JPS5960747A - 磁気光学再生装置 - Google Patents
磁気光学再生装置Info
- Publication number
- JPS5960747A JPS5960747A JP17257382A JP17257382A JPS5960747A JP S5960747 A JPS5960747 A JP S5960747A JP 17257382 A JP17257382 A JP 17257382A JP 17257382 A JP17257382 A JP 17257382A JP S5960747 A JPS5960747 A JP S5960747A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- disk base
- incident
- laser light
- deltan
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザ光により情報の再生を行なう磁気光学再
生装置に関する。
生装置に関する。
〈従来技術〉
近年、光記憶装置は高密度化、大容量化、及び高速アク
セス化が可能なメモリ装置として広く研究されており、
中でも記憶ディスクに微細ピット列を形成して該微細ピ
ット部における入射レーザビームの回折現象を利用して
情報の再生を行なう光記憶装置や、記憶ディスクにレー
ザビームを照射して反射率の変化部分を形成し該反射率
の変化を再生レーザビームにて検知するＤＲＡＷタイプ
と呼ばれる光記憶装置は実用化の域に達している。
セス化が可能なメモリ装置として広く研究されており、
中でも記憶ディスクに微細ピット列を形成して該微細ピ
ット部における入射レーザビームの回折現象を利用して
情報の再生を行なう光記憶装置や、記憶ディスクにレー
ザビームを照射して反射率の変化部分を形成し該反射率
の変化を再生レーザビームにて検知するＤＲＡＷタイプ
と呼ばれる光記憶装置は実用化の域に達している。
しかしながら上述の光記憶装置は再生専用或いは情報の
追加記録が可能であるという機能をもつに留まっており
、情報の消去機能をも有する光記憶装置は未だ研究段階
にある。
追加記録が可能であるという機能をもつに留まっており
、情報の消去機能をも有する光記憶装置は未だ研究段階
にある。
一方、この情報の消去機能をも有する光記憶装置として
は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁性体薄膜に
レーザビームを照射して部分的に昇温させその照射部分
での上記磁性体薄膜の保磁力を減少させることによって
、上記磁性体薄膜に作用する外部磁界の方向に対応して
磁区を配列させて情報の記録と消去を行ない、又情報を
記録した部分に弱いレーザビームを照射し磁気光学効果
を用いて情報の再生を行なう磁気光学記憶再生装置が極
めて有力である。
は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁性体薄膜に
レーザビームを照射して部分的に昇温させその照射部分
での上記磁性体薄膜の保磁力を減少させることによって
、上記磁性体薄膜に作用する外部磁界の方向に対応して
磁区を配列させて情報の記録と消去を行ない、又情報を
記録した部分に弱いレーザビームを照射し磁気光学効果
を用いて情報の再生を行なう磁気光学記憶再生装置が極
めて有力である。
本発明はこの磁気光学記憶再生装置における再生面での
技術的改善を施したものである。
技術的改善を施したものである。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記磁気光学記憶再生装置のディスク基体としては熱可
塑性樹脂を用い圧縮成形法或いは射出成形法によって製
造したものがしばしば用いられる。
塑性樹脂を用い圧縮成形法或いは射出成形法によって製
造したものがしばしば用いられる。
しかしこの種の成形法を用いてディスク基体を製造する
場合その成形品に残留応力歪や基体材料のう際の障害と
なるものである。即ち上記磁気光学再生装置はレーザ光
め偏光状態の変化を利用して情報再生するものであるの
でディスク基体に複屈折が存在すればレーザ光の偏光が
乱され好ましくないのである。
場合その成形品に残留応力歪や基体材料のう際の障害と
なるものである。即ち上記磁気光学再生装置はレーザ光
め偏光状態の変化を利用して情報再生するものであるの
でディスク基体に複屈折が存在すればレーザ光の偏光が
乱され好ましくないのである。
く目 的〉
本発明は磁気光学記憶再生装置のディスク基体の複屈折
による再生特性に対する悪影響を極力抑制する為の解決
手法を提供することを目的とするものである。
による再生特性に対する悪影響を極力抑制する為の解決
手法を提供することを目的とするものである。
〈実施例〉
以下本発明に係る実施例りこついて図面を用いて第１図
に射出成形法により成形されたディスク基体／を示す。
に射出成形法により成形されたディスク基体／を示す。
このディスク基体／の材質はアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂等の樹脂材であり、同図の矢印の方向に一軸
異方性が誘起されている。又第一図は上記ディスク基体
／を用いて磁気光学記憶素子Ａを構成し、該磁気光学記
憶素子Ａに光学的要素Ｂを対向配置した本発明に係る磁
気光学再生装置の一実施例の構成説明図である。
