JP2002288897A - 光磁気記憶媒体 - Google Patents

光磁気記憶媒体

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JP2002288897A JP2001091273A JP2001091273A JP2002288897A JP 2002288897 A JP2002288897 A JP 2002288897A JP 2001091273 A JP2001091273 A JP 2001091273A JP 2001091273 A JP2001091273 A JP 2001091273A JP 2002288897 A JP2002288897 A JP 2002288897A
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recording layer
magnetic field
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Tetsuo Hosokawa
哲夫 細川
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は、光磁気記憶媒体関し、クロ
ストークによる影響を受けにくく、トラック密度を一層
小さくすることが可能で、しかも消去磁界も小さく再生
信号品質も良好で高密度記録／再生可能にすることにあ
る。 【解決手段】 本発明は、少なくとも再生層、非磁性
層、転写層、遮断層、記録層をこの順に積層し、前記再
生層が単層で室温で面内の磁化容易性を示し、前記転写
層、前記記録層が単層で室温において垂直方向の磁化容
易特性を有する光磁気記憶媒体において、前記遮断層の
キュリー温度をＴｃs 、前記記録層のキュリー温度をＴ
ｃk とした時、Ｔｃs ＜Ｔｃk の関係であることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、隣接トラックから
の漏れ込み信号（クロストーク）を小さくしてトラック
密度を高密度化にするとともに、消去時に与える消去磁
界を小さくすることが可能な光磁気記憶媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、動画像データ等の大量の情報を扱
う必要性からより大きな記憶容量の光磁気記憶媒体が望
まれている。その為、記録マーク（磁気ドメイン）を微
小化してビット密度、トラック密度を一層小さくする技
術開発が進められている。そこで、再生用のパワーの光
ビームを照射して生じる温度分布を利用して、光スポッ
ト径よりも小さい記録マークを記録し再生する技術とし
て磁気超解像記録／再生方法（ＭＳＲ＝Magnetically i
nduced Super Resolution ）が提案されている。
【０００３】磁気超解像法が適用される媒体は、磁区が
記録される記録層と、記録層の磁区を転写される再生層
を少なくとも有する多層膜で構成され、再生用のパワー
レベルの光ビームが照射されることにより温度分布を生
じさせ、所定温度以下あるいは所定温度以上の領域が磁
気マスクとして機能するように磁気特性が調整されてい
る。そのために、磁気マスクによりスポット径を微小化
したのと同様な効果により、所望の微小なマークのみを
再生可能にしている。
【０００４】このような磁気超解像法には、光ビームの
スポット内のマークが検出される位置に応じて前方開口
検出（ＦＡＤ=Front Apature Detection）、中央開口検
出（ＣＡＤ=Center Apature Detection ）、後方開口検
出（ＲＡＤ=Rear Apature Detection ）や再生したいマ
ークの前後をマスクして中央を検出するダブルマスクＲ
ＡＤ等が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＣＡＤタイプの磁気超
解像型記憶媒体は、透明な基板の上層に、ＴｂＦｅＣｏ
（テルビウム・鉄・コバルト）等の垂直磁化膜である記
録層、ＳｉＮ（窒化シリコン）等の非磁性層を設け、さ
らにその上層に、室温で単層で面内磁化膜であり所定の
