JP2879185B2 - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JP2879185B2 JP2879185B2 JP5113645A JP11364593A JP2879185B2 JP 2879185 B2 JP2879185 B2 JP 2879185B2 JP 5113645 A JP5113645 A JP 5113645A JP 11364593 A JP11364593 A JP 11364593A JP 2879185 B2 JP2879185 B2 JP 2879185B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical disk
- groove
- dielectric layer
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 O 2 Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001151 AlNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001122 Mischmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24076—Cross sectional shape in the radial direction of a disc, e.g. asymmetrical cross sectional shape
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0938—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following servo format, e.g. guide tracks, pilot signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24079—Width or depth
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24085—Pits
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
し、更に詳細には、基板表面に少なくともグルーブを有
する光磁気ディスクに関する。
ットを有する基板上に光磁気記録層が形成されている。
記録時および再生時には、グルーブ付近からの反射光の
強弱を検出することにより、トラッキング制御やシーク
時のトラックカウント等を行なっている。
ーブ形成領域でのトラッキングにおけるプッシュープル
信号レベルや、ラジアルコントラストや、スキューマー
ジンがある。
法によってトラッキングを制御したときのトラッキング
信号であり、プッシュープル法とは、グルーブやピット
で反射回折された光をトラック中央に関して対称に配置
された2分割フォトダイオードの2つの受光部で受け、
それらの出力差に基づいてトラッキングエラーを検出す
る方法である。プッシュープル信号レベルP−Pは、各
受光部の出力をそれぞれI1およびI2としたとき、
(I1−I2)/(I1+I2)で表わされる。プッシ
ュープル信号レベルが小さすぎると正常なトラッキング
ができなくなる恐れがあり、大きすぎると他の光学特性
とのバランスが保てなくなり、また、光学ヘッドの種類
によってはフォーカスサーボ信号にノイズが生じる恐れ
がある。プッシュープル信号レベルは、一般に、グルー
ブにおいて0.11〜0.20の範囲、ピットにおいて
0.04〜0.11の範囲であることが望ましい。
ーブ形成領域におけるローパスフィルタを用いたときの
信号のランド部出力をIL、グルーブ部出力をIGとし
たとき、 RC=2│IL−IG│/(IL+IG) で表わされ、RC出力により、光学ヘッドが飛び越えた
トラック数と光学ヘッドの移動方向(極性)を知ること
ができる。ラジアルコントラストが小さすぎるとトラッ
クカウントのエラーや極性判断のエラーが生じる恐れが
あり、大きすぎると外乱ノイズによりサーボ系が不安定
になる恐れがある。ラジアルコントラストRCは、一般
に、グルーブにおいて0.20〜0.35の範囲、ピッ
トにおいて0.15〜0.30の範囲であることが望ま
しい。
スクが傾いたときに、どれだけ情報を読めるかの度合い
をいい、例えば、ディスクを光ピックアップに対し、半
径方向に傾けたとき、傾きが大きくなるに従い、読み取
り信号のエラーが増加し、ついには要求値(規格値)を
満たさなくなってしまう。この時、規格値内にて安定に
信号が読み取れる角度範囲をスキューマージンという。
この角度は大きいほど望ましい。
トラスト、およびスキューマージンは、グルーブの幅や
深さや、グルーブを形成する側壁の底角に依存して変化
し、また、C/Nも変化する。すなわち、ラジアルコン
トラストは、グルーブを深くすると増加し(グルーブ深
さ≦λ/4nの場合)、また、グルーブ幅を広げるた
り、底角θを大きくしても増加する。プッシュープル信
号レベルは、グルーブを浅くすると減少し(グルーブ深
さ≦λ/8nの場合)、グルーブ幅を広げると減少する
(グルーブピッチ1.6μmでグルーブ幅≧0.8μm
の場合)。C/Nはグルーブ幅を広げるか、底角θを大
きくすると高くなる。スキューマージンは、底角θを大
きくすると低下する。従って、プッシュープル信号レベ
ル、ラジアルコントラストおよびスキューマージンを共
に良好な値とし、しかも良好なC/Nを得ることは、極
めて難しい。なお、C/Nは47dB以上であることが
望ましい。
スクのプッシュープル信号レベル、ラジアルコントラス
トおよびスキューマージンを共に良好な値とし、しかも
良好なC/Nを得ることを目的とする。
(1)〜(8)の本発明により達成される。 (1)ディスク状の基板の表面にグルーブおよびピット
のうち少なくとも一方を有する凹部形成領域を有し、こ
の凹部形成領域を覆うように記録層が形成されている光
磁気ディスクであって、前記グルーブおよびピットのう
ち少なくとも一方の形状が、その基板径方向断面の側壁
における凹部の10%深さ位置、50%深さ位置、およ
び90%深さ位置での接線と水平線とのなす角をそれぞ
れθ10、θ50、θ90としたとき、θ10≧θ50
およびθ50>θ90を満たすように設定されているこ
とを特徴とする光磁気ディスク。 (2)前記グルーブおよびピットのうち少なくとも一方
の形状が、θ10>θ50およびθ50>θ90を満た
すように設定されている上記(1)の光磁気ディスク。 (3)前記θ50が20〜80deg.である上記
(1)または(2)の光磁気ディスク。 (4)前記θ50が25〜80deg.である上記
(1)または(2)の光磁気ディスク。 (5)トラックピッチが1.60μm以下である上記
(1)ないし(4)のいずれかの光磁気ディスク。 (6)基板上に、順に、第1の誘電体層、記録層、第2
の誘電体層、金属反射層および保護コートを有し、前記
第1の誘電体層の厚さを、記録光波長での厚さ−反射率
曲線における最も薄い厚さでの反射率の第1極小点t
minよりも薄い厚さとし、磁界変調方式により光磁気
記録を行なう上記(1)ないし(5)のいずれかの光磁
気ディスク。 (7)前記第1の誘電体層の厚さが30nm以上、0.
