JPH06302028A

JPH06302028A - 光磁気ディスク

Info

Publication number: JPH06302028A
Application number: JP5113645A
Authority: JP
Inventors: Hajime Utsunomiya; 肇宇都宮; Masanori Shibahara; 正典柴原
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1993-04-16
Filing date: 1993-04-16
Publication date: 1994-10-28
Anticipated expiration: 2014-04-05
Also published as: JP2879185B2; US5430706A

Abstract

(57)【要約】【目的】光磁気ディスクのプッシュ−プル信号レベ
ル、ラジアルコントラストおよびスキューマージンを共
に良好な値とし、しかも良好なＣ／Ｎを得ることを目的
とする。【構成】ディスク状の基板の表面にグルーブおよびピ
ットのうち少なくともグルーブである凹部の形成領域を
有し、この凹部形成領域を覆うように記録層が形成され
ている光磁気ディスクであって、前記グルーブおよびピ
ットのうち少なくとも一方の形状が、その基板径方向断
面の側壁における凹部の１０％深さ位置、５０％深さ位
置、および９０％深さ位置での接線と水平線とのなす角
をそれぞれθ₁₀、θ₅₀、θ₉₀としたとき、θ₁₀≧θ₅₀お
よびθ₅₀＞θ₉₀を満たすように設定されていることを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクに関
し、更に詳細には、基板表面に少なくともグルーブを有
する光磁気ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスクでは、グルーブおよびピ
ットを有する基板上に光磁気記録層が形成されている。
記録時および再生時には、グルーブ付近からの反射光の
強弱を検出することにより、トラッキング制御やシーク
時のトラックカウント等を行なっている。

【０００３】これらの制御に関係する特性として、グル
ーブ形成領域でのトラッキングにおけるプッシュ−プル
信号レベルや、ラジアルコントラストや、スキューマー
ジンがある。

【０００４】プッシュ−プル信号とは、プッシュ−プル
法によってトラッキングを制御したときのトラッキング
信号であり、プッシュ−プル法とは、グルーブやピット
で反射回折された光をトラック中央に関して対称に配置
された２分割フォトダイオードの２つの受光部で受け、
それらの出力差に基づいてトラッキングエラーを検出す
る方法である。プッシュ−プル信号レベルＰ−Ｐは、各
受光部の出力をそれぞれＩ₁ およびＩ₂ としたとき、
（Ｉ₁ −Ｉ₂ ）／（Ｉ₁ ＋Ｉ₂ ）で表わされる。プッシ
ュ−プル信号レベルが小さすぎると正常なトラッキング
ができなくなる恐れがあり、大きすぎると他の光学特性
とのバランスが保てなくなり、また、光学ヘッドの種類
によってはフォーカスサーボ信号にノイズが生じる恐れ
がある。プッシュ−プル信号レベルは、一般に、グルー
ブにおいて０．１１〜０．２０の範囲、ピットにおいて
０．０４〜０．１１の範囲であることが望ましい。

【０００５】ラジアルコントラストＲＣは、例えばグル
ーブ形成領域におけるローパスフィルタを用いたときの
信号のランド部出力をＩ_L 、グルーブ部出力をＩ_G とし
たとき、ＲＣ＝２｜Ｉ_L −Ｉ_G ｜／（Ｉ_L ＋Ｉ_G ）で表わされ、ＲＣ出力により、光学ヘッドが飛び越えた
トラック数と光学ヘッドの移動方向（極性）を知ること
ができる。ラジアルコントラストが小さすぎるとトラッ
クカウントのエラーや極性判断のエラーが生じる恐れが
あり、大きすぎると外乱ノイズによりサーボ系が不安定
になる恐れがある。ラジアルコントラストＲＣは、一般
に、グルーブにおいて０．２０〜０．３５の範囲、ピッ
トにおいて０．１５〜０．３０の範囲であることが望ま
しい。

【０００６】また、スキューマージンとは、光磁気ディ
スクが傾いたときに、どれだけ情報を読めるかの度合い
をいい、例えば、ディスクを光ピックアップに対し、半
径方向に傾けたとき、傾きが大きくなるに従い、読み取
り信号のエラーが増加し、ついには要求値（規格値）を
満たさなくなってしまう。この時、規格値内にて安定に
信号が読み取れる角度範囲をスキューマージンという。
この角度は大きいほど望ましい。

【０００７】プッシュ−プル信号レベル、ラジアルコン
トラスト、およびスキューマージンは、グルーブの幅や
深さや、グルーブを形成する側壁の底角に依存して変化
し、また、Ｃ／Ｎも変化する。すなわち、ラジアルコン
トラストは、グルーブを深くすると増加し（グルーブ深
さ≦λ／４ｎの場合）、また、グルーブ幅を広げるた
り、底角θを大きくしても増加する。プッシュ−プル信
号レベルは、グルーブを浅くすると減少し（グルーブ深
さ≦λ／８ｎの場合）、グルーブ幅を広げると減少する
（グルーブピッチ１．６μm でグルーブ幅≧０．８μm
の場合）。Ｃ／Ｎはグルーブ幅を広げるか、底角θを大
きくすると高くなる。スキューマージンは、底角θを大
きくすると低下する。従って、プッシュ−プル信号レベ
ル、ラジアルコントラストおよびスキューマージンを共
に良好な値とし、しかも良好なＣ／Ｎを得ることは、極
めて難しい。なお、Ｃ／Ｎは４７ｄＢ以上であることが
望ましい。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、光磁気ディ
スクのプッシュ−プル信号レベル、ラジアルコントラス
トおよびスキューマージンを共に良好な値とし、しかも
良好なＣ／Ｎを得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（８）の本発明により達成される。（１）ディスク状の基板の表面にグルーブおよびピット
のうち少なくとも一方を有する凹部形成領域を有し、こ
の凹部形成領域を覆うように記録層が形成されている光
磁気ディスクであって、前記グルーブおよびピットのう
ち少なくとも一方の形状が、その基板径方向断面の側壁
における凹部の１０％深さ位置、５０％深さ位置、およ
び９０％深さ位置での接線と水平線とのなす角をそれぞ
れθ₁₀、θ₅₀、θ₉₀としたとき、θ₁₀≧θ₅₀およびθ₅₀
＞θ₉₀を満たすように設定されていることを特徴とする
光磁気ディスク。（２）前記グルーブおよびピットのうち少なくとも一方
の形状が、θ₁₀＞θ₅₀およびθ₅₀＞θ₉₀を満たすように
設定されている上記（１）の光磁気ディスク。（３）前記θ₅₀が２０ｄｅｇ. 以上である上記（１）ま
たは（２）の光磁気ディスク。（４）前記θ₅₀が２５ｄｅｇ. 以上である上記（１）ま
たは（２）の光磁気ディスク。（５）トラックピッチが１．６０μm 以下である上記
（１）ないし（４）のいずれかの光磁気ディスク。（６）基板上に、順に、第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、金属反射層および保護コートを有し、前記
第１の誘電体層の厚さを、記録光波長での厚さ−反射率
曲線における最も薄い厚さでの反射率の第１極小点ｔ
_minよりも薄い厚さとし、磁界変調方式により光磁気記
録を行なう上記（１）ないし（５）のいずれかの光磁気
ディスク。（７）前記第１の誘電体層の厚さが３０nm以上、０．９
９ｔ_min以下である上記（６）の光磁気ディスク。（８）前記第１の誘電体層の屈折率ｎが１．８〜３．０
である上記（６）または（７）の光磁気ディスク。

【００１０】

【作用および効果】本発明者らは様々な断面形状のグル
ーブについて実験を行なった結果、プッシュ−プル信号
レベル、ラジアルコントラスト、スキューマージンおよ
びＣ／Ｎが、グルーブの幅や深さの他に、グルーブ断面
形状にも依存することを見いだした。グルーブ断面形状
における上記の３つの角度すなわちθ₁₀、θ₅₀、θ₉₀の
関係をθ₁₀≧θ₅₀およびθ₅₀＞θ₉₀とすることにより、
上記の特性を容易に満足することが可能となる。

【００１１】なお、本発明において、グルーブ等を形成
する側壁において、最底部および最頂部の角度を測定せ
ず、それぞれグルーブ深さの１０％位置、９０％位置の
角度を測定したのは、グルーブ成形時においてそれぞれ
底部と頂部にだれが生じることがあるので、その部分を
除くためである。

【００１２】なお、グルーブの形状に特徴を持たせた情
報記録媒体として、特開平２−７８０３８号公報に開示
されたものが知られているが、当該公開公報に開示され
たグルーブにおいては、その側壁頂部と隅部（底部）の
両者が円弧状をなすように丸められていることを特徴と
している。これに対し、本発明においては、上記したよ
うに成形時におけるだれの部分を除いては、θ₁₀≧θ₅₀
となるようにし、上記隅部（底部）が鋭角になるように
している。これによって、上記公開公報に開示されたグ
ルーブにおいては、ある程度Ｃ／Ｎが低下することが予
想されるが、本発明においてはそのようなことがない。

【００１３】また、本発明においては、θ₅₀を望ましく
は２０ｄｅｇ.以上、特に３０ｄｅｇ.以上として、グル
ーブの深さを所定の値に保ったまま、トラックピッチを
狭くし、記録密度を上げるようにしているが、上記公開
公報に開示されたグルーブの実施例においてはθ₅₀がす
べて１４ｄｅｇ.となっており、上記のようにトラック
ピッチを狭くすると、グルーブ深さを浅くせざるを得な
いという欠点がある。

【００１４】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の光磁気ディスクは、ディスク状の
基板表面にグルーブ形成領域を有し、グルーブ形成領域
を覆うように記録層が形成されている。また、プリフォ
ーマットされている場合には、ピット形成領域を有す
る。ピット形成領域はリードインエリアやリードアウト
エリア等に設けられ、ここには、ハード側がディスクを
適正条件で使用するための情報や、所定周期のパルス信
号等の離散値的情報がピットとして予め記録されてい
る。グルーブやピット列は、スパイラル状や同心円状に
設けられる。

