ａｕ、　Ａｌ、　Ｎｉ、ステンレススチールあるいはＡ
ｎ−Ｎｉ合金を用いても同様の効果が得られた。

（比較例２） 」二記実施例２と比較するために、Ｃｒの反射膜５を設
けない光磁気ディスクを作成し、実施例２と同様の条件
でＷ／Ｒ／Ｅのサイクルを繰返した。

以上の実施例２および比較例２における結果を第５図に
示す。図から明らかなごとく２本実施例の光磁気ディス
ク構造を用いると、光磁気記録膜の繰返し消去による再
生出力の低下を抑制することができる。比較例２におい
て示した通常の光磁気ディスク構造では、Ｗ／Ｒ／Ｅを
１０００回程度繰返した状態でキャリアレベルの低下が
始まり、その後、急激にキャリアレベルが減少し、１０
６回においては約］１ｄＢｍと大幅に低下した。この差
は、光磁気記録膜の温度上昇を反射膜５によって抑制し
低温に制御した結果であるが、これを計算機シミュレー
ションにより定量的に求めると第６図に示すごとくなる
。すなわち９本実施例で用いた光磁気ティスフの構造は
金属Ｃｒの反射層を設けているため、光磁気記録膜が２
００人と薄いにもかかわらず温度が上昇しないことを示
している。これに対して、比較例２で示した通常の光磁
気ディスクの構造ではＳｉＯの無機誘電体層の保護膜の
みであるので、金属Ｃｒ膜よりも二相程度熱伝導率が悪
いので、光磁気記録膜は著しく加熱され易く。

最高到達温度で約１００℃程度の差が生じ、比較例２に
おいては光磁気記録膜がトラックに沿って熱劣化を起こ
し、キャリアレベルの著しい低下が生じたものと考えら
れる。

（実施例３） 本実施例においては、光磁気記録膜の温度分布を制御す
るために保護膜あるいは光磁気記録膜の膜厚を変えて、
第１図に示す構造の光磁気ディスクを作製した。すなわ
ち、基板１上にエンハンス膜としてＳｉＮｘを用い、ス
パッタ法により８５０人の膜厚の下地膜２を形成した。

続いて、　Ｔｂ２゜Ｆ　ｅｓｏ　Ｃｏ１．　Ｎｂ５Ｐ　
ｔ６からなる光磁気記録膜３をスパッタ法により、膜厚
を６００人、８００人、　１０００人。

１２００人、　１４００人とそれぞれ変化させて成膜し
た。

そして、最後にＳ　ｉ　Ｎ　ｘの保護膜４を形成し、そ
の膜厚を２０００人とした。ただし、光磁気記録膜３の
膜厚が８００人の光磁気ディスクについては、保護膜４
の厚さを５００人、　１０００人、　１５００人、　２
０００人。

３０００人に変化させた。

次に、これらの光磁気ディスクについて、記録／再生／
消去（Ｗ／Ｒ／Ｅ）サイクルテストを行った。記録およ
び消去条件は加速条件とした。すなわち、レーザビーム
の線速を上記実施例の１／２とし、記録レーザ出力８ｍ
Ｗ、消去レーザ出力１０ｍＷとした。そして、Ｗ／Ｒ／
Ｅサイクルを１００００回繰返した後のキャリアレベル
の変化ΔＣ（ｄＢｍ）を調べた。その結果を第１表に示
す。

第１表に示すごとく、まず、保護膜の膜厚を一定（２０
００人）となし、光磁気記録膜の膜厚を６００〜１４０
０人の範囲に変化させた場合に、Ｗ／Ｒ／Ｅのサイクル
を繰返したときのキャリアレベルの変化へＣ（ｄＢｍ）
は、光磁気記録膜の膜厚が厚くなるほどその変化が小さ
くなることを示している。

また、光磁気記録膜の膜厚が一定（ｇｏｏ人）のもとて
保護膜の膜厚を変えてゆくと２０００人までは膜厚の増
加と共に劣化が小さくなるが、それ以上の膜厚では抑制
効果が飽和し、これ以上キャリアレベルでの改善はみら
れなかった。このように光磁気記録膜あるいは保護膜の
膜厚を変えることによって光磁気記録膜の温度分布を調
整することができるので、繰返し記録ならびに消去によ
る光磁気記録膜の劣化を抑制することができる。この他
に。

