JPH09282727A - 光磁気記録再生装置と再生方法 - Google Patents
光磁気記録再生装置と再生方法Info
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面に記録再生用の光スポットを案内するた
めのランドとグルーブとが配列された案内溝を有し、そ
の表面に光磁気記録膜が形成されてなる光磁気記録媒体
では、案内溝が不均質であると再生ノイズが大きくな
る。 【解決手段】 光磁気ディスク１に形成されているグル
ーブ２またはランド３の境界に形成される溝斜面４の幅
ＷＴを（光磁気記録膜５の光入射側に表面膜が形成され
ている場合にはその屈折率をｎとしたとき）、入射光波
長の１／４ｎ以上の長さとする。
めのランドとグルーブとが配列された案内溝を有し、そ
の表面に光磁気記録膜が形成されてなる光磁気記録媒体
では、案内溝が不均質であると再生ノイズが大きくな
る。 【解決手段】 光磁気ディスク１に形成されているグル
ーブ２またはランド３の境界に形成される溝斜面４の幅
ＷＴを（光磁気記録膜５の光入射側に表面膜が形成され
ている場合にはその屈折率をｎとしたとき）、入射光波
長の１／４ｎ以上の長さとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体、特
に高密度光磁気記録媒体に関し、特に低ノイズ化を図っ
た光磁気記録再生装置とその再生方法に関する。
に高密度光磁気記録媒体に関し、特に低ノイズ化を図っ
た光磁気記録再生装置とその再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクでは、データ記録、再生の信
頼性を高めるためトラッキングサーボをかけており、そ
の際には光ディスク基板に溝状の凹凸部で形成された案
内溝を予め形成しておき、この凹凸部に沿って光スポッ
トを案内させるという方策がとられることが多い。この
凹凸部はランド、グルーブと呼ばれており、ここでは凹
部をグルーブ、凸部をランドと称する。そして、プシュ
プル法というトラッキング方法を用いてこのランドまた
はグルーブに対して光スポットを案内させる。このよう
に案内溝が存在する場合、案内溝が均一に形成されてい
ないと反射光量の変動につながり、ノイズの原因とな
る。
頼性を高めるためトラッキングサーボをかけており、そ
の際には光ディスク基板に溝状の凹凸部で形成された案
内溝を予め形成しておき、この凹凸部に沿って光スポッ
トを案内させるという方策がとられることが多い。この
凹凸部はランド、グルーブと呼ばれており、ここでは凹
部をグルーブ、凸部をランドと称する。そして、プシュ
プル法というトラッキング方法を用いてこのランドまた
はグルーブに対して光スポットを案内させる。このよう
に案内溝が存在する場合、案内溝が均一に形成されてい
ないと反射光量の変動につながり、ノイズの原因とな
る。
【０００３】一般に案内溝のついた光ディスク基板の作
製は、大略、原盤工程（マスタリングプロセス）と、デ
ィスク化工程によって行われる。原盤工程では、光ディ
スク基板の金型であるスタンパが作製され、このスタン
パには案内溝がネガの状態で形成されている。次のディ
スク化工程では、このスタンパの上方をインジェクショ
ン、コンプレッション、２Ｐ等の方法を用いて樹脂に焼
き付け、光ディスク基板が完成される。したがって、案
内溝を均一に作製しようとする場合には、スタンパを均
質に作製し、スタンパの焼き付けを高精度に行う必要が
ある。
製は、大略、原盤工程（マスタリングプロセス）と、デ
ィスク化工程によって行われる。原盤工程では、光ディ
スク基板の金型であるスタンパが作製され、このスタン
パには案内溝がネガの状態で形成されている。次のディ
スク化工程では、このスタンパの上方をインジェクショ
ン、コンプレッション、２Ｐ等の方法を用いて樹脂に焼
き付け、光ディスク基板が完成される。したがって、案
内溝を均一に作製しようとする場合には、スタンパを均
質に作製し、スタンパの焼き付けを高精度に行う必要が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スタン
パを均質に作製し、さらにそれを完全に樹脂に転写する
ことは製造技術や製造精度の点で難しく、案内溝の不均
質が生じることは避けられず、これがノイズの原因とな
っている。現在の技術で、今以上の均一な案内溝を作製
するのは難しく、ノイズ低減の解決策が望まれている。
また、高密度化が進み、案内溝の幅が狭くなるにつれ
て、不均質が大きくなっており、問題はさらに深刻なも
のとなっている。
パを均質に作製し、さらにそれを完全に樹脂に転写する