【００１５】グルーブ形成領域は、グルーブと、隣接す
るグルーブ間に存在するランドとから構成される。グル
ーブは、記録光および再生光のトラッキングのために設
けられるが、グルーブをウォブリングさせることによ
り、ディスクの回転数を制御したり、さらには時間情報
やアドレス情報などを担持させることもある。なお、本
発明の光磁気ディスクでは、グルーブ内記録が行なわれ
る。

【００１６】本発明の光磁気ディスクでは、前記グルー
ブの形状が、図１に示されているように、その基板径方
向断面の側壁におけるグルーブ深さの１０％深さ位置、
５０％深さ位置、および９０％深さ位置での接線と水平
線とのなす角をそれぞれθ₁₀、θ₅₀、θ₉₀としたとき、
θ₁₀≧θ₅₀およびθ₅₀＞θ₉₀を満たすように設定されて
いる。グルーブ深さとは、基板主面に垂直な方向に測定
されたランド表面とグルーブ底面との距離である。θ₁₀
とθ₅₀の関係は、特にθ₁₀＞θ₅₀であることが望まし
い。

【００１７】上記θ₁₀、θ₅₀およびθ₉₀の関係が上記の
関係を満たさないと、プッシュ−プル信号レベル、ラジ
アルコントラストおよびＣ／Ｎの全てを同時に満足する
ことが極めて困難となる。すなわち、θ₁₀＜θ₅₀となる
と、グルーブ幅が実質的に狭くなり、記録情報量が小さ
くなるとともに、ラジアルコントラストが低下する。一
方、θ₅₀≦θ₉₀となると、ラジアルコントラストＲＣが
大きくなりすぎ、スキューマージンが低下する。このよ
うなスキューマージンの低下は、大きな問題である。例
えば、ディスクをクランプした時に、ゴミやほんのわず
かの位置ずれなどにより、ディスクが傾いてセットされ
た場合、このようにスキューマージンが小さいと、エラ
ーが急激に助長されてしまうからである。具体的には、
スキューマージン角度がそれぞれ±０．６ｄｅｇ．（後
に実施例の項で説明するサンプル５に相当−以下同
様）、±１．０ｄｅｇ．（サンプル１）、±１．２ｄｅ
ｇ．（サンプル３）であった場合に、ディスクを水平の
状態で記録再生すると、ブロックエラーレートはいずれ
も４×１０^-3程度であるが、ディスクを１ｄｅｇ．傾け
て記録再生を行うと、ブロックエラーレートはそれぞれ
７×１０^-2、１．５×１０^-2、９×１０^-3となってしま
う。従って、わずかでもスキューマージン角度の増大が
得られただけでも大きな利点となる。

【００１８】上記θ₅₀は、大きい程よいが、通常２０〜
８０ｄｅｇ．、特に２５〜８０ｄｅｇ．に設定されるこ
とが望ましい。θ₁₀も大きい程よいが、２０ｄｅｇ．以
上が好ましい。なお、θ₁₀の上限は、通常上記θ₅₀と同
様に８０ｄｅｇ．程度とされる。θ₉₀は小さい程よい
が、通常１０〜８０ｄｅｇ．の範囲に設定される。θ₁₀
とθ₅₀の差分、すなわちθ₁₀−θ₅₀の値は０〜６０ｄｅ
ｇ．、好ましくは１〜３０ｄｅｇ．である。また、θ₅₀
とθ₉₀の差分、すなわちθ₅₀−θ₉₀は、５ｄｅｇ．以
上、特に１０ｄｅｇ．以上であることが望ましい。

【００１９】グルーブにおける側壁の形状を上記条件と
するための方法は特に限定されないが、例えば、基板製
造に用いるスタンパを作製する際のマスタリング工程に
おいて、適当な解像度のレジストを選択し、さらに、光
照射条件を適宜選択することにより、θ₁₀、θ₅₀、θ₉₀
を所望の値とすることができる。

【００２０】グルーブの幅およびランドの幅は特に限定
されないが、本発明はランド幅が狭い場合に効果が高
く、通常、グルーブ幅／ランド幅が１以上である場合に
特に有効である。具体的なグルーブ幅は、光ビームのス
ポット径やトラックピッチ等の各種条件に応じて適宜決
定すればよいが、例えば、後述する光学系を用い、トラ
ックピッチを１．２〜１．６μm 程度、特に１．５０〜
１．５９μm 程度、グルーブ幅を０．９０〜１．１５μ
m 程度とした場合に、本発明は極めて有効である。

【００２１】グルーブの深さは特に限定されず、トラッ
キングやシーク等の各種特性を考慮し、グルーブ幅に応
じて適宜決定すればよい。例えば、後述する光学系を用
い、グルーブ幅を０．９０〜１．１５μm としたときに
は、グルーブ深さを６００〜９００A とすることが好ま
しい。なお、ここで、グルーブ深さとは、基板主面に垂
直な方向に測定されたランド表面とグルーブ底面との距
離である。グルーブ底面やランド表面が平坦でない場
合、グルーブ深さは、グルーブ底面の最も低い位置とラ
ンド表面の最も高い位置との垂直方向位置である。

【００２２】また、ピットが形成されている場合、ピッ
トの側壁も上記のグルーブの側壁の条件を満たすように
設定する。また、ピットとグルーブとには同一の光ビー
ムが照射されるので、ピット形成領域において良好な特
性を得るためにはピットの寸法をグルーブの寸法に応じ
て適宜決定することが好ましい。例えば、グルーブの寸
法を上記範囲とした場合には、基板の径方向に測定され
るピット幅を０．４０〜０．５０μm 、ピット深さを６
５０〜９００A とすることが好ましい。

【００２３】グルーブやピットの断面形状および寸法
は、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）や走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）などにより測定することができる。なお、
グルーブの幅は、グルーブの横断面において、一方の側
壁の深さ方向の中点と、対向する他方の側壁の深さ方向
の中点との間の距離である。また、グルーブの深さは、
前述した方法により求める。また、ランドの幅は、トラ
ックピッチからグルーブ幅を減じた値である。ピットの
寸法は、グルーブに準じて求めればよい。

【００２４】なお、グルーブやピットの寸法は、５箇所
以上のグルーブやピットについて測定したものの平均値
とする。

【００２５】本発明の光磁気ディスクは例えば図２に示
されているような構造を有しているものであることが望
ましい。すなわち、本発明の光磁気ディスク１は、基板
２上に、第１の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層
６および反射層７を順次積層したものである。

【００２６】基板２と記録層５との間に設けられる第１
の誘電体層４は記録層５のエンハンス効果に加え、耐食
性の向上のためにも設けられるものであるが、その厚さ
を反射率の第１極小点ｔmin より薄くすることにより、
それ自体の熱容量を小さくし、下方樹脂基板による蓄熱
効果を有効に発揮させる。これにより、前記のとおり、
感度が向上し、ジッタ４０nsecを切る記録パワーをＰmi
n 、Ｐmax としたとき、Ｐmin が低下し、最適パワー
１．４Ｐmin も低下する。また、記録パワーマージン
（Ｐmax −Ｐmin ）／２が拡大する。

【００２７】上記の反射率の第１極小点について説明す
るならば、反射率−膜厚曲線には、膜内での干渉効果に
より極大点、極小点が周期的に表れる。１例として、記
録光波長７８０nmにおけるＳｉＮｘの膜厚と反射率との
関係を図３に示す。図３のカーブは、ＳｉＮｘのｘの値
を変化させて屈折率ｎを変化させたときのシミュレーシ
ョンカーブであり、図中これには実測値がプロットされ
ている。これらからわかるように、シミュレーションカ
ーブと実測値はきわめてよい一致をみており、ｎ＝２．
０では７６nm付近、ｎ＝２．３では６３nmに最も薄い膜
厚での極小点、すなわち第１極小点ｔmin が存在するこ
とがわかる。そこで本発明では、このｔmin より薄い膜
厚で所定の反射率を確保しようというものである。な
お、従来ｔmin より薄い膜厚を用いなかったのは、耐食
性、信頼性の点で厚い膜厚で反射率を高めた方がよいの
ではないかと考えられていたからである。

【００２８】しかし、窒化ケイ素等の誘電体層では３０
nm程度の膜厚とすれば十分な耐食性、信頼性が得られる
ことが判明した。これらから、第１の誘電体層４の厚さ
は好ましくは３０nm以上、特に４０nm以上、さらには４
５nm以上とし、またその上限は好ましくは０．９９ｔmi
n 、特に０．９８ｔmin 、さらには０．９６ｔmin とす
ればよい。なお、ｔmin は一般に４０〜９０nm程度であ
る。

【００２９】第１の誘電体層４の屈折率（複素屈折率の
実部）ｎは１．８〜３．０、特に１．８〜２．５とする
ことが好ましい。ｎが小さすぎるとカー回転角が小さく
なり、出力が低下し、大きすぎると出力が低下し、ノイ
ズが増大する。

【００３０】第１の誘電体層４の組成は、酸化物、炭化
物、窒化物、硫化物、例えば、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、Ａｌ
Ｎ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＺｎＳ、ＢＮ、ＴｉＯ
₂ 、ＴｉＮ等ないしこれらの混合物などの各種誘電体物
質を用いる。これらのうちでは、特に窒化ケイ素を主成
分（好ましくは窒化ケイ素９０重量％以上）とするか、
あるいは実質的に窒化ケイ素からなるものが好ましい。
そして、その成膜には、種々の気相成膜法を用いること
ができるが、通常スパッタ法を用いることが好ましい。
スパッタ法としては対応する組成の焼結体をターゲット
として用いても、窒素等を用いた反応性スパッタを用い
てもよい。