ネート樹脂等の樹脂材であり、同図の矢印の方向に一軸
異方性が誘起されている。又第一図は上記ディスク基体
／を用いて磁気光学記憶素子Ａを構成し、該磁気光学記
憶素子Ａに光学的要素Ｂを対向配置した本発明に係る磁
気光学再生装置の一実施例の構成説明図である。
」−記磁気光学記憶素子Ａは厚さが／−７ｆｉのディス
ク基体／上に、厚さが１０ｏｏＸ□ のＳｉＯからなる
絶縁体層ノ、及び厚さが／ ｊ ＯＡ’□のＧｄＴｂＦ
ｅからなる非晶質磁性体薄膜層３、及び厚さが３０ Ｏ
Ａ’のＳ ｉ Ｏ２からなる絶縁体層ダ、及び厚さがり
００λ゛のＣｕからなる金属反射膜層ｊが層設されるこ
とにより構成される。父上配光学的要素Ｂは図示されな
い波長がｚ３．２♂＾の光を照射するレーザ光源、及び
検光子乙、及び受光素子２及び池の図示されない光学的
部品から構成される。
ク基体／上に、厚さが１０ｏｏＸ□ のＳｉＯからなる
絶縁体層ノ、及び厚さが／ ｊ ＯＡ’□のＧｄＴｂＦ
ｅからなる非晶質磁性体薄膜層３、及び厚さが３０ Ｏ
Ａ’のＳ ｉ Ｏ２からなる絶縁体層ダ、及び厚さがり
００λ゛のＣｕからなる金属反射膜層ｊが層設されるこ
とにより構成される。父上配光学的要素Ｂは図示されな
い波長がｚ３．２♂＾の光を照射するレーザ光源、及び
検光子乙、及び受光素子２及び池の図示されない光学的
部品から構成される。
♂は上記レーザ光源から照射され他の図示されない光学
的部品を通過した直線偏光を有するレーザビームである
。該レーザビーム♂の入射光の直線偏光方位θは上記磁
気光学記憶素子Ａの円周方位からＺ度程度傾斜して設定
されている。上記レーザビームどの直線偏光方位θの設
定によってディスク基体／の複屈折による再生特性に対
する悪影響を抑制する事ができる。
的部品を通過した直線偏光を有するレーザビームである
。該レーザビーム♂の入射光の直線偏光方位θは上記磁
気光学記憶素子Ａの円周方位からＺ度程度傾斜して設定
されている。上記レーザビームどの直線偏光方位θの設
定によってディスク基体／の複屈折による再生特性に対
する悪影響を抑制する事ができる。
次にその理由について説明を行なう。第３図（ａ）〜（
ｇｌはディスク基体／の円周方向の屈折率ｎ、とディス
ク基体／の半径方向の屈折率ｎｒとの差△ｒｌ （＝
ｎｔ ｎ ｒ）に対するＪ ＯＫ Ｈｚ帯域幅におけ
る信号対雑音比（４比）の変化をディスク基体／に複屈
折が無い時（Δｎ−０）の信号対雑音比の値を基準にと
り、入射直線偏光の方位θをパラメータにして示したも
のである。但し上記入射直線偏光の方位Ｏは磁気光学記
憶素子への円周方位を基準としている。父上記△ｎの値
の正負はそれぞれ位相板との対応ｔ３進相柚が半径方位
及び円周方位に対応する。第３図（ａ）〜（ｇ）の各図
を比較すれば入射レーザ光の直線偏光方位０を磁気光学
記憶素子の円周方位に対して７度傾けた時信号対雑号比
が極めて安定した良好なる特性をもつことが理解される
。即ち上記入射レーザ光の偏光方位θの適度な設定によ
ってディスク基体／の後屈最大値 △ｎ ＝１０−３
として得たものであるが、これらの４Ｌよりディスク
基体／の光学的距離に換算した複屈折量はシングルパス
の値で△ｎ Ｘ ｄ −／ 、、？θ０（ｎｍ）である
。一般にディスク基体／の光学的距離に換算した複屈折
量は、ｓｏｏ（ｎｍ）以下に抑えることが製造上容易に
できるから、上記第３図のデータは実用上において有効
に適用できるものである。
ｇｌはディスク基体／の円周方向の屈折率ｎ、とディス
ク基体／の半径方向の屈折率ｎｒとの差△ｒｌ （＝
ｎｔ ｎ ｒ）に対するＪ ＯＫ Ｈｚ帯域幅におけ
る信号対雑音比（４比）の変化をディスク基体／に複屈
折が無い時（Δｎ−０）の信号対雑音比の値を基準にと
り、入射直線偏光の方位θをパラメータにして示したも
のである。但し上記入射直線偏光の方位Ｏは磁気光学記
憶素子への円周方位を基準としている。父上記△ｎの値
の正負はそれぞれ位相板との対応ｔ３進相柚が半径方位
及び円周方位に対応する。第３図（ａ）〜（ｇ）の各図
を比較すれば入射レーザ光の直線偏光方位０を磁気光学
記憶素子の円周方位に対して７度傾けた時信号対雑号比
が極めて安定した良好なる特性をもつことが理解される
。即ち上記入射レーザ光の偏光方位θの適度な設定によ
ってディスク基体／の後屈最大値 △ｎ ＝１０−３
として得たものであるが、これらの４Ｌよりディスク
基体／の光学的距離に換算した複屈折量はシングルパス
の値で△ｎ Ｘ ｄ −／ 、、？θ０（ｎｍ）である
。一般にディスク基体／の光学的距離に換算した複屈折
量は、ｓｏｏ（ｎｍ）以下に抑えることが製造上容易に
できるから、上記第３図のデータは実用上において有効
に適用できるものである。
尚、上記入射レーザ光の偏光方位の設定はディスク基体
の複屈折量及び磁気光学記憶素子の構成に応じて適宜選
択すればよい。
の複屈折量及び磁気光学記憶素子の構成に応じて適宜選
択すればよい。
く効 果〉
上述した如くディスク基体を圧縮成形法或いは射出成形
法によって製造する場合においてはディスフ基体に複屈
折が発生し、又上記ディスク基体は一般的に各ロフト間
においても複屈折の値に差があり、又上記ディスク基体
の複屈折の値は同−基体内においても分布差があるもの
であるが、本ＲＩＪ４ｊＣよオ’Ｌ Ｉｆ 、Ｍ ９１
ｆｉ ６ ：Ａ、８４ｍ ＊ ’ｊ５ （ｍ （７）
Ｂ ’ｒ ｉｊ ヨー） 第７図て上記複屈折の再生
信号に対する悪影響を悉く抑制することができるもので