保護膜の膜厚および磁性膜の膜厚を薄くすると記録感度
が向上するという効果があった。

また、計算機シミュレーションにより光磁気記録膜およ
び保護膜の膜厚を変えた場合の温度分布を調べた結果を
第７図（ａ）および（ｂ）に示す。

第７図（ａ）は光磁気記録膜の膜厚を変化させた光磁気
ディスクに連続光ビーム（１０，５ｍＷ）を照射したと
きの温度分布を示すもので、光磁気記録膜の膜厚が薄い
程、大きな磁区が形成され、しかも光磁気ディスクの感
度が高いことが分かる。また、第７図（ｂ）に示すごと
く、保護膜の膜厚が薄い程、光磁気記録膜の温度は高く
なり、かつ大きな磁区が形成でき、しかも光磁気ディス
クの記録感度が高くなることが分かる。このように、光
磁気記録膜あるいは保護膜の膜厚を制御することにより
、光磁気記録膜の温度分布を自在に調整することが可能
となる。

（実施例４） 本実施例においては、光磁気ディスクの保護膜の熱伝導
率を制御して記録膜の温度分布を調整した場合の一例を
示す。作製した光磁気ディスクの構造は第１図に示すと
おりである。すなわち、基板１としては、紫外線硬化樹
脂からなるホトキャスト基板を用いた。この上に、下地
膜２としてＳｉＮｘをスパッタ法により８５０人の膜厚
に形成し。

続いて、光磁気記録膜３として（Ｔｂ、、６Ｎｄｏ、、
）２５Ｆｅ、７Ｃｏ、、Ｎｂ、を８００人の膜厚に形成
した。そして、保護膜４は、ＳｉＣとＳｉ３Ｎ４の混合
物をターゲットに用い、スパッタ法によりＳｉＣ：５１
３Ｎ４の混合比を、２：１，１：１，１：２と変えて。

膜厚を１０００人に成膜し光磁気ディスクを作製した。

作製した光磁気ディスクについて、記録／再生／消去（
Ｗ／Ｒ／Ｅ）を繰返したときの再生出力の変化を調べた
。その結果を、第８図にまとめて示す。なお、比較例４
として、Ｓｉ３Ｎ４を保護膜４として１０００人の膜厚
に形成した光磁気ディスクおよびＳｉＣを保護膜４とし
て１０００人形成した光磁気ディスクの場合を合せて示
した。Ｗ／Ｒ／Ｅの繰返し条件は、記録パワーを８ｍＷ
、消去パワーを１０．５ｍＷ、周期１．５Ｔ、回転数を
２４０Ｏｒｐｍとした。本実施例において保護膜４とし
て用いたＳｉ３Ｎ、とＳｉＣは熱伝導率で約２桁違いが
あるので、この両者の混合物を用い、かつ混合比を変え
ることによって、熱伝導率を自由に制御すること２〇− ができることになる。その結果、保護膜４の熱伝導率を
大きくすればする程、Ｗ／Ｒ／Ｅサイクルを繰返した時
のキャリアレベルの劣化が小さくなることが分かる。そ
れに伴い、光磁気ディスクの記録感度は逆に劣化してゆ
く。次に２本実施例における光磁気記録膜の温度分布を
計算機シミュレーションにより求めた結果を第９図に示
す。

ＳｉＣの含有比率が高くなる程、同じ条件で記録したと
きに形成される磁区サイズが小さく、かつ記録感度が低
下することが分かる。

このように、保護膜４の熱伝導率を変えることにより、
光磁気記録膜の温度分布を自在に制御することが可能と
なる。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく２本発明の光磁気ディスクは
、記録／再生／消去の繰返しにおいて。

