JPH0233748A - 光ディスクのレーザパワー設定方法 - Google Patents
光ディスクのレーザパワー設定方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザー光を用いて記録・再生・消去を行う
光磁気記録に係り、特にレーザー光照射による光磁気記
録膜の磁気特性の変化抑制に好適な光磁気ディスクの記
録・消去の方法に関する。
光磁気記録に係り、特にレーザー光照射による光磁気記
録膜の磁気特性の変化抑制に好適な光磁気ディスクの記
録・消去の方法に関する。
高度情報化社会の進展により高密度・大容量のファイル
メモリーへのニーズが高まっている。これに応えるもの
として光記録が注目されており、中でも光磁気記録は実
用化の寸前にある。一方、これ光磁気記録は、ファイル
メモリーとしての用途の他に、民生用の書換え型コンパ
クトディスクやフロッピーディスクに置きかわる記録方
式としての応用も現在盛んに研究されている。
メモリーへのニーズが高まっている。これに応えるもの
として光記録が注目されており、中でも光磁気記録は実
用化の寸前にある。一方、これ光磁気記録は、ファイル
メモリーとしての用途の他に、民生用の書換え型コンパ
クトディスクやフロッピーディスクに置きかわる記録方
式としての応用も現在盛んに研究されている。
ところで民生用のディスクとしての用途に光磁気記録を
応用するためには、ディスク構造を簡素化したり、プラ
スチック等安価な基板4料を用いる等、ディスク価格を
下げる必要があった。
応用するためには、ディスク構造を簡素化したり、プラ
スチック等安価な基板4料を用いる等、ディスク価格を
下げる必要があった。
上記従来技術、特にm純化した構造のティスゲにおいC
は、記@/再生/消去の繰返しによる再生出力の低下、
ひいてはディスクの信頼性が低下するという問題があ−
)た。
は、記@/再生/消去の繰返しによる再生出力の低下、
ひいてはディスクの信頼性が低下するという問題があ−
)た。
本発明の]」的は、簡素な構造のディスクに対する記録
及び消去条件を提供することにより光磁気ディスクの晶
信頼化をはかることにある。
及び消去条件を提供することにより光磁気ディスクの晶
信頼化をはかることにある。
」1記目的は、光磁気記録膜の温度分布を制御するため
に記録時もしくは消去時のレーザー出力を適止化するこ
とにより達成される。
に記録時もしくは消去時のレーザー出力を適止化するこ
とにより達成される。
レーザー光を照射し、たときの光磁気配@膜の温度分布
を制御することにより記録膜の小さな構造緩和により磁
気特性の変化を抑制する。そのため、再生出力の低下ひ
いては信頼性の低下をきたすことがない。
を制御することにより記録膜の小さな構造緩和により磁
気特性の変化を抑制する。そのため、再生出力の低下ひ
いては信頼性の低下をきたすことがない。
以ド、本発明の詳細を実施例を説明する。
〔実施例1〕
本実施例で試作したディスクの断面構造の模式図を第1
図に示す。基板1には直径5.25 インチの円盤状ポ
リカーボネート基板を用い、その−ヒに下地膜2として
安定化ジル」ニア層を850人の膜厚にスパッタ法で形
成し、つづいて光磁気記録膜3としてTb2eFe52
CoiJb2Pt5を800人の膜厚に八rを放電ガス
としたスパッタ法により形成し、記録膜のスパッタの最
後に放電ガスをN2に切換え、100人の膜を形成した
。
図に示す。基板1には直径5.25 インチの円盤状ポ
リカーボネート基板を用い、その−ヒに下地膜2として
安定化ジル」ニア層を850人の膜厚にスパッタ法で形
成し、つづいて光磁気記録膜3としてTb2eFe52
CoiJb2Pt5を800人の膜厚に八rを放電ガス
としたスパッタ法により形成し、記録膜のスパッタの最
後に放電ガスをN2に切換え、100人の膜を形成した
。
このようにして作製したディスクの記録再生特性として
、再生出力の記録パワー依存性を第2図に示す。これに
よると最小記録可能レーザー出力は2.5mWであり、
Cレベルは急激に立子り3.5 mW以1:、ではほ
ぼ一定となった。−力、第2高調波成分が最小となるレ
ーザー出力は、11mWでi、 M、 T(7,チュー
ティ(duty) 50となる。
、再生出力の記録パワー依存性を第2図に示す。これに
よると最小記録可能レーザー出力は2.5mWであり、
Cレベルは急激に立子り3.5 mW以1:、ではほ
ぼ一定となった。−力、第2高調波成分が最小となるレ
ーザー出力は、11mWでi、 M、 T(7,チュー
ティ(duty) 50となる。
測定はr−30mm位置(最内周)において行ない搬送
波刻侶(音孔(キャリア(C)レベル対、ノイズ(N)
レベル) C/ N= 56 d T3 (90Orp
m。
波刻侶(音孔(キャリア(C)レベル対、ノイズ(N)
レベル) C/ N= 56 d T3 (90Orp
m。
T MH7,1,5T)であ−〕だ。この検討から、記
録レーザーパワーを4mWとし1、再ノドレーザーパワ
ーは1mWとした。そして消去レーザーパワーを4mW
から8mWまで変化させ、消去(E)/書き込み(W)
/読み出しく■<)を繰返し7た。
録レーザーパワーを4mWとし1、再ノドレーザーパワ
ーは1mWとした。そして消去レーザーパワーを4mW
から8mWまで変化させ、消去(E)/書き込み(W)