ある。
法によって製造する場合においてはディスフ基体に複屈
折が発生し、又上記ディスク基体は一般的に各ロフト間
においても複屈折の値に差があり、又上記ディスク基体
の複屈折の値は同−基体内においても分布差があるもの
であるが、本ＲＩＪ４ｊＣよオ’Ｌ Ｉｆ 、Ｍ ９１
ｆｉ ６ ：Ａ、８４ｍ ＊ ’ｊ５ （ｍ （７）
Ｂ ’ｒ ｉｊ ヨー） 第７図て上記複屈折の再生
信号に対する悪影響を悉く抑制することができるもので
ある。
第１図はディスク基体の平面図、第一図は本発明に係る
磁気光学再生装置の一実施例の構成説明図、第３図はΔ
ｎと信号対雑音比の関係を示すグラ′フ図である。 図中、／：ディスク基体、 、２：絶縁体層、３：非晶
質磁性体薄膜層、 グ：絶縁体層、 、ｓ二金属反射膜層、２：検光子、
７：受光素子。 第２図
磁気光学再生装置の一実施例の構成説明図、第３図はΔ
ｎと信号対雑音比の関係を示すグラ′フ図である。 図中、／：ディスク基体、 、２：絶縁体層、３：非晶
質磁性体薄膜層、 グ：絶縁体層、 、ｓ二金属反射膜層、２：検光子、
７：受光素子。 第２図
Claims (1)
- １、半径方向に一軸異方性を有する円板上に光学的記憶
薄膜を層設した光デイスクメモリに対し入射レーザ光の
偏光方位を前記円板の円周方位より所定角度傾けて設定
したことを特徴とする磁気光学再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17257382A JPS5960747A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気光学再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17257382A JPS5960747A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気光学再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960747A true JPS5960747A (ja) | 1984-04-06 |
| JPH0557660B2 JPH0557660B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=15944335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17257382A Granted JPS5960747A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気光学再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960747A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124252A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-27 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体用光学装置 |
| JPS63149845A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
| US7564772B2 (en) | 2002-04-10 | 2009-07-21 | Sony Corporation | High density optical disc having recorded characters visibly readable from a substrate side |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP17257382A patent/JPS5960747A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124252A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-27 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体用光学装置 |
| JPS63149845A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
| US7564772B2 (en) | 2002-04-10 | 2009-07-21 | Sony Corporation | High density optical disc having recorded characters visibly readable from a substrate side |
| US7964337B2 (en) | 2002-04-10 | 2011-06-21 | Sony Corporation | Optical recording medium and method of producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0557660B2 (ja) | 1993-08-24 |
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