JPH0557660B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0557660B2 JPH0557660B2 JP17257382A JP17257382A JPH0557660B2 JP H0557660 B2 JPH0557660 B2 JP H0557660B2 JP 17257382 A JP17257382 A JP 17257382A JP 17257382 A JP17257382 A JP 17257382A JP H0557660 B2 JPH0557660 B2 JP H0557660B2
- Authority
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- Japan
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- disk
- optical
- magneto
- laser beam
- birefringence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明はレーザ光により情報の再生を行なう磁
気光学再生装置に関する。
気光学再生装置に関する。
＜従来技術＞
近年、光記録装置は高密度化、大容量化、及び
高速アクセス化が可能なメモリ装置として広く研
究されており、中でも記憶デイスクに微細ピツト
列を形成して該微細ピツト部における入射レーザ
ビームの回折現象を利用して情報の再生を行なう
光記憶装置や、記憶デイスクにレーザビームを照
射して反射率の変化部分を形成し該反射率の変化
を再生レーザビームにて検知するDRAWタイプ
と呼ばれる光記憶装置は実用化の域の達してい
る。しかしながら上述の光記憶装置は再生専用或
いは情報の追加記録が可能であるという機能をも
つに留まつており、情報の消去機能をも有する光
記憶装置は未だ研究段階にある。
高速アクセス化が可能なメモリ装置として広く研
究されており、中でも記憶デイスクに微細ピツト
列を形成して該微細ピツト部における入射レーザ
ビームの回折現象を利用して情報の再生を行なう
光記憶装置や、記憶デイスクにレーザビームを照
射して反射率の変化部分を形成し該反射率の変化
を再生レーザビームにて検知するDRAWタイプ
と呼ばれる光記憶装置は実用化の域の達してい
る。しかしながら上述の光記憶装置は再生専用或
いは情報の追加記録が可能であるという機能をも
つに留まつており、情報の消去機能をも有する光
記憶装置は未だ研究段階にある。
一方、この情報の消去機能をも有する光記憶装
置としては、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つ磁性体薄膜にレーザビームを照射して部分的に
昇温させその照射部分での上記磁性体薄膜の保磁
力を減少させることによつて、上記磁性体薄膜に
作用する外部磁界の方向に対応して磁区を配列さ
せて情報の記録と消去を行ない、又情報を記録し
た部分に弱いレーザビームを照射し磁気光学効果
を用いて情報の再生を行なう磁気光学記憶再生装
置が極めて有力である。
置としては、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つ磁性体薄膜にレーザビームを照射して部分的に
昇温させその照射部分での上記磁性体薄膜の保磁
力を減少させることによつて、上記磁性体薄膜に
作用する外部磁界の方向に対応して磁区を配列さ
せて情報の記録と消去を行ない、又情報を記録し
た部分に弱いレーザビームを照射し磁気光学効果
を用いて情報の再生を行なう磁気光学記憶再生装
置が極めて有力である。
本発明はこの磁気光学記憶再生装置における再
生面での技術的改善を施したものである。
生面での技術的改善を施したものである。
＜発明が解決しようとする問題点＞
上記磁気光学記憶再生装置のデイスク基体とし
ては熱可塑性樹脂を用い圧縮成形法或いは射出成
形法によつて製造したものがしばしば用いられ
る。しかしこの主の種形法を用いてデイスク基体
を製造する場合その成形品に残留応力歪や基体材
料の分子鎖の配向が生じ易くその結果デイスク基
体に複屈折が発生する。しかるにこのデイスク基
体の複屈折は磁気光学効果を用いて情報の再生を
行なう際の障害となるものである。特に、複屈折
の大きさがデイスク毎に異なつている場合や一枚
のデイスクでもその場所によつて異なるような場
合には、信号対雑音比がデイスク毎に異なつた
り、情報の記録されているデイスクの部分によつ
て異なる結果となり、品質の良い安定した情報再
生のためには大きな障害となる。すなわち、上記
