JP2788518B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JP2788518B2 JP2788518B2 JP33836789A JP33836789A JP2788518B2 JP 2788518 B2 JP2788518 B2 JP 2788518B2 JP 33836789 A JP33836789 A JP 33836789A JP 33836789 A JP33836789 A JP 33836789A JP 2788518 B2 JP2788518 B2 JP 2788518B2
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- Japan
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- magnetic field
- recording
- erasing
- optical
- magneto
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ビームを用いて記録、再生、消去を行う
光磁気記録において、ディスクドライブの簡素化に有用
な光磁気記録の記録方法に関する。
光磁気記録において、ディスクドライブの簡素化に有用
な光磁気記録の記録方法に関する。
高度情報化社会の進展に伴ない高密度大容量なファイ
ルメモリへの需要が高く、これに応える１つのメモリが
光記録である。光記録は、コンパクトディスクに代表さ
れる再生再用型、１度だけ記録できる追記型、そして何
度も記録／消去を繰返せる可逆型の３つのタイプが実用
化されている。この中で、可逆型の１つとして光磁気型
があり、近年製品化され現在では次世代の製品化をめざ
し、各所で研究開発が行われている。その１つに、オー
バーライト可能光磁気記録の研究がある。その方法とし
ては、磁界変調記録方法、２つのレーザビームを用いる
方法、磁気特性の異る２層膜と外部補助磁石を用いる方
法、磁壁エネルギーを利用する方法等が提案されてい
る。現在、これらの方法には一長一短があり実用化に向
けて検討が進められている。
ルメモリへの需要が高く、これに応える１つのメモリが
光記録である。光記録は、コンパクトディスクに代表さ
れる再生再用型、１度だけ記録できる追記型、そして何
度も記録／消去を繰返せる可逆型の３つのタイプが実用
化されている。この中で、可逆型の１つとして光磁気型
があり、近年製品化され現在では次世代の製品化をめざ
し、各所で研究開発が行われている。その１つに、オー
バーライト可能光磁気記録の研究がある。その方法とし
ては、磁界変調記録方法、２つのレーザビームを用いる
方法、磁気特性の異る２層膜と外部補助磁石を用いる方
法、磁壁エネルギーを利用する方法等が提案されてい
る。現在、これらの方法には一長一短があり実用化に向
けて検討が進められている。
この公知な例として、特開昭63−14347号公報をあげ
ることができる。これは、２つのレーザビームを用いた
オーバーライト方法として知られている。
ることができる。これは、２つのレーザビームを用いた
オーバーライト方法として知られている。
オーバーライト方法の中で、２つあるいはそれ以上の
レーザ光を用いて行う方法は、２つの光ヘッドを有する
と同時に、消去と記録それぞれに対応する方向の磁界を
印加する永久磁石２個あるいはコイル２個を付加しなけ
ればならなかった。このため装置構成がきわめて複雑と
なり、駆動装置の小型化の障害となり、さらに、光ヘッ
ドの重量が増して、アクセス速度が制限されるなどの不
都合が生じていた。永久磁石あるいはコイルを付加する
理由は記録媒体の特性と密接に結びついている。すなわ
ち、従来の光磁気媒体では、たとえば代表的TbFeCo系非
晶質材料の場合、従来、消去磁界は250ｅ（エルステ
ッド）から500ｅ必要であり、記録磁界も同様に250
ｅから500ｅ必要である。この磁界はディスクから１
〜4mmほど離れた位置から印加して、記録媒体を交換で
きることを保証してやる必要があり、従来はこの磁界強
度を付与するために上記のように、永久磁石対あるいは
コイル対を光ヘッドとは別個に配置していた。この従来
例の概念図を第４図（ａ）、（ｂ）に示す。１は光磁気
記録膜、２は基板、３、３′はレンズアクチュエータ、