【００３１】記録層５上に設けられる第２の誘電体層６
は、記録層５のエンハンス効果と耐食性の向上のために
設けられるものである。従って、第１の誘電体層４と同
様の材質はいずれも使用可能である。ただし、本発明で
は、金属反射層７を設けたときの蓄熱効果付与による感
度向上や、記録パワーマージン拡大の機能を発揮する点
で、窒化ケイ素を好ましくは９０重量％以上含むもの、
あるいは一種以上の希土類元素（Ｙを含む）の酸化物
と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とが含有されるものが好
ましく、特に希土類元素の酸化物と酸化ケイ素と、窒化
ケイ素とを含むものが最適である。

【００３２】このような場合、希土類元素としては、
Ｙ、Ｌａ〜Ｓｍ、Ｅｕ〜Ｌｎのいずれであってもよく、
これらの１種以上が含有される。これらのうち、Ｙを含
むランタノイド元素、特に少なくともＬａおよびＣｅの
うち１種以上が含有されることが好ましい。Ｌａおよび
Ｃｅの酸化物としては、通常、Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＣｅＯ
₂ である。これらは、一般に化学量論組成であるが、こ
れらから偏奇したものであってもよい。Ｌａおよび／ま
たはＣｅが含まれる場合、ＬａおよびＣｅの酸化物はい
ずれか一方であってもよく、両者が含有されてもよい
が、両者が含有される場合、その量比は任意である。ま
た、Ｌａおよび／またはＣｅの酸化物の他、Ｙ、Ｅｒ等
の希土類元素の酸化物が希土類酸化物中１０at％（金属
換算）程度以下含有されていてよい。また、これらの
他、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ等の酸化物が
含有されていてもよい。これらの元素のうち、Ｆｅは、
１０at％以下、また、その他の元素は合計で１０at％以
下含有されてもよい。

【００３３】最適例としての第２の誘電体層６中には希
土類酸化物に加え、酸化ケイ素と窒化ケイ素が含有され
る。酸化ケイ素は通常ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、また窒化ケイ
素はＳｉ₃ Ｎ₄ の形で含有される。これらはこの化学量
論組成から偏奇していてもよい。また、このような第２
の誘電体層６中の希土類元素酸化物とＳｉ化合物との量
比は、それぞれ化学量論組成換算で、希土類元素酸化物
の合計／（Ｓｉ化合物＋希土類元素酸化物の合計）とし
て、０．０５〜０．５（モル比）程度であり、化学量論
組成換算で、５〜５０モル％の希土類元素酸化物を含有
することが好ましい。この比が小さすぎると、出力が低
下し、高温高湿下での耐久性に乏しくなってくる。ま
た、大きすぎると、ノイズが増加し、高温高湿下での耐
久性に乏しくなってくる。なお、希土類元素／Ｓｉの原
子比は０．０３〜０．６程度である。また、第２の誘電
体層６中のＯ／Ｎ原子比は、０．２〜３程度である。こ
の比が小さすぎると、高温高湿下での耐久性に乏しくな
り、大きすぎると出力が低下し、経時劣化が生じてく
る。これら原子比の測定には、オージェ電子分光あるい
はＥＤＳ等の分析手段を用いればよい。なお、第２の誘
電体層６中には、厚さ方向に酸素および窒素の濃度勾配
が存在してもよい。

【００３４】これら第２の誘電体層６の６００〜９００
nmにおける屈折率（複素屈折率の実部）ｎは、好ましく
は１．８〜３．０、より好ましくは１．８〜２．５とす
る。屈折率が１．８未満であると、カー回転角が小さ
く、出力が低下する。また、３．０を越えると、出力が
低下し、またノイズが増加する。

【００３５】このような第２の誘電体層６を設層するに
は、スパッタ法を用いることが好ましい。ターゲットと
しては、希土類酸化物、好ましくはＬａ₂ Ｏ₃ および／
またはＣｅＯ₂ と、ＳｉＯ₂ およびＳｉ₃ Ｎ₄ の混合物
の焼結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸
化物、特にＬａ₂ Ｏ₃ および／またはＣｅＯ₂ の一部ま
たは全部を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバ
ーメタル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の
酸化物に換えて用いることもできる。また、これに準
じ、その他の気相成膜法、例えばＣＶＤ法、蒸着法、イ
オンプレーティング法等を適宜用いることも可能であ
る。なお、誘電体層中の不純物として、成膜雰囲気中に
存在するＡｒ、Ｎ₂ 等が入ってもよい。その他、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ等の元
素が不純物として入りうる。

【００３６】この第２の誘電体層６の膜厚は８０nm以
下、好ましくは５〜６０nm、特に５〜５０nmとすること
が好ましい。光透過率を高め、出力を向上するために
は、膜厚は薄くすることが好ましいが、第２の誘電体層
６上に設けられる反射層７に熱伝導率の小さい材質を用
いれば、その膜厚をより薄くすることができる。なお、
膜厚が薄すぎるとノイズが増加し、厚すぎると出力やＣ
／Ｎが劣化してくる。このような第２の誘電体層６は、
膜応力が小さく、ヒートサイクル下での耐久性が良好で
ある。また記録層の保護効果も高い。

【００３７】このような第２の誘電体層上に設層される
金属反射層７の材質は、公知の各種金属材料、例えばＡ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉおよびＦｅ等
の金属やその合金のいずれであってもよい。これらのう
ちでは、Ａｌ、Ｎｉあるいはこれらの合金、特にＡｌ系
合金やＮｉ系合金は、本発明の第２の誘電体層と組み合
わせたとき所定の反射率を示し、出力が向上し、すぐれ
た感度および記録パワーマージン向上効果を発揮する点
で好ましい。

【００３８】Ａｌ系合金としてはＡｌを８０〜９９wt％
含有し、これにＮｉ、Ｆｅ、Ｖ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ａ
ｕ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｚ
ｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ等
の一種以上を含有させたものが好適である。Ａｌ系合金
は、記録パワーマージン拡大効果の点でもっとも優れて
いる。またＣ／Ｎもきわめて高くなる。そして、記録感
度も向上する。特に、Ｎｉを２０wt％以下、特に１〜１
０wt％含有し、残実質的にＡｌのＡｌ−Ｎｉ合金は好適
である。

【００３９】またＮｉ系合金は、熱伝導率が小さく、も
っともすぐれた記録感度向上効果を示す点で特に好まし
いこれらのうちでは、特にＮｉを３５〜７５wt％含有
し、これにＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅの１種以上を含
有するものが好ましい。そして、これらのうち、Ｎｉを
３５〜７５wt％、特に４０〜７０wt％、Ｃｏを０．１〜
５wt％、特に０．５〜５wt％、Ｃｒを０．１〜２５wt
％、特に０．５〜２５wt％、Ｗを０〜６wt％、Ｍｏを２
〜３０wt％、特に５〜３０wt％、およびＦｅを０．１〜
２５wt％、特に１〜２２wt％含有する、いわゆるハステ
ロイ合金は特に好ましい。この場合、これらに加え、３
wt％以下の範囲のＣｕ、Ｎｂ、Ｔａや、２wt％以下のＭ
ｎや、１wt％以下のＳｉ、Ｔｉ等が含有されていてもよ
い。これらＮｉ系合金では、前記第２の誘電体層と組み
合わせたとき、きわめて高い感度が実現する。また、熱
伝導率の低いＮｉ系合金を用いることにより、第２の誘
電体層６の厚さを薄くして出力を向上するとともに金属
反射層７そのものの膜厚も薄くすることができる。

【００４０】このような金属反射層７の膜厚は、４０〜
１５０nm、より好ましくは５０〜１００nmとすればよ
い。膜厚が必要以上に薄くなると、金属反射層７積層効
果がなくなり出力やＣ／Ｎが低下してしまう。厚すぎる
と感度が低下する。

【００４１】このような反射層７積層後の媒体の光反射
率は、１５％以上であることが好ましく、また反射層７
の複素屈折率の実部ｎは１．５〜３．５、虚部消衰係数
ｋは２．５〜７．０とするのが好ましい。このような反
射層７はスパッタ、蒸着、イオンプレーティング等によ
り形成することができるが、特にスパッタによって形成
されることが好ましい。

【００４２】このような反射層上には、保護コート８が
設層される。保護コート８は、例えば紫外線硬化樹脂等
の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μm 程度
の厚さに設層すればよい。保護コート８は、層状であっ
てもシート状であってもよい。保護コート８は、特にア
クリレート系等の放射線硬化型化合物および光重合増感
剤を含有する塗膜を放射線硬化したものであることが好
ましい。

【００４３】このような反射層７および第２の誘電層６
がその上に設層される記録層５は、変調された熱ビーム
あるいは変調された磁界により、情報が磁気的に記録さ
れるものであり、記録情報は磁気−光変換して再生され
るものである。記録層５は、光磁気記録が行えるもので
あればその材質に特に制限はないが、希土類金属元素を
含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、
スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッ
タにより、非晶質膜として形成したものであることが好
ましい。

【００４４】希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、
Ｇｄ、Ｓｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ま
しい。希土類金属は１５〜２３at% 程度含有される。遷
移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。この場
合、ＦｅとＣｏの総含有量は、５５〜８５at％であるこ
とが好ましい。

【００４５】好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、３０
at％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０at％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類金属元素を含有しても
よい。このような記録層５の層厚は、通常、１０〜１０
００nm程度である。これらのうちでは、５〜１５at% の
Ｃｏと２〜１０at% のＣｒとを含有し、Ｃｏ／Ｃｒの原
子比が０．５〜５．０であるものは１５０〜１７０℃の
キュリー点Ｔｃを示し、良好な温度特性を示すので好適
である。