磁気光学再生装置はレーザ光の偏光状態の変化を
利用して情報を再生するものであるので、デイス
クによる複屈折の大きさの変動や一枚のデイスク
内での部分的な複屈折の大きさの変動は再生のた
めの反射レーザ光の偏光状態の変動を来し再生信
号品質の劣化を招来するという問題があつた。
ては熱可塑性樹脂を用い圧縮成形法或いは射出成
形法によつて製造したものがしばしば用いられ
る。しかしこの主の種形法を用いてデイスク基体
を製造する場合その成形品に残留応力歪や基体材
料の分子鎖の配向が生じ易くその結果デイスク基
体に複屈折が発生する。しかるにこのデイスク基
体の複屈折は磁気光学効果を用いて情報の再生を
行なう際の障害となるものである。特に、複屈折
の大きさがデイスク毎に異なつている場合や一枚
のデイスクでもその場所によつて異なるような場
合には、信号対雑音比がデイスク毎に異なつた
り、情報の記録されているデイスクの部分によつ
て異なる結果となり、品質の良い安定した情報再
生のためには大きな障害となる。すなわち、上記
磁気光学再生装置はレーザ光の偏光状態の変化を
利用して情報を再生するものであるので、デイス
クによる複屈折の大きさの変動や一枚のデイスク
内での部分的な複屈折の大きさの変動は再生のた
めの反射レーザ光の偏光状態の変動を来し再生信
号品質の劣化を招来するという問題があつた。
＜目的＞
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたもので
あつて、磁気光学記憶再生装置のデイスク基体の
複屈折の大きさの変化に起因する信号対雑音比の
変動を抑制することによつて再生信号の品質を高
めることのできる磁気光学再生装置を提供するこ
とを目的とする。
あつて、磁気光学記憶再生装置のデイスク基体の
複屈折の大きさの変化に起因する信号対雑音比の
変動を抑制することによつて再生信号の品質を高
めることのできる磁気光学再生装置を提供するこ
とを目的とする。
＜実施例＞
以下本発明に係る実施例について図面を用いて
詳細に説明を行なう。
詳細に説明を行なう。
第１図に射出成形法により成形されたデイスク
基体１を示す。このデイスク基体１の材質はアク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の樹脂材であ
り、同図の矢印の方向に一軸異方性が誘起されて
いる。すなわち、同図において矢印で示す半径方
向の屈折率の大きさとこの半径方向と直交する円
周方向の屈折率の大きさとが相違している。又第
２図は上記デイスク基体１を用いて磁気光学記憶
素子Ａを構成し、該磁気光学記憶素子Ａに光学的
要素Ｂを対向配置した本発明に係る磁気光学再生
装置の一実施例の構成説明図である。上記磁気光
学記憶素子Ａは厚さが1.2mmのデイスク基体１上
に、厚さが1000ÅのSiOからなる絶縁体層２、及
び厚さが150ÅのGdTbFeからなる非晶質磁性体
薄膜層３、及び厚さが300ÅのSiO2からなる絶縁
体層４、及び厚さが400ÅのCuからなる金属反射
膜層５が層設されることにより構成される。又上
記光学的要素Ｂは図示されない波長が6328Åの光
を照射するレーザ光源、及び検光子６、及び受光
素子７及び他の図示されない光学的部品から構成
される。８は上記レーザ光源から照射され他の図
示されない光学的部品を通過した直線偏光を有す
るレーザビームである。該レーザビーム８の入射
光の直線偏光方位θは上記磁気光学記憶素子Ａの
円周方位（レーザビームの入射点を含む半径方向
に直交する円周方向）か37度程度傾斜して設定さ
れている。上記レーザビーム８の直線偏光方位θ
の設定によつてデイスク基体１の複屈折による再
生特性に対する悪影響を抑制する事ができる。
基体１を示す。このデイスク基体１の材質はアク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の樹脂材であ
り、同図の矢印の方向に一軸異方性が誘起されて
いる。すなわち、同図において矢印で示す半径方
向の屈折率の大きさとこの半径方向と直交する円
周方向の屈折率の大きさとが相違している。又第
２図は上記デイスク基体１を用いて磁気光学記憶
素子Ａを構成し、該磁気光学記憶素子Ａに光学的
要素Ｂを対向配置した本発明に係る磁気光学再生
装置の一実施例の構成説明図である。上記磁気光
学記憶素子Ａは厚さが1.2mmのデイスク基体１上
に、厚さが1000ÅのSiOからなる絶縁体層２、及
び厚さが150ÅのGdTbFeからなる非晶質磁性体
薄膜層３、及び厚さが300ÅのSiO2からなる絶縁
体層４、及び厚さが400ÅのCuからなる金属反射
膜層５が層設されることにより構成される。又上