ことは製造技術や製造精度の点で難しく、案内溝の不均
質が生じることは避けられず、これがノイズの原因とな
っている。現在の技術で、今以上の均一な案内溝を作製
するのは難しく、ノイズ低減の解決策が望まれている。
また、高密度化が進み、案内溝の幅が狭くなるにつれ
て、不均質が大きくなっており、問題はさらに深刻なも
のとなっている。
【０００５】本発明の目的は、案内溝が不均質の場合で
も、これに起因するノイズが生じ難い光磁気ディスク等
の光磁気記録媒体を提供することにある。
も、これに起因するノイズが生じ難い光磁気ディスク等
の光磁気記録媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に記録再
生用の光スポットを案内するための凸部平坦部（ラン
ド）と凹部平坦部（グルーブ）とが配列された案内溝を
有し、その表面側に光磁気記録膜が形成されてなる光磁
気記録媒体に対してＴＭ偏光ランド、ＴＭ偏光グルー
ブ、ＴＥ偏光グルーブ再生を行う光磁気記録再生装置に
おいて、偏光の入射光波長に対する前記光磁気記録膜の
光入射側に成膜された表面膜の屈折率をｎとしたとき、
ランドとグルーブの境界に形成される溝斜面の幅が、１
／４ｎ以上の長さを有することを特徴とする。
生用の光スポットを案内するための凸部平坦部（ラン
ド）と凹部平坦部（グルーブ）とが配列された案内溝を
有し、その表面側に光磁気記録膜が形成されてなる光磁
気記録媒体に対してＴＭ偏光ランド、ＴＭ偏光グルー
ブ、ＴＥ偏光グルーブ再生を行う光磁気記録再生装置に
おいて、偏光の入射光波長に対する前記光磁気記録膜の
光入射側に成膜された表面膜の屈折率をｎとしたとき、
ランドとグルーブの境界に形成される溝斜面の幅が、１
／４ｎ以上の長さを有することを特徴とする。
【０００７】また、記録再生に際してＴＭ偏光ランド、
ＴＥ偏光グルーブ、ＴＥ偏光ランドを用いる光磁気記録
再生装置においては、前記偏光の入射光波長に対する前
記光磁気記録膜の光入射側に成膜された表面膜の屈折率
をｎとしたとき、ランドとグルーブの境界に形成される
溝斜面の幅が、１／８ｎから１／６ｎの長さを有するこ
とを特徴とする。なお、前記およびこの場合において
は、ランドとグルーブの少なくとも一方の幅が、入射光
波長の１．０／ｎ倍以下であることが好ましい。
ＴＥ偏光グルーブ、ＴＥ偏光ランドを用いる光磁気記録
再生装置においては、前記偏光の入射光波長に対する前
記光磁気記録膜の光入射側に成膜された表面膜の屈折率
をｎとしたとき、ランドとグルーブの境界に形成される
溝斜面の幅が、１／８ｎから１／６ｎの長さを有するこ
とを特徴とする。なお、前記およびこの場合において
は、ランドとグルーブの少なくとも一方の幅が、入射光
波長の１．０／ｎ倍以下であることが好ましい。
【０００８】また、本発明では、ランドとグルーブの境
界に形成される溝斜面の幅が、１／８ｎ以下の長さを有
し、かつランドとグルーブの少なくとも一方の幅が、入
射光波長の０．８／ｎ倍から１．２／ｎ倍であること、
あるいは、案内溝の深さが入射光波長の１／８ｎから１
／５ｎの長さを有し、ランドとグルーブの幅が入射光波
長の１／２ｎ以下であることが好ましい。
界に形成される溝斜面の幅が、１／８ｎ以下の長さを有
し、かつランドとグルーブの少なくとも一方の幅が、入
射光波長の０．８／ｎ倍から１．２／ｎ倍であること、
あるいは、案内溝の深さが入射光波長の１／８ｎから１
／５ｎの長さを有し、ランドとグルーブの幅が入射光波
長の１／２ｎ以下であることが好ましい。
【０００９】また、本発明の光磁気記録再生方法は、前
記した本発明の光磁気記録再生装置を用いて光磁気記録
媒体に記録されている情報を再生することを特徴とす
る。この場合、光磁気記録媒体の一部に、その溝幅、溝
深さ、溝斜面幅等のデータを記録し、或いはこのデータ
に基づいて予め演算を行って得られた好ましい入射光波
長の情報を記録し、再生時にこれらデータや情報を再生
し、得られたデータや情報に基づいて再生用の入射光波
長を設定するようにしてもよい。
記した本発明の光磁気記録再生装置を用いて光磁気記録
媒体に記録されている情報を再生することを特徴とす
る。この場合、光磁気記録媒体の一部に、その溝幅、溝
深さ、溝斜面幅等のデータを記録し、或いはこのデータ
に基づいて予め演算を行って得られた好ましい入射光波
長の情報を記録し、再生時にこれらデータや情報を再生
し、得られたデータや情報に基づいて再生用の入射光波
長を設定するようにしてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図１は本発明の案内溝をもつ
光磁気記録媒体として光磁気ディスクの半径方向の断面