【００４６】基板２は、記録光および再生光（４００〜
９００nm程度、特に６００〜８５０nm程度の半導体レー
ザー光、特に７８０nm）に対し、実質的に透明（好まし
くは透過率８０％以上）な材質から形成される。これに
より、基板裏面側からの記録および再生が可能となる。
基板材質としては樹脂やガラスを用いる。樹脂として
は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アモルファ
スポリオレフィン等の各種熱可塑性樹脂が好適である。
なお、必要に応じ、基板２の外表面や、外周面等に酸素
遮断性の被膜を形成してもよい。基板２の裏面（記録層
５を設けていない側の面）には各種保護膜としてのコー
ティングを行うことが好ましい。コーティイングの材質
としては、前述した有機保護コート層８の材質と同様な
ものとしてもよい。

【００４７】本発明は、磁界変調型の光磁気記録に適用
される。この方式では、通常、光磁気記録ディスクの表
面（記録層側）上に磁気ヘッドを配置し、ディスクの裏
面上に光ヘッドを配置して、光ヘッドから一定強度のレ
ーザー光を基板を通して記録層に照射し、変調された磁
界を磁気ヘッドから記録層のレーザースポット部に印加
して記録を行なう。磁気ヘッドと光ヘッドとは位置関係
が固定されており、これらはディスクの径方向に一体的
に移動して所定トラックへアクセスする。印加磁界は１
００〜３００Oe程度とする。本発明において用いる磁気
ヘッドや光ヘッドの構成に特に制限はなく、通常の磁界
変調方式の光磁気記録に用いられる各種磁気ないし光ヘ
ッドから適宜選択すればよい。

【００４８】本発明の光磁気ディスクの記録および再生
には、開口数ＮＡが０．４０〜０．５０、好ましくは
０．４４〜０．４６である対物レンズを装備した光学ヘ
ッドを有する駆動装置を用いることが好ましい。そし
て、記録光および再生光の波長を、好ましくは６００〜
９００nm、より好ましくは７７０〜７９０nmとする。ま
た、記録光および再生光は直線偏光とし、電界ベクトル
の方向が基板の径方向（グルーブと垂直）になるように
照射する。

【００４９】このような光学系を用いることにより、プ
ッシュ−プル信号レベル、ラジアルコントラストおよび
Ｃ／Ｎをいずれも良好な値とすることができる。グルー
ブ形成領域におけるプッシュ−プル信号レベルは、０．
１１〜０．２０であることが好ましく、ラジアルコント
ラストは０．２０〜０．３５であることが好ましく、Ｃ
／Ｎは４７dB以上であることが好ましいが、グルーブ断
面形状における角度θを上記範囲とし、上記光学系を用
いることにより、各特性を容易に上記範囲とすることが
できる。なお、Ｃ／Ｎの値は、記録層表面における磁界
強度を比較的低くして（１００〜３００ Oe 程度）、最
適記録パワーで記録した場合のものである。

【００５０】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００５１】実施例１下記表１に示される光磁気ディスクサンプルを作製し
た。

【００５２】まず、射出成形法により、外径６４mm、内
径１１mm、記録部厚さ１．２mmのポリカーボネート樹脂
基板を製造した。射出成形時に、基板の一方の主面にス
パイラル状のグルーブを形成した。また、上記スパイラ
ル状のグルーブの内側に所定のピットを形成した。

【００５３】次いで、グルーブ形成側主面に、ＳｉＮ_x
誘電体層を高周波マグネトロンスパッタにより９０nm厚
に設層した。次に、この誘電体層上に、Ｔｂ₂₃Ｆｅ₇₂Ｃ
ｏ₅の組成を有する記録層を、グルーブおよびピットを
覆うようにスパッタにより２０nm厚に設層した。

【００５４】さらに、この記録層上に、ＬａＳｉＯＮの
誘電体層を高周波マグネトロンスパッタにより２０nm厚
に設層し、この保護層上に、厚さ８０nmのＡｌ合金反射
層および保護コートを順に設層し、光磁気ディスクサン
プルとした。

【００５５】保護コートは、下記の重合用組成物の塗膜
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは約５μ
m であった。紫外線照射量は１０００mJ/cm²とした。

【００５６】重合用組成物オリゴエステルアクリレート（分子量５，０００）５０重量部トリメチロールプロパントリアクリレート５０重量部アセトフェノン系光重合開始剤３重量部

【００５７】基板製造の際に用いるスタンパを変更した
他は上記と同様にして、他のサンプルを作製した。な
お、サンプル１ないし６をグルーブの形状を変化させた
サンプルとし、サンプル７および８をピットの形状を変
化させたサンプルとした。上記のスタンパは、マスタリ
ング工程において解像度の異なるレジストを用い、ま
た、異なる条件で光照射を行なって作製した。

【００５８】これらの光磁気ディスクサンプルを液体窒
素中に浸漬した後、ディスク径方向に破断し、走査型電
子顕微鏡を用いて基板のグルーブあるいはピットの断面
形状を測定した。そして、前述した方法により角度
θ₁₀、θ₅₀、θ₉₀を求めた。これらを下記表１に示す。
なお、トラックピッチは１．６μm であった。

【００５９】これらの各サンプルについて、表１に示す
各特性を測定した。表１において、Ｐ−Ｐ（Ｇｒ）、Ｐ
−Ｐ（Ｐｉｔ）はそれぞれグルーブ、ピットにおけるプ
ッシュ−プル信号レベルを表わし、ＲＣ（Ｇｒ）、ＲＣ
（Ｐｉｔ）はラジアルコントラストを表わし、ＳＫＭ
（Ｇｒ）はグルーブにおけるスキューマージン角度を表
す。

【００６０】なお、測定に際しては、ＮＡ＝０．４５の
対物レンズを有する光学ヘッドを装備した駆動装置を用
い、波長７８０nmの直線偏光のレーザー光を電界ベクト
ルの方向がディスク径方向となるように照射した。ま
た、Ｃ／Ｎは、記録パワー４．５５mW、リードパワー
０．６０mW、記録層表面における磁界強度１００ Oe 、
線速１．４m/s の条件におけるＥＦＭの３Ｔ信号のもの
である。

【００６１】

【表１】

【００６２】表１に示される結果から、本発明の条件す
なわちθ₁₀≧θ₅₀およびθ₅₀＞θ₉₀を満たすサンプル
１、２、３、４、７および８については、ラジアルコン
トラストＲＣやプッシュ−プル信号レベル等がそれぞれ
の望ましい範囲内に入っているが、上記条件を満たさな
いものは電気的特性が劣っている。

【００６３】実施例２実施例１におけるサンプル１における基板を用いた。し
たがって、θ₁₀は４５．２ｄｅｇ．、θ₅₀は４５．２ｄ
ｅｇ．、θ₉₀は１６．６ｄｅｇ．であり、θ₁₀≧θ₅₀お
よびθ₅₀＞θ₉₀の条件を満たしている。

【００６４】上記基板上に、ＳｉターゲットとＮ₂ ガス
を用い、高周波マグネトロンスパッタにより種々の膜厚
のＳｉＮｘ膜を成膜した。ＳｉＮｘ膜としては、ｘ＝
１．３０、ｎ＝２．０、ｋ≒０と、ｘ＝０．７５、ｎ＝
２．３、ｋ≒０との２種の膜を成膜した。この場合、ｎ
はエリプソメータによって測定した。また、これらの
ｎ、ｋを用いシミュレーションにより、７８０nmにおけ
る膜厚−反射率曲線を求めた。シミュレーション結果と
実測値を図３に示す。

【００６５】次に、ポリカーボネートを射出成形して６
４mm径、厚さ１．２mmの基板サンプルを得た。この基板
上に、上記のＳｉＮｘの第１の誘電体層を高周波マグネ
トロンスパッタにより設層した。ｘ＝１．３０、ｎ＝
２．０についてはｔmin （７６nm）未満の５８nmと、ｔ
min 以上の１００nm、ｘ＝０．７５、ｎ＝２．３につい
てはｔmin （６３nm）未満の３０nmと、ｔmin 以上の９
５nmとして、互いに反射率を揃えた。次に、この第１の
誘電体層上に、Ｔｂ₁₉Ｆｅ₆₅Ｃｏ₈ Ｃｒ₈ （Ｔｃ１５０
℃）の組成を有する記録層を、スパッタにより層厚２０
nmに設層した。

【００６６】さらに、この記録層上に、Ｌａ₂ Ｏ₃ ３０
モル％、ＳｉＯ₂ ２０モル％およびＳｉ₃ Ｎ₄ ５０モル
％を含有する第２の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより形成した。膜厚は２０nm、ｎ＝２．０、ｋ≒
０、希土類元素／Ｓｉの原子比は０．３５であった。

【００６７】この第２の誘電体層上に、金属反射層を高
周波マグネトロンスパッタにより膜厚９０nmとなるよう
に設層した。この金属反射層の組成は、Ａｌ９７．０
at%、Ｎｉ３．０at% であった。

【００６８】この反射層上に保護コートを設層した。保
護コートは、オリゴエステルアクリレートを含有する紫
外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線硬化して５μm 厚
の膜厚とした。なお、膜組成は、オージェ分光分析にて
測定した。

【００６９】これらのサンプルについて、（１）反射
率、（２）最適記録パワーおよび記録パワーマージンを
測定した。

【００７０】（１）反射率（媒体）７８０nmの波長の半導体レーザを照射して、７８０nmで
の反射率を光磁気記録ディスク検査機で測定した。

【００７１】（２）最適記録パワーおよび記録パワーマ
ージンディスクをＣＬＶ１．４m/s で回転し、７８０nmの連続
レーザ光を照射しつつ２００Oeの印加磁界で磁界変調し
て、ＥＦＭ信号を記録した。記録パワーを変化させて３
Ｔ信号のジッタを測定し、ジッタが４０nsecを切るパワ
ーＰmin 、Ｐmax を測定し、最適記録パワーＰ_o ＝１．
４Ｐmin と記録パワーマージン（Ｐmax−Ｐmin ）／２
を算出した。これらの結果を表２に示す。

【００７２】

【表２】

【００７３】表１に示される結果から、第１の誘電体層
の膜厚をｔmin 未満とすることにより、同一反射率に設
計したｔmin 以上の膜厚のときと比較して、Ｐ_o が低下
し、マージンが拡大することがわかる。