温度を超えると垂直磁化膜に転移するＧｄＦｅＣｏ（ガ
ドリウム・鉄・コバルト）等の再生層を少なくとも備え
た多層膜構成がなされている。そして、ＣＡＤ媒体は、
再生時に光スポット内の再生層における所定温度よりも
高い領域である開口部（アパチャー）で垂直磁化となる
為に、光ビームの偏光面のカー回転によって磁化の検出
が可能であるが、光スポット外や開口部以外の再生層に
おいては面内磁化となる為に磁化の検出が行えないよう
になっている。
【０００６】また、ＣＡＤ媒体では、静磁結合により記
録層からの磁界で再生層の磁化方向を反転させるため
に、記録層としてＭｓ（磁化）の大きい材料であるＴＭ
リッチ（ＴＭドミナントとも言われる。ＴＭリッチは遷
移金属（Transition Metal) の副格子磁化が希土類金属
(Rare Earth metal)の副格子磁化より大きいものであ
る。）組成の材料を使用する必要があった。
【０００７】しかし、このＴＭリッチの記録層は消去に
大きな磁界を必要とする問題がある。また、ＴＭリッチ
の記録層は、再生していない隣接トラックの記録層に書
かれたマークからも磁界が発生するという問題がある。
その隣接トラックからの磁界が再生中のトラックに影響
し静磁結合力によるクロストークが発生する。その問題
を避けるにはＦｅＣｏ等を減らす、つまりＲＥリッチ
（ＲＥドミナントとも言われる。ＲＥリッチは希土類金
属(Rare Earth metal)の副格子磁化が遷移金属（Transi
tion Metal) の副格子磁化より大きいものである。）組
成にすれば良いが、ＲＥリッチの記録層は再生温度で磁
化Ｍｓが小さい為に記録層のマークが再生層に十分に転
写できないため再生が困難となる。
【０００８】本発明は、クロストークによる影響を受け
にくく、トラック密度を一層小さくすることが可能で、
しかも消去磁界も小さく再生信号品質も良好で高密度記
録／再生可能な光磁気記憶媒体を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも再
生層、非磁性層、転写層、遮断層、記録層をこの順に積
層し、前記再生層が単層で室温で面内の磁化容易性を示
し、前記転写層、前記記録層が単層で室温において垂直
方向の磁化容易特性を有する光磁気記憶媒体において、
前記遮断層のキュリー温度をＴｃs 、前記記録層のキュ
リー温度をＴｃ k とした時、Ｔｃs ＜Ｔｃk の関係であ
ることを特徴とする。
【００１０】また、前記転写層のキュリー温度をＴｃt
とした時、Ｔｃt ＞Ｔｃs の関係であることを特徴とす
る。
【００１１】さらに、前記転写層、前記遮断層、前記記
録層の膜厚をＴt 、Ｔs 、Ｔk とした時、Ｔs ＜Ｔt 、
又は／及び、Ｔs ＜Ｔk の関係であることを特徴とす
る。
【００１２】少なくとも再生層、非磁性層、転写層、遮
断層、記録層をこの順に積層し、前記再生層が単層で室
温で面内の磁化容易性を示し、前記転写層、前記記録層
が単層で室温において垂直方向の磁化容易特性を有する
光磁気記憶媒体において、前記転写層、前記遮断層の膜
厚をＴt , Ｔs とした時、Ｔt ＞Ｔs の関係であること
を特徴とする。また、前記記録層の膜厚をＴk とした
時、Ｔs ＜Ｔk の関係であることを特徴とする。
【００１３】さらに、前記再生層がＧｄＦｅＣｏ系材料
からなり室温でＧｄ組成リッチであることを特徴とす
る。
【００１４】さらに、前記転写層がＧｄＦｅＣｏ系材料
又はＧｄＤｙＦｅＣｏ系材料から成り、その組成が室温
で補償組成あるいはＦｅＣｏリッチであることを特徴と
する。
【００１５】さらに、前記遮断層がＴｂＦｅ系材料又は
ＴｂＦｅＣｏ系材料であることを特徴とする。
【００１６】さらに、前記記録層が希土類遷移金属から
なりその組成が室温で補償組成あるいは希土類リッチ組
成であることを特徴とする。
【００１７】また、前記記録層がＴｂＦｅＣｏ系材料又
はＤｙＦｅＣｏ系材料又はＴｂＤｙＦｅＣｏ系材料又は
ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ系材料であることを特徴とする。
【００１８】また、前述の各構成の記憶媒体に対して、