図を示している。ポリカーボネイト等のような光透過性
のある透明材料からなる光磁気ディスク１の表面には、
溝幅ＷＧの凹部平坦面であるグルーブ２と、凸部平坦面
であるランド３が周期的に形成されており、これらグル
ーブ２とランド３との間には傾斜された溝斜面４が形成
されている。そして、その表面に光磁気記録膜５が形成
されている。ここで、前記グルーブ２およびランド３の
径方向の寸法、すなわち溝幅ＷＧは等しくされており、
かつその溝深さをＤとする。また、溝斜面幅をＷＴとす
る。そして、前記光磁気ディスク１には、図示の裏面側
から偏光された光スポットＳが投射され、光磁気記録膜
５における光スポットＳの反射光量を検出することで情
報を再生するように構成される。ここで、光スポットＳ
の光波長をλとする。
図面を参照して説明する。図１は本発明の案内溝をもつ
光磁気記録媒体として光磁気ディスクの半径方向の断面
図を示している。ポリカーボネイト等のような光透過性
のある透明材料からなる光磁気ディスク１の表面には、
溝幅ＷＧの凹部平坦面であるグルーブ２と、凸部平坦面
であるランド３が周期的に形成されており、これらグル
ーブ２とランド３との間には傾斜された溝斜面４が形成
されている。そして、その表面に光磁気記録膜５が形成
されている。ここで、前記グルーブ２およびランド３の
径方向の寸法、すなわち溝幅ＷＧは等しくされており、
かつその溝深さをＤとする。また、溝斜面幅をＷＴとす
る。そして、前記光磁気ディスク１には、図示の裏面側
から偏光された光スポットＳが投射され、光磁気記録膜
５における光スポットＳの反射光量を検出することで情
報を再生するように構成される。ここで、光スポットＳ
の光波長をλとする。
【００１１】このような光磁気ディスク１に対して光ス
ポットＳを入射させて再生を行ない、その際にランドま
たはグルーブに対して偏光方向がＴＥ方向（溝と平行な
方向）とＴＭ方向（溝と垂直な方向）の各光スポットを
入射させるようにし、これをファクタとして、溝斜面幅
ＷＴを変化させたときの反射光量とカー回転角の積（Ｒ
・θ）の特性を図２に示す。なお、入射光波長λは６８
０ｎｍ、溝幅ＷＧは６８０ｎｍ、溝深さＤは８５ｎｍの
ときのものである。ここで、例えば、ＴＭ偏光ランドと
は、ＴＭ偏光をランド３に投射して再生を行うことを示
している。
ポットＳを入射させて再生を行ない、その際にランドま
たはグルーブに対して偏光方向がＴＥ方向（溝と平行な
方向）とＴＭ方向（溝と垂直な方向）の各光スポットを
入射させるようにし、これをファクタとして、溝斜面幅
ＷＴを変化させたときの反射光量とカー回転角の積（Ｒ
・θ）の特性を図２に示す。なお、入射光波長λは６８
０ｎｍ、溝幅ＷＧは６８０ｎｍ、溝深さＤは８５ｎｍの
ときのものである。ここで、例えば、ＴＭ偏光ランドと
は、ＴＭ偏光をランド３に投射して再生を行うことを示
している。
【００１２】この特性から、入射光波長λの１／４（１
７０ｎｍ）以上の溝斜面幅ＷＧのときに、ＴＥ偏光ラン
ド再生以外のものは比較的Ｒ・θの微分が小さくなって
いることが判る。Ｒ・θの微分が大きいと溝斜面幅ＷＴ
の変動があったときに大きく出力が変動することを意味
するので、このＲ・θの微分が小さいということはノイ
ズが少ないということを意味する。したがって、溝斜面
幅ＷＴを入射光波長の１／４以上にした案内溝を形成す
ると、ノイズの低い媒体が得られることが判る。
７０ｎｍ）以上の溝斜面幅ＷＧのときに、ＴＥ偏光ラン
ド再生以外のものは比較的Ｒ・θの微分が小さくなって
いることが判る。Ｒ・θの微分が大きいと溝斜面幅ＷＴ
の変動があったときに大きく出力が変動することを意味
するので、このＲ・θの微分が小さいということはノイ
ズが少ないということを意味する。したがって、溝斜面
幅ＷＴを入射光波長の１／４以上にした案内溝を形成す
ると、ノイズの低い媒体が得られることが判る。
【００１３】また、ＴＭ偏光グルーブ再生を除いて、特
にＴＥ偏光ランド再生の場合、入射光波長の１／８から
１／６の溝斜面幅ＷＴのときに、Ｒ・θの微分が極小を
もつ。したがって、溝斜面幅ＷＴを入射光波長の１／８
から１／６にした案内溝を形成すると、ノイズの低い媒
体が作製できることになる。
にＴＥ偏光ランド再生の場合、入射光波長の１／８から
１／６の溝斜面幅ＷＴのときに、Ｒ・θの微分が極小を
もつ。したがって、溝斜面幅ＷＴを入射光波長の１／８
から１／６にした案内溝を形成すると、ノイズの低い媒
体が作製できることになる。
【００１４】図３にランド、グルーブ、偏光方向を変え
たときの反射光量とカー回転角の積（Ｒ・θ）の溝幅Ｗ
Ｇによる微分の溝幅依存性を示す。入射光波長は６８０
ｎｍ、溝斜面幅２は２００ｎｍ、溝深さ３は８５ｎｍの