/読み出しく■<)を繰返し7た。
その時のキャリアレベルの変化を第;3図11示した。
その結果4〜5mWまでキャリアレ/ベルはほとんど変
動しないが、6〜8mWではレーザーパワーが大きくな
るほどキャリアレベル低−1〜が増した。
動しないが、6〜8mWではレーザーパワーが大きくな
るほどキャリアレベル低−1〜が増した。
この現象を偏光顕微鏡を用いて磁区観察しニーより調べ
たところ、レーザー光の中心部分の温度が老しく高くな
るため垂直磁気光h゛性が大きく低下しCし7まい、記
録部の一部分に面内磁化l換となっているところが存在
していることが判明した。一方、・1〜5mWにおける
消去パワーで消去したところ、4mWではI・ラツキン
グオツセットにより記録磁区の一部分が消え残−)でい
る場合があり、4.5mW〜5 m、 Wのパワーでは
完全に消去できることも判明し7た。これらのことから
、木実j7iTi例のタイプのディスクにおいては、消
去レーザーパワーは記録レーザーパワーと同等か1rn
W程大きくとるのが最適であると言える。レーザーパワ
ーが太きいと、記録膜表面は熱伝導率の小さい空気層で
あるためレーザー光から与えられた熱は記録層に蓄積さ
れ、保護膜を有する従来ディスクと比べ記録膜の温度が
著しく高くすることがわかる。そのため三層構造におけ
る記録や消去パワーの8〜12mWと比へ著しく小さく
て済むことがわかった。
たところ、レーザー光の中心部分の温度が老しく高くな
るため垂直磁気光h゛性が大きく低下しCし7まい、記
録部の一部分に面内磁化l換となっているところが存在
していることが判明した。一方、・1〜5mWにおける
消去パワーで消去したところ、4mWではI・ラツキン
グオツセットにより記録磁区の一部分が消え残−)でい
る場合があり、4.5mW〜5 m、 Wのパワーでは
完全に消去できることも判明し7た。これらのことから
、木実j7iTi例のタイプのディスクにおいては、消
去レーザーパワーは記録レーザーパワーと同等か1rn
W程大きくとるのが最適であると言える。レーザーパワ
ーが太きいと、記録膜表面は熱伝導率の小さい空気層で
あるためレーザー光から与えられた熱は記録層に蓄積さ
れ、保護膜を有する従来ディスクと比べ記録膜の温度が
著しく高くすることがわかる。そのため三層構造におけ
る記録や消去パワーの8〜12mWと比へ著しく小さく
て済むことがわかった。
〔実施例2〕
本実施例で試作したディスクの断面構造の模式図を第4
図に示す。基板1としてホ1〜キN/ス1−基板を用い
た。この基板1は、紫外線硬化樹脂を用いて光キャステ
ィング法により成形したものである。この」ル扱IJ−
,に、光磁気記録膜3をTb28.5FesoCox5
Nba、sを1. OO0人の膜厚にArを放電ガスと
したスパッタ法により形成した。そして最後に、テフロ
ン膜4を200人に形成した。
図に示す。基板1としてホ1〜キN/ス1−基板を用い
た。この基板1は、紫外線硬化樹脂を用いて光キャステ
ィング法により成形したものである。この」ル扱IJ−
,に、光磁気記録膜3をTb28.5FesoCox5
Nba、sを1. OO0人の膜厚にArを放電ガスと
したスパッタ法により形成した。そして最後に、テフロ
ン膜4を200人に形成した。
第5図にこのようにして作製したディスクの再生出力の
記録パワー依存性を示す。これによると、記録可能な最
小レーザー出力は2.3 mWであり3.5 mW以
上で一定となった。そして、第2高調波成分が最小とな
るレーザー出力(]、 M Hz 。
記録パワー依存性を示す。これによると、記録可能な最
小レーザー出力は2.3 mWであり3.5 mW以
上で一定となった。そして、第2高調波成分が最小とな
るレーザー出力(]、 M Hz 。
duty 50 )は、3.8 mWで、その時のC
/Nは57clBであった。この測定位置及び測定条件
は実施例1と同様である。
/Nは57clBであった。この測定位置及び測定条件
は実施例1と同様である。
」二記の結果から、記録レーザーパワーを3.8mW、
再生レーザー出力を1.0 mWとした。第6図に消
去レーザーパワーを4mW〜8mWまで変化させてE/
W/Rを繰返した時のキャリアレベルの変化を示す。そ
の結果、消去レーザーパワーが4〜5mWまではキャリ
アレベルの変化がほとんどみられないが、6〜8mWで
はレーザーパワーが大きくなる程、キャリアレベルの低
下速度が速くなることが判明した。この現象は、実施例
1で示したように、レーザー光の中心部分の温度が著し
く高くなったために垂直磁気異方性が大きく低下して、
面内磁化膜に転化している部分が記録部の一部に発生し
ているために生じたものである。一方、消去レーザーパ
ワーを4〜5mWと、記録レーザーパワーよりやや大き
なレベルに設定して記録/消去を繰返したところ、消え
残りの存在は検出されなかった。このタイプのディスク
に対して、記録レーザーパワーとほぼ同じレーザーパワ
ーで消去できることがわかった。
再生レーザー出力を1.0 mWとした。第6図に消
去レーザーパワーを4mW〜8mWまで変化させてE/
W/Rを繰返した時のキャリアレベルの変化を示す。そ
の結果、消去レーザーパワーが4〜5mWまではキャリ
アレベルの変化がほとんどみられないが、6〜8mWで
はレーザーパワーが大きくなる程、キャリアレベルの低
下速度が速くなることが判明した。この現象は、実施例