光ビームを照射する発光部と、磁界を印加する磁界発生
部と、前記記憶媒体に対応するパワーレベルの光ビーム
に設定／制御するパワー制御部と、前記記憶媒体の各ア
クセスに対応する方向及び大きさの磁界に設定／制御す
る磁界制御部とを少なくとも有する光学装置／記憶装置
であることを特徴とする。
【００１９】
【実施の形態】図１は、ＣＡＤ媒体の原理説明図であ
る。媒体には、少なくとも透明基板上に記録層２０２、
再生層２０４が積層され、その間に誘電体層２０３が設
けられている。光ビームは透明基板に近い側から照射さ
れ、消去磁界２１２、記録磁界２１３、再生磁界２１１
は記録層に近い側から印加される。
【００２０】媒体上の所定のトラック１０１において、
記録層２０２の磁化方向は、消去パワーの光ビームと消
去磁界２１３を与えることにより所定方向に揃えられ、
続いて、記録マークを形成したい部分に記録パワーの光
ビームと記録磁界２１２を与えることにより前記所定方
向に対して反対方向に変化させられて、記録がなされ
る。
【００２１】さらに、再生時には、再生磁界２１１と再
生パワーの光ビームによる熱により、ビームスポット１
０２の中心部１０３以外の低温部（マスク部）１０４、
１０５がマスクされ、中心部１０３が開口部となる。
【００２２】なお、再生磁界を与えなくても光ビームに
よる温度制御のみで、マスク部を形成することも可能で
ある。開口部周囲の磁性層（記録層や再生層等）の磁気
的な影響を無くす為に、単に所定方向に再生磁界を与え
る場合もある。再生磁界の方向は、本実施例では、消去
磁界の方向と同じ下向きとしたが、媒体の特性によって
記録磁界と同じ上向きとしてしても良い。
【００２３】また、光ビームは再生層に近い側から与
え、磁界は記録層に近い側から与えるように、光学ヘッ
ドや磁界発生部を配置しているが、両者をともに再生層
に近い側とすることも可能である。
【００２４】再生層２０４の磁区は、室温では面内を向
いているが、ビームスポットにより温度上昇すると、面
内から垂直方向に変化する。この時の垂直の向きは記録
層２０４の磁区の向きに応じて転写されるので、ビーム
スポットより微小なマークである開口部１０３を読み取
ることができる。
【００２５】図２は、本発明の一実施例の光磁気記憶媒
体の構成説明図である。
【００２６】光磁気記憶媒体は、ガラス又はポリカーボ
ネート等の樹脂からなる透明な基板２５１上に、ＳｉＮ
（窒化シリコン）等の第１誘電体層２５２、再生層２５
３、非磁性層２５４、転写層２５５、遮断層２５６、記
録層２５７、ＳｉＮ等の第２誘電体層２５８、Ａｌ（ア
ルミニウム）等の感度調整層２５９が順に積層されてい
る。また、Ａｌ層２５９上層の表面には、酸化や劣化の
防止の為に、紫外線硬化樹脂等の材料で保護コートが施
されている。
【００２７】また、再生層２５３、転写層２５５、遮断
層２５６、記録層２５７の磁性層は、希土類遷移金属材
料（ＲＥ−ＴＭ材料）から構成される。なお、これらの
希土類遷移金属材料に、耐蝕性向上、あるいは感度調整
等のために、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ
（タンタル）等の少なくとも１つ以上の元素を添加し
て、各磁性層を構成しても良い。
【００２８】なお、再生層２５３、転写層２５５、遮断
層２５６、記録層２５７の磁性層の各層間に感度調整等
の各種目的で層を追加することも可能である。
【００２９】また、同心円状又はらせん状に所定の間隔
おきに凹状のトラック溝が成形され、トラック溝内のグ
ルーブに対して情報の記録及び／又は再生を行うグルー
ブ用の基板と、トラック溝間の凸状の平坦部のランドに
対して情報の記録及び／又は再生を行うランド用の基板
と、トラック溝をグルーブトラックとしトラック溝間の
凸状の平坦部をランドトラックとして、グルーブトラッ
ク及びランドトラックの両方に対して情報の記録及び／
又は再生可能なランド・グルーブ用の基板の３種類があ
る。
【００３０】本実施例では、ランドグルーブ用の基板で
下記のような手法により記憶媒体を作成した。ここで、
実験に使用した光磁気記憶媒体の製造方法を簡単に説明
する。
【００３１】隣接したランドトラックとグルーブトラッ