ときのものである。溝幅ＷＧが入射光波長の１．０倍以
下の長さのところで比較的低くなっている。この傾向は
溝斜面幅ＷＴが入射光波長の１／８以上の領域で現れ
る。したがって、溝斜面幅ＷＴが入射光波長の１／８以
上のとき、溝幅ＷＧを入射光波長の１．０倍以下にした
案内溝を形成すると、ノイズの低い媒体が作製できる。
たときの反射光量とカー回転角の積（Ｒ・θ）の溝幅Ｗ
Ｇによる微分の溝幅依存性を示す。入射光波長は６８０
ｎｍ、溝斜面幅２は２００ｎｍ、溝深さ３は８５ｎｍの
ときのものである。溝幅ＷＧが入射光波長の１．０倍以
下の長さのところで比較的低くなっている。この傾向は
溝斜面幅ＷＴが入射光波長の１／８以上の領域で現れ
る。したがって、溝斜面幅ＷＴが入射光波長の１／８以
上のとき、溝幅ＷＧを入射光波長の１．０倍以下にした
案内溝を形成すると、ノイズの低い媒体が作製できる。
【００１５】図４にランド、グルーブ、偏光方向を変え
たときの反射光量とカー回転角の積（Ｒ・θ）の溝幅Ｗ
Ｇによる微分の溝幅依存性を示す。入射光波長は６８０
ｎｍ、溝斜面幅２は２０ｎｍ、溝深さ３は８５ｎｍのと
きのものである。溝幅ＷＧが入射光波長の０．８から
１．２倍の長さのところで比較的低くまたは極小をもっ
ている。この傾向は溝斜面幅ＷＴが入射光波長の１／８
以上の領域で現れる。したがって、溝斜面幅ＷＴが入射
光波長の１／８以上のとき、溝幅ＷＧを入射光波長の
０．８から１．２倍にした案内溝を形成すると、ノイズ
の低い媒体が作製できる。
たときの反射光量とカー回転角の積（Ｒ・θ）の溝幅Ｗ
Ｇによる微分の溝幅依存性を示す。入射光波長は６８０
ｎｍ、溝斜面幅２は２０ｎｍ、溝深さ３は８５ｎｍのと
きのものである。溝幅ＷＧが入射光波長の０．８から
１．２倍の長さのところで比較的低くまたは極小をもっ
ている。この傾向は溝斜面幅ＷＴが入射光波長の１／８
以上の領域で現れる。したがって、溝斜面幅ＷＴが入射
光波長の１／８以上のとき、溝幅ＷＧを入射光波長の
０．８から１．２倍にした案内溝を形成すると、ノイズ
の低い媒体が作製できる。
【００１６】溝深さＤを変えると光の干渉により、溝深
さＤが入射光波長の１／４のときに反射光量が極小をも
つ。これは、溝深さＤを入射光波長１／４付近に設定す
ると溝深さＤの変動によって反射光量が変化し難くノイ
ズの低い媒体が作製できることを意味する。しかしなが
ら、溝深さＤを入射光波長の１／４に設定すると、トラ
ックサーボをかけるためのプシュプル信号を得ることが
できない。したがって、一般的に溝深さＤに関してノイ
ズを低くする値を設定するのは難しい。ところが、溝幅
ＷＧが入射光波長の１／２以下になり、ＴＥ偏光の光が
溝の中に入り込まなくなってくると状況が変わる。この
ようなときには、溝深さＤに対する反射光量の極小が入
射光波長の１／４の深さよりも浅いところで出現する。
したがって、プシュプル信号をとりつつ、溝深さＤの変
動によるノイズを小さくすることができる。
さＤが入射光波長の１／４のときに反射光量が極小をも
つ。これは、溝深さＤを入射光波長１／４付近に設定す
ると溝深さＤの変動によって反射光量が変化し難くノイ
ズの低い媒体が作製できることを意味する。しかしなが
ら、溝深さＤを入射光波長の１／４に設定すると、トラ
ックサーボをかけるためのプシュプル信号を得ることが
できない。したがって、一般的に溝深さＤに関してノイ
ズを低くする値を設定するのは難しい。ところが、溝幅
ＷＧが入射光波長の１／２以下になり、ＴＥ偏光の光が
溝の中に入り込まなくなってくると状況が変わる。この
ようなときには、溝深さＤに対する反射光量の極小が入
射光波長の１／４の深さよりも浅いところで出現する。
したがって、プシュプル信号をとりつつ、溝深さＤの変
動によるノイズを小さくすることができる。
【００１７】図５にランド、グルーブ、偏光方向を変え
たときの反射光量とカー回転角の積（Ｒ・θ）の溝深さ
Ｄによる微分の溝深さ依存性を示す。入射光波長は６８
０ｎｍ、溝幅ＷＧは３４０ｎｍ、溝斜面幅ＷＴは２０ｎ
ｍのときのものである。ＴＥ偏光ランド再生のとき、溝
深さＤが入射光波長の１／８から１／５倍の長さのとこ
ろで比較的低くなっていることが判る。したがって、溝
深さＤが入射光波長の１／２のとき、溝深さＤを入射光
波長の１／８から１／５倍の長さにした案内溝を形成す
るノイズの低い媒体が作製できる。
たときの反射光量とカー回転角の積（Ｒ・θ）の溝深さ
Ｄによる微分の溝深さ依存性を示す。入射光波長は６８
０ｎｍ、溝幅ＷＧは３４０ｎｍ、溝斜面幅ＷＴは２０ｎ
ｍのときのものである。ＴＥ偏光ランド再生のとき、溝
深さＤが入射光波長の１／８から１／５倍の長さのとこ