記光学的要素Ｂは図示されない波長が6328Åの光
を照射するレーザ光源、及び検光子６、及び受光
素子７及び他の図示されない光学的部品から構成
される。８は上記レーザ光源から照射され他の図
示されない光学的部品を通過した直線偏光を有す
るレーザビームである。該レーザビーム８の入射
光の直線偏光方位θは上記磁気光学記憶素子Ａの
円周方位（レーザビームの入射点を含む半径方向
に直交する円周方向）か37度程度傾斜して設定さ
れている。上記レーザビーム８の直線偏光方位θ
の設定によつてデイスク基体１の複屈折による再
生特性に対する悪影響を抑制する事ができる。
次にその理由について説明を行なう。第３図ａ
〜ｇはデイスク基体１の円周方向の屈折率ntとデ
イスク基体１の半径方向の屈折率nrとの差△ｎ
（＝nt−nr）に対する30KHz帯域幅における信号
対雑音比（Ｃ／Ｎ比）の変化をデイスク基体１に
複屈折が無い時（△ｎ＝０）の信号対雑音比の値
を基準にとり、入射直線偏光の方位θをパラメー
タにして示したものである。但し上記入射直線偏
光の方位θは磁気光学記憶素子Ａの円周方位を基
準としている。又上記△ｎの値の正負はそれぞれ
位相板との対応より進相軸が半径方位及び円周方
位に対応する。第３図ａ〜ｇの各図を比較すれば
入射レーザ光の直線偏光方位θを磁気光学記憶素
子の円周方位に対して７度傾けた時信号対雑音比
が複屈折の大きさの変化に対して極めて安定した
良好なる特性をもつことが理解される。即ち上記
入射レーザ光の偏光方位θの適度な設定によつて
デイスク基体１の複屈折の悪影響を回避できるの
である。第３図のデータはデイスク基体１の厚さ
ｄを1.2mmとし、△ｎの最大値△ｎ＝10-3として
得たものであるが、これらの値よりデイスク基体
１の光学的距離に換算した複屈折量はシングルパ
スの値で△ｎ×ｄ＝1200（ｎｍ）である。一般に
デイスク基体１の光学的距離に換算した複屈折量
は500（ｎｍ）以下に抑えることが製造上容易にで
きるから、上記第３図のデータは実用上において
有効に適用できるものである。
〜ｇはデイスク基体１の円周方向の屈折率ntとデ
イスク基体１の半径方向の屈折率nrとの差△ｎ
（＝nt−nr）に対する30KHz帯域幅における信号
対雑音比（Ｃ／Ｎ比）の変化をデイスク基体１に
複屈折が無い時（△ｎ＝０）の信号対雑音比の値
を基準にとり、入射直線偏光の方位θをパラメー
タにして示したものである。但し上記入射直線偏
光の方位θは磁気光学記憶素子Ａの円周方位を基
準としている。又上記△ｎの値の正負はそれぞれ
位相板との対応より進相軸が半径方位及び円周方
位に対応する。第３図ａ〜ｇの各図を比較すれば
入射レーザ光の直線偏光方位θを磁気光学記憶素
子の円周方位に対して７度傾けた時信号対雑音比
が複屈折の大きさの変化に対して極めて安定した
良好なる特性をもつことが理解される。即ち上記
入射レーザ光の偏光方位θの適度な設定によつて
デイスク基体１の複屈折の悪影響を回避できるの
である。第３図のデータはデイスク基体１の厚さ
ｄを1.2mmとし、△ｎの最大値△ｎ＝10-3として
得たものであるが、これらの値よりデイスク基体
１の光学的距離に換算した複屈折量はシングルパ
スの値で△ｎ×ｄ＝1200（ｎｍ）である。一般に
デイスク基体１の光学的距離に換算した複屈折量
は500（ｎｍ）以下に抑えることが製造上容易にで
きるから、上記第３図のデータは実用上において
有効に適用できるものである。
尚、上記入射レーザ光の偏光方位の設定はデイ
スク基体の複屈折量及び磁気光学記憶素子の構成
に応じて適宜選択すればよい。
スク基体の複屈折量及び磁気光学記憶素子の構成
に応じて適宜選択すればよい。
＜効果＞
上述した如くデイスク基体を圧縮成形法或いは
射出成形法によつて製造する場合においてはデイ
スク基体に複屈折が発生し、又上記デイスク基体
は一般的に各ロツト間においても複屈折の値に差
があり、又上記デイスク基体の複屈折の値は同一
基体内においても分布差があるものであるが、以
上に説明したように、本発明によれば光メモリデ
イスクに入射するレーザ光の偏光方位をレーザ光
の入射点を含む半径方向に直交する円周方向に対
して所定角度傾斜するようにしたので、複屈折の
大きさの変化に対して極めて安定した信号対雑音
比を得ることができ、デイスク基体間の複屈折の
大きさの変化や同一デイスク基体内での複屈折の
大きさの変化による影響を受けることがなく品質
の高い再生信号を得ることのできる磁気光学再生
装置を提供することができる。
射出成形法によつて製造する場合においてはデイ
スク基体に複屈折が発生し、又上記デイスク基体
は一般的に各ロツト間においても複屈折の値に差