クに情報記録可能なランドグルーブ基板を準備する。こ
の基板のランド部とグルーブ部の段差は光ビームの波長
との関係を考慮して好ましい範囲である約３０〜約２０
０ｎｍに設定する。本実施例では、隣接したランドとグ
ルーブの間隔が約０．６５μｍ、ランドとグルーブの段
差が約５０ｎｍのプラスチック基板を用意した。
【００３２】この基板を到達真空度５×ｅ-5（Ｐａ）以
下の複数の成膜室を有するスパッタ成膜装置に挿入す
る。Ｓｉターゲットが装着された第１のチャンバーに基
板を搬送し、Ａｒ（アルゴン）ガスとＮ2 （窒素）ガス
を導入しＤＣスパッタ放電し反応性スパッタによりＳｉ
Ｎ層を成膜した。ＳｉＮ層の膜厚は８０ｎｍとした。
【００３３】次に基板を別の第２のチャンバーに移動
し、ＧｄＦｅＣｏ（ガドリウム・鉄・コバルト）のター
ゲットを使用して、同様に、室温でＲＥ組成リッチで、
補償温度が室温以上のＧｄ29Ｆｅ51ＣＯ20を２０ｎｍの
厚さで成膜した。
【００３４】なお、補償温度はＴＭとＲＥの磁化の差が
見かけ上無くなる温度である。
【００３５】次に、基板を第１のチャンバーに戻し７ｎ
ｍのＳｉＮ層を成膜した。続いて、基板を別の第３チャ
ンバーに移動し、２０ｎｍのＧｄ24Ｆｅ56ＣＯ20の転写
層を成膜した。この転写層のキュリー温度は３００℃で
ある。
【００３６】なお、キュリー温度は副格子磁化が無くな
る温度である。
【００３７】さらに、基板を別の第４のチャンバーに移
動し、ＴｂＦｅＣｏ（テルビウム・鉄、コバルト）をタ
ーゲットとし、その上にＴｂＦｅＣｏからなる遮断層を
８ｎｍの厚さで成膜した。遮断層は、複数のターゲット
を用意し、Ｔｂ18（ＦｅＣｏ x ）82のＣｏ組成ｘを変化
させ、キュリー温度の異なる複数のサンプル媒体を作成
した。
【００３８】遮断層成膜後、その上に、Ｔｂ24ＦｅＣｏ
10の２５ｎｍの厚さの記録層を成膜した。記録層のキュ
リー温度は２３０℃である。次に、第１のチャンバーに
基板を移動し２０ｎｍのＳｉＮ層、３０ｎｍのＡｌ層を
成膜し、その上に、紫外線硬化樹脂の保護コートを施し
た。
【００３９】作成した光磁気記録媒体に記録マークの長
さが０．３８μｍとなるように線速７．５ｍ／ｓとして
波長６８０ｎｍのレーザビーム（対物レンズのＮＡ＝
０．５５）を用いて記録を行い、スペクトラムアナライ
ザでＣ／Ｎを測定した。
【００４０】図３は遮断層のＣｏ（コバルト）の組成と
キュリー温度Ｔｃの関係を示す図であり、図４は遮断層
のＴｃとＣ／Ｎの関係を示す図である。
【００４１】図３において、遮断層のＣｏ組成ｘを徐々
に増やしていくと、キュリー温度が徐々に大きくなり、
記録層のキュリー温度程度である２００℃付近からＣ／
Ｎが低下し始める。この結果から遮断層のキュリー温度
は記録層のキュリー温度以下が好ましいことがわかる。
【００４２】さらに、比較のために記すが、前述の条件
の媒体構成から遮断層を省いた光磁気記憶媒体におい
て、Ｃ／Ｎは４３．８ｄＢと低い結果であった。また、
前述の条件の媒体構成から転写層、遮断層の２つの層を
省いた光磁気記憶媒体において、Ｃ／Ｎは４２．２ｄＢ
と低い結果であった。
【００４３】遮断層によるＣ／Ｎの改善作用については
正確なメカニズムは不明だが、記録時において、ＧｄＦ
ｅＣｏからなる転写層が記録層へのマーク形成に及ぼし
ている悪影響を遮断していると考えられる。
【００４４】つまり、本来の記録は、最初に記録層にマ
ークが形成され、その後に記録層のマークが交換結合に
より転写層に転写されるべきであるが、遮断層が無いと
ＧｄＦｅＣｏの転写層に形成されたマークが記録層に転
写される影響が出てしまい、Ｃ／Ｎが低下すると考えら
れる。
【００４５】ＧｄＦｅＣｏは本来良好なマーク形成がで
きない層なので、このような逆転写が発生すると、マー
ク形状が乱れるため、Ｃ／Ｎが低下すると考えられる。
【００４６】また、ＧｄＦｅＣｏはＴｂＦｅＣＯに比べ
てＭｓ（磁化）が大きい為、ＧｄＦｅＣｏを転写層とし
て使用することにより転写層からの再生層へのマークの
静磁結合による転写特性（転写の容易性）が向上する。
【００４７】以上より本発明の転写層／遮断層／記録層
の構成とすることにより、記録時における記録層へのマ