ろで比較的低くなっていることが判る。したがって、溝
深さＤが入射光波長の１／２のとき、溝深さＤを入射光
波長の１／８から１／５倍の長さにした案内溝を形成す
るノイズの低い媒体が作製できる。
【００１８】なお、光スポットが光磁気記録膜に投射さ
れる経路に、屈折率ｎの表面膜が存在する場合には、溝
斜面幅ＷＴ、溝幅ＷＧ、溝深さＤの値は、それぞれ前記
した値をｎで除した値とすればよい。
れる経路に、屈折率ｎの表面膜が存在する場合には、溝
斜面幅ＷＴ、溝幅ＷＧ、溝深さＤの値は、それぞれ前記
した値をｎで除した値とすればよい。
【００１９】
【実施例】ポリカーボネイトからなる光磁気ディスクに
溝幅ＷＧが６００ｎｍ、溝斜面幅ＷＴが８５ｎｍ、溝深
さＤが８５ｎｍの案内溝を形成し、その表面にＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＴｂＦｅＣｏの光磁気記録膜を形成し、表面にＡ
ｌ膜を形成した光磁気ディスクに対して、開口数０．５
５の対物レンズで波長６８５ｎｍのレーザ光を光磁気デ
ィスクの裏面側から投射して情報の再生を行ったとこ
ろ、ランド、グルーブ、入射光偏光方向にかかわらず
１．５ｄＢ程度のノイズ低下が確認された。特に、ＴＥ
偏光ランド再生は２．０ｄＢまでノイズ低下が確認され
た。
溝幅ＷＧが６００ｎｍ、溝斜面幅ＷＴが８５ｎｍ、溝深
さＤが８５ｎｍの案内溝を形成し、その表面にＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＴｂＦｅＣｏの光磁気記録膜を形成し、表面にＡ
ｌ膜を形成した光磁気ディスクに対して、開口数０．５
５の対物レンズで波長６８５ｎｍのレーザ光を光磁気デ
ィスクの裏面側から投射して情報の再生を行ったとこ
ろ、ランド、グルーブ、入射光偏光方向にかかわらず
１．５ｄＢ程度のノイズ低下が確認された。特に、ＴＥ
偏光ランド再生は２．０ｄＢまでノイズ低下が確認され
た。
【００２０】また、溝幅ＷＧが６８０ｎｍ、溝斜面幅Ｗ
Ｔが５０ｎｍ、溝深さＤが８５ｎｍの案内溝を形成し、
前記と同様の再生を行ったところ、ランド、グルーブ、
入射光偏光方向にかかわらず１．５ｄＢ程度のノイズ低
下が確認された。
Ｔが５０ｎｍ、溝深さＤが８５ｎｍの案内溝を形成し、
前記と同様の再生を行ったところ、ランド、グルーブ、
入射光偏光方向にかかわらず１．５ｄＢ程度のノイズ低
下が確認された。
【００２１】次に、溝幅ＷＧが５００ｎｍ、溝斜面幅Ｗ
Ｔが１８０ｎｍ、溝深さＤが８５ｎｍの案内溝を形成
し、前記と同様の再生を行ったところ、ランド、グルー
ブ、入射光偏光方向にかかわらず１．５ｄＢ程度のノイ
ズ低下が確認された。
Ｔが１８０ｎｍ、溝深さＤが８５ｎｍの案内溝を形成
し、前記と同様の再生を行ったところ、ランド、グルー
ブ、入射光偏光方向にかかわらず１．５ｄＢ程度のノイ
ズ低下が確認された。
【００２２】次に、溝幅ＷＧが３４０ｎｍ、溝斜面幅Ｗ
Ｔが５０ｎｍ、溝深さＤが１０５ｎｍの案内溝を形成
し、前記と同様の再生を行ったところ、ランド、グルー
ブ、入射光偏光方向にかかわらず２．５ｄＢ程度のノイ
ズ低下が確認された。
Ｔが５０ｎｍ、溝深さＤが１０５ｎｍの案内溝を形成
し、前記と同様の再生を行ったところ、ランド、グルー
ブ、入射光偏光方向にかかわらず２．５ｄＢ程度のノイ
ズ低下が確認された。
【００２３】また、光磁気ディスクに屈折率が１．０以
外の表面膜を形成した実施例を説明する。ポリカーボネ
イト（ＰＣ）からなる光磁気ディスクに、溝幅ＷＧが６
８０ｎｍ、溝斜面幅ＷＴが１００ｎｍ、溝深さＤが８５
ｎｍの案内溝の光磁気ディスクを作製し、その上に表面
膜としてＳｉＮｘを６６ｎｍの厚さに形成し、その上に
光磁気記録膜としてＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏをそれ
ぞれ３０ｎｍの厚さに形成する。さらに、その上に保護
膜としてＳｉＮｘを１３０ｎｍの厚さに、およびＡｌを
４０ｎｍの厚さに形成する。なお、ＳｉＮｘは窒素欠損
窒化シリコンを示している。
外の表面膜を形成した実施例を説明する。ポリカーボネ
イト（ＰＣ）からなる光磁気ディスクに、溝幅ＷＧが６
８０ｎｍ、溝斜面幅ＷＴが１００ｎｍ、溝深さＤが８５
ｎｍの案内溝の光磁気ディスクを作製し、その上に表面
膜としてＳｉＮｘを６６ｎｍの厚さに形成し、その上に
光磁気記録膜としてＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏをそれ
ぞれ３０ｎｍの厚さに形成する。さらに、その上に保護
膜としてＳｉＮｘを１３０ｎｍの厚さに、およびＡｌを
４０ｎｍの厚さに形成する。なお、ＳｉＮｘは窒素欠損