４、４′は収束レンズ、５、５′はレーザ光、６、６′
は永久磁石、７、７′はバイアス磁界用コイルである。
（ａ）は永久磁石対を設けた場合、（ｂ）はコイル対を
設けた場合である。
レーザ光を用いて行う方法は、２つの光ヘッドを有する
と同時に、消去と記録それぞれに対応する方向の磁界を
印加する永久磁石２個あるいはコイル２個を付加しなけ
ればならなかった。このため装置構成がきわめて複雑と
なり、駆動装置の小型化の障害となり、さらに、光ヘッ
ドの重量が増して、アクセス速度が制限されるなどの不
都合が生じていた。永久磁石あるいはコイルを付加する
理由は記録媒体の特性と密接に結びついている。すなわ
ち、従来の光磁気媒体では、たとえば代表的TbFeCo系非
晶質材料の場合、従来、消去磁界は250ｅ（エルステ
ッド）から500ｅ必要であり、記録磁界も同様に250
ｅから500ｅ必要である。この磁界はディスクから１
〜4mmほど離れた位置から印加して、記録媒体を交換で
きることを保証してやる必要があり、従来はこの磁界強
度を付与するために上記のように、永久磁石対あるいは
コイル対を光ヘッドとは別個に配置していた。この従来
例の概念図を第４図（ａ）、（ｂ）に示す。１は光磁気
記録膜、２は基板、３、３′はレンズアクチュエータ、
４、４′は収束レンズ、５、５′はレーザ光、６、６′
は永久磁石、７、７′はバイアス磁界用コイルである。
（ａ）は永久磁石対を設けた場合、（ｂ）はコイル対を
設けた場合である。
以上のように、従来の複数ビーム型光磁気記録方法で
は、光ヘッドとは別個の永久磁石対あるいはコイル対を
付加する必要があり、装置が大型になることやアクセス
速度が遅くなるなどの問題があった。
は、光ヘッドとは別個の永久磁石対あるいはコイル対を
付加する必要があり、装置が大型になることやアクセス
速度が遅くなるなどの問題があった。
本発明の目的は、複数ビーム型光磁気記録方法におい
て、上記の問題を解決するために、永久磁石対やコイル
対を付加することなく、記録・再生・消去できる光磁気
記録方法を提供することにある。
て、上記の問題を解決するために、永久磁石対やコイル
対を付加することなく、記録・再生・消去できる光磁気
記録方法を提供することにある。
上記目的は、レンズアクチュエータからの漏れ磁界
が、消去方向あるいは記録方向に意図的に漏れる、さら
には磁界収束が生ずるレンズアクチュエータ構造とし、
かつきわめて小さな磁界で消去あるいは記録を行うこと
のできる光磁気媒体を用いることによって達成される。
上記目的はこのようなレンズアクチュエータおよび光磁
気媒体の両者があいともなって初めて達成されるもので
ある。
が、消去方向あるいは記録方向に意図的に漏れる、さら
には磁界収束が生ずるレンズアクチュエータ構造とし、
かつきわめて小さな磁界で消去あるいは記録を行うこと
のできる光磁気媒体を用いることによって達成される。
上記目的はこのようなレンズアクチュエータおよび光磁
気媒体の両者があいともなって初めて達成されるもので
ある。
すなわち、本発明の光磁気記録方法は、熱磁気的に記
録・再生・消去を行う光磁気記録方法において、消去磁
界が150エルステッド以下で完全消去でき、記録磁界が1
50エルステッド以下で飽和記録できる記録媒体を用い、
レンズアクチュエータから発生する漏れ磁界または漏れ
磁界の収束磁界を用いることにより、消去方向、記録方
向の磁界を印加し、複数の光学レンズ（光学ヘッド）か
らの光ビーム照射により、１回のディスク回転中に、前
情報の消去と新情報の記録、または情報の読出しを行う
ことを特徴とする。
録・再生・消去を行う光磁気記録方法において、消去磁
界が150エルステッド以下で完全消去でき、記録磁界が1
50エルステッド以下で飽和記録できる記録媒体を用い、
レンズアクチュエータから発生する漏れ磁界または漏れ
磁界の収束磁界を用いることにより、消去方向、記録方
向の磁界を印加し、複数の光学レンズ（光学ヘッド）か
らの光ビーム照射により、１回のディスク回転中に、前
情報の消去と新情報の記録、または情報の読出しを行う
ことを特徴とする。
また、上記複数の光学レンズのうち少なくとも先行す
る光学レンズから光ビームを照射する際に、上記レンズ
アクチュエータからの漏れ磁界または漏れ磁界の収束磁
界を消去方向として印加して前情報の消去を行い、これ