1で示したように、レーザー光の中心部分の温度が著し
く高くなったために垂直磁気異方性が大きく低下して、
面内磁化膜に転化している部分が記録部の一部に発生し
ているために生じたものである。一方、消去レーザーパ
ワーを4〜5mWと、記録レーザーパワーよりやや大き
なレベルに設定して記録/消去を繰返したところ、消え
残りの存在は検出されなかった。このタイプのディスク
に対して、記録レーザーパワーとほぼ同じレーザーパワ
ーで消去できることがわかった。
〔実施例3〕
本実施例で試作したディスクの断面構造の模式図を第7
図に示す。ディスク作製は、ポリカーボネート基板1上
にまずN2を放電ガスに用いたスパッタ法により50人
の膜厚に窒素含有層5を形成した。この時のターゲット
には、 TbxBFes2Cox5NbzP’t5なる組成の合
金ターゲットを使用した。ここで窒素含有層5は基板と
の接着性向上のための膜である。そして放電ガスをAr
に切換え、先と同一のターゲットにより上記合金膜3を
800人の膜厚に形成し引き続き再び放電ガスをN2に
切換えてスパッタし保護膜として200人の膜厚の窒素
含有!45を形成し、光磁気ディスクを得た。
図に示す。ディスク作製は、ポリカーボネート基板1上
にまずN2を放電ガスに用いたスパッタ法により50人
の膜厚に窒素含有層5を形成した。この時のターゲット
には、 TbxBFes2Cox5NbzP’t5なる組成の合
金ターゲットを使用した。ここで窒素含有層5は基板と
の接着性向上のための膜である。そして放電ガスをAr
に切換え、先と同一のターゲットにより上記合金膜3を
800人の膜厚に形成し引き続き再び放電ガスをN2に
切換えてスパッタし保護膜として200人の膜厚の窒素
含有!45を形成し、光磁気ディスクを得た。
このディスクの記録・再生特性の測定結果は実施例1と
まったく同じであった。そして、E/W/Rを繰返した
ところ、実施例1と同様に6〜8mWの消去レーザーパ
ワーではC/Nの低化が生じたのに対し、4〜5mWで
はC/Nの変化はみられなかった。そして、記録パワー
4mW、消去パワー4.5 mWにてW/1?、を繰
返したところ、消え残りなく良好に記録・再生が行なえ
C/N変動なく高信頼性の光磁気ディスクが得られた。
まったく同じであった。そして、E/W/Rを繰返した
ところ、実施例1と同様に6〜8mWの消去レーザーパ
ワーではC/Nの低化が生じたのに対し、4〜5mWで
はC/Nの変化はみられなかった。そして、記録パワー
4mW、消去パワー4.5 mWにてW/1?、を繰
返したところ、消え残りなく良好に記録・再生が行なえ
C/N変動なく高信頼性の光磁気ディスクが得られた。
このように、ディスク構造により記録や再生のレーザー
パワーを決定する必要があった。この効果は光変調記録
方式に限らず、磁界変調方式において照射する連続光強
度をディスク構造に適合させて、記録膜の温度分布を制
御しても同じである。
パワーを決定する必要があった。この効果は光変調記録
方式に限らず、磁界変調方式において照射する連続光強
度をディスク構造に適合させて、記録膜の温度分布を制
御しても同じである。
本発明によれば、ディスクの構造に合わせて光磁気記録
膜の温度分布を制御することにより、記録/消去による
記録膜の垂直磁気異方性の低下を防ぐことができ、再生
出力の低下を抑制できるのでディスクの信頼性向上に効
果がある。
膜の温度分布を制御することにより、記録/消去による
記録膜の垂直磁気異方性の低下を防ぐことができ、再生
出力の低下を抑制できるのでディスクの信頼性向上に効
果がある。
第1図、第4図、第7図は本発明の実施例に用いた光磁
気ディスクの断面構造図、第2図、第5図は再生出力の
記録レーザー出力依存性を示すグラフ、第3図、第6図
は消去/記録/再生を繰返した時の繰返し回数とキャリ
アレベルの変化を示すグラフである。 1・・・基板、2・・・下地膜、3・・・光磁気記録膜
、4・・[gp]り、゛27幕♂11.、’XLL1キ
ャN φ [gPコ つ:l−ファ墨ψ’l(、u’lんト〜怖
気ディスクの断面構造図、第2図、第5図は再生出力の
記録レーザー出力依存性を示すグラフ、第3図、第6図
は消去/記録/再生を繰返した時の繰返し回数とキャリ
アレベルの変化を示すグラフである。 1・・・基板、2・・・下地膜、3・・・光磁気記録膜
、4・・[gp]り、゛27幕♂11.、’XLL1キ
ャN φ [gPコ つ:l−ファ墨ψ’l(、u’lんト〜怖
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板の上に、少なくとも垂直磁気異方性を持つ光磁
気記録膜を有する光磁気ディスクにおいて、記録もしく
は消去時の光磁気記録膜の温度分布を制御したことを特
徴とする光磁気ディスクの記録・消去の方法。 2、特許請求の範囲第1項記載の垂直磁気異方性を持つ
光磁気記録膜として、希土類−鉄族元素を主体とする合
金で、さらに優位には該光磁気記録膜が非晶質であるこ
とを特徴とする光磁気ディスクの記録・消去の方法。 3、特許請求の範囲第1項記載の光磁気記録膜の温度分
布の制御法として、記録及び消去のためのレーザー出力
を変える手法を用いたことを特徴とする光磁気ディスク
の記録・消去の方法。 4、特許請求の範囲第3項記載のレーザー出力として、