窒化シリコンを示している。
【００２４】この光磁気ディスクに対して、裏面側から
開口数０．５５の対物レンズ、波長λ＝６８５ｎｍのレ
ーザ光の光スポットを投射し、表面膜を通して光磁気記
録膜に投射し、その反射光を用いて再生を行い、その際
のノイズレベルを測定した。このとき、前記表面膜の屈
折率ｎは波長λ＝６８５ｎｍに対してほぼ２．０〜２．
１である。その結果、ＴＥ偏光ランド再生以外の場合、
従来のものよりも１．５ｄＢ程度のノイズ低下が確認さ
れた。また、ＴＥ偏光ランド再生の場合は、０．５ｄＢ
程度のノイズ低下が確認された。すなわち、溝斜面幅Ｗ
Ｔを入射光波長λの１／４ｎ（≒λ／８≒８６ｎｍ）以
上とすることで、ノイズ低下が確認された。
開口数０．５５の対物レンズ、波長λ＝６８５ｎｍのレ
ーザ光の光スポットを投射し、表面膜を通して光磁気記
録膜に投射し、その反射光を用いて再生を行い、その際
のノイズレベルを測定した。このとき、前記表面膜の屈
折率ｎは波長λ＝６８５ｎｍに対してほぼ２．０〜２．
１である。その結果、ＴＥ偏光ランド再生以外の場合、
従来のものよりも１．５ｄＢ程度のノイズ低下が確認さ
れた。また、ＴＥ偏光ランド再生の場合は、０．５ｄＢ
程度のノイズ低下が確認された。すなわち、溝斜面幅Ｗ
Ｔを入射光波長λの１／４ｎ（≒λ／８≒８６ｎｍ）以
上とすることで、ノイズ低下が確認された。
【００２５】ここで、前記した説明では裏面から光を投
射する光磁気ディスクを用いた光磁気ディスク装置に本
発明を適用した例であるが、表面側から光を投射する構
成の光磁気ディスク装置においても適用できる。また、
投射光の反射光に基づいて再生を行うものに限られるも
のではなく、透過光により再生を行う装置においても適
用できる。さらに、カード構造の光磁気記録媒体を用い
る光磁気記録再生装置に対しても本発明を適用すること
ができる。さらに、前記説明では、グルーブとランドと
が対称な形状の場合を示しているが、前記した各条件を
満たすものであれば、その形状が前記したものに限定さ
れるものではない。
射する光磁気ディスクを用いた光磁気ディスク装置に本
発明を適用した例であるが、表面側から光を投射する構
成の光磁気ディスク装置においても適用できる。また、
投射光の反射光に基づいて再生を行うものに限られるも
のではなく、透過光により再生を行う装置においても適
用できる。さらに、カード構造の光磁気記録媒体を用い
る光磁気記録再生装置に対しても本発明を適用すること
ができる。さらに、前記説明では、グルーブとランドと
が対称な形状の場合を示しているが、前記した各条件を
満たすものであれば、その形状が前記したものに限定さ
れるものではない。
【００２６】また、作製された光磁気記録媒体の一部
に、その溝幅や溝深さ、溝斜面幅等のデータを記録し、
或いはこのデータに基づいて予め演算を行って得られる
ノイズを低減するのに好ましい入射光波長の情報を記録
しておくことにより、再生時にこれらデータや情報を再
生して入射光波長を設定することで、この光磁気記録媒
体に対して低ノイズでの再生を行うことが可能となる。
に、その溝幅や溝深さ、溝斜面幅等のデータを記録し、
或いはこのデータに基づいて予め演算を行って得られる
ノイズを低減するのに好ましい入射光波長の情報を記録
しておくことにより、再生時にこれらデータや情報を再
生して入射光波長を設定することで、この光磁気記録媒
体に対して低ノイズでの再生を行うことが可能となる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ランドと
グルーブからなる案内溝を有し、その表面側に光磁気記
録膜が形成されてなる光磁気記録媒体に対して偏光を投
射し、その反射または透過光に基づいて情報の記録再生
を行う光磁気記録再生装置において、ランドやグルーブ
の溝幅や溝深さ、ランドとグルーブとの境界に形成され
る溝斜面の幅等を、偏光の入射光波長に対して適切な関
係となるように設定し、また、この適切な関係に基づい
て情報の再生を行うので、案内溝が不均質な場合におい
ても極めて低いノイズでの再生が実現できる。
グルーブからなる案内溝を有し、その表面側に光磁気記
録膜が形成されてなる光磁気記録媒体に対して偏光を投
射し、その反射または透過光に基づいて情報の記録再生
を行う光磁気記録再生装置において、ランドやグルーブ
の溝幅や溝深さ、ランドとグルーブとの境界に形成され
る溝斜面の幅等を、偏光の入射光波長に対して適切な関
係となるように設定し、また、この適切な関係に基づい
て情報の再生を行うので、案内溝が不均質な場合におい
ても極めて低いノイズでの再生が実現できる。