に後行する光学レンズから光ビームを照射する際に、上
記レンズアクチュエータからの漏れ磁界または漏れ磁界
の収束磁界を記録方向として新情報の記録を行い、先行
あるいは後行の少なくとも１つの光学レンズにより情報
の読出しを行うことを特徴とする。
る光学レンズから光ビームを照射する際に、上記レンズ
アクチュエータからの漏れ磁界または漏れ磁界の収束磁
界を消去方向として印加して前情報の消去を行い、これ
に後行する光学レンズから光ビームを照射する際に、上
記レンズアクチュエータからの漏れ磁界または漏れ磁界
の収束磁界を記録方向として新情報の記録を行い、先行
あるいは後行の少なくとも１つの光学レンズにより情報
の読出しを行うことを特徴とする。
さらに、上記記録媒体として、キュリー温度Tcと補償
温度Tcompの差（Tc−Tcomp）が、50〜140℃の範囲にあ
り、消去方向150エルステッド以下の磁界で完全消去と
なり、記録方向150エルステッド以下の磁界で飽和記録
となる希土類・鉄族非晶質薄膜を設けた記録媒体を用い
たことを特徴とする。
温度Tcompの差（Tc−Tcomp）が、50〜140℃の範囲にあ
り、消去方向150エルステッド以下の磁界で完全消去と
なり、記録方向150エルステッド以下の磁界で飽和記録
となる希土類・鉄族非晶質薄膜を設けた記録媒体を用い
たことを特徴とする。
レンズアクチュエータはボイスコイル方式をとってお
り、光学レンズの支持磁界を与えるために小さな永久磁
石を配している。このため150ｅ程度の漏れ磁界が外
部に付与される。通常は、この漏れ磁界を軟鉄材のカバ
ー等で遮蔽することにより、約50ｅ以下の漏れ磁界と
している。本発明では、この遮蔽カバーをとりはらい、
むしろ積極的に漏れ磁界を生じさせる。この場合、消去
ヘッドと記録ヘッドとでは漏れ磁界が互いに逆方向とな
るようにアクチュエータ内の支持磁石を配する。さらに
効果的に漏れ磁界を利用するためには、漏れ磁界を収束
せしめる純鉄、パーマロイ等の高透磁率磁性材料を、レ
ーザ光の通過に障害とならないように配置する。
り、光学レンズの支持磁界を与えるために小さな永久磁
石を配している。このため150ｅ程度の漏れ磁界が外
部に付与される。通常は、この漏れ磁界を軟鉄材のカバ
ー等で遮蔽することにより、約50ｅ以下の漏れ磁界と
している。本発明では、この遮蔽カバーをとりはらい、
むしろ積極的に漏れ磁界を生じさせる。この場合、消去
ヘッドと記録ヘッドとでは漏れ磁界が互いに逆方向とな
るようにアクチュエータ内の支持磁石を配する。さらに
効果的に漏れ磁界を利用するためには、漏れ磁界を収束
せしめる純鉄、パーマロイ等の高透磁率磁性材料を、レ
ーザ光の通過に障害とならないように配置する。
もちろん、大きな漏れ磁界を生じさせるためには、レ
ンズアクチュエータ内の永久磁石を大きくすること、あ
るいは複数個配することが考えられる。しかしこの場合
は、光ヘッドが大型化、重量化することとなり本発明の
目的に反する。従って、本方法による消去磁界、記録磁
界は150ｅを最大値とする。ここで本方法での光磁気
媒体の磁界特性の重要性が認識される。すなわち、本方
法では消去方向150ｅで完全消去となり、記録方向150
ｅで飽和記録となる光磁気媒体が、上記のレンズアク
チュエータとともに必須となる。このような光磁気媒体
は、レーザ光を照射した際の高温（キュリー温度Tcより
20〜70℃低い温度）において、飽和磁化Msが小さく、保
磁力Hcが大きい必要がある。希土類・鉄族非晶質光磁気
材料では、このような領域は、希土類の磁化と鉄族の磁
化とが逆向きとなって相殺する温度である補償温度T
compの上部で生ずる。従って、上記の消去磁界・記録磁
界条件を満足するには、TcとTcompの間に制限がある。T
bFeCo、DyFeCo、TbDyFeCo、TbFeCoNb、TbFeCoCrなどの
材料では、（Tc−Tcomp）の差が50〜140℃の範囲にある
ときに、上記の条件を満足し、本方法に必須の記録媒体
となる。
ンズアクチュエータ内の永久磁石を大きくすること、あ
るいは複数個配することが考えられる。しかしこの場合
は、光ヘッドが大型化、重量化することとなり本発明の
目的に反する。従って、本方法による消去磁界、記録磁
界は150ｅを最大値とする。ここで本方法での光磁気
媒体の磁界特性の重要性が認識される。すなわち、本方