【００７４】実施例３実施例１のｎ＝２．０、ｔmin ＝６３nmの第１の誘電体
層と、実施例１のＬａＳｉＯＮの第２の誘電体層および
ＳｉＮｘ（ｘ＝１．３０、ｎ＝２．０、ｋ≒０）の第２
の誘電体層とを用いその膜厚を下記表３のように設定し
て実験を行った。なお、Ａｌ−Ｎｉ反射層の厚さは６０
nmとした。結果を表３に示す。

【００７５】

【表３】

【００７６】表２に示される結果から、ＬａＳｉＯＮ系
の第２の誘電体層のすぐれた効果が明らかである。

【００７７】実施例４実施例２のｎ＝２．０、ｔmin ＝６３nm、５８nm厚さの
第１の誘電体層を用いる場合において、記録層の組成を
Ｔｂ_18.0Ｆｅ_64.0Ｃｏ_10.0Ｃｒ_8.0 （Ｔｃ１６０℃）に
かえてディスクを作製した。また、記録層として実施例
１のＴｂ_19.0Ｆｅ_65.0Ｃｏ_8.0 Ｃｒ_8.0 （Ｔｃ１５０
℃）を用い、第１の誘電体層をＳｉＮｘ（ｔmin ＝７６
nm、ｘ＝１．３０、ｎ＝２．０）、膜厚１２０nm、第２
の誘電体層をＳｉＮｘ、ｘ＝１．３０、ｎ＝２．０、膜
厚４０nmとしたディスクを得た。両ディスクのＡｌＮｉ
反射層の厚さは６０nmであり、反射率はともに２０％で
ある。これらディスクの室温と７０℃雰囲気下でのＰ_o
と、７０℃でのジッタ増加量を測定した。結果を表４に
示した。

【００７８】

【表４】

【００７９】表４に示される結果から、本発明に従い、
より一層高いＴｃの記録層の使用が可能であり、温度特
性が向上することがわかる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気ディスクの１例のグルーブ断面
形状を示す断面図である。

【図２】本発明の光磁気ディスクの１例を示す部分断面
図である。

【図３】第１の誘電体層の膜厚と反射率との関係を示す
グラフである。

【符号の説明】

１光磁気ディスク２基板３ハードコート４保護層５記録層６保護層７反射層８保護コート

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年４月８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の詳細な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【０００２】

【０００３】これらの制御に関係する特性として、グル
ーブ形成領域でのトラッキングにおけるプッシュープル
信号レベルや、ラジアルコントラストや、スキューマー
ジンがある。

【０００４】プッシュープル信号とは、プッシュープル
法によってトラッキングを制御したときのトラッキング
信号であり、プッシュープル法とは、グルーブやピット
で反射回折された光をトラック中央に関して対称に配置
された２分割フォトダイオードの２つの受光部で受け、
それらの出力差に基づいてトラッキングエラーを検出す
る方法である。プッシュープル信号レベルＰ−Ｐは、各
受光部の出力をそれぞれＩ_１およびＩ_２としたとき、
（Ｉ_１−Ｉ_２）／（Ｉ_１＋Ｉ_２）で表わされる。プッシ
ュープル信号レベルが小さすぎると正常なトラッキング
ができなくなる恐れがあり、大きすぎると他の光学特性
とのバランスが保てなくなり、また、光学ヘッドの種類
によってはフォーカスサーボ信号にノイズが生じる恐れ
がある。プッシュープル信号レベルは、一般に、グルー
ブにおいて０．１１〜０．２０の範囲、ピットにおいて
０．０４〜０．１１の範囲であることが望ましい。

【０００５】ラジアルコントラストＲＣは、例えばグル
ーブ形成領域におけるローパスフィルタを用いたときの
信号のランド部出力をＩ_Ｌ、グルーブ部出力をＩ_Ｇとし
たとき、ＲＣ＝２│Ｉ_Ｌ−Ｉ_Ｇ│／（Ｉ_Ｌ＋Ｉ_Ｇ）で表わされ、ＲＣ出力により、光学ヘッドが飛び越えた
トラック数と光学ヘッドの移動方向（極性）を知ること
ができる。ラジアルコントラストが小さすぎるとトラッ
クカウントのエラーや極性判断のエラーが生じる恐れが
あり、大きすぎると外乱ノイズによりサーボ系が不安定
になる恐れがある。ラジアルコントラストＲＣは、一般
に、グルーブにおいて０．２０〜０．３５の範囲、ピッ
トにおいて０．１５〜０．３０の範囲であることが望ま
しい。

【０００７】プッシュープル信号レベル、ラジアルコン
トラスト、およびスキューマージンは、グルーブの幅や
深さや、グルーブを形成する側壁の底角に依存して変化
し、また、Ｃ／Ｎも変化する。すなわち、ラジアルコン
トラストは、グルーブを深くすると増加し（グルーブ深
さ≦λ／４ｎの場合）、また、グルーブ幅を広げるた
り、底角θを大きくしても増加する。プッシュープル信
号レベルは、グルーブを浅くすると減少し（グルーブ深
さ≦λ／８ｎの場合）、グルーブ幅を広げると減少する
（グルーブピッチ１．６μｍでグルーブ幅≧０．８μｍ
の場合）。Ｃ／Ｎはグルーブ幅を広げるか、底角θを大
きくすると高くなる。スキューマージンは、底角θを大
きくすると低下する。従って、プッシュープル信号レベ
ル、ラジアルコントラストおよびスキューマージンを共
に良好な値とし、しかも良好なＣ／Ｎを得ることは、極
めて難しい。なお、Ｃ／Ｎは４７ｄＢ以上であることが
望ましい。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、光磁気ディ
スクのプッシュープル信号レベル、ラジアルコントラス
トおよびスキューマージンを共に良好な値とし、しかも
良好なＣ／Ｎを得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（８）の本発明により達成される。（１）ディスク状の基板の表面にグルーブおよびピット
のうち少なくとも一方を有する凹部形成領域を有し、こ
の凹部形成領域を覆うように記録層が形成されている光
磁気ディスクであって、前記グルーブおよびピットのう
ち少なくとも一方の形状が、その基板径方向断面の側壁
における凹部の１０％深さ位置、５０％深さ位置、およ
び９０％深さ位置での接線と水平線とのなす角をそれぞ
れθ_１０、θ_５０、θ_９０としたとき、θ_１０≧θ_５０
およびθ_５０＞θ_９０を満たすように設定されているこ
とを特徴とする光磁気ディスク。（２）前記グルーブおよびピットのうち少なくとも一方
の形状が、θ_１０＞θ_５０およびθ_５０＞θ_９０を満た
すように設定されている上記（１）の光磁気ディスク。（３）前記θ_５０が２０ｄｅｇ，以上である上記（１）
または（２）の光磁気ディスク。（４）前記θ_５０が２５ｄｅｇ，以上である上記（１）
または（２）の光磁気ディスク。（５）トラックピッチが１．６０μｍ以下である上記
（１）ないし（４）のいずれかの光磁気ディスク。（６）基板上に、順に、第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、金属反射層および保護コートを有し、前記
第１の誘電体層の厚さを、記録光波長での厚さ−反射率
曲線における最も薄い厚さでの反射率の第１極小点ｔ
_ｍｉｎよりも薄い厚さとし、磁界変調方式により光磁気
記録を行なう上記（１）ないし（５）のいずれかの光磁
気ディスク。（７）前記第１の誘電体層の厚さが３０ｎｍ以上、０．
９９ｔ_ｍｉｎ以下である上記（６）の光磁気ディスク。（８）前記第１の誘電体層の屈折率ｎが１．８〜３．０
である上記（６）または（７）の光磁気ディスク。

【００１０】

【作用および効果】本発明者らは様々な断面形状のグル
ーブについて実験を行なった結果、プッシュープル信号
レベル、ラジアルコントラスト、スキューマージンおよ
びＣ／Ｎが、グルーブの幅や深さの他に、グルーブ断面
形状にも依存することを見いだした。グルーブ断面形状
における上記の３つの角度すなわちθ_１０、θ_５０、θ
_９０の関係をθ_１０≧θ_５０およびθ_５０＞θ_９０とす
ることにより、上記の特性を容易に満足することが可能
となる。

【００１２】なお、グルーブの形状に特徴を持たせた情
報記録媒体として、特開平２−７８０３８号公報に開示
されたものが知られているが、当該公開公報に開示され
たグルーブにおいては、その側壁頂部と隅部（底部）の
両者が円弧状をなすように丸められていることを特徴と
している。これに対し、本発明においては、上記したよ
うに成形時におけるだれの部分を除いては、θ_１０≧θ
_５０となるようにし、上記隅部（底部）が鋭角になるよ
うにしている。これによって、上記公開公報に開示され
たグルーブにおいては、ある程度Ｃ／Ｎが低下すること
が予想されるが、本発明においてはそのようなことがな
い。

【００１３】また、本発明においては、θ_５０を望まし
くは２０ｄｅｇ．以上、特に３０ｄｅｇ．以上として、
グルーブの深さを所定の値に保ったまま、トラックピッ
チを狭くし、記録密度を上げるようにしているが、上記
公開公報に開示されたグルーブの実施例においてはθ
_５０がすべて１４ｄｅｇ．となっており、上記のように
トラックピッチを狭くすると、グルーブ深さを浅くせざ
るを得ないという欠点がある。

【００１４】

【００１６】本発明の光磁気ディスクでは、前記グルー
ブの形状が、図１に示されているように、その基板径方
向断面の側壁におけるグルーブ深さの１０％深さ位置、
５０％深さ位置、および９０％深さ位置での接線と水平
線とのなす角をそれぞれθ_１０、θ_５０、θ_９０とした
とき、θ_１０≧θ_５０およびθ_５０＞θ_９０を満たすよ
うに設定されている。グルーブ深さとは、基板主面に垂
直な方向に測定されたランド表面とグルーブ底面との距
離である。θ_１０とθ_５０の関係は、特にθ_１ _０＞θ
_５０であることが望ましい。