【図１】本発明にかかる光磁気記録媒体の概略構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】反射光量とカー回転角の積（Ｒ，θ）の微分の
溝斜面幅依存特性を示す図である。
溝斜面幅依存特性を示す図である。
【図３】反射光量とカー回転角の積の微分の溝幅依存特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図４】反射光量とカー回転角の積の微分の溝幅依存特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図５】反射光量とカー回転角の積の微分の溝深さ依存
特性を示す図である。
特性を示す図である。
１ 光磁気ディスク ２ グルーブ（凹部平坦部） ３ ランド（凸部平坦部） ４ 溝斜面 ５ 光磁気記録膜
Claims (7)
- 【請求項１】 表面に記録再生用の光スポットを案内す
るための凸部平坦部（ランド）と凹部平坦部（グルー
ブ）とが配列された案内溝を有し、その表面側に光磁気
記録膜が形成されてなる光磁気記録媒体に対してＴＭ偏
光ランド、ＴＭ偏光グルーブ、ＴＥ偏光グルーブによる
記録再生を行う光磁気記録再生装置において、前記偏光
の入射光波長に対する前記光磁気記録膜の光入射側に成
膜された表面膜の屈折率をｎとしたとき、前記ランドと
グルーブの境界に形成される溝斜面の幅が、１／４ｎ以
上の長さを有することを特徴とする光磁気記録再生装
置。 - 【請求項２】 表面に記録再生用の光スポットを案内す
るためのランドとグルーブとが配列された案内溝を有
し、その表面側に光磁気記録膜が形成されてなる光磁気
記録媒体に対してＴＭ偏光ランド、ＴＥ偏光グルーブ、
ＴＥ偏光ランドによる記録再生を行う光磁気記録再生装
置において、前記偏光の入射光波長に対する前記光磁気
記録膜の光入射側に成膜された表面膜の屈折率をｎとし
たとき、前記ランドとグルーブの境界に形成される溝斜
面の幅が、１／８ｎから１／６ｎの長さを有することを
特徴とする光磁気記録再生装置。 - 【請求項３】 ランドとグルーブの少なくとも一方の幅
が、入射光波長の１．０／ｎ倍以下である請求項１また
は２の光磁気記録再生装置。 - 【請求項４】 表面に記録再生用の光スポットを案内す
るためのランドとグルーブとが配列された案内溝を有
し、その表面側に光磁気記録膜が形成されてなる光磁気
記録媒体に対して偏光を投射して記録再生を行う光磁気
記録再生装置において、前記偏光の入射光波長に対する
前記光磁気記録膜の光入射側に成膜された表面膜の屈折
率をｎとしたとき、前記ランドとグルーブの境界に形成
される溝斜面の幅が、１／８ｎ以下の長さを有し、かつ
ランドとグルーブの少なくとも一方の幅が、入射光波長
の０．８／ｎ倍から１．２／ｎ倍の長さを有することを
特徴とする光磁気記録再生装置。 - 【請求項５】 表面に記録再生用の光スポットを案内す
るためのランドとグルーブとが配列された案内溝を有
し、その表面側に光磁気記録膜が形成されてなる光磁気
記録媒体に対して偏光を投射して記録再生を行う光磁気
記録再生装置において、前記偏光の入射光波長に対する
前記光磁気記録膜の光入射側に成膜された表面膜の屈折
率をｎとしたとき、前記案内溝の深さが入射光波長の１
／８ｎから１／５ｎの長さを有し、ランドとグルーブの
幅が入射光波長の１／２ｎ以下の長さを有することを特
徴とする光磁気記録再生装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかの光
軸記録再生装置を用いて光磁気記録媒体に記録されてい
る情報を再生する光磁気記録再生方法。 - 【請求項７】 光磁気記録媒体の一部に、その溝幅、溝
深さ、溝斜面幅等のデータを記録し、或いはこのデータ
に基づいて予め演算を行って得られた好ましい入射光波
長の情報を記録し、再生時にこれらデータや情報を再生
し、得られたデータや情報に基づいて再生用の入射光波
長を設定する請求項６の光磁気記録再生方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092081A JPH09282727A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光磁気記録再生装置と再生方法 |