光磁気記録膜の温度分布を自在に制御することが可能と
なり、光磁気記録膜の最高到達温度を調整することがで
きるので、光磁気記録膜の構造緩和による磁気特性の劣
化、ひいては再生出力の低下を抑制することができる効
果がある。またこの他に、光磁気ディスクの記録感度の
制御も合せて調整することができ、光磁気ディスクの特
性の制御に極めて有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１において例示した光磁気ディ
スクの断面構造を示す模式図、第２図は実施例１の光磁
気ディスクにおいて記録／再生／消去の繰返しによるキ
ャリアレベルの変化を示すグラフ、第３図は実施例１の
光磁気ディスクにおけるトラック幅に対する光磁気記録
膜の温度分布を示すグラフ、第４図は本発明の実施例２
において例示した光磁気ディスクの断面構造を示す模式
図、第５図は実施例２の光磁気ディスクにおいて記録／
再生／消去の繰返しによるキャリアレベルの変化を示す
グラフ、第６図は実施例２の光磁気ディスクにおけるト
ラック幅に対する光磁気記録膜の温度分布を示すグラフ
、第７図（ａ）および（ｂ）は本発明の実施例３におい
て例示した光磁気ディスクの光磁気記録膜および保護膜
の膜厚の変化とトラック幅に対する光磁気記録膜の温度
分布を示すグラフ、第８図は本発明の実施例４において
例示した光磁気ディスクの保護膜の種類と記録／再生／
消去の繰返しによるキャリアレベルの変化を示すグラフ
、第９図は実施例４における光磁気ディスクのトラック
幅に対する光磁気記録膜の温度分布を示すグラフである
。 １・・・基板　　　　　　　２・・・下地膜３・・・光
磁気記録膜　　　４・・保護膜５・・・反射膜 代理人弁理士　　中　村　純之助 第 ２図 第 図 第 図 ５−及側蝮 第４ 図 第６図 第 図 トラック＋Ｓしｅｍノ 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板上に、下地膜、光磁気記録膜および保護膜
   、もしくは上記保護膜上に、さらに反射膜を順次積層し
   て構成した光磁気ディスクであって、上記光磁気記録膜
   にレーザ光を照射して情報の記録、再生および消去を行
   う場合に、上記光磁気記録膜の温度分布を所定の温度以
   下に制御し得る構造の光磁気記録膜、保護膜もしくは反
   射膜を備えたことを特徴とする光磁気ディスク。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスクにおい
   て、光磁気記録膜の温度が、該光磁気記録膜のキュリー
   温度プラス５０〜８０℃以下、もしくは補償温度プラス
   ５０〜８０℃以下の範囲に制御し得る構造であることを
   特徴とする光磁気ディスク。 ３、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスクにおい
   て、光磁気記録膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちより選択
   される少なくとも１種の遷移金属と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
   、Ｈｏ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのうちより選択される少なく
   とも１種の希土類元素と、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐ
   ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｒｈのうちより選択される少なくとも
   １種の耐食性向上元素からなることを特徴とする光磁気
   ディスク。 ４、特許請求の範囲第３項記載の光磁気ディスクにおい
   て、光磁気記録膜の膜厚が８００〜１４００Åもしくは
   ２００〜５００Åの範囲にあることを特徴とする光磁気
   ディスク。 ５、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスクにおい
   て、保護膜は熱伝導性の良好な誘電体材料、もしくは上
   記誘電体材料と金属材料とを混合もしくは複合させた材
   料からなることを特徴とする光磁気ディスク。 ６、特許請求の範囲第５項記載の光磁気ディスクにおい
   て、保護膜はＳｉＮｘ、ＳｉＯ、ＳｉＣの化合物および
   Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、ステンレススチールの
   金属のうちより選択される少なくとも１種の化合物また
   は金属もしくは合金からなることを特徴とする光磁気デ
   ィスク。 ７、特許請求の範囲第５項記載の光磁気ディスクにおい
   て、保護膜の膜厚が１０００〜２０００Åの範囲にある
   ことを特徴とする光磁気ディスク。 ８、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスクにおい
   て、反射膜はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕのうちより
   選択される少なくとも１種の金属、もしくはそれらを主
   成分とする合金からなることを特徴とする光磁気ディス
   ク。 ９、光磁気ディスクの光磁気記録膜に、レーザ光を照射
   して情報の記録、再生および消去を行う光磁気記録方法
   において、上記照射するレーザ光の出力を調整して、上
   記光磁気記録膜の温度分布を所定の温度以下に制御しな
   がら記録、再生および消去を行うことを特徴とする光磁
   気ディスクにおける情報の記録方法。 １０、特許請求の範囲第９項記載の光磁気ディスクにお
   ける情報の記録方法において、光磁気記録膜の温度が、
   該光磁気記録膜のキュリー温度プラス５０〜８０℃以下
   、もしくは補償温度プラス５０〜８０℃以下に制御する
   ことを特徴とする光磁気ディスクにおける情報の記録方
   法。 １１、特許請求の範囲第９項記載の光磁気ディスクにお
   ける情報の記録方法において、記録または消去を行うレ
   ーザ光の出力を、光磁気ディスクの半径方向の位置によ
   って変化させ、かつ消去レーザ出力を記録レーザ出力と
   ほぼ同じとするか、もしくは記録レーザ出力よりも大き
   くすることを特徴とする光磁気ディスクの記録方法。 １２、特許請求の範囲第９項、第１０項または第１１項
   記載の光磁気ディスクにおける情報の記録方法において
   、光磁気ディスクの内周部分では記録レーザ出力を小さ
   くし、上記光磁気ディスクの外周部分では記録レーザ出
   力を大きくすることを特徴とする光磁気ディスクにおけ
   る情報の記録方法。