ーク形成が良好に行われ、かつＣＡＤ媒体の再生も良好
に行われるようになる。
【００４８】また、本発明の媒体構造とすることによ
り、記録層は従来の転写層としての機能を必要としない
のでＴＭリッチ組成にする必要も無くなる。従って、補
償組成あるいはＲＥリッチ組成とすることにより消去に
必要な磁界が低減される効果もある。
【００４９】なお、転写層としてはＧｄＦｅＣｏにＤｙ
（ジスプロウム）を添加しても良い。Ｄｙの添加量は多
すぎると記録層から転写層への交換結合によるマーク転
写が良好に行われなくなるので、約１％〜約１０％以下
（０％を含まず０〜約１０％以下）の添加量が好まし
い。
【００５０】次に、遮断層の組成をＴｂ18Ｆｅ76ＣＯ6
とし、他の層の組成は上記と同じ条件に設定して、転写
層の膜厚と変更したものを図５に示し、記録層の膜厚を
変更したものを図６に示す。
【００５１】図５において、転写層の膜厚が約７〜約２
０ｎｍでＣ／Ｎが向上しており、特に約１０〜約２０ｎ
ｍでは変化率の小さい飽和状態になっている。なお、図
では示していないが、転写層の膜厚は厚すぎるとＣ／Ｎ
が低下するので約４０ｎｍ以下が好ましい。
【００５２】図６において、記録層の膜厚が約１３〜約
２０ｎｍでＣ／Ｎが向上しており、特に約１５〜約２０
ｎｍでは変化率の小さい飽和状態になっている。なお、
図では示していないが、記録層の膜厚は厚すぎるとＣ／
Ｎが低下するので約４０ｎｍ以下が好ましい。
【００５３】これらから、転写層、記録層のそれぞれの
膜厚を遮断層の膜厚以上にすることで、良好記録が行わ
れ、Ｃ／Ｎが向上する作用がある事がわかる。
【００５４】また、隣接トラックに記録されたマークか
らのクロストークの低減作用について説明する。
【００５５】再生層をＧｄ29Ｆｅ51Ｃｏ20で２０ｎｍの
厚さとし、遮断層をＴｂ18Ｆｅ76Ｃｏ6 で８ｎｍの厚さ
とし、転写層の組成をＧｄx （Ｆｅ74Ｃｏ26）100-x と
し、記録層の組成をＴｂy （Ｆｅ86Ｃｏ14）100-y と
し、ｘとｙをそれぞれ変更して光磁気記憶媒体を作成し
た。ＳｉＮ、Ａｌ層及び各層膜厚は前述と同一条件とし
た。
【００５６】記録層のＴｂ組成を２３％として転写層の
Ｇｄ組成をいろいろ変えて作成したときのＣ／Ｎの測定
結果を図７に示す。図７において、転写層Ｇｄが２５％
以上のＲＥリッチ組成になると、再生層への転写特性が
低下することが一因で、Ｃ／Ｎが低下している。
【００５７】従って、転写層は補償組成（Ｇｄが約２５
％）からＦｅＣｏリッチ組成（ＴＭリッチ組成）が良い
と考えられる。また、Ｇｄが約２０％以下では記録特性
が低下し、Ｃ／Ｎが低下しているが、約２１〜２５％の
間ではＣ／Ｎが向上している。
【００５８】次に転写層をＧｄ23（Ｆｅ74Ｃｏ26）と
し、記録層のＴｂ組成を変更したときのＣ／Ｎの結果を
図８に示す。図８において、記録層のＴｂが２５％以上
でＣ／Ｎが低下し始めているが、大きな変化は無い。
【００５９】そこで、両側の隣接トラックに１．５２μ
ｍのマークを記録する。そのマークの信号が再生中のト
ラックに漏れこんでくる時におけるＣ／Ｎ（クロストー
ク）と、記録したマークを完全に消去するのに必要な磁
場Ｈｅを測定した。
【００６０】図９において、記録層のＴｂが少ないＴＭ
リッチ組成ではクロストークが大きい事がわかる。クロ
ストークを十分小さくするには、記録層Ｔｂが２３％以
上の補償組成からＴｂリッチ組成が良い。
【００６１】また、図１０は記録層Ｔｂ組成と消去磁界
の関係を示しており、Ｔｂは約２１％〜約２６％の範囲
で消去磁界が約３５０Ｏｅ以下となり消去磁界を小さく
することが可能であり、特に、約２２％〜約２６％の範
囲では約２５０Ｏｅ以下となっており、消去磁界が小さ
くて済む。
【００６２】従って、特に、記録層Ｔｂが２３％以上の
補償組成からＴｂリッチ組成の範囲に設定することで、
消去のために要する磁界も低減される。なお、記録層の
Ｔｂが多すぎると記録動作が不安定となりＣ／Ｎが低下
するので、Ｔｂは約２６％以下が好ましい。また、約２
６％以下とすれば消去磁界も低減される。
【００６３】次に、記録層としてＤｙＦｅＣｏを使用し
たときのＣ／Ｎの測定結果を図１２に示す。ここでは記
