JPS6314343A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は情報記録媒体に関し、特に、光等によって熱的
に情報を書込み、この情報を磁気光学効果で読出す磁気
記録再生装置に使用される光磁気記録媒体に関するもの
である。

口、従来技術 情報記録媒体としての光ディスクは、高密度、大容量、
高速アクセスの特徴を持ち、種々の研究開発が行われて
いる。このうち、一度だけ追加記録できる光ディスクの
記録媒体としては、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，Ｔｅ−３ｎ−３
ｅ等が知られ、一部商品化されている。一方、書き換え
が可能である光記録としては、光磁気記録が注目されて
いる。

光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１　％　ＭｎＣｕＢ１
などの多結晶薄膜、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ。

ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅなどの非晶質薄
膜などが知られている。例えば、特開昭５９−１７１０
５５号公報には、希土類−遷移金属アモルファス合金薄
膜（例えばＧｄＴｂＦｅ　）と、酸素を含有しない、Ｍ
ＩＮ又は５ｉｓＮ４からなる透明誘電体膜と、Ｔｉ又は
ＴｉＮからなる反射膜とをこの順にて基板上に積層せし
めた磁気光学記憶素子が示されている。

こうした光磁気記録媒体、例えば光磁気ディスクは、記
録密度を高くできる上に書換え可能であり、また記録ま
たは再生の際に記録媒体とヘッド（レンズ）が接触する
ことがないために信頼性が高い等の特長がある。

第３図には、光磁気ディスクとして構成された情報記録
媒体１を回転可能に組込んだ光磁気記録装置の要部が示
されている。この記録装置においては、半専体レーザー
等のレーザー光源１１から射出されたレーザー光Ｓが偏
光板１ｏを通過後にハーフミラ−５を透過し、更にレン
ズ６を介してディスク１の透明基板１２がら光磁気記録
層８に入射し、スポットを結ぶ。記録層８がらの反射光
３は逆方向へ戻り、ハーフミラ−５で反射され、更にア
ナライザ４（検光子）を通過してフォトディテクタ２に
入射する。ここで、情報の書込み及び読出しを上記の光
学系で共通に行うことができるが、この場合には書込み
時のレーザーパワーを読出し時のそれよりも大きくすれ
ばよい。

第４図には、媒体１の主要部を拡大して示すが、図中の
１３はトランキング用の案内溝、１４は記録ビットであ
り、更に記録層８の上下には誘電体膜１５．１６が形成
され、最上面には有機保護層１７が形成されている。

記録に際しては、面に垂直な方向にＥｉ化容易軸を有す
る光磁気記録層８に対し、レーザー光９によって一様な
磁化極性と逆向きの反転は区を選択的に形成することに
よって清報を書込む。第５図には、記録層８のうち書込
み部分を“１”で、非書込み部分を“０”で示し、矢印
は磁化方向を表わす。そして、書込まれた情報を読出す
には、いわゆるカー（Ｋ　ｅｒｒ）効果と称される磁気
光学効果に基き、照射されたレーザー光９が磁化の方向
に応じて偏光面が変化する（即ち、反転磁区で偏向面が
入射光に比べて書込み部分“１”では９に回転し、非書
込み部分“０”では−９に回転する。）ことを利用し、
その反射光３をフォトディテクタ２で検出することがで
きる。

上記の如き媒体１において、光学的に透明な基板１２と
しては樹脂基板が多く用いられるが、そのうちでも特に
射出成形によって作製するものについては特性に大きく
影響する複屈折を抑えることが困難である。即ち、第６
図に検光子（フォトディテクタ２前のアナライザ４）を
透過する成分を示したが、この透過成分は非書込み部分
“０”と書込み部分“１”とのベクトル差ΔＰであり、
この差をフォトディテクタ２で読み取ることになる・し
かし、レーザー光が基板１２を往復する際、基板１２の
７Ｍ屈折は、特に読み出しに直線偏光を用いる光磁気デ
ィスクでは楕円偏光成分を生ずる原因であるので、Ｃ／
Ｎ低下の大きな要因である。

つまり、第６図において、複屈折によって直線偏光が破
線で示す楕円偏光に変化してしまい、これに伴って検光
子透過成分の差ΔＰ′がかなり小さくなる。このため、
ノイズが増え、Ｃ／Ｎが劣化する。