法では消去方向150ｅで完全消去となり、記録方向150
ｅで飽和記録となる光磁気媒体が、上記のレンズアク
チュエータとともに必須となる。このような光磁気媒体
は、レーザ光を照射した際の高温（キュリー温度Tcより
20〜70℃低い温度）において、飽和磁化Msが小さく、保
磁力Hcが大きい必要がある。希土類・鉄族非晶質光磁気
材料では、このような領域は、希土類の磁化と鉄族の磁
化とが逆向きとなって相殺する温度である補償温度T
compの上部で生ずる。従って、上記の消去磁界・記録磁
界条件を満足するには、TcとTcompの間に制限がある。T
bFeCo、DyFeCo、TbDyFeCo、TbFeCoNb、TbFeCoCrなどの
材料では、（Tc−Tcomp）の差が50〜140℃の範囲にある
ときに、上記の条件を満足し、本方法に必須の記録媒体
となる。
本発明によれば、レンズアクチュエータからの漏れ磁
界が、記録や消去のための外部印加磁界として作用する
ので、従来のように永久磁石やバイアスコイルを設けな
くても記録や消去が可能となり、光ヘッドなどの可動部
分を小型化・軽量化できる。これはアクセス速度の向上
に大きく寄与する。さらに、光ヘッドを複数個有するこ
とによりディスク１回転中に、記録と消去あるいは情報
の再生を行うことができる。従ってこれまで新情報の記
録あるいは確認に２または３回転必要としていたのを１
または２回転とすることが可能となり実効転送レートを
大幅に向上できる。
界が、記録や消去のための外部印加磁界として作用する
ので、従来のように永久磁石やバイアスコイルを設けな
くても記録や消去が可能となり、光ヘッドなどの可動部
分を小型化・軽量化できる。これはアクセス速度の向上
に大きく寄与する。さらに、光ヘッドを複数個有するこ
とによりディスク１回転中に、記録と消去あるいは情報
の再生を行うことができる。従ってこれまで新情報の記
録あるいは確認に２または３回転必要としていたのを１
または２回転とすることが可能となり実効転送レートを
大幅に向上できる。
以下、本発明の詳細を実施例を用いて説明する。
ディスク周辺の構造を示す模式図を第１図に示す。デ
ィスク基板２上に形成された光磁気記録膜１には既に各
種の情報が記録されている。これに対して光ヘッドＩか
らレズ４を通して約１μｍ径に絞られた光が光磁気記録
膜１に照射される。それと同時に、レンズアクチュエー
タ３から漏れ磁界（磁界強度−150ｅ）が印加され、
消去できる。ひきつづき、光ヘッドIIからレンズ４′に
よりレーザ光５′を約１μｍ径に絞り光磁気記録膜１に
照射すると同時に、レンズアクチュエータ３′からの漏
れ磁界（150ｅ）が印加され、記録できる。ディスク
の構造は、第２図の断面図に示すとおり、凹凸の案内溝
を有するガラスもしくはプラスチック基板２上に、まず
スパッタリング法により透明保護膜Ｉとして窒化シリコ
ン膜８を形成した。スパッタの条件として、窒化シリコ
ンもしくはシリコンをターゲットとして用い、放電ガス
にArもしくはAr/N2混合ガスを使用した。この膜の屈折
率はｎ＝2.0、膜厚は850Åである。その他のスパッタ条
件は、放電ガス圧力:1×10-2Torr、投入RF電力密度:4.2
W/cm2である。ひきつづき、光磁気記録膜１としてTb24F
e63Co10Nb3膜を300Åの膜厚にスパッタ法により形成し
た。ターゲットは合金ターゲットを、放電ガスにArをそ
れぞれ使用した。その他スパッタ条件は、放電ガス圧
力:5×10-3Torr、投入RF電力密度:4.2W/cm2である。キ
ュリー温度Tcは200℃、補償温度Tcompは80℃である。こ
の上にさらに透明保護膜IIとして窒化シリコン膜９を20
0Åの膜厚にスパッタ法により形成した。その時のスパ
ッタ条件は窒化シリコン膜８の作製条件と同様とした。
そして最後に、金属反射膜10として、Al膜をスパッタ法
により500Åの膜厚に形成した。ターゲットにはAl板を
用い、放電ガスにはArをそれぞれ使用した。そして、放
電ガス圧力:1×10-2Torr、投入RF電力密度:3.6W/cm2で
ある。本実施例ではそのような４層構造ディスクを用い
たが本発明により得られる効果は、この構造に限定され
るものではない。
ィスク基板２上に形成された光磁気記録膜１には既に各
種の情報が記録されている。これに対して光ヘッドＩか