録層の組成をＤｙZ （Ｆｅ70Ｃｏ30)100-Zに変更した。
【００６４】図１１において、記録層のＤｙが２５％以
上でＣ／Ｎが低下し始めているが、大きな変化は無い。
Ｃ／Ｎの値としても、前述ＴｂＦｅＣｏ記録層と同様
に、４５ｄＢ〜４６ｄＢ程度の特性を示している。
【００６５】そこで、両側の隣接トラックに１．５２μ
ｍのマークを記録する。そのマークの信号が再生中のト
ラックに漏れこんでくる時におけるＣ／Ｎ（クロストー
ク）と、記録したマークを完全に消去するのに必要な磁
場Ｈｅを測定した。
【００６６】図１２において、記録層のＤｙが少ないＴ
Ｍリッチ組成ではクロストークが大きい事がわかる。ク
ロストークを十分小さくするには、記録層Ｄｙが２３％
以上の補償組成からＤｙリッチ組成が良い。なお、クロ
ストーク低減効果はＴｂＦｅＣｏよりも大きくなってい
ることがわかる。
【００６７】また、図１３は記録層Ｄｙ組成と消去磁界
の関係を示しており、Ｄｙは約２１％〜約２６％の範囲
で消去磁界が約３００Ｏｅ以下となり消去磁界を小さく
することが可能であり、特に、約２２％〜約２６％の範
囲では約２００Ｏｅ以下となっており、消去磁界が小さ
くて済む。
【００６８】記録層Ｄｙが２３％以上の補償組成からＤ
ｙリッチ組成の範囲に設定することで、消去のために要
する磁界も低減される。なお、記録層のＤｙが多すぎる
と記録動作が不安定となりＣ／Ｎが低下するので、Ｄｙ
は約２５％以下が好ましい。また、約２５％以下とすれ
ば消去磁界も低減される。
【００６９】以上のように、本発明の構成の光磁気記憶
媒体において、補償組成からＲＥリッチ組成の範囲の記
録層を用いることにより、クロストークを低減できると
ともに、消去磁界も低減することができる。
【００７０】また、本発明の構成、組成にすることで、
補償組成からＴＭリッチ組成の範囲の転写層と、補償組
成からＲＥリッチ組成の範囲の記録層の磁化が室温では
逆向きになることで打ち消し合い、室温近傍の隣接トラ
ックからの磁界が発生しなくなるために、クロストーク
が抑制できる。
【００７１】記録層としては、他に、ＴｂＤｙＦｅＣ
Ｏ、あるいはＴｂＧｄＦｅＣｏ等の材料であっても同様
の効果が得られる。
【００７２】また、ＣＡＤ媒体に限らず、熱と磁界を利
用して、ビームスポットよりも小さなマークを再生する
為の光磁気記憶媒体、例えば、磁気拡大再生等の光磁気
記憶媒体でも応用可能である。
【００７３】図１４は、本発明が適用される記憶装置／
光学装置の一例として光ディスクドライブのブロック図
である。光ディスクドライブは、コントローラ３００と
エンクロージャ３０２で構成される。コントローラ３０
０には全体的な制御を行うＭＰＵ３１４、ホスト（上位
処理装置）との間でデータの転送を行うインタフェース
コントローラ３１６、媒体のリード、ライトに必要なフ
ォーマッタやＥＣＣ機能を備えた光ディスクコントロー
ラ３１８及びバッファメモリ３２０を備える。
【００７４】光ディスクコントローラ３１８からの指示
により、ライトデータを処理するエンコーダ３２２が設
けられる。また、ＭＰＵ３１４の指示を受け、レーザダ
イオード制御回路３１２、レーザダイオードユニット３
３０により、光ビームが約１ｍＷ〜約５ｍＷの範囲の複
数レベルのパワーで出射される。
【００７５】また、光ディスクからの戻り光を検出する
ディテクタ３３２からの出力をヘッドアンプ３３４、リ
ードＬＳＩ回路３２８、デコーダ３２６を経て処理し、
再生データを得た後に、光ディスクコントローラ３１８
によりホストへデータを転送する。
【００７６】ディテクタ３３２は光ディスクからの戻り
光を受光し、その出力をヘッドアンプ３３４により増幅
して、ＩＤ（エンボスピット）信号とＭＯ（光磁気）信
号をリードＬＳＩ回路３２８に出力する。リードＬＳＩ
回路３２８は入力したＩＤ信号及びＭＯ信号からリード
クロックＲＣとリードデータＲＤを作成し、デコーダに
出力する。
【００７７】ＭＰＵ３１４は、温度センサ３３６で検出
した装置内の環境温度モニタし、環境温度に基づきレー
ザダイオードユニット３３０における発光パワーを最適
化する。
【００７８】さらに、ＭＰＵ３１４はドライバ３３８を