99tmin以下である上記(6)の光磁気ディスク。 (8)前記第1の誘電体層の屈折率nが1.8〜3.0
である上記(6)または(7)の光磁気ディスク。
ーブについて実験を行なった結果、プッシュープル信号
レベル、ラジアルコントラスト、スキューマージンおよ
びC/Nが、グルーブの幅や深さの他に、グルーブ断面
形状にも依存することを見いだした。グルーブ断面形状
における上記の3つの角度すなわちθ10、θ50、θ
90の関係をθ10≧θ50およびθ50>θ90とす
ることにより、上記の特性を容易に満足することが可能
となる。
する側壁において、最底部および最頂部の角度を測定せ
ず、それぞれグルーブ深さの10%位置、90%位置の
角度を測定したのは、グルーブ成形時においてそれぞれ
底部と頂部にだれが生じることがあるので、その部分を
除くためである。
報記録媒体として、特開平2−78038号公報に開示
されたものが知られているが、当該公開公報に開示され
たグルーブにおいては、その側壁頂部と隅部(底部)の
両者が円弧状をなすように丸められていることを特徴と
している。これに対し、本発明においては、上記したよ
うに成形時におけるだれの部分を除いては、θ10≧θ
50となるようにし、上記隅部(底部)が鋭角になるよ
うにしている。これによって、上記公開公報に開示され
たグルーブにおいては、ある程度C/Nが低下すること
が予想されるが、本発明においてはそのようなことがな
い。
くは20deg.以上、特に30deg.以上として、
グルーブの深さを所定の値に保ったまま、トラックピッ
チを狭くし、記録密度を上げるようにしているが、上記
公開公報に開示されたグルーブの実施例においてはθ
50がすべて14deg.となっており、上記のように
トラックピッチを狭くすると、グルーブ深さを浅くせざ
るを得ないという欠点がある。
に説明する。本発明の光磁気ディスクは、ディスク状の
基板表面にグルーブ形成領域を有し、グルーブ形成領域
を覆うように記録層が形成されている。また、プリフォ
ーマットされている場合には、ピット形成領域を有す
る。ピット形成領域はリードインエリアやリードアウト
エリア等に設けられ、ここには、ハード側がディスクを
適正条件で使用するための情報や、所定周期のパルス信
号等の離散値的情報がピットとして予め記録されてい
る。グルーブやピット列は、スパイラル状や同心円状に
設けられる。
るグルーブ間に存在するランドとから構成される。グル
ーブは、記録光および再生光のトラッキングのために設
けられるが、グルーブをウォブリングさせることによ
り、ディスクの回転数を制御したり、さらには時間情報
やアドレス情報などを担持させることもある。なお、本
発明の光磁気ディスクでは、グルーブ内記録が行なわれ
る。
ブの形状が、図1に示されているように、その基板径方
向断面の側壁におけるグルーブ深さの10%深さ位置、
50%深さ位置、および90%深さ位置での接線と水平
線とのなす角をそれぞれθ10、θ50、θ90とした
とき、θ10≧θ50およびθ50>θ90を満たすよ
うに設定されている。グルーブ深さとは、基板主面に垂
直な方向に測定されたランド表面とグルーブ底面との距
離である。θ10とθ50の関係は、特にθ1 0>θ
50であることが望ましい。
上記の関係を満たさないと、プッシュープル信号レベ
ル、ラジアルコントラストおよびC/Nの全てを同時に
満足することが極めて困難となる。すなわち、θ10<
θ50となると、グルーブ幅が実質的に狭くなり、記録
情報量が小さくなるとともに、ラジアルコントラストが
低下する。一方、θ50≦θ90となると、ラジアルコ
ントラストRCが大きくなりすぎ、スキューマージンが
低下する。このようなスキューマージンの低下は、大き
な問題である。例えば、ディスクをクランプした時に、
ゴミやほんのわずかの位置ずれなどにより、ディスクが
傾いてセットされた場合、このようにスキューマージン
が小さいと、エラーが急激に助長されてしまうからであ
る。具体的には、スキューマージン角度がそれぞれ±
0.6deg.(後に実施例の項で説明するサンプル5
に相当−以下同様)、±1.0deg.(サンプル
1)、±1.2deg.(サンプル3)であった場合
に、ディスクを水平の状態で記録再生すると、ブロック
エラーレートはいずれも4×10−3程度であるが、デ
ィスクを1deg.傾けて記録再生を行うと、ブロック
エラーレートはそれぞれ7×10−2、1.5×10
−2、9×10−3となってしまう。従って、わずかで
もスキューマージン角度の増大が得られただけでも大き
な利点となる。
〜80deg.、特に25〜80deg.に設定される
ことが望ましい。θ10も大きい程よいが、20de
g.以上が好ましい。なお、θ10の上限は、通常上記
θ50と同様に80deg.程度とされる。θ90は小
さい程よいが、通常10〜80deg.の範囲に設定さ
れる。θ10とθ50の差分、すなわちθ10−θ50
の値は0〜60deg.、好ましくは1〜30deg.