らレズ４を通して約１μｍ径に絞られた光が光磁気記録
膜１に照射される。それと同時に、レンズアクチュエー
タ３から漏れ磁界（磁界強度−150ｅ）が印加され、
消去できる。ひきつづき、光ヘッドIIからレンズ４′に
よりレーザ光５′を約１μｍ径に絞り光磁気記録膜１に
照射すると同時に、レンズアクチュエータ３′からの漏
れ磁界（150ｅ）が印加され、記録できる。ディスク
の構造は、第２図の断面図に示すとおり、凹凸の案内溝
を有するガラスもしくはプラスチック基板２上に、まず
スパッタリング法により透明保護膜Ｉとして窒化シリコ
ン膜８を形成した。スパッタの条件として、窒化シリコ
ンもしくはシリコンをターゲットとして用い、放電ガス
にArもしくはAr/N2混合ガスを使用した。この膜の屈折
率はｎ＝2.0、膜厚は850Åである。その他のスパッタ条
件は、放電ガス圧力:1×10-2Torr、投入RF電力密度:4.2
W/cm2である。ひきつづき、光磁気記録膜１としてTb24F
e63Co10Nb3膜を300Åの膜厚にスパッタ法により形成し
た。ターゲットは合金ターゲットを、放電ガスにArをそ
れぞれ使用した。その他スパッタ条件は、放電ガス圧
力:5×10-3Torr、投入RF電力密度:4.2W/cm2である。キ
ュリー温度Tcは200℃、補償温度Tcompは80℃である。こ
の上にさらに透明保護膜IIとして窒化シリコン膜９を20
0Åの膜厚にスパッタ法により形成した。その時のスパ
ッタ条件は窒化シリコン膜８の作製条件と同様とした。
そして最後に、金属反射膜10として、Al膜をスパッタ法
により500Åの膜厚に形成した。ターゲットにはAl板を
用い、放電ガスにはArをそれぞれ使用した。そして、放
電ガス圧力:1×10-2Torr、投入RF電力密度:3.6W/cm2で
ある。本実施例ではそのような４層構造ディスクを用い
たが本発明により得られる効果は、この構造に限定され
るものではない。
まず、このディスクのレーザパワー一定のもとで外部
印加磁界強度を変化させたときのキャリアレベルおよび
ノイズレベルの変化を調べた結果を第３図に示す。キャ
リアレベルは、−50ｅ（消去方向をマイナスで表わ
す）付近より立上りはじめ、ゼロ磁界で急激に増大し、
100ｅ以上ではほぼ一定となった。また、ノイズレベ
ルはキャリアレベルの立上りとともにゼロｅで最大と
なり、再び減少して、100ｅ以上でほぼ一定となっ
た。これは、5.25″ディスクの最内周位置:r＝30mmでの
測定値であり、その時C/N＝49dBであった。この場合の
記録条件は、記録周期1.5T、周波数4.95MHzである。こ
のような特性は、材料自身の選択およびTb、Fe、Co、Nb
の組成に依存している。
印加磁界強度を変化させたときのキャリアレベルおよび
ノイズレベルの変化を調べた結果を第３図に示す。キャ
リアレベルは、−50ｅ（消去方向をマイナスで表わ
す）付近より立上りはじめ、ゼロ磁界で急激に増大し、
100ｅ以上ではほぼ一定となった。また、ノイズレベ
ルはキャリアレベルの立上りとともにゼロｅで最大と
なり、再び減少して、100ｅ以上でほぼ一定となっ
た。これは、5.25″ディスクの最内周位置:r＝30mmでの
測定値であり、その時C/N＝49dBであった。この場合の
記録条件は、記録周期1.5T、周波数4.95MHzである。こ
のような特性は、材料自身の選択およびTb、Fe、Co、Nb
の組成に依存している。
このような特性を有するディスクを用いて、２つの光
ヘッドを有しバイアスコイルのないディスクドライブに
かけた。あらかじめ任意の情報を記録しておき、それに
先行ビーム（パワー:7mW）で消去した。ディスクに印加
された磁界は−150ｅであった。そして、これを後方
から追いかけるように２番目のレーザビームがディスク
に照射され、新規に情報を記録した。その時のパワーは
6.5mW、パルス幅は65nsである。また、ディスク面に印
加された磁界は＋150ｅであった。その結果をオシロ
グラフにより観測したところ、消し残りが全く無く新規
な情報が記録されていた。このように、永久磁石やバイ
アスコイルなしでも記録や消去ができることがわかる。
ヘッドを有しバイアスコイルのないディスクドライブに
かけた。あらかじめ任意の情報を記録しておき、それに
先行ビーム（パワー:7mW）で消去した。ディスクに印加
された磁界は−150ｅであった。そして、これを後方
から追いかけるように２番目のレーザビームがディスク
に照射され、新規に情報を記録した。その時のパワーは
6.5mW、パルス幅は65nsである。また、ディスク面に印
加された磁界は＋150ｅであった。その結果をオシロ
グラフにより観測したところ、消し残りが全く無く新規
な情報が記録されていた。このように、永久磁石やバイ
アスコイルなしでも記録や消去ができることがわかる。
本実施例では5.25″の光磁気ディスクを用いたが、例
えば12″のような大口径の光磁気ディスクに対しては、
消去用ヘッドもしくは再生兼用のヘッドを２つ以上、ま
た記録用ヘッドもしくは再生兼用のヘッドを２つ以上用
い、コントローラによりそれぞれ独立もしくは消去用と
記録用とをペアで制御することにより並列処理も可能に
なり、データの転送速度が向上し高性能化をはかること
ができる。また、バイアスコイルを有していないので、
ドライブ内にセットしたまま回転させておいた場合のデ
イスクの温度は室温約35℃程度で、バイアスコイルを有
する場合の50℃に比べ著しく低く、ディスクの温度変化
にもとづく特性変化も小さく、エラーが著しく起りにく
くなる。また、磁気特性選択のマージンを広くすること
ができ、量産性を考慮しても有利である。
えば12″のような大口径の光磁気ディスクに対しては、
消去用ヘッドもしくは再生兼用のヘッドを２つ以上、ま
た記録用ヘッドもしくは再生兼用のヘッドを２つ以上用
い、コントローラによりそれぞれ独立もしくは消去用と
記録用とをペアで制御することにより並列処理も可能に
なり、データの転送速度が向上し高性能化をはかること
ができる。また、バイアスコイルを有していないので、
ドライブ内にセットしたまま回転させておいた場合のデ
イスクの温度は室温約35℃程度で、バイアスコイルを有
する場合の50℃に比べ著しく低く、ディスクの温度変化
にもとづく特性変化も小さく、エラーが著しく起りにく
くなる。また、磁気特性選択のマージンを広くすること
ができ、量産性を考慮しても有利である。
以上、本発明の実施例を具体的に説明したが、本発明
は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
本発明の光磁気記録方法によれば、レンズアクチュエ
ータの漏れ磁界を利用することにより、従来必要であっ
た永久磁石やバイアスコイルを省くことができ、ディス
クドライブの小型・軽量化が図れ、アクセス速度が向上
できる。しかもコイルからの発熱もないので、ディスク
自身の温度上昇が小さく、高信頼化が図れる。また、複
数のヘッドを用いることによりオーバーライトができ、
さらに、記録再生の並列処理ができるのでデータの転送
速度向上も達成できる。
ータの漏れ磁界を利用することにより、従来必要であっ
た永久磁石やバイアスコイルを省くことができ、ディス
クドライブの小型・軽量化が図れ、アクセス速度が向上
できる。しかもコイルからの発熱もないので、ディスク
自身の温度上昇が小さく、高信頼化が図れる。また、複
数のヘッドを用いることによりオーバーライトができ、
さらに、記録再生の並列処理ができるのでデータの転送
速度向上も達成できる。
第１図は、本発明の光磁気記録方法によるディスク周囲
の状況を示す模式図、第２図は、光磁気ディスクの断面
構造を示す模式図、第３図は、光磁気ディスクのキャリ
アレベルおよびノイズレベルの外部印加磁界依存性を示
す図、第４図は、従来の２ヘッドの光磁気記録方法を示
す模式図である。 １……光磁気記録膜 ２……基板 ３、３′……レンズアクチュエータ ４、４′……収束レンズ ５、５′……レーザ光 ６、６′……永久磁石 ７、７′……バイアス磁界用コイル ８……透明保護膜Ｉ ９……透明保護膜II 10……金属反射膜
の状況を示す模式図、第２図は、光磁気ディスクの断面
構造を示す模式図、第３図は、光磁気ディスクのキャリ
アレベルおよびノイズレベルの外部印加磁界依存性を示
す図、第４図は、従来の２ヘッドの光磁気記録方法を示
す模式図である。 １……光磁気記録膜 ２……基板 ３、３′……レンズアクチュエータ ４、４′……収束レンズ ５、５′……レーザ光 ６、６′……永久磁石 ７、７′……バイアス磁界用コイル ８……透明保護膜Ｉ ９……透明保護膜II 10……金属反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾島 正啓 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 仲尾 武司 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 助田 裕史 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭64−82350（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−32731（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10
Claims (3)
- 【請求項１】熱磁気的に記録・再生・消去を行う光磁気
記録方法において、消去磁界が150エルステッド以下で
完全消去でき、記録磁界が150エルステッド以下で飽和
記録できる記録媒体を用い、レンズアクチュエータから
発生する漏れ磁界または漏れ磁界の収束磁界を用いるこ
とにより、消去方向、記録方向の磁界を印加し、複数の
光学レンズからの光ビーム照射により、１回のディスク
回転中に、前情報の消去と新情報の記録、または情報の
読出しを行うことを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項２】上記複数の光学レンズのうち少なくとも先
行する光学レンズから光ビームを照射する際に、上記レ
ンズアクチュエータからの漏れ磁界または漏れ磁界の収
束磁界を消去方向として印加して前情報の消去を行い、
これに後行する光学レンズから光ビームを照射する際
に、上記レンズアクチュエータからの漏れ磁界または漏
れ磁界の収束磁界を記録方向として新情報の記録を行
い、先行あるいは後行の少なくとも１つの光学レンズに
より情報の読出しを行うことを特徴とする請求項１記載
の光磁気記録方法。 - 【請求項３】上記記録媒体として、キュリー温度Tcと補
償温度Tcompの差（Tc−Tcomp）が、50〜140℃の範囲に
あり、消去方向150エルステッド以下の磁界で完全消去
となり、記録方向150エルステッド以下の磁界で飽和記
録となる希土類・鉄族非晶質薄膜を設けた記録媒体を用
いたことを特徴とする請求項１記載の光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33836789A JP2788518B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33836789A JP2788518B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201233A JPH03201233A (ja) | 1991-09-03 |
| JP2788518B2 true JP2788518B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=18317485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33836789A Expired - Lifetime JP2788518B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2788518B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777959A (en) * | 1995-06-28 | 1998-07-07 | Nec Corporation | Optical disk apparatus having a plurality of objective lenses |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP33836789A patent/JP2788518B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03201233A (ja) | 1991-09-03 |
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