があり、又上記デイスク基体の複屈折の値は同一
基体内においても分布差があるものであるが、以
上に説明したように、本発明によれば光メモリデ
イスクに入射するレーザ光の偏光方位をレーザ光
の入射点を含む半径方向に直交する円周方向に対
して所定角度傾斜するようにしたので、複屈折の
大きさの変化に対して極めて安定した信号対雑音
比を得ることができ、デイスク基体間の複屈折の
大きさの変化や同一デイスク基体内での複屈折の
大きさの変化による影響を受けることがなく品質
の高い再生信号を得ることのできる磁気光学再生
装置を提供することができる。
第１図はデイスク基体の平面図、第２図は本発
明に係る磁気光学再生装置の一実施例の構成説明
図、第３図は△ｎと信号対雑音比の関係を示すグ
ラフ図である。 図中、１：デイスク基体、２：絶縁体層、３：
非晶質磁性体薄膜層、４：絶縁体層、５：金属反
射膜層、６：検光子、７：受光素子。
明に係る磁気光学再生装置の一実施例の構成説明
図、第３図は△ｎと信号対雑音比の関係を示すグ
ラフ図である。 図中、１：デイスク基体、２：絶縁体層、３：
非晶質磁性体薄膜層、４：絶縁体層、５：金属反
射膜層、６：検光子、７：受光素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半径方向の屈折率の大きさと半径方向に直交
する円周方向の屈折率の大きさとに差がある一軸
異方性を有する円板上に光学的記憶薄膜を層設し
た光デイスクメモリに対して直線偏光のレーザ光
を入射して情報を再生する磁気光学記憶再生装置
において、 前記光メモリデイスクに入射するレーザ光の偏
光方位を前記レーザ光の入射点を含む半径方向に
直交する円周方向に対してデイスク基体又はデイ
スクロツト間における複屈折の差に起因する信号
対雑音比の変化を小さく抑えるように所定角度だ
け傾斜せしめることを特徴とする磁気光学再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17257382A JPS5960747A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気光学再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17257382A JPS5960747A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気光学再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960747A JPS5960747A (ja) | 1984-04-06 |
| JPH0557660B2 true JPH0557660B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=15944335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17257382A Granted JPS5960747A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気光学再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960747A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2685092B2 (ja) * | 1986-12-12 | 1997-12-03 | 日立マクセル株式会社 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
| JPS63124252A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-27 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体用光学装置 |
| EP1494228B1 (en) | 2002-04-10 | 2012-08-22 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP17257382A patent/JPS5960747A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5960747A (ja) | 1984-04-06 |
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