である。また、θ50とθ90の差分、すなわちθ50
−θ90は、5deg.以上、特に10deg.以上で
あることが望ましい。
するための方法は特に限定されないが、例えば、基板製
造に用いるスタンパを作製する際のマスタリング工程に
おいて、適当な解像度のレジストを選択し、さらに、光
照射条件を適宜選択することにより、θ10、θ50、
θ90を所望の値とすることができる。
されないが、本発明はランド幅が狭い場合に効果が高
く、通常、グルーブ幅/ランド幅が1以上である場合に
特に有効である。具体的なグルーブ幅は、光ビームのス
ポット径やトラックピッチ等の各種条件に応じて適宜決
定すればよいが、例えば、後述する光学系を用い、トラ
ックピッチを1.2〜1.6μm程度、特に1.50〜
1.59μm程度、グルーブ幅を0.90〜1.15μ
m程度とした場合に、本発明は極めて有効である。
キングやシーク等の各種特性を考慮し、グルーブ幅に応
じて適宜決定すればよい。例えば、後述する光学系を用
い、グルーブ幅を0.90〜1.15μmとしたときに
は、グルーブ深さを600〜900Aとすることが好ま
しい。なお、ここで、グルーブ深さとは、基板主面に垂
直な方向に測定されたランド表面とグルーブ底面との距
離である。グルーブ底面やランド表面が平坦でない場
合、グルーブ深さは、グルーブ底面の最も低い位置とラ
ンド表面の最も高い位置との垂直方向位置である。
トの側壁も上記のグルーブの側壁の条件を満たすように
設定する。また、ピットとグルーブとには同一の光ビー
ムが照射されるので、ピット形成領域において良好な特
性を得るためにはピットの寸法をグルーブの寸法に応じ
て適宜決定することが好ましい。例えば、グルーブの寸
法を上記範囲とした場合には、基板の径方向に測定され
るピット幅を0.40〜0.50μm、ピット深さを6
50〜900Aとすることが好ましい。
は、走査型トンネル顕微鏡(STM)や走査型電子顕微
鏡(SEM)などにより測定することができる。なお、
グルーブの幅は、グルーブの横断面において、一方の側
壁の深さ方向の中点と、対向する他方の側壁の深さ方向
の中点との間の距離である。また、グルーブの深さは、
前述した方法により求める。また、ランドの幅は、トラ
ックピッチからグルーブ幅を減じた値である。ピットの
寸法は、グルーブに準じて求めればよい。
以上のグルーブやピットについて測定したものの平均値
とする。
されているような構造を有しているものであることが望
ましい。すなわち、本発明の光磁気ディスク1は、基板
2上に、第1の誘電体層4、記録層5、第2の誘電体層
6および反射層7を順次積層したものである。
の誘電体層4は記録層5のエンハンス効果に加え、耐食
性の向上のためにも設けられるものであるが、その厚さ
を反射率の第1極小点tminより薄くすることによ
り、それ自体の熱容量を小さくし、下方樹脂基板による
蓄熱効果を有効に発揮させる。これにより、前記のとお
り、感度が向上し、ジッタ40nsecを切る記録パワ
ーをPmin、Pmaxとしたとき、Pminが低下
し、最適パワー1.4Pminも低下する。また、記録
パワーマージン(Pmax−Pmin)/2が拡大す
る。
るならば、反射率−膜厚曲線には、膜内での干渉効果に
より極大点、極小点が周期的に表れる。1例として、記
録光波長780nmにおけるSiNxの膜厚と反射率と
の関係を図3に示す。図3のカーブは、SiNxのxの
値を変化させて屈折率nを変化させたときのシミュレー
ションカーブであり、図中これには実測値がプロットさ
れている。これらからわかるように、シミュレーション
カーブと実測値はきわめてよい一致をみており、n=
2.0では76nm付近、n=2.3では63nmに最
も薄い膜厚での極小点、すなわち第1極小点tminが
存在することがわかる。そこで本発明では、このtmi
nより薄い膜厚で所定の反射率を確保しようというもの
である。なお、従来tminより薄い膜厚を用いなかっ
たのは、耐食性、信頼性の点で厚い膜厚で反射率を高め
た方がよいのではないかと考えられていたからである。
nm程度の膜厚とすれば十分な耐食性、信頼性が得られ
ることが判明した。これらから、第1の誘電体層4の厚
さは好ましくは30nm以上、特に40nm以上、さら
には45nm以上とし、またその上限は好ましくは0.