【００１７】上記θ_１０、θ_５０およびθ_９０の関係が
上記の関係を満たさないと、プッシュープル信号レベ
ル、ラジアルコントラストおよびＣ／Ｎの全てを同時に
満足することが極めて困難となる。すなわち、θ_１０＜
θ_５０となると、グルーブ幅が実質的に狭くなり、記録
情報量が小さくなるとともに、ラジアルコントラストが
低下する。一方、θ_５０≦θ_９０となると、ラジアルコ
ントラストＲＣが大きくなりすぎ、スキューマージンが
低下する。このようなスキューマージンの低下は、大き
な問題である。例えば、ディスクをクランプした時に、
ゴミやほんのわずかの位置ずれなどにより、ディスクが
傾いてセットされた場合、このようにスキューマージン
が小さいと、エラーが急激に助長されてしまうからであ
る。具体的には、スキューマージン角度がそれぞれ±
０．６ｄｅｇ．（後に実施例の項で説明するサンプル５
に相当−以下同様）、±１．０ｄｅｇ．（サンプル
１）、±１．２ｄｅｇ．（サンプル３）であった場合
に、ディスクを水平の状態で記録再生すると、ブロック
エラーレートはいずれも４×１０^−３程度であるが、デ
ィスクを１ｄｅｇ．傾けて記録再生を行うと、ブロック
エラーレートはそれぞれ７×１０^−２、１．５×１０
^−２、９×１０^−３となってしまう。従って、わずかで
もスキューマージン角度の増大が得られただけでも大き
な利点となる。

【００１８】上記θ_５０は、大きい程よいが、通常２０
〜８０ｄｅｇ．、特に２５〜８０ｄｅｇ．に設定される
ことが望ましい。θ_１０も大きい程よいが、２０ｄｅ
ｇ．以上が好ましい。なお、θ_１０の上限は、通常上記
θ_５０と同様に８０ｄｅｇ．程度とされる。θ_９０は小
さい程よいが、通常１０〜８０ｄｅｇ．の範囲に設定さ
れる。θ_１０とθ_５０の差分、すなわちθ_１０−θ_５０
の値は０〜６０ｄｅｇ．、好ましくは１〜３０ｄｅｇ．
である。また、θ_５０とθ_９０の差分、すなわちθ_５０
−θ_９０は、５ｄｅｇ．以上、特に１０ｄｅｇ．以上で
あることが望ましい。

【００１９】グルーブにおける側壁の形状を上記条件と
するための方法は特に限定されないが、例えば、基板製
造に用いるスタンパを作製する際のマスタリング工程に
おいて、適当な解像度のレジストを選択し、さらに、光
照射条件を適宜選択することにより、θ_１０、θ_５０、
θ_９０を所望の値とすることができる。

【００２０】グルーブの幅およびランドの幅は特に限定
されないが、本発明はランド幅が狭い場合に効果が高
く、通常、グルーブ幅／ランド幅が１以上である場合に
特に有効である。具体的なグルーブ幅は、光ビームのス
ポット径やトラックピッチ等の各種条件に応じて適宜決
定すればよいが、例えば、後述する光学系を用い、トラ
ックピッチを１．２〜１．６μｍ程度、特に１．５０〜
１．５９μｍ程度、グルーブ幅を０．９０〜１．１５μ
ｍ程度とした場合に、本発明は極めて有効である。

【００２１】グルーブの深さは特に限定されず、トラッ
キングやシーク等の各種特性を考慮し、グルーブ幅に応
じて適宜決定すればよい。例えば、後述する光学系を用
い、グルーブ幅を０．９０〜１．１５μｍとしたときに
は、グルーブ深さを６００〜９００Ａとすることが好ま
しい。なお、ここで、グルーブ深さとは、基板主面に垂
直な方向に測定されたランド表面とグルーブ底面との距
離である。グルーブ底面やランド表面が平坦でない場
合、グルーブ深さは、グルーブ底面の最も低い位置とラ
ンド表面の最も高い位置との垂直方向位置である。

【００２２】また、ピットが形成されている場合、ピッ
トの側壁も上記のグルーブの側壁の条件を満たすように
設定する。また、ピットとグルーブとには同一の光ビー
ムが照射されるので、ピット形成領域において良好な特
性を得るためにはピットの寸法をグルーブの寸法に応じ
て適宜決定することが好ましい。例えば、グルーブの寸
法を上記範囲とした場合には、基板の径方向に測定され
るピット幅を０．４０〜０．５０μｍ、ピット深さを６
５０〜９００Ａとすることが好ましい。

【００２６】基板２と記録層５との間に設けられる第１
の誘電体層４は記録層５のエンハンス効果に加え、耐食
性の向上のためにも設けられるものであるが、その厚さ
を反射率の第１極小点ｔｍｉｎより薄くすることによ
り、それ自体の熱容量を小さくし、下方樹脂基板による
蓄熱効果を有効に発揮させる。これにより、前記のとお
り、感度が向上し、ジッタ４０ｎｓｅｃを切る記録パワ
ーをＰｍｉｎ、Ｐｍａｘとしたとき、Ｐｍｉｎが低下
し、最適パワー１．４Ｐｍｉｎも低下する。また、記録
パワーマージン（Ｐｍａｘ−Ｐｍｉｎ）／２が拡大す
る。

【００２７】上記の反射率の第１極小点について説明す
るならば、反射率−膜厚曲線には、膜内での干渉効果に
より極大点、極小点が周期的に表れる。１例として、記
録光波長７８０ｎｍにおけるＳｉＮｘの膜厚と反射率と
の関係を図３に示す。図３のカーブは、ＳｉＮｘのｘの
値を変化させて屈折率ｎを変化させたときのシミュレー
ションカーブであり、図中これには実測値がプロットさ
れている。これらからわかるように、シミュレーション
カーブと実測値はきわめてよい一致をみており、ｎ＝
２．０では７６ｎｍ付近、ｎ＝２．３では６３ｎｍに最
も薄い膜厚での極小点、すなわち第１極小点ｔｍｉｎが
存在することがわかる。そこで本発明では、このｔｍｉ
ｎより薄い膜厚で所定の反射率を確保しようというもの
である。なお、従来ｔｍｉｎより薄い膜厚を用いなかっ
たのは、耐食性、信頼性の点で厚い膜厚で反射率を高め
た方がよいのではないかと考えられていたからである。

【００２８】しかし、窒化ケイ素等の誘電体層では３０
ｎｍ程度の膜厚とすれば十分な耐食性、信頼性が得られ
ることが判明した。これらから、第１の誘電体層４の厚
さは好ましくは３０ｎｍ以上、特に４０ｎｍ以上、さら
には４５ｎｍ以上とし、またその上限は好ましくは０．
９９ｔｍｉｎ、特に０．９８ｔｍｉｎ、さらには０．９
６ｔｍｉｎとすればよい。なお、ｔｍｉｎは一般に４０
〜９０ｎｍ程度である。

【００３０】第１の誘電体層４の組成は、酸化物、炭化
物、窒化物、硫化物、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ａ１
Ｎ、Ａ１_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＺｎＳ、ＢＮ、Ｔｉ
Ｏ_２、ＴｉＮ等ないしこれらの混合物などの各種誘電体
物質を用いる。これらのうちでは、特に窒化ケイ素を主
成分（好ましくは窒化ケイ素９０重量％以上）とする
か、あるいは実質的に窒化ケイ素からなるものが好まし
い。そして、その成膜には、種々の気相成膜法を用いる
ことができるが、通常スパッタ法を用いることが好まし
い。スパッタ法としては対応する組成の焼結体をターゲ
ットとして用いても、窒素等を用いた反応性スパッタを
用いてもよい。

【００３２】このような場合、希土類元素としては、
Ｙ、Ｌａ〜Ｓｍ、Ｅｕ〜Ｌｎのいずれであってもよく、
これらの１種以上が含有される。これらのうち、Ｙを含
むランタノイド元素、特に少なくともＬａおよびＣｅの
うち１種以上が含有されることが好ましい。Ｌａおよび
Ｃｅの酸化物としては、通常、Ｌａ_２Ｏ_３およびＣｅＯ
_２である。これらは、一般に化学量論組成であるが、こ
れらから偏奇したものであってもよい。Ｌａおよび／ま
たはＣｅが含まれる場合、ＬａおよびＣｅの酸化物はい
ずれか一方であってもよく、両者が含有されてもよい
が、両者が含有される場合、その量比は任意である。ま
た、Ｌａおよび／またはＣｅの酸化物の他、Ｙ、Ｅｒ等
の希土類元素の酸化物が希土類酸化物中１０ａｔ％（金
属換算）程度以下含有されていてよい。また、これらの
他、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａ１等の酸化物が
含有されていてもよい。これらの元素のうち、Ｆｅは、
１０ａｔ％以下、また、その他の元素は合計で１０ａｔ
％以下含有されてもよい。

【００３３】最適例としての第２の誘電体層６中には希
土類酸化物に加え、酸化ケイ素と窒化ケイ素が含有され
る。酸化ケイ素は通常ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、また窒化ケイ
素はＳｉ_３Ｎ_４の形で含有される。これらはこの化学量
論組成から偏奇していてもよい。また、このような第２
の誘電体層６中の希土類元素酸化物とＳｉ化合物との量
比は、それぞれ化学量論組成換算で、希土類元素酸化物
の合計／（Ｓｉ化合物＋希土類元素酸化物の合計）とし
て、０．０５〜０．５（モル比）程度であり、化学量論
組成換算で、５〜５０モル％の希土類元素酸化物を含有
することが好ましい。この比が小さすぎると、出力が低
下し、高温高湿下での耐久性に乏しくなってくる。ま
た、大きすぎると、ノイズが増加し、高温高湿下での耐
久性に乏しくなってくる。なお、希土類元素／Ｓｉの原
子比は０．０３〜０．６程度である。また、第２の誘電
体層６中のＯ／Ｎ原子比は、０．２〜３程度である。こ
の比が小さすぎると、高温高湿下での耐久性に乏しくな
り、大きすぎると出力が低下し、経時劣化が生じてく
る。これら原子比の測定には、オージェ電子分光あるい
はＥＤＳ等の分析手段を用いればよい。なお、第２の誘
電体層６中には、厚さ方向に酸素および窒素の濃度勾配
が存在してもよい。