ところが、従来のディスクでは、基板の複屈折について
その値は径方向、周方向で正負が変わったり、値が大き
く変動したりしている場合が多く見られる。この場合に
は、複屈折の絶対値が小さいにもかかわらず、信号レベ
ル、ノイズレベルの変動が大きく、従って安定した動特
性が得られない。

ハ。発明の目的 本発明の目的は、複屈折の値の均一性の高い基体を用い
ることにより、安定した動特性を持つ情報記録媒体を提
供することにある。

ニ６発明の構成 即ち、本発明は、情報記録層が基体に設けられ、この基
体を通して記録情報を読み取るように構成した情報記録
媒体において、前記情報の読み取り波長での前記基体の
複屈折が往復で２０ｎｍ以下であり、かつその複屈折の
変動が実質的に前記基体の全面に亘って５ｎｍ以下であ
ることを特徴とする情報記録媒体に係るものである。

（単位ｎｍ）で表わされる値である。これは、従来のエ
リプソメーターをはじめ、一般の複屈折測定装置によっ
て測定可能である。

ホ、実施例 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

まず、本実施例による情報記録媒体である光磁気ディス
クは、第４図に示した如き構造からなっている。光磁気
記録層８は、例えばＴｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｃａ、Ｇｄ−Ｆ
ｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、ＧｄＴｂＦｅ等の非晶質合金によって
厚さ例えば１０００人に形成されてよいが、スパッタ法
や真空蒸着法で形成可能である。誘電体膜１５．１６も
Ａ　Ｉ　Ｎ−Ｓ　１３Ｎａで形成してよく、それらの種
類も上下で同−又は異なっていてよく、各々、１層以上
でもよい。更に、Ａ２等の反射膜を設けてもよい。

ここで注目すべき構成は、透明基板１２を本発明に基い
て独得に形成し、その複屈折（上述した２・Δｎ　−ｄ
）を記録情報の読み取り波長で（往復で）　２０ｎｍ以
下とし、かつその複屈折の変動を実質的に基板の全面に
亘って５ｎｍ以下としていること（即ち、絶対値で１５
ｎｍｌ以下、又は＋５ｎｍ以内若しくは一５ｎｍ以内）
である。こうした基板は、例えば樹脂の射出成形時に成
形条件をコントロールすることによって再現性よく作製
することができる。使用可能な基板用の樹脂としては、
ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリ
レート、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン等が挙げ
られる。

上記の如く、基板１２の複屈折を２０ｎｍ以下、望マシ
クは１０ｎｍ以下とすることによって、第６図で述べた
検光子透過成分の差を比較的大きく保持できる。これに
加えて、その複屈折の変動を±５ｎｍ以下としなければ
、電気特性が太き（変動し、高密度化、大容量化の要求
を満足する高精度の媒体を得ることができない。このこ
とは、後述するように、本発明者によってはじめて確認
されたものであり、媒体の性能向上にとって極めて有意
義なものである。

こうした基板の複屈折及びその変動量を上記の範囲に設
定するには、基板１２の成形条件をコントロールするこ
とが重要である。特に成形時の樹脂温度、金型温度、更
にはスプレ一温度が重要である。例えば樹脂温度はポリ
カーボネートのときには３１０〜３３０°Ｃとし、金型
温度は９５〜１０５°Ｃ、スプレ一温度は３５〜４５゛
Ｃがよい。

次に、具体的な実験例によって本発明の詳細な説明する
。

ポリカーボネート樹脂を以下の３種の異なった成形条件
で射出成形し、直径１３０ｍｍ　、厚さ１　、２ｍｍの
透明の基板を作製した。これらの複屈折の半径３５ｍｍ
の点における周方向の分布を測定したところ、第１図の
ようになった。また、径方向の分布は第２図の通りであ
った。但し、これらの複屈折は、波長８３０ｎｍで基板
面に対して垂直に測った往復の値である。