99tmin、特に0.98tmin、さらには0.9
6tminとすればよい。なお、tminは一般に40
〜90nm程度である。
実部)nは1.8〜3.0、特に1.8〜2.5とする
ことが好ましい。nが小さすぎるとカー回転角が小さく
なり、出力が低下し、大きすぎると出力が低下し、ノイ
ズが増大する。
物、窒化物、硫化物、例えば、SiO2、SiO、A1
N、A12O3、Si3N4、ZnS、BN、Ti
O2、TiN等ないしこれらの混合物などの各種誘電体
物質を用いる。これらのうちでは、特に窒化ケイ素を主
成分(好ましくは窒化ケイ素90重量%以上)とする
か、あるいは実質的に窒化ケイ素からなるものが好まし
い。そして、その成膜には、種々の気相成膜法を用いる
ことができるが、通常スパッタ法を用いることが好まし
い。スパッタ法としては対応する組成の焼結体をターゲ
ットとして用いても、窒素等を用いた反応性スパッタを
用いてもよい。
は、記録層5のエンハンス効果と耐食性の向上のために
設けられるものである。従って、第1の誘電体層4と同
様の材質はいずれも使用可能である。ただし、本発明で
は、金属反射層7を設けたときの蓄熱効果付与による感
度向上や、記録パワーマージン拡大の機能を発揮する点
で、窒化ケイ素を好ましくは90重量%以上含むもの、
あるいは一種以上の希土類元素(Yを含む)の酸化物
と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とが含有されるものが好
ましく、特に希土類元素の酸化物と酸化ケイ素と、窒化
ケイ素とを含むものが最適である。
Y、La〜Sm、Eu〜Lnのいずれであってもよく、
これらの1種以上が含有される。これらのうち、Yを含
むランタノイド元素、特に少なくともLaおよびCeの
うち1種以上が含有されることが好ましい。Laおよび
Ceの酸化物としては、通常、La2O3およびCeO
2である。これらは、一般に化学量論組成であるが、こ
れらから偏奇したものであってもよい。Laおよび/ま
たはCeが含まれる場合、LaおよびCeの酸化物はい
ずれか一方であってもよく、両者が含有されてもよい
が、両者が含有される場合、その量比は任意である。ま
た、Laおよび/またはCeの酸化物の他、Y、Er等
の希土類元素の酸化物が希土類酸化物中10at%(金
属換算)程度以下含有されていてよい。また、これらの
他、Fe、Mg、Ca、Sr、Ba、A1等の酸化物が
含有されていてもよい。これらの元素のうち、Feは、
10at%以下、また、その他の元素は合計で10at
%以下含有されてもよい。
土類酸化物に加え、酸化ケイ素と窒化ケイ素が含有され
る。酸化ケイ素は通常SiO2、SiO、また窒化ケイ
素はSi3N4の形で含有される。これらはこの化学量
論組成から偏奇していてもよい。また、このような第2
の誘電体層6中の希土類元素酸化物とSi化合物との量
比は、それぞれ化学量論組成換算で、希土類元素酸化物
の合計/(Si化合物+希土類元素酸化物の合計)とし
て、0.05〜0.5(モル比)程度であり、化学量論
組成換算で、5〜50モル%の希土類元素酸化物を含有
することが好ましい。この比が小さすぎると、出力が低
下し、高温高湿下での耐久性に乏しくなってくる。ま
た、大きすぎると、ノイズが増加し、高温高湿下での耐
久性に乏しくなってくる。なお、希土類元素/Siの原
子比は0.03〜0.6程度である。また、第2の誘電
体層6中のO/N原子比は、0.2〜3程度である。こ
の比が小さすぎると、高温高湿下での耐久性に乏しくな
り、大きすぎると出力が低下し、経時劣化が生じてく
る。これら原子比の測定には、オージェ電子分光あるい
はEDS等の分析手段を用いればよい。なお、第2の誘
電体層6中には、厚さ方向に酸素および窒素の濃度勾配
が存在してもよい。
nmにおける屈折率(複素屈折率の実部)nは、好まし
くは1.8〜3.0、より好ましくは1.8〜2.5と
する。屈折率が1.8未満であると、カー回転角が小さ
く、出力が低下する。また、3.0を越えると、出力が
低下し、またノイズが増加する。
は、スパッタ法を用いることが好ましい。ターゲットと
しては、希土類酸化物、好ましくはLa2O3および/
またはCeO2と、SiO2およびSi3N4の混合物
の焼結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸
化物、特にLa2O3および/またはCeO2の一部ま
たは全部を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバ
ーメタル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の
酸化物に換えて用いることもできる。また、これに準
じ、その他の気相成膜法、例えばCVD法、蒸着法、イ
オンプレーティング法等を適宜用いることも可能であ
る。なお、誘電体層中の不純物として、成膜雰囲気中に
存在するAr、N2等が入ってもよい。その他、Fe、
Ni、Cr、Cu、Mn、Mg、Ca、Na、K等の元
素が不純物として入りうる。
下、好ましくは5〜60nm、特に5〜50nmとする