【００３４】これら第２の誘電体層６の６００〜９００
ｎｍにおける屈折率（複素屈折率の実部）ｎは、好まし
くは１．８〜３．０、より好ましくは１．８〜２．５と
する。屈折率が１．８未満であると、カー回転角が小さ
く、出力が低下する。また、３．０を越えると、出力が
低下し、またノイズが増加する。

【００３５】このような第２の誘電体層６を設層するに
は、スパッタ法を用いることが好ましい。ターゲットと
しては、希土類酸化物、好ましくはＬａ_２Ｏ_３および／
またはＣｅＯ_２と、ＳｉＯ_２およびＳｉ_３Ｎ_４の混合物
の焼結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸
化物、特にＬａ_２Ｏ_３および／またはＣｅＯ_２の一部ま
たは全部を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバ
ーメタル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の
酸化物に換えて用いることもできる。また、これに準
じ、その他の気相成膜法、例えばＣＶＤ法、蒸着法、イ
オンプレーティング法等を適宜用いることも可能であ
る。なお、誘電体層中の不純物として、成膜雰囲気中に
存在するＡｒ、Ｎ_２等が入ってもよい。その他、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ等の元
素が不純物として入りうる。

【００３６】この第２の誘電体層６の膜厚は８０ｎｍ以
下、好ましくは５〜６０ｎｍ、特に５〜５０ｎｍとする
ことが好ましい。光透過率を高め、出力を向上するため
には、膜厚は薄くすることが好ましいが、第２の誘電体
層６上に設けられる反射層７に熱伝導率の小さい材質を
用いれば、その膜厚をより薄くすることができる。な
お、膜厚が薄すぎるとノイズが増加し、厚すぎると出力
やＣ／Ｎが劣化してくる。このような第２の誘電体層６
は、膜応力が小さく、ヒートサイクル下での耐久性が良
好である。また記録層の保護効果も高い。

【００３７】このような第２の誘電体層上に設層される
金属反射層７の材質は、公知の各種金属材料、例えばＡ
ｕ、Ａｇ、Ａ１、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉおよびＦｅ等
の金属やその合金のいずれであってもよい。これらのう
ちでは、Ａ１、Ｎｉあるいはこれらの合金、特にＡ１系
合金やＮｉ系合金は、本発明の第２の誘電体層と組み合
わせたとき所定の反射率を示し、出力が向上し、すぐれ
た感度および記録パワーマージン向上効果を発揮する点
で好ましい。

【００３８】Ａ１系合金としてはＡ１を８０〜９９ｗｔ
％含有し、これにＮｉ、Ｆｅ、Ｖ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ａ
ｕ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｚ
ｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ等
の一種以上を含有させたものが好適である。Ａ１系合金
は、記録パワーマージン拡大効果の点でもっとも優れて
いる。またＣ／Ｎもきわめて高くなる。そして、記録感
度も向上する。特に、Ｎｉを２０ｗｔ％以下、特に１〜
１０ｗｔ％含有し、残実質的にＡ１のＡ１−Ｎｉ合金は
好適である。

【００３９】またＮｉ系合金は、熱伝導率が小さく、も
っともすぐれた記録感度向上効果を示す点で特に好まし
いこれらのうちでは、特にＮｉを３５〜７５ｗｔ％含有
し、これにＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅの１種以上を含
有するものが好ましい。そして、これらのうち、Ｎｉを
３５〜７５ｗｔ％、特に４０〜７０ｗｔ％、Ｃｏを０．
１〜５ｗｔ％、特に０．５〜５ｗｔ％、Ｃｒを０．１〜
２５ｗｔ％、特に０．５〜２５ｗｔ％、Ｗを０〜６ｗｔ
％、Ｍｏを２〜３０ｗｔ％、特に５〜３０Ｗｔ％、およ
びＦｅを０．１〜２５ｗｔ％、特に１〜２２ｗｔ％含有
する、いわゆるハステロイ合金は特に好ましい。この場
合、これらに加え、３ｗｔ％以下の範囲のＣｕ、Ｎｂ、
Ｔａや、２ｗｔ％以下のＭｎや、１ｗｔ％以下のＳｉ、
Ｔｉ等が含有されていてもよい。これらＮｉ系合金で
は、前記第２の誘電体層と組み合わせたとき、きわめて
高い感度が実現する。また、熱伝導率の低いＮｉ系合金
を用いることにより、第２の誘電体層６の厚さを薄くし
て出力を向上するとともに金属反射層７そのものの膜厚
も薄くすることができる。

【００４０】このような金属反射層７の膜厚は、４０〜
１５０ｎｍ、より好ましくは５０〜１００ｎｍとすれば
よい。膜厚が必要以上に薄くなると、金属反射層７積層
効果がなくなり出力やＣ／Ｎが低下してしまう。厚すぎ
ると感度が低下する。

【００４２】このような反射層上には、保護コート８が
設層される。保護コート８は、例えば紫外線硬化樹脂等
の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μｍ程度
の厚さに設層すればよい。保護コート８は、層状であっ
てもシート状であってもよい。保護コート８は、特にア
クリレート系等の放射線硬化型化合物および光重合増感
剤を含有する塗膜を放射線硬化したものであることが好
ましい。

【００４４】希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、
Ｇｄ、Ｓｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ま
しい。希土類金属は１５〜２３ａｔ％程度含有される。
遷移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。この場
合、ＦｅとＣｏの総含有量は、５５〜８５ａｔ％である
ことが好ましい。

【００４５】好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、３０
ａｔ％以下の範囲でＣｒ、Ａ１、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０ａｔ％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類金属元素を含有しても
よい。このような記録層５の層厚は、通常、１０〜１０
００ｎｍ程度である。これらのうちでは、５〜１５ａｔ
％のＣｏと２〜１０ａｔ％のＣｒとを含有し、Ｃｏ／Ｃ
ｒの原子比が０．５〜５．０であるものは１５０〜１７
０℃のキュリー点Ｔｃを示し、良好な温度特性を示すの
で好適である。

【００４６】基板２は、記録光および再生光（４００〜
９００ｎｍ程度、特に６００〜８５０ｎｍ程度の半導体
レーザー光、特に７８０ｎｍ）に対し、実質的に透明
（好ましくは透過率８０％以上）な材質から形成され
る。これにより、基板裏面側からの記録および再生が可
能となる。基板材質としては樹脂やガラスを用いる。樹
脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ア
モルファスポリオレフィン等の各種熱可塑性樹脂が好適
である。なお、必要に応じ、基板２の外表面や、外周面
等に酸素遮断性の被膜を形成してもよい。基板２の裏面
（記録層５を設けていない側の面）には各種保護膜とし
てのコーティングを行うことが好ましい。コーティイン
グの材質としては、前述した有機保護コート層８の材質
と同様なものとしてもよい。

【００４７】本発明は、磁界変調型の光磁気記録に適用
される。この方式では、通常、光磁気記録ディスクの表
面（記録層側）上に磁気ヘッドを配置し、ディスクの裏
面上に光ヘッドを配置して、光ヘッドから一定強度のレ
ーザー光を基板を通して記録層に照射し、変調された磁
界を磁気ヘッドから記録層のレーザースポット部に印加
して記録を行なう。磁気ヘッドと光ヘッドとは位置関係
が固定されており、これらはディスクの径方向に一体的
に移動して所定トラックへアクセスする。印加磁界は１
００〜３００Ｏｅ程度とする。本発明において用いる磁
気ヘッドや光ヘッドの構成に特に制限はなく、通常の磁
界変調方式の光磁気記録に用いられる各種磁気ないし光
ヘッドから適宜選択すればよい。

【００４８】本発明の光磁気ディスクの記録および再生
には、開口数ＮＡが０．４０〜０．５０、好ましくは
０．４４〜０．４６である対物レンズを装備した光学ヘ
ッドを有する駆動装置を用いることが好ましい。そし
て、記録光および再生光の波長を、好ましくは６００〜
９００ｎｍ、より好ましくは７７０〜７９０ｎｍとす
る。また、記録光および再生光は直線偏光とし、電界ベ
クトルの方向が基板の径方向（グルーブと垂直）になる
ように照射する。

【００４９】このような光学系を用いることにより、プ
ッシュープル信号レベル、ラジアルコントラストおよび
Ｃ／Ｎをいずれも良好な値とすることができる。グルー
ブ形成領域におけるプッシュープル信号レベルは、０．
１１〜０．２０であることが好ましく、ラジアルコント
ラストは０．２０〜０．３５であることが好ましく、Ｃ
／Ｎは４７ｄＢ以上であることが好ましいが、グルーブ
断面形状における角度θを上記範囲とし、上記光学系を
用いることにより、各特性を容易に上記範囲とすること
ができる。なお、Ｃ／Ｎの値は、記録層表面における磁
界強度を比較的低くして（１００〜３００Ｏｅ程
度）、最適記録パワーで記録した場合のものである。

【００５０】

【００５２】まず、射出成形法により、外径６４ｍｍ、
内径１１ｍｍ、記録部厚さ１．２ｍｍのポリカーボネー
ト樹脂基板を製造した。射出成形時に、基板の一方の主
面にスパイラル状のグルーブを形成した。また、上記ス
パイラル状のグルーブの内側に所定のピットを形成し
た。