介してスピンドルモータ３４０を制御するとともに、ド
ライバ３４２を介して磁界発生部（電磁石）３４４を制
御する。この電磁石により、再生時、記録時、消去時等
のいずれかの少なくとも１つ以上のプロセスにおいて光
磁気ディスクに対して磁界が供給される。
【００７９】なお、前述した構成の光磁気記憶媒体の場
合、本実施例では、再生磁界としては−数１０〜約−１
００エルステッド、記録磁界としては約−２００〜約−
３００エルステッド、消去磁界としては約２００〜約３
００エルステッドの範囲で設定される。なお、１Ｏｅ
（エルステッド）は１Ａ／ｍ（アンペア／メートル）で
ある。
【００８０】ＤＳＰ３１５はサーボエラー信号に基づい
てヘッドアクチュエータに搭載された対物レンズを光デ
ィスクの目標位置に位置付けるサーボ制御を行う。この
サーボ制御は、対物レンズを光ディスクの目標トラック
に位置付けるトラック制御と、対物レンズを光ディスク
に対し合焦位置に制御するフォーカス制御の２つの機能
を持つ。このサーボ制御に対応して、フォートディテク
タ３４６、フォーカスエラー信号作成回路３４８、トラ
ックエラー信号作成回路３５０、トラックゼロクロス
（ＴＺＣ）検出回路３５２が設けられる。
【００８１】フォーカスエラー作成回路３４８は、例え
ばナイフエッジ法によってフォーカスエラー信号を作成
する。ＤＳＰ３１５は、フォーカスエラー信号に基づい
て、ドライバ３５４によりフォーカスアクチュエータ３
５６を駆動シ 、対物レンズを光ビームの光軸方向の合焦
位置に位置決めする。
【００８２】また、トラックエラー信号を利用して、ド
ライバ３５８によりＶＣＭ（ボイスコイルモータ）を用
いたヘッドアクチュエータ３６０をトラック横断方向に
駆動し、対物レンズを光ディスク上の目標トラック／目
標セクタに位置付ける。
【００８３】このような構成の光学装置に、前述した記
憶媒体を使用する際（初期設定時／ロード時／アクセス
時／環境変化時等のいずれかのタイミング）に、光ビー
ム制御部によって媒体それぞれに対応する記録パワーレ
ベルもしくは再生パワーレベル等の所望のパワーの光ビ
ームに設定／制御するとともに、磁界発生部によって媒
体それぞれに対応するとともに記録／消去／再生等の処
理に対応する磁界の向きや大きさを設定／制御すること
で、媒体の目的位置に記録もしくは再生を少なくとも行
うことができる。なお、記憶媒体は装置に対して交換可
能であっても、固定的に設けられていても良い。
【００８４】また、本発明の媒体はディスク状に関わら
ず、カード状、テープ状の媒体でも適用範囲として含む
ものであり、本発明の光学装置はこれらの媒体に対応し
た構成を有するものに応用可能である。 （付記１） 少なくとも再生層、非磁性層、転写層、遮
断層、記録層をこの順に積層し、前記再生層が単層で室
温で面内の磁化容易性を示し、前記転写層、前記記録層
が単層で室温において垂直方向の磁化容易特性を有する
光磁気記憶媒体において、前記遮断層のキュリー温度を
Ｔｃs 、前記記録層のキュリー温度をＴｃk とした時、 Ｔｃs ＜Ｔｃk の関係であることを特徴とする光磁気記憶媒体。 （付記２） 前記転写層のキュリー温度をＴｃt とした
時、 Ｔｃt ＞Ｔｃs の関係であることを特徴とする付記１記載の光磁気記憶
媒体。 （付記３） 少なくとも再生層、非磁性層、転写層、遮
断層、記録層をこの順に積層し、前記再生層が単層で室
温で面内の磁化容易性を示し、前記転写層、前記記録層
が単層で室温において垂直方向の磁化容易特性を有する
光磁気記憶媒体において、前記転写層、前記遮断層の膜
厚をＴt , Ｔs とした時、 Ｔt ＞Ｔs の関係であることを特徴とする光磁気記録媒体。 （付記４） 前記記録層の膜厚をＴk とした時、 Ｔs ＜Ｔk の関係であることを特徴とする付記３記載の光磁気記録
媒体。 （付記５） 前記再生層がＧｄＦｅＣｏ系材料からなり
室温でＧｄ組成リッチであることを特徴とする付記１乃
至付記４記載の光磁気記録媒体。 （付記６） 前記転写層がＧｄＦｅＣｏ系材料又はＧｄ
ＤｙＦｅＣｏ系材料から成り、その組成が室温で補償組
成あるいはＦｅＣｏリッチであることを特徴とする付記