ことが好ましい。光透過率を高め、出力を向上するため
には、膜厚は薄くすることが好ましいが、第2の誘電体
層6上に設けられる反射層7に熱伝導率の小さい材質を
用いれば、その膜厚をより薄くすることができる。な
お、膜厚が薄すぎるとノイズが増加し、厚すぎると出力
やC/Nが劣化してくる。このような第2の誘電体層6
は、膜応力が小さく、ヒートサイクル下での耐久性が良
好である。また記録層の保護効果も高い。
金属反射層7の材質は、公知の各種金属材料、例えばA
u、Ag、A1、Cu、Cr、Ni、TiおよびFe等
の金属やその合金のいずれであってもよい。これらのう
ちでは、A1、Niあるいはこれらの合金、特にA1系
合金やNi系合金は、本発明の第2の誘電体層と組み合
わせたとき所定の反射率を示し、出力が向上し、すぐれ
た感度および記録パワーマージン向上効果を発揮する点
で好ましい。
%含有し、これにNi、Fe、V、Mo、Hf、W、A
u、Si、Mg、Mn、Cr、Ta、Ti、Re、Z
n、In、Pb、P、Sb、Cu、Zr、Nb、Bi等
の一種以上を含有させたものが好適である。A1系合金
は、記録パワーマージン拡大効果の点でもっとも優れて
いる。またC/Nもきわめて高くなる。そして、記録感
度も向上する。特に、Niを20wt%以下、特に1〜
10wt%含有し、残実質的にA1のA1−Ni合金は
好適である。
っともすぐれた記録感度向上効果を示す点で特に好まし
いこれらのうちでは、特にNiを35〜75wt%含有
し、これにCo、Cr、Mo、W、Feの1種以上を含
有するものが好ましい。そして、これらのうち、Niを
35〜75wt%、特に40〜70wt%、Coを0.
1〜5wt%、特に0.5〜5wt%、Crを0.1〜
25wt%、特に0.5〜25wt%、Wを0〜6wt
%、Moを2〜30wt%、特に5〜30Wt%、およ
びFeを0.1〜25wt%、特に1〜22wt%含有
する、いわゆるハステロイ合金は特に好ましい。この場
合、これらに加え、3wt%以下の範囲のCu、Nb、
Taや、2wt%以下のMnや、1wt%以下のSi、
Ti等が含有されていてもよい。これらNi系合金で
は、前記第2の誘電体層と組み合わせたとき、きわめて
高い感度が実現する。また、熱伝導率の低いNi系合金
を用いることにより、第2の誘電体層6の厚さを薄くし
て出力を向上するとともに金属反射層7そのものの膜厚
も薄くすることができる。
150nm、より好ましくは50〜100nmとすれば
よい。膜厚が必要以上に薄くなると、金属反射層7積層
効果がなくなり出力やC/Nが低下してしまう。厚すぎ
ると感度が低下する。
率は、15%以上であることが好ましく、また反射層7
の複素屈折率の実部nは1.5〜3.5、虚部消衰係数
kは2.5〜7.0とするのが好ましい。このような反
射層7はスパッタ、蒸着、イオンプレーティング等によ
り形成することができるが、特にスパッタによって形成
されることが好ましい。
設層される。保護コート8は、例えば紫外線硬化樹脂等
の各種樹脂材質から、通常は、0.1〜100μm程度
の厚さに設層すればよい。保護コート8は、層状であっ
てもシート状であってもよい。保護コート8は、特にア
クリレート系等の放射線硬化型化合物および光重合増感
剤を含有する塗膜を放射線硬化したものであることが好
ましい。
がその上に設層される記録層5は、変調された熱ビーム
あるいは変調された磁界により、情報が磁気的に記録さ
れるものであり、記録情報は磁気−光変換して再生され
るものである。記録層5は、光磁気記録が行えるもので
あればその材質に特に制限はないが、希土類金属元素を
含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、
スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッ
タにより、非晶質膜として形成したものであることが好
ましい。
Gd、Sm、Ceのうちの1種以上を用いることが好ま
しい。希土類金属は15〜23at%程度含有される。
遷移金属としては、FeおよびCoが好ましい。この場
合、FeとCoの総含有量は、55〜85at%である
ことが好ましい。
TbFeCo、DyTbFeCo、NdDyFeCo、
NdGdFeCo等がある。なお、記録層中には、30
at%以下の範囲でCr、A1、Ti、Pt、Si、M
o、Mn、V、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が含有
されてもよい。また、10at%以下の範囲で、Sc、
Y、La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Ho、E
r、Tm、Yb、Lu等の希土類金属元素を含有しても
よい。このような記録層5の層厚は、通常、10〜10
00nm程度である。これらのうちでは、5〜15at
%のCoと2〜10at%のCrとを含有し、Co/C
rの原子比が0.5〜5.0であるものは150〜17
0℃のキュリー点Tcを示し、良好な温度特性を示すの
で好適である。
900nm程度、特に600〜850nm程度の半導体
レーザー光、特に780nm)に対し、実質的に透明