（成形条件） 樹脂温度（”Ｃ）金型温度（”Ｃ）スプレ一温度（’Ｃ
）■　　３２０　　　　　　１００　　　　　　４０■
　　３２０　　　　　　１１０　　　　　　５５◎　　
３４０　　　　　　１００　　　　　　５５第１図及び
第２図のデータから明らかなように、各複屈折値をみる
と、■では１０ｎｍを超える領域も存在するが、変動は
±５ｎｍ以内になっている。■では絶対値は６ｎｍ以下
と小さいが、正負が転じていることで変動は±５ｎｍを
超えている。また、◎では符号を変化していないが、や
はり変動±５ｎｍを超えている。

これらの基板に、Ａ／Ｈの誘電体層を８００人、ＴｂＦ
ｅＣｏの磁性層を１０００人、ＡＩＮの誘電体層をさら
に８００　人、有機保護層をこの順に積層し、光磁気デ
ィスクを作成した。これらのディスクでＣ／Ｎを測定し
たところ、以下のような特性が得られた。ここでＣ／Ｎ
　（Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｏ　Ｎｏ１ｓｅ　Ｒａｔｉｏ）
とは、一定の周波数の記号を記録したときの再生出力を
スペクトラムアナライザーに通したときに得られる、記
録周波数の信号出力とノイズレベルとの相対強度比であ
る。

ディスク（基板）　　　　Ｃ／Ｎ　（ｄＢ）■　　　　
　　　　　０　　（基準） ■　　　　　　　　−４，１ ◎　　　　　　　　−５，２ この結果から、ディスク■に比べ、ディスク■、◎は電
気特性が著しく劣っていることがわかった。

以上から、基板において特にその複屈折の変動が全面（
周方向及び径方向）で５ｎｍ以下とすれば、±５ｎｍを
超えるものに比べて電気特性が大きく向上し、高密度化
、大容量化の要求を満足する高精度のディスクを得るこ
とができる。

以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。

例えば、基板の材質、形状、成形方法等は種々変更して
よく、また読み取り波長も変更してよい。

また、本発明は光磁気ディスクに限らず、他の光学的読
み出し方式の媒体にも適用可能である。

へ９発明の作用効果 本発明は上述の如く、基体の複屈折を記録情報の読み取
り波長で（往復で）　２０ｎｍ以下としているので、検
光子透過成分の差を比較的大きく保持でき、かつその複
屈折の変動を実質的に前記基体の全面に亘って５ｎｍ以
下としているので、電気特性を安定化し、高密度化、大
容量化の要求を満足する高精度の媒体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の実施例を示すものであって
、 第１図はディスク周方向での複屈折の変化を比較して示
すグラフ、 第２Ｖはディスク径方向での複屈折の変化を比較して示
すグラフ である。 第３図〜第６図は従来例を示すものであって、第３図は
光磁気記録装置の要部概略図、第４図は光磁気ディスク
の一部分の破断斜視図とその一部拡大図、 第５図は情報読み出しの原理を説明する概略図、第６図
は検光子透過成分を示すヘクトル図である。 なお、図面に示す符号において、 １−−−−−−−−・−光磁気記録媒体２−−−−−−
−−−フォトディテクタ（検出器）３、ｓ　−−−−−
〜−−〜−−−・レーザー光８−−−−−・−一−−−
光磁気記録層（磁性膜）＋　１−−−−・−・−−−一
−レーザー光源＋　２−−−・・−一一一−−−基板 １３−・−−−−−−一−−−−−案内溝＋　４−−−
−−−−−−−一記録ビット１５．１６−・−−−−−
−−・−誘電体膜１７−−〜−−−−一−−−・−保護
層である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　宏 第１図 第２図 第５図 第６図 ンメ（レヒーイ丁Ｌ （自発）手続補正書 昭和６２年１月ｌ≠日 １、事件の表示 昭和６１年　特許願第１５７５７２号 ２、発明の名称 情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 住　所　東京都立川市柴崎町２−４−１１ＦＩＮＥビル
６、補正により増加する発明の数 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、情報記録層が基体に設けられ、この基体を通して記
   録情報を読み取るように構成した情報記録媒体において
   、前記情報の読み取り波長での前記基体の複屈折が往復
   で２０ｎｍ以下であり、かつその複屈折の変動が実質的
   に前記基体の全面に亘って５ｎｍ以下であることを特徴
   とする情報記録媒体。