【００５３】次いで、グルーブ形成側主面に、ＳｉＮ_Ｘ
（ｘ＝１．３、ｎ＝２．０、ｋ≒０）誘電体層を高周波
マグネトロンスパッタにより９０ｎｍ厚に設層した。次
に、この誘電体層上に、Ｔｂ_１９Ｆｅ_６５Ｃｏ_８Ｃｒ_８
（Ｔｃ１５０℃）の組成を有する記録層を、グルーブお
よびピットを覆うようにスパッタにより２０ｎｍ厚に設
層した。なお、ｎはエリプソメータによって測定した。

【００５４】さらに、この記録層上に、上記と同一のＳ
ｉＮｘ誘電体層を高周波マグネトロンスパッタにより２
０ｎｍ厚に設層し、この保護層上に、厚さ８０ｎｍのＡ
１合金反射層および保護コートを順に設層し、光磁気デ
ィスクサンプルとした。

【００５５】保護コートは、下記の重合用組成物の塗膜
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは約５μ
ｍであった。紫外線照射量は１０００ｍＪ／ｃｍ^２とし
た。

【００５８】これらの光磁気ディスクサンプルを液体窒
素中に浸漬した後、ディスク径方向に破断し、走査型電
子顕微鏡を用いて基板のグルーブあるいはピットの断面
形状を測定した。そして、前述した方法により角度θ
_１０、θ_５０、θ_９０を求めた。これらを下記表１に示
す。なお、トラックピッチは１．６μｍであった。

【００５９】これらの各サンプルについて、表１に示す
各特性を測定した。表１において、Ｐ−Ｐ（Ｇｒ）、Ｐ
−Ｐ（Ｐｉｔ）はそれぞれグルーブ、ピットにおけるプ
ッシュープル信号レベルを表わし、ＲＣ（Ｇｒ）、ＲＣ
（Ｐｉｔ）はラジアルコントラストを表わし、ＳＫＭ
（Ｇｒ）はグルーブにおけるスキューマージン角度を表
す。

【００６０】なお、測定に際しては、ＮＡ＝０．４５の
対物レンズを有する光学ヘッドを装備した駆動装置を用
い、波長７８０ｎｍの直線偏光のレーザー光を電界ベク
トルの方向がディスク径方向となるように照射した。ま
た、Ｃ／Ｎは、記録パワー４．５５ｍＷ、リードパワー
０．６０ｍＷ、記録層表面における磁界強度１００Ｏ
ｅ、線速１．４ｍ／ｓの条件におけるＥＦＭの３Ｔ信号
のものである。

【００６１】

【表１】

【００６２】表１に示される結果から、本発明の条件す
なわちθ_{１０≧θ５０}およびθ_５０＞θ _９０を満たすサ
ンプル１、２、３、４、７および８については、ラジア
ルコントラストＲＣやプッシュープル信号レベル等がそ
れぞれの望ましい範囲内に入っているが、上記条件を満
たさないものは電気的特性が劣っている。

【００６３】実施例２実施例１におけるサンプル１における基板を用いた。し
たがって、θ_１０は４５．２ｄｅｇ．、θ_５０は４４．
０ｄｅｇ．、θ_９０は１６．６ｄｅｇ．であり、θ_１０
≧θ_５０およびθ_５０＞θ_９０の条件を満たしている。

【００６４】上記基板上に、ＳｉターゲットとＮ_２ガス
を用い、高周波マグネトロンスパッタにより種々の膜厚
のＳｉＮｘ膜を成膜した。ＳｉＮｘ膜としては、ｘ＝
１．３０、ｎ＝２．０、ｋ≒０と、ｘ＝０．７５、ｎ＝
２．３、ｋ≒０との２種の膜を成膜し、その後、実施例
１と同一の記録膜、ＳｉＮｘ膜、反射膜および保護コー
トを形成した。また、これらのｎ、ｋを用いシミュレー
ションにより、７８０ｎｍにおける膜厚−反射率曲線を
求めた。シミュレーション結果と実測値を図３に示す。

【００６５】図３に示される結果から、第１の誘電体層
をｘ＝１．３、ｎ＝２．０についてはｔｍｉｎ（７６ｎ
ｍ）未満の５８ｎｍと、ｔｍｉｎ以上の１００ｎｍ、ｘ
＝０．７５、ｎ＝２．３についてはｔｍｉｎ（６３ｎ
ｍ）未満の３０ｎｍと、ｔｍｉｎ以上の９５ｎｍとし、
記録膜以下の膜については実施例１と同じとして、互い
に反射率を揃えたサンプルを得た。

【００６６】これらのサンプルについて、（１）反射
率、（２）最適記録パワーおよび記録パワーマージンを
測定した。

【００６７】（１）反射率（媒体）７８０ｎｍの波長の半導体レーザを照射して、７８０ｎ
ｍでの反射率を光磁気記録ディスク検査機で測定した。

【００６８】（２）最適記録パワーおよび記録パワーマ
ージンディスクをＣＬＶ１．４ｍ／ｓで回転し、７８０ｎｍの
連続レーザ光を照射しつつ２００Ｏｅの印加磁界で磁界
変調して、ＥＦＭ信号を記録した。記録パワーを変化さ
せて３Ｔ信号のジッタを測定し、ジッタが４０ｎｓｅｃ
を切るパワーＰｍｉｎ、Ｐｍａｘを測定し、最適記録パ
ワーＰ。＝１．４Ｐｍｉｎと記録パワーマージン（Ｐｍ
ａｘ−Ｐｍｉｎ）／２を算出した。これらの結果を表２
に示す。

【００６９】

【表２】

【００７０】表２に示される結果から、第１の誘電体層
の膜厚をｔｍｉｎ未満とすることにより、同一反射率に
設計したｔｍｉｎ以上の膜厚のときと比較して、Ｐ_ｏが
低下し、マージンが拡大することがわかる。さらに、実
施例１で用いた各サンプル基板について、第１の誘電体
層膜厚をｔｍｉｎ未満で使用すると、ピットプッシュプ
ルがさらに大きくなり、基板形状との相乗効果がわか
る。

【００７１】実施例３実施例１と同じ膜構造において、第２の誘電体層として
ＳｉＮｘ（ｘ＝１．３０、ｎ＝２．０、ｋ≒０）とＬａ
ＳｉＯＮを用いその膜厚を下記表３のように設定して実
験を行った。結果を表３に示す。なお、ＬａＳｉＯＮ
は、Ｌａ_２Ｏ_３３０モル％、ＳｉＯ_２２０モル％、Ｓｉ
_３Ｎ_４５０モル％の焼結体を高周波マグネトロンスパッ
タにて形成した。

【００７２】

【表３】

【００７３】表３に示される結果から、本件基板形状、
膜厚および第２誘電体層の最適組み合わせにより、良好
な記録感度のディスクが得られることが明らかである。

【００７４】実施例４実施例３の第２の誘電体層にＬａＳｉＯＮを用いる場合
において、記録層の組成をＴｂ_１８．０Ｆｅ_６４．０Ｃ
ｏ_１０．０Ｃｒ_８．０（Ｔｃ１６０℃）にかえてディス
クを作製した。また、記録層として実施例１のＴｂ
_１９．０Ｆｅ_６５．０Ｃｏ_８．０Ｃｒ_８．０（Ｔｃ１５
０℃）を用い、第１の誘電体層をＳｉＮｘ（ｔｍｉｎ＝
７６ｎｍ、ｘ＝１．３０、ｎ＝２．０）、膜厚１２０ｎ
ｍ、第２の誘電体層をＳｉＮｘ、ｘ＝１．３０、ｎ＝
２．０、膜厚４０ｎｍとしたディスクを得た。両ディス
クのＡｌＮｉ反射層の厚さは６０ｎｍであり、反射率は
ともに２０％である。これらディスクの室温と７０℃雰
囲気下でのＰ。と、７０℃でのジッタ増加量を測定し
た。結果を表４に示した。

【００７５】

【表４】

【００７６】表４に示される結果から、本発明に従い、
より一層高いＴｃの記録層の使用が可能であり、温度変
化に対して安定なディスクが得られることがわかる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ディスク状の基板の表面にグルーブおよ
びピットのうち少なくとも一方を有する凹部形成領域を
有し、この凹部形成領域を覆うように記録層が形成され
ている光磁気ディスクであって、前記グルーブおよびピットのうち少なくとも一方の形状
が、その基板径方向断面の側壁における凹部の１０％深
さ位置、５０％深さ位置、および９０％深さ位置での接
線と水平線とのなす角をそれぞれθ₁₀、θ₅₀、θ₉₀とし
たとき、θ₁₀≧θ₅₀およびθ₅₀＞θ₉₀を満たすように設
定されていることを特徴とする光磁気ディスク。
【請求項２】前記グルーブおよびピットのうち少なく
とも一方の形状が、θ₁₀＞θ₅₀およびθ₅₀＞θ₉₀を満た
すように設定されている請求項１の光磁気ディスク。
【請求項３】前記θ₅₀が２０ｄｅｇ.以上である請求
項１または２の光磁気ディスク。
【請求項４】前記θ₅₀が２５ｄｅｇ.以上である請求
項１または２の光磁気ディスク。
【請求項５】トラックピッチが１．６０μm 以下であ
る請求項１ないし４のいずれかの光磁気ディスク。
【請求項６】基板上に、順に、第１の誘電体層、記録
層、第２の誘電体層、金属反射層および保護コートを有
し、前記第１の誘電体層の厚さを、記録光波長での厚さ−反
射率曲線における最も薄い厚さでの反射率の第１極小点
ｔ_minよりも薄い厚さとし、磁界変調方式により光磁気記録を行なう請求項１ないし
５のいずれかの光磁気ディスク。
【請求項７】前記第１の誘電体層の厚さが３０nm以
上、０．９９ｔ_min以下である請求項６の光磁気ディス
ク。
【請求項８】前記第１の誘電体層の屈折率ｎが１．８
〜３．０である請求項６または７の光磁気ディスク。