(好ましくは透過率80%以上)な材質から形成され
る。これにより、基板裏面側からの記録および再生が可
能となる。基板材質としては樹脂やガラスを用いる。樹
脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ア
モルファスポリオレフィン等の各種熱可塑性樹脂が好適
である。なお、必要に応じ、基板2の外表面や、外周面
等に酸素遮断性の被膜を形成してもよい。基板2の裏面
(記録層5を設けていない側の面)には各種保護膜とし
てのコーティングを行うことが好ましい。コーティイン
グの材質としては、前述した有機保護コート層8の材質
と同様なものとしてもよい。
される。この方式では、通常、光磁気記録ディスクの表
面(記録層側)上に磁気ヘッドを配置し、ディスクの裏
面上に光ヘッドを配置して、光ヘッドから一定強度のレ
ーザー光を基板を通して記録層に照射し、変調された磁
界を磁気ヘッドから記録層のレーザースポット部に印加
して記録を行なう。磁気ヘッドと光ヘッドとは位置関係
が固定されており、これらはディスクの径方向に一体的
に移動して所定トラックへアクセスする。印加磁界は1
00〜300Oe程度とする。本発明において用いる磁
気ヘッドや光ヘッドの構成に特に制限はなく、通常の磁
界変調方式の光磁気記録に用いられる各種磁気ないし光
ヘッドから適宜選択すればよい。
には、開口数NAが0.40〜0.50、好ましくは
0.44〜0.46である対物レンズを装備した光学ヘ
ッドを有する駆動装置を用いることが好ましい。そし
て、記録光および再生光の波長を、好ましくは600〜
900nm、より好ましくは770〜790nmとす
る。また、記録光および再生光は直線偏光とし、電界ベ
クトルの方向が基板の径方向(グルーブと垂直)になる
ように照射する。
ッシュープル信号レベル、ラジアルコントラストおよび
C/Nをいずれも良好な値とすることができる。グルー
ブ形成領域におけるプッシュープル信号レベルは、0.
11〜0.20であることが好ましく、ラジアルコント
ラストは0.20〜0.35であることが好ましく、C
/Nは47dB以上であることが好ましいが、グルーブ
断面形状における角度θを上記範囲とし、上記光学系を
用いることにより、各特性を容易に上記範囲とすること
ができる。なお、C/Nの値は、記録層表面における磁
界強度を比較的低くして(100〜300 Oe程
度)、最適記録パワーで記録した場合のものである。
をさらに詳細に説明する。
た。
内径11mm、記録部厚さ1.2mmのポリカーボネー
ト樹脂基板を製造した。射出成形時に、基板の一方の主
面にスパイラル状のグルーブを形成した。また、上記ス
パイラル状のグルーブの内側に所定のピットを形成し
た。
(x=1.3、n=2.0、k≒0)誘電体層を高周波
マグネトロンスパッタにより90nm厚に設層した。次
に、この誘電体層上に、Tb19Fe65Co8Cr8
(Tc150℃)の組成を有する記録層を、グルーブお
よびピットを覆うようにスパッタにより20nm厚に設
層した。なお、nはエリプソメータによって測定した。
iNx誘電体層を高周波マグネトロンスパッタにより2
0nm厚に設層し、この保護層上に、厚さ80nmのA
1合金反射層および保護コートを順に設層し、光磁気デ
ィスクサンプルとした。
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは約5μ
mであった。紫外線照射量は1000mJ/cm2とし
た。
他は上記と同様にして、他のサンプルを作製した。な
お、サンプル1ないし6をグルーブの形状を変化させた
サンプルとし、サンプル7および8をピットの形状を変
化させたサンプルとした。上記のスタンパは、マスタリ
ング工程において解像度の異なるレジストを用い、ま
た、異なる条件で光照射を行なって作製した。
素中に浸漬した後、ディスク径方向に破断し、走査型電
子顕微鏡を用いて基板のグルーブあるいはピットの断面
形状を測定した。そして、前述した方法により角度θ
10、θ50、θ90を求めた。これらを下記表1に示
す。なお、トラックピッチは1.6μmであった。
各特性を測定した。表1において、P−P(Gr)、P
−P(Pit)はそれぞれグルーブ、ピットにおけるプ
ッシュープル信号レベルを表わし、RC(Gr)、RC
(Pit)はラジアルコントラストを表わし、SKM
(Gr)はグルーブにおけるスキューマージン角度を表
す。
対物レンズを有する光学ヘッドを装備した駆動装置を用
い、波長780nmの直線偏光のレーザー光を電界ベク
トルの方向がディスク径方向となるように照射した。ま
た、C/Nは、記録パワー4.55mW、リードパワー
0.60mW、記録層表面における磁界強度100O
e、線速1.4m/sの条件におけるEFMの3T信号
のものである。
なわちθ10≧θ50およびθ50>θ90を満たすサ
ンプル1、2、3、4、7および8については、ラジア
ルコントラストRCやプッシュープル信号レベル等がそ
れぞれの望ましい範囲内に入っているが、上記条件を満
たさないものは電気的特性が劣っている。
たがって、θ10は45.2deg.、θ50は44.