| US08/839,596 US5798987A (en) | 1996-04-15 | 1997-04-15 | Low noise magneto-optical disk drive |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092081A JPH09282727A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光磁気記録再生装置と再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09282727A true JPH09282727A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14044504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8092081A Pending JPH09282727A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光磁気記録再生装置と再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5798987A (ja) |
| JP (1) | JPH09282727A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3499406B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2004-02-23 | 株式会社東芝 | 光ディスク |
| KR100596894B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2006-07-04 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 광 정보 매체 및 광 정보 매체로의 기록 방법 |
| JP2000298888A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| US6724717B2 (en) | 2000-11-15 | 2004-04-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording disc |
| AU2002354490A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and magneto-optical storage apparatus |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2671139B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1997-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 情報記録媒体，光情報記録方法および光情報記録再生方法 |
| US5406546A (en) * | 1992-10-05 | 1995-04-11 | Tdk Corporation | Magneto-optical disk |
| JP2879185B2 (ja) * | 1993-04-16 | 1999-04-05 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気ディスク |
| JP3350148B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2002-11-25 | 株式会社ニコン | 光ディスク |
| US5602825A (en) * | 1994-01-19 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk and optical disk apparatus |
| TW305991B (ja) * | 1994-07-25 | 1997-05-21 | Canon Kk | |
| US5581539A (en) * | 1994-08-12 | 1996-12-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP8092081A patent/JPH09282727A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-15 US US08/839,596 patent/US5798987A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5798987A (en) | 1998-08-25 |
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