消去のためのレーザー出力を記録のためのレーザー出力
と同じ値以上として記録や消去を行なつたことを特徴と
する光磁気ディスクの記録・消去の方法。 5、特許請求の範囲第1項記載の光磁気記録膜の温度分
布の制御は、光磁気ディスクの構造に合わせて行なつた
ことを特徴とする光磁気ディスクの記録・消去の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63181824A JP2753271B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光ディスクのレーザパワー設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63181824A JP2753271B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光ディスクのレーザパワー設定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0233748A true JPH0233748A (ja) | 1990-02-02 |
JP2753271B2 JP2753271B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16107455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63181824A Expired - Lifetime JP2753271B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光ディスクのレーザパワー設定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2753271B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232141A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気ディスク装置 |
US7880995B2 (en) | 2008-01-31 | 2011-02-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method, system, and computer program product for thermally assisted recording systems |
JP4920852B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2012-04-18 | オサケユキテュア・ラング・シップ・アクチェボラーグ | 運送貨物コンテナ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61260439A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Canon Inc | 光学的情報記録装置 |
JPS61294649A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-25 | Canon Inc | 情報記録再生装置 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63181824A patent/JP2753271B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61260439A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-18 | Canon Inc | 光学的情報記録装置 |
JPS61294649A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-25 | Canon Inc | 情報記録再生装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH03232141A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気ディスク装置 |
JP4920852B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2012-04-18 | オサケユキテュア・ラング・シップ・アクチェボラーグ | 運送貨物コンテナ |
US7880995B2 (en) | 2008-01-31 | 2011-02-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method, system, and computer program product for thermally assisted recording systems |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2753271B2 (ja) | 1998-05-18 |
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