0deg.、θ90は16.6deg.であり、θ10
≧θ50およびθ50>θ90の条件を満たしている。
を用い、高周波マグネトロンスパッタにより種々の膜厚
のSiNx膜を成膜した。SiNx膜としては、x=
1.30、n=2.0、k≒0と、x=0.75、n=
2.3、k≒0との2種の膜を成膜し、その後、実施例
1と同一の記録膜、SiNx膜、反射膜および保護コー
トを形成した。また、これらのn、kを用いシミュレー
ションにより、780nmにおける膜厚−反射率曲線を
求めた。シミュレーション結果と実測値を図3に示す。
をx=1.3、n=2.0についてはtmin(76n
m)未満の58nmと、tmin以上の100nm、x
=0.75、n=2.3についてはtmin(63n
m)未満の30nmと、tmin以上の95nmとし、
記録膜以下の膜については実施例1と同じとして、互い
に反射率を揃えたサンプルを得た。
率、(2)最適記録パワーおよび記録パワーマージンを
測定した。
mでの反射率を光磁気記録ディスク検査機で測定した。
連続レーザ光を照射しつつ200Oeの印加磁界で磁界
変調して、EFM信号を記録した。記録パワーを変化さ
せて3T信号のジッタを測定し、ジッタが40nsec
を切るパワーPmin、Pmaxを測定し、最適記録パ
ワーP。=1.4Pminと記録パワーマージン(Pm
ax−Pmin)/2を算出した。これらの結果を表2
に示す。
の膜厚をtmin未満とすることにより、同一反射率に
設計したtmin以上の膜厚のときと比較して、Poが
低下し、マージンが拡大することがわかる。さらに、実
施例1で用いた各サンプル基板について、第1の誘電体
層膜厚をtmin未満で使用すると、ピットプッシュプ
ルがさらに大きくなり、基板形状との相乗効果がわか
る。
SiNx(x=1.30、n=2.0、k≒0)とLa
SiONを用いその膜厚を下記表3のように設定して実
験を行った。結果を表3に示す。なお、LaSiON
は、La2O330モル%、SiO220モル%、Si
3N450モル%の焼結体を高周波マグネトロンスパッ
タにて形成した。
膜厚および第2誘電体層の最適組み合わせにより、良好
な記録感度のディスクが得られることが明らかである。
において、記録層の組成をTb18.0Fe64.0C
o10.0Cr8.0(Tc160℃)にかえてディス
クを作製した。また、記録層として実施例1のTb
19.0Fe65.0Co8.0Cr8.0(Tc15
0℃)を用い、第1の誘電体層をSiNx(tmin=
76nm、x=1.30、n=2.0)、膜厚120n
m、第2の誘電体層をSiNx、x=1.30、n=
2.0、膜厚40nmとしたディスクを得た。両ディス
クのAlNi反射層の厚さは60nmであり、反射率は
ともに20%である。これらディスクの室温と70℃雰
囲気下でのP。と、70℃でのジッタ増加量を測定し
た。結果を表4に示した。
より一層高いTcの記録層の使用が可能であり、温度変
化に対して安定なディスクが得られることがわかる。
形状を示す断面図である。
図である。
グラフである。
Claims (8)
- 【請求項1】 ディスク状の基板の表面にグルーブおよ
びピットのうち少なくとも一方を有する凹部形成領域を
有し、この凹部形成領域を覆うように記録層が形成され
ている光磁気ディスクであって、 前記グルーブおよびピットのうち少なくとも一方の形状
が、その基板径方向断面の側壁における凹部の10%深
さ位置、50%深さ位置、および90%深さ位置での接
線と水平線とのなす角をそれぞれθ10、θ50、θ90とし
たとき、θ10≧θ50およびθ50>θ90を満たすように設
定されていることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項2】 前記グルーブおよびピットのうち少なく
とも一方の形状が、θ10>θ50およびθ50>θ90を満た
すように設定されている請求項1の光磁気ディスク。 - 【請求項3】 前記θ50が20〜80deg.である
請求項1または2の光磁気ディスク。 - 【請求項4】 前記θ50が25〜80deg.である
請求項1または2の光磁気ディスク。 - 【請求項5】 トラックピッチが1.60μm 以下であ
る請求項1ないし4のいずれかの光磁気ディスク。 - 【請求項6】 基板上に、順に、第1の誘電体層、記録
層、第2の誘電体層、金属反射層および保護コートを有
し、 前記第1の誘電体層の厚さを、記録光波長での厚さ−反
射率曲線における最も薄い厚さでの反射率の第1極小点
tmin よりも薄い厚さとし、 磁界変調方式により光磁気記録を行なう請求項1ないし
5のいずれかの光磁気ディスク。 - 【請求項7】 前記第1の誘電体層の厚さが30nm以
上、0.99tmin 以下である請求項6の光磁気ディス
ク。 - 【請求項8】 前記第1の誘電体層の屈折率nが1.8
〜3.0である請求項6または7の光磁気ディスク。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5113645A JP2879185B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 光磁気ディスク |
US08/226,961 US5430706A (en) | 1993-04-16 | 1994-04-12 | Magneto-optical disk having lands and grooves for recording information |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5113645A JP2879185B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06302028A JPH06302028A (ja) | 1994-10-28 |
JP2879185B2 true JP2879185B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=14617503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5113645A Expired - Fee Related JP2879185B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 光磁気ディスク |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5430706A (ja) |
JP (1) | JP2879185B2 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6088176A (en) * | 1993-04-30 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for separating magnetic and thermal components from an MR read signal |
US5712833A (en) * | 1993-12-28 | 1998-01-27 | Ogihara; Noriyuki | Durable magneto-optical disk having a rare earth-transition amorphous magneto-optical layer |
JPH08147761A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nikon Corp | 情報記録媒体 |
US5694379A (en) * | 1995-08-29 | 1997-12-02 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and recording apparatus therefor |
US5751510A (en) * | 1996-01-02 | 1998-05-12 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for restoring a thermal response signal of a magnetoresistive head |
US5872676A (en) * | 1996-01-02 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for positioning a dual element magnetoresistive head using thermal signals |
US5739972A (en) * | 1996-01-02 | 1998-04-14 | Ibm | Method and apparatus for positioning a magnetoresistive head using thermal response to servo information on the record medium |
JPH09237441A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Nikon Corp | 光ディスク及びその記録再生方法 |
JPH09282727A (ja) * | 1996-04-15 | 1997-10-31 | Nec Corp | 光磁気記録再生装置と再生方法 |
US5838514A (en) * | 1996-08-21 | 1998-11-17 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for calibrating a thermal response of a magnetoresistive transducer |
JP3360542B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
JP4508297B2 (ja) | 1997-05-30 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 光ディスク及び光ディスク装置 |
US6239936B1 (en) | 1997-08-19 | 2001-05-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for calibrating a thermal response of a magnetoresistive element |