１乃至付記５記載の光磁気記録媒体。 （付記７） 前記遮断層がＴｂＦｅ系材料又はＴｂＦｅ
Ｃｏ系材料であることを特徴とする付記１乃至付記６記
載の光磁気記録媒体。 （付記８） 前記記録層が希土類遷移金属からなりその
組成が室温で補償組成あるいは希土類リッチ組成である
ことを特徴とする付記１乃至付記７記載の光磁気記録媒
体。 （付記９） 前記記録層がＴｂＦｅＣｏ系材料又はＤｙ
ＦｅＣｏ系材料又はＴｂＤｙＦｅＣｏ系材料又はＧｄＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ系材料であることを特徴とする付記１乃
至付記７記載の光磁気記録媒体。 （付記１０） 前記転写層、前記遮断層、前記記録層の
膜厚をＴt 、Ｔs 、Ｔkとした時、 Ｔs ＜Ｔt 、又は／及び、Ｔs ＜Ｔk の関係であることを特徴とする付記１記載の光磁気記録
媒体。
【００８５】
【発明の効果】以上、説明してきたように、記録層及び
転写層の間に遮断層を設けることにより、記録層及び転
写層の特性を良好にして、消去磁界を小にするとともに
転写時の磁化Ｍｓを十分確保することができ、かつＣ／
Ｎを向上させることが可能になる。従って、隣接トラッ
クからのクロストークを低減することが可能になり、ト
ラック密度をさらに小さくして高密度化を図ることが可
能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＡＤ媒体の原理説明図である。
【図２】光磁気記憶媒体の構成説明図である。
【図３】遮断層Ｃｏ組成とＴｃの関係を示すである。
【図４】遮断層ＴｃとＣ／Ｎの関係を示す図である。
【図５】転写層膜厚とＣ／Ｎの関係を示す図である。
【図６】記録層膜厚とＣ／Ｎの関係を示す図である。
【図７】転写層Ｇｄ組成とＣ／Ｎの関係を示す図であ
る。
【図８】記録層Ｔｂ組成とＣ／Ｎの関係を示す図であ
る。
【図９】記録層Ｔｂ組成とクロストークの関係を示す図
である。
【図１０】記録層Ｔｂ組成と消去磁界の関係を示す図で
ある。
【図１１】記録層Ｄｙ組成とＣ／Ｎの関係を示す図であ
る。
【図１２】記録層Ｄｙ組成とクロストークの関係を示す
図である。
【図１３】記録層Ｄｙ組成と消去磁界の関係を示す図で
ある。
【図１４】本発明が適用される光ディスクドライブのブ
ロック図である。
【符号の説明】
１０１・・・ トラック １０２・・・ ビームスポット １０３・・・ 開口部（中心部） １０４、１０５・・・ マスク部（低温部） ２０２・・・ 記録層 ２０３・・・ 誘電体層 ２０４・・・ 再生層 ２１１・・・ 再生磁界 ２１２・・・ 記録磁界 ２１３・・・ 消去磁界

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも再生層、非磁性層、転写層、
    遮断層、記録層をこの順に積層し、前記再生層が単層で
    室温で面内の磁化容易性を示し、前記転写層、前記記録
    層が単層で室温において垂直方向の磁化容易特性を有す
    る光磁気記憶媒体において、 前記遮断層のキュリー温度をＴｃs 、前記記録層のキュ
    リー温度をＴｃk とした時、 Ｔｃs ＜Ｔｃk の関係であることを特徴とする光磁気記憶媒体。
  2. 【請求項２】前記転写層のキュリー温度をＴｃt とした
    時、 Ｔｃt ＞Ｔｃs の関係であることを特徴とする請求項１記載の光磁気記
    憶媒体。
  3. 【請求項３】少なくとも再生層、非磁性層、転写層、遮
    断層、記録層をこの順に積層し、前記再生層が単層で室
    温で面内の磁化容易性を示し、前記転写層、前記記録層
    が単層で室温において垂直方向の磁化容易特性を有する
    光磁気記憶媒体において、 前記転写層、前記遮断層の膜厚をＴt , Ｔs とした時、 Ｔt ＞Ｔs の関係であることを特徴とする光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 前記記録層の膜厚をＴk とした時、 Ｔs ＜Ｔk の関係であることを特徴とする請求項３記載の光磁気記
    録媒体。
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