DE19983100T1 (de) | 1998-04-06 | 2001-05-31 | Imation Corp | Herstellung eines umgekehrten optischen Masters für Datenspeicherplatten |
JP2000298888A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
WO2000072319A1 (fr) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement de donnees et procede de fabrication dudit support |
US6212158B1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-04-03 | Eastman Kodak Company | Hybrid optical disc construction |
JP3725412B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2005-12-14 | Tdk株式会社 | 光記録媒体 |
JP2001184726A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Sony Corp | 光記録媒体基板、光記録媒体、光記録媒体の製造方法および光記録再生方法 |
US6501728B2 (en) * | 2000-04-21 | 2002-12-31 | Sony Corporation | Optical disc having groove and land tracks |
EP1511028A4 (en) * | 2002-05-31 | 2008-03-19 | Fujitsu Ltd | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND OPTICAL STORAGE DEVICE |
JPWO2004006240A1 (ja) | 2002-07-04 | 2005-11-04 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
AU2002354490A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and magneto-optical storage apparatus |
US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
US7410910B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films |
US7544604B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
US7759747B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric |
US7563730B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
US7776765B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates |
US7432548B2 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon lanthanide oxynitride films |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS637536A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-13 | Hitachi Maxell Ltd | 光デイスク記録媒体の製造方法 |
US5144552A (en) * | 1986-07-25 | 1992-09-01 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information storage medium having grooves and pits with specific depths, respectively |
US4931336A (en) * | 1988-01-18 | 1990-06-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Information recording medium and method of optically recording information employing the same |
JPH01286134A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Canon Inc | 情報記録媒体 |
CA2036890C (en) * | 1990-02-28 | 1996-02-13 | Hiroyuki Katayama | Magneto-optic recording disk and method of reproducing recorded signals |
JPH0423239A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Sony Corp | 光記録媒体 |
US5274623A (en) * | 1990-07-19 | 1993-12-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Information recording medium having high modulation degree |
JPH04358331A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光情報記録媒体 |
JP3344653B2 (ja) * | 1991-07-08 | 2002-11-11 | 日立マクセル株式会社 | 光ディスクの製造方法 |
JPH05198016A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子用原盤及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-04-16 JP JP5113645A patent/JP2879185B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-12 US US08/226,961 patent/US5430706A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5430706A (en) | 1995-07-04 |
JPH06302028A (ja) | 1994-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2879185B2 (ja) | 光磁気ディスク | |
US5481530A (en) | High density optical recording method and recording medium | |
US7411887B2 (en) | Optical information recording medium | |
US6221455B1 (en) | Multi-layer optical disc and recording/reproducing apparatus | |
JP2857002B2 (ja) | 光磁気記憶装置 | |
EP1349157B1 (en) | Optical recording medium | |
JP2960824B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
KR0132392B1 (ko) | 광 자기 기록 매체 | |
JP3376806B2 (ja) | 光記録媒体および記録再生方法 | |
JP2723004B2 (ja) | 光記録媒体およびその記録再生方法 | |
US20010017256A1 (en) | Method of manufacturing information recording medium | |
JP2006338717A (ja) | 光ディスク | |
JPH0729206A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2689856B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP3599789B2 (ja) | 光磁気記憶素子 | |
JPS61196444A (ja) | 光磁気デイスク | |
JP3905581B2 (ja) | 光記録媒体および記録再生方法 | |
JP3501699B2 (ja) | 光磁気記録媒体とその製造方法 | |
JPH07105569A (ja) | 光学的情報記録部材 | |
JPH10334507A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPS6342053A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH0765423A (ja) | 光磁気記憶素子 | |
JPH05174381A (ja) | 光記録方式 | |
JPH06195754A (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
JP2001143318A (ja) | 光学的情報記録媒体およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100129 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110129 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110129 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120129 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120129 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130129 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |