JP3177395B2

JP3177395B2 - 光磁気記録媒体及びその再生方法

Info

Publication number: JP3177395B2
Application number: JP01376895A
Authority: JP
Inventors: 順司広兼; 純一郎中山; 理伸三枝; 明高橋
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-01-31
Filing date: 1995-01-31
Publication date: 2001-06-18
Anticipated expiration: 2016-06-18
Also published as: JPH08203141A; US5633838A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体と、その再生方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】書き換え可能な光記録媒体として、光磁
気記録媒体が実用化されているが、従来の光磁気記録媒
体は、照射される光ビームのビーム径に比べて記録ビッ
ト径及び記録ビット間隔が小さくなってくると、再生特
性が劣化してくるという欠点がある。このような欠点
は、集光された光ビームの中に隣接する記録ビットが入
ってくるため、一つ一つの記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。

【０００３】上記の欠点を解消すべく、ＭＯＲＩＳ’９
４において磁気的超解像現象を利用した光磁気再生技術
に関する数件の発表が行われた。その発表の予稿集にお
けるＮｏ．２９−Ｋ−０４”ＭＳＲＤｉｓｋｓｗｉ
ｔｈＴｈｒｅｅＭａｇｎｅｔｉｃＬａｙｅｒｓ
ＵｓｉｎｇＩｎ−ＰｌａｎｅＭａｇｎｅｔｉｚａｔ
ｉｏｎＦｉｌｍｓ”（ｐ．１２５）と、Ｎｏ．２９−
Ｋ−０５”Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ−Ｉｎｄｕｃｅｄ
ＳｕｐｅｒＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＵｓｉｎｇＭ
ａｇｎｅｔｏ−ＳｔａｔｉｃＣｏｕｐｌｉｎｇ”
（ｐ．１２６）においては、光磁気記録媒体として、室
温で面内磁化状態であり、温度上昇とともに垂直磁化状
態となる再生層と記録層との間に、面内磁化を有する中
間層又は、非磁性中間層を設けたものを使用しており、
このことにより、面内磁化状態にあるＦｒｏｎｔｍａ
ｓｋ（前方マスク）とＲｅａｒｍａｓｋ（後方マス
ク）が形成され、さらに後方マスクによる信号変化が急
峻となることが示されている。

【０００４】また、Ｎｏ．２９−Ｋ−０６”ＮｅｗＲ
ｅａｄｏｕｔＴｅｃｈｎｉｑｕｅｕｓｉｎｇＤｏｍ
ａｉｎＣｏｌｌａｐｓｅｏｎＭａｇｎｅｔｉｃ
Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ”（ｐ．１２７）においては、後
方マスクによる急峻な信号変化において良好なジッタ特
性が得られること及び、再生信号を微分することによ
り、精度良く記録ビットの位置が検出されることが開示
されている。

【０００５】また、本出願人は、先に、磁気的超解像現
象を利用した光磁気再生技術に関する他の提案を行った
（出願日：１９９４年１２月２７日、発明の名称：光磁
気記録媒体およびその再生方法、特願平６−３２６３８
７）。図２５は、その光磁気録媒体を示す概略構成図で
ある。図２５に示すように、基板１、透明誘電体層２、
再生層３、非磁性中間層９、記録層４、保護層５、オー
バーコート層６が、ディスク本体１００にこの順にて積
層されている。上記基板１は、透明な基材、例えば、ポ
リカーボネートからなり、ディスク状に形成されてい
る。

【０００６】上記記録層４は、デジタル情報を、反平行
となる垂直な磁化方向によって記録される記録ビット１
０１，１０２を有するように設けられている。この記録
ビット１０１，１０２は情報を記録するための記録用磁
区である。

【０００７】再生層３は、上記記録ビット１０１，１０
２から磁化方向が転写される再生ビットを有するように
記録層４上に設けられている。この再生層３は、再生層
３の垂直磁化膜の補償温度がほぼ室温となるように、さ
らに、温度上昇に伴って飽和磁化が大きくなって再生温
度の近傍で極大となり、かつ、室温から再生温度までの
温度上昇に伴って保持力の低下が飽和磁化の増加と比べ
て小さいものとなるように形成されている。具体的に
は、再生ビットにおける安定に存在し得る安定磁化幅
が、室温の場合には、各記録ビット１０１，１０２の磁
化幅４ａより大きくなり、再生ビットの磁化方向を検出
するための光ビーム８によって再生温度まで昇温された
場合には、上記安定磁区幅が昇温にしたがって順次小さ
くなり磁区幅４ａ以下となるように設定されている。

【０００８】非磁性中間層９は、２つの磁性イオンの磁
気モーメント、すなわちスピンの相対的な方向を決める
磁気的な結合力である交換相互作用を記録層４と再生層
３との間にて遮断するためのものである。

【０００９】上記構成により、室温では、再生層３にお
ける再生ビットの安定磁区幅が記録ビット１０１，１０
２の磁区幅４ａより大きいことから記録ビット１０１，
１０２の幅にて再生ビットが存在し得ないようになって
いる。また、再生層３と記録層４とが中間層９によって
上記再生層３と記録層４との間の交換相互作用が遮断さ
れているため、再生ビットの磁化方向が記録ビットの磁
化方向に揃わないようになっている。そして、再生層３
に集光された光ビーム８が照射されると、光ビーム８の
強度分布（ほぼガウス分布）に対応して、再生層３およ
び記録層４に同様な温度分布が形成される。この温度上
昇と共に、上記再生ビットの安定磁区幅が小さくなっ
て、記録ビット１０１に対応する大きさの再生ビットが
安定に存在できるようになったとき、記録層４から発生
する浮遊磁界１０７によって磁化反転された再生ビット
３ａが形成される。このとき、再生ビット３ａと異なる
他の再生ビット３ｂは、記録層４との磁気的な結合力が
小さいため、再生ビット３ａとは分離されて、外部磁界
等により磁化方向が揃えられる。

【００１０】従って、再生層３の設定を適当に行えば、
光ビーム８が照射された領域の内の一部分のみを磁化反
転可能とすることができる。このため、記録ビット１０
１，１０２の大きさや間隔を従来より小さくしても、一
つ一つの再生ビットを分離することができ、光磁気記録
媒体の記録密度を向上させることができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たＭＯＲＩＳ’９４において発表された光磁気記録媒体
では、再生の際形成される後方マスクにより再生信号の
立ち下がりは急峻となるが、再生信号の立ち上がりは、
従来同様、光ビームの移動，温度上昇に伴うなだらかな
ものとなる。このため、光磁気記録媒体の記録密度を充
分に向上させることができないという問題がある。

【００１２】また、上記した本出願人の提案した光磁気
記録媒体では、再生層３が昇温され、安定磁区幅が記録
ビット１０１，１０２の磁区幅よりも小さくなった時点
で、再生層３において瞬間的に反転磁区が形成されるた
め、再生信号の立ち上がりが急峻となるが、再生層３の
温度の下降過程が比較的緩やかであるため、再生信号の
立ち下がりが緩やかになってしまい、光磁気記録媒体の
高密度記録化を充分に行えないという問題がある。

【００１３】本発明は上記の問題点を考慮してなされた
ものであって、高密度記録を実現できる光磁気記録媒体
と、その光磁気記録媒体の再生方法を提供することを目
的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１に記載の光磁気記録媒体は、情報が垂直な
磁化方向によって記録される記録磁区を有する記録層
と、室温においては安定磁区幅が記録磁区幅よりも大き
く、第１の臨界温度よりも高い温度においては安定磁区
幅が記録磁区幅以下となる第１の再生層と、室温におい
ては安定磁区幅が記録磁区幅よりも小さく、第１の臨界
温度よりも高く設定された第２の臨界温度以上の温度で
は安定磁区幅が記録磁区幅以上となる第２の再生層とか
らなり、前記記録磁区からの浮遊磁界により磁化反転を
起こす再生層と、記録層と再生層との間に形成され非磁
性膜あるいは面内磁化膜からなる中間層と、を備えてな
ることを特徴としている。

【００１５】請求項２に記載の光磁気記録媒体は、上記
請求項１に記載の光磁気記録媒体において、記録層が、
垂直磁化方向が互いに反平行となる第１の記録磁区と第
２の記録磁区を有し、第１の記録磁区の幅が第２の記録
磁区の幅より小さくなるよう形成されており、前記第１
の再生層が、室温では安定磁区幅が第１の記録磁区の幅
よりも大きく、第１の臨界温度よりも高い温度では安定
磁区幅が第１の記録磁区の幅以下となるものであり、前
記第２の再生層は、室温では安定磁区幅が前記第１の記
録磁区の幅よりも小さく、第１の臨界温度よりも高く設
定された第２の臨界温度以上の温度では安定磁区幅が第
１の記録磁区の幅以上となるものであることを特徴とし
ている。

【００１６】請求項３に記載の再生方法は、請求項１ま
たは請求項２に記載の光磁気記録媒体の再生時に、光ビ
ームにより、再生層を第２の臨界温度以上に昇温する一
方、記録層をキュリー温度以上には加熱しないことを特
徴としている。

【００１７】請求項４に記載の再生方法は、請求項１に
記載の光磁気記録媒体に、光ビームを照射することによ
り、記録層に記録された情報を再生する再生方法におい
て、再生層の磁化状態を外部磁界によって初期化してお
くことを特徴としている。

【００１８】請求項５に記載の再生方法は、請求項１ま
たは請求項２に記載の光磁気記録媒体に、光ビームを照
射することにより、記録層に記録層に記録された情報を
再生する再生処理信号を用いて、情報を再生することを
特徴としている。

【００１９】

【作用】本発明の請求項１の光磁気記録媒体は、再生層
（第１の再生層と第２の再生層からなる）と記録層と
が、非磁性膜あるいは面内磁化膜からなる中間層により
遮断され、再生層と記録層との間の交換相互作用が遮断
されているため、記録層と再生層との間に働く力が浮遊
磁界による静磁結合力のみとなり、再生層の保持力を小
さく設定しても、室温において、再生層の磁化方向が記
録層の磁化方向に揃うことが回避される。

【００２０】第１の再生層は、室温においてその安定磁
区幅が記録磁区幅よりも大きく、第１の臨界温度以上で
は安定磁区幅が記録磁区幅よりも小さくなる性質、つま
り、第１の臨界温度以上において磁化反転が発生する性
質を持っており、第２の再生層は、室温においてその安
定磁区幅が記録磁区幅よりも小さく、第２の臨界温度以
上では安定磁区幅が記録磁区幅よりも大きくなる性質、
つまり、第２の臨界温度以上において反転磁区が消滅す
る性質を持っている。このため、再生層上の光ビームが
照射されていない部分においては、記録磁区からの浮遊
磁界による再生層の磁化反転は発生せず、再生出力は得
られないが、光ビームにより第１の臨界温度以上に昇温
された部分においては、記録磁区からの浮遊磁界により
再生層の磁化反転が発生し、再生出力が得られる。ま
た、更に昇温されて第２の臨界温度以上となった部分に
おいては、記録磁区からの浮遊磁界により磁化反転した
反転磁区が消滅する。このため、光ビームの照射により
昇温して記録磁区の磁化方向が転写された再生層の磁化
方向を検出する際、光ビームの照射されている部分のう
ち、その温度が第１の臨界温度以上で第２の臨界温度以
下となっている部分にのみ、記録磁区の磁化方向が転写
されていることになる。

【００２１】従って、再生層を適当に設定することによ
り、光ビームのビーム径よりも小さなピッチで形成され
た記録磁区の再生を行う場合においても、光ビームの中
に入ってくる隣接する他の記録磁区の影響を排除するこ
とができるため、記録層における記録磁区の大きさや間
隔を従来より小さくできて、光磁気記録媒体の大容量化
に必要な記録の高密度化を実現することが可能となる。

【００２２】請求項２に記載の光磁気記録媒体は、記録
層が、反平行の磁化方向によって情報が記録される第１
の記録磁区と第２の記録磁区を有しており、第１の記録
磁区の幅が第２の記録磁区の幅よりも小さくなるように
設定されている。この場合、記録層からは、記録された
各磁化方向と同一方向の浮遊磁界が発生するが、室温に
おいては再生層はトータルの浮遊磁界が大きくなる方向
に初期化されることになる。つまり、再生層の磁化方向
は第２の記録磁区の磁化方向に揃うことになる。

【００２３】このため、光ビームが照射され記録磁区の
磁化方向が転写される部分を除いた他の部分の磁化方向
を、外部磁界を加えることなく、第２の記録磁区の磁化
方向に揃えることができる。

【００２４】請求項３に記載の再生方法では、光ビーム
により、再生層を第２の臨界温度以上に昇温するため、
上記した再生層における反転磁区の生成と消滅を実現す
ることができる。また、記録層をそのキュリー温度以上
に加熱しないため、記録層の記録磁区から浮遊磁界が発
生し、記録磁区の磁化方向を再生層に転写することが可
能となる。

【００２５】請求項４に記載の再生方法では、再生層の
磁化方向を、外部磁界により初期化する。このため、光
ビームにより再生層を昇温して、記録磁区の磁化方向を
それに対応する再生磁区に転写する際に、他の再生磁区
の磁化方向の影響を軽減することができ、転写された磁
化方向を安定に検出することが可能となる。

【００２６】請求項５に記載の方法によれば、再生層に
光ビームを照射することにより得られる再生信号の微分
処理信号を、情報を再生するための信号として用いるた
め、記録磁区の位置をより正確に検出することが可能と
なる。

【００２７】

【実施例】

（第１の実施例）本発明の第１の実施例について図面を
用いて説明すれば以下の通りである。

【００２８】図１は本実施例の光磁気記録媒体を示す概
略構成図である。この光磁気記録媒体は、基板１，透明
誘電体層２，第１の再生層３１，第２の再生層３２，非
磁性中間層９，記録層４，保護層５，オーバーコート層
６がこの順に積層された構成となっており、光ビーム８
が対物レンズ７により第１の再生層３１及び第２の再生
層３２に絞り込まれ、記録再生が行われる。

【００２９】本例の光磁気記録媒体では、第１の再生層
３１と第２の再生層３２において安定に存在し得る磁区
の幅を、集光された光ビーム８により発生する温度分布
に基づいて制御して、瞬間的な磁区の生成と消滅を発生
させる。このため、図１に示すように光ビーム８が照射
されている再生層３１，３２の一部分のみが記録磁区か
ら発生する浮遊磁界に対応して反転する。従って、集光
された光ビーム８のビーム径よりも小さなピッチで形成
された記録磁区の再生も可能となる。

【００３０】図２を用いて、更に詳しくその再生方法に
ついて説明する。

【００３１】図２（ａ）は本例の光磁気ディスクの上面
図である。光磁気ディスクにおいては、通常トラックに
沿って記録層に記録磁区が記録情報に対応して形成され
ていいるが、ここでは、再生特性を分かりやすく説明す
るため、記録磁区が一つだけ形成されているものとして
いる。

【００３２】光ビーム８はディスク基板上に形成された
トラック１００に沿って相対的に移動する。光ビーム８
の移動に伴い光ビームスポット１０も同様に移動し、そ
の移動速度に対応して記録媒体には１０２，１０３に示
すような温度分布が発生する。１０２，１０３は等温線
を示しており、光ビーム８が移動することにより、光磁
気ディスクにおいて最も温度が高くなる部分は、光ビー
ムスポット１０の後方に位置することになる。ここで、
等温線１０２は、第１の再生層３１の安定磁区幅が記録
層４の記録磁区幅と一致する第１の臨界温度を示してお
り、等温線１０３は、第２の再生層３２の反転磁区が消
滅する第２の臨界温度を示している。

【００３３】図２（ｂ）は、記録磁区１０１が等温線１
０２内に入る前の状態を示している。この状態では、第
２の再生層３２においては、磁化反転が可能となってい
る。しかし、第１の再生層３１においては、第１の臨界
温度より温度が低いため、第１の再生層３１において安
定に存在し得る磁区幅が記録磁区幅より大きく、第１の
再生層３１において記録磁区１０１に対応した磁化反転
は発生しない。従って、再生層３１，３２には磁化反転
が起こらない。

【００３４】次に、光ビームスポット１０が移動し、記
録磁区１０１上を等温線１０２が通過した後、等温線１
０３が通過する前の状態を図２（ｃ）に示す。このと
き、記録磁区１０１上の再生層３の温度は、第１の臨界
温度より高く、第２の臨界温度よりも低くなっている。
従って、第１の再生層３１において安定に存在し得る磁
区幅は記録磁区幅よりも小さくなり、再生層３において
記録磁区１０１に対応した磁化反転が発生する。この磁
化反転は、第１の再生層３１の安定磁区幅が記録磁区１
０１の幅よりも小さくなった時点で瞬間的に起こるた
め、再生信号は急峻な立ち上がりを持つ。

【００３５】次に、等温線１０３が記録磁区１０１を通
過した状態を図２（ｄ）に示す。この状態では、第２の
再生層３２において安定に存在する磁区幅が記録磁区幅
よりも大きくなり、第２の再生層３２において反転磁区
が消滅する。このときの反転磁区の消滅は、第２の再生
層３２の安定磁区幅が記録磁区１０１の幅よりも大きく
なった時点で瞬間的に起こるため、再生信号の立ち下が
りが急峻となる。

【００３６】以上より、記録磁区１０１に対応する磁区
が再生層において安定に存在し得るのは、再生層３の温
度が、第１の臨界温度よりも高く、第２の臨界温度より
も低い温度となっている時に限られることが判る。

【００３７】図３は再生信号の一例を示す波形図であ
る。図３（ａ）は、異なる長さを持つ記録磁区１０４を
示す図である。図３（ｂ）は、従来技術（ＭＯＲＩＳ’
９４，２９−Ｋ−０５，２９−Ｋ−０６）において示さ
れた光磁気記録媒体において得られる再生信号波形を示
しており、再生層における瞬間的な磁区の消滅（コラプ
ス）により、立ち下がりの急峻な再生信号となる。この
急峻な信号の立ち下がり部分においては、正確な位置情
報の検出が可能となるが、再生信号の立ち上がり部分
は、従来同様、光ビームの移動に伴う緩やかな信号変化
しか得られない。

【００３８】一方、本発明の光磁気記録媒体は、再生層
３を第１の再生層３１と第２の再生層３２とで構成して
おり、再生層３における瞬間的な磁区の生成と消滅を利
用するため、図３（ｄ）に示すように、光ビームの移動
１０７に伴い、記録磁区１０４に光ビームが到達した時
点で、第１の再生層３１における瞬間的な反転磁区の生
成１０５が起こり、記録磁区１０４から光ビームが離れ
た時点で、第２の再生層３２における瞬間的な反転磁区
の消滅１０６が起こる。このため、立ち上がり・立ち下
がりが共に急峻な再生信号波形（図３（ｃ））が得られ
る。

【００３９】本発明においては、このように急峻な立ち
上がりと立ち下がりを持った再生信号が得られるため、
正確な位置情報の検出が可能となる。また、従来技術よ
りも高密度記録を実現することが可能となる。

【００４０】次に、上記構成の光磁気記録媒体の形成方
法について説明する。

【００４１】まず、Ａｌ，第１のＧｄＦｅＣｏ合金，第
２のＧｄＦｅＣｏ合金，ＤｙＦｅＣｏ合金，からなる４
つのターゲットを備えたスパッタ装置内に、プリグルー
ブ及びプリピットを有するポリカーボネート製のディス
ク基板１を基板ホルダーに配置し、スパッタ装置内を１
×１０^- ⁶ Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌのターゲットに電力を供給
して、ガス圧４×１０^- ³ Ｔｏｒｒの条件で、基板１に
ＡｌＮからなる透明誘電体層２を形成する。ここで、透
明誘電体層２の膜厚は、再生特性を改善するため、再生
光の波長の１／４をその屈折率で除した値程度に設定さ
れ、再生光の波長を６８０ｎｍとすると、１０ｎｍ〜８
０ｎｍ程度の膜厚でよく、本実施例においては、透明誘
電体層の膜厚を５０ｎｍとした。

【００４２】次に、再度、１×１０^- ⁶ Ｔｏｒｒまで真
空排気した後、アルゴンガスを導入し、第１のＧｄＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧を４×１
０^- ³ Ｔｏｒｒとし、Ｇｄ₀ _. ₁ ₈ （Ｆｅ₀ _. ₆ ₆ Ｃｏ₀
_. ₃ ₄ ）₀ _. ₈ ₂ からなる第１の再生層３１を形成し
た。この第１の再生層３１は、室温において、補償組成
に対してＴＭ（遷移）金属がＲＥ（希土類）金属に比べ
て多いＴＭリッチ組成であり、ほぼ室温に補償温度を持
ち、そのキュリー点は４２０℃である。第１の再生層３
１の膜厚は、記録層４に記録された磁化情報が信号出力
となって現れることをある程度防ぐ必要があるため、１
０ｎｍ以上であることが望ましい。また、第１の再生層
３１が厚くなり過ぎると温度上昇に必要となる光ビーム
パワーが大きくなり、記録感度の低下の原因となる。そ
のため、第１の再生層３１の膜厚は、５０ｎｍ以下であ
ることが望ましい。本例においては、膜厚を２０ｎｍと
した。

【００４３】次に、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲット
に電力を供給して、ガス圧を４×１０^- ³ Ｔｏｒｒと
し、Ｇｄ₀ _. ₃ ₁ （Ｆｅ₀ _. ₆ ₄ Ｃｏ₀ _. ₃ ₄ ）₀ _. ₆
₉ からなる第２の再生層３２を形成する。この第２の再
生層３２は、室温で補償組成に対してＴＭ（遷移）金属
がＲＥ（希土類）金属に比べて少ないＲＥリッチ組成で
あり、そのキュリー点は４２０℃である。第２の再生層
３２の膜厚は、記録層４に記録された磁化情報が信号出
力となって現れることをある程度防ぐ必要があるため、
１０ｎｍ以上であることが望ましいが、厚くなり過ぎる
と、温度上昇に必要となる光ビームパワーが大きくなる
ため、記録感度の低下の原因となる。そのため、第２の
再生層３２は、５０ｎｍ以下であることが望ましい。本
例においては、再生層３２の膜厚を２０ｎｍとした。

【００４４】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌのターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１
０^- ³ Ｔｏｒｒの条件で、基板１にＡｌＮからなる非磁
性中間層９を形成する。ここで、非磁性中間層９の膜厚
は、記録層４から発生する浮遊磁界を効果的に再生層３
に伝えるため、６０ｎｍ以下であることが望ましい、ま
た、再生層３１，３２と記録層４との磁気的交換結合が
存在しないようにするため、１ｎｍ以上であることが望
ましい。本例においては、非磁性中間層９の膜厚を５ｎ
ｍとした。

【００４５】そして、再度、１×１０^- ⁶ Ｔｏｒｒまで
真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＤｙＦｅＣｏ
のターゲットに電力を供給し、ＧｄＦｅＣｏ再生層３と
同様な条件で、Ｄｙ₀ _. ₂ ₃ （Ｆｅ₀ _. ₇ ₅ Ｃｏ₀ _. ₂
₅ ）₀ _. ₇ ₇ からなる記録層４を形成する。この記録層
４は、ほぼ室温に補償点を有する垂直磁化膜であり、キ
ュリー点は２５０℃であった。記録層４は再生層３の磁
化反転に必要な浮遊磁界を発生しなければならないた
め、その膜厚は２０ｎｍ以上であることが望ましい。ま
た、記録層４が厚くなり過ぎると温度上昇に必要となる
光ビームパワーが大きくなり、記録感度の低下の原因と
なる。そのため、記録層４は、２００ｎｍ以下であるこ
とが望ましい。本例においては、再生層３の膜厚を６０
ｎｍとした。

【００４６】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌのターゲットに電力を供給して、透明誘電体層
２と同一の作製条件で、ＡｌＮからなる保護層５を形成
する。ここで、保護層５の膜厚は、磁性層を酸化等の腐
食から保護することが可能であればよく、５ｎｍ以上で
あることが望ましい。本例においては、保護層５の膜厚
を２０ｎｍとした。

【００４７】そして、紫外線硬化樹脂、又は、熱硬化樹
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射する
か、加熱することによりオーバーコート層６を形成す
る。

【００４８】図４は、第２の再生層３２と保護膜５のみ
を有する試料の保磁力の温度依存性を示す図であり、図
５は、その安定磁区幅の温度依存性を示す図である。こ
れらの図から、保持力及び安定磁区幅は温度上昇と共に
大きくなり、２００℃となったところで、安定磁区幅が
約０．５μｍとなることが分かる。従って、０．５μｍ
幅の磁区は、室温では安定に存在するが、２００℃以上
の温度では安定に存在しなくなる。

【００４９】次に、図６は、第１の再生層３１と保護膜
５のみを有する試料の保磁力の温度依存性を示す図であ
る。図７は、その安定磁区幅の温度依存性を示す図であ
る。これらの図から、温度上昇に伴い保持力及び安定磁
区幅が小さくなり、１００℃となったところで、安定磁
区幅が約０．５μｍとなることが分かる。従って、０．
５μｍ幅の磁区は、室温では安定に存在するが、１００
℃以上の温度では安定に存在するようになる。

【００５０】従って、記録磁区幅が０．５μｍの場合に
は、上記した第１の臨界温度，第２の臨界温度はそれぞ
れ１００℃，２００℃であり、第１の再生層３１と第２
の再生層３２を積層した場合には、１００℃以上２００
℃以下の温度範囲のみで、記録層４からの浮遊磁界によ
る磁化反転が発生することになる。

【００５１】次に、この光磁気記録媒体の記録再生特性
を調べた。図８は、実施例１の光磁気記録媒体における
ＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を示すもので
ある。第１の再生層３１、第２の再生層３２、記録層４
の磁化方向を初期化した後、線速５ｍ／ｓで、記録磁界
を１０ｋＡ／ｍとして、６ｍＷのパワーのレーザ光をパ
ルス照射して、異なるマーク長の記録ビットをマーク長
の２倍のピッチで形成した後、２ｍＷの再生レーザパワ
ーでＣＮＲの測定を行った。非磁性中間層９が存在する
ため、第２の再生層３２と記録層４との磁気的交換結合
は存在せず、記録層４単層の場合と同様に１０ｋＡ／ｍ
程度の弱い記録磁界での記録が可能であった。

【００５２】同図において、実施例１の光磁気記録媒体
は、マーク長０．３μｍ、マークピッチ０．６μｍの記
録ビットにおいて、４０ｄＢのＣＮＲが得られているこ
とが分かる。ＣＮＲの調査は波長８３０ｎｍのレーザを
用いた光学系で行ったが、この条件では、従来の光磁気
記録媒体では、再生すべき記録ビットと隣接記録ビット
との分離が全く行えなくなる。すなわち、マーク長０．
３μｍ、マークピッチ０．６μｍで記録されたビットの
ＣＮＲはゼロとなる。本例では、光磁気記録媒体の再生
に、磁気的超解像現象を介在させているため、上記のよ
うに４０ｄＢのＣＮＲが得ることができた。

【００５３】図９は、マーク長０．３μｍ、マークピッ
チ０．６μｍで記録された磁区から得られた再生信号波
形を示しており、本発明の特徴である矩形の再生波形を
得ることができた。

【００５４】図１０は、マーク長０．３μｍ、マークピ
ッチ０．６μｍの記録ビットにおけるＣＮＲの再生パワ
ー依存性を示すものである。ある再生パワー（約１．５
ｍＷ）を境にして、ＣＮＲが急激に増加する。すなわ
ち、再生パワーの上昇に伴い、図２に示したような再生
層の温度分布が発生し、第１の再生層３１における反転
磁区の瞬間的な生成と第２の再生層３２における反転磁
区の消滅が起こる。

【００５５】再生パワーを更に大きくすると、ＣＮＲが
急激に低下する。これは、記録層がそのキュリー温度近
傍まで温度上昇することにより、記録層から発生する浮
遊磁界が小さくなり、記録磁区の良好な転写が実現でき
なくなることによる。本例の光磁気記録媒体において
は、再生パワーを反転磁区の生成と消滅が可能なパワー
以上とし、かつ、記録磁区の良好な転写が実現できなく
なるパワーより小さくする必要がある。

【００５６】第１の再生層、第２の再生層、非磁性中間
層、記録層の膜厚を変えて、マーク長０．３μｍ、マー
クピッチ０．６μｍの記録ビットにおけるＣＮＲを調べ
た。表１にその結果を示す。ＣＮＲの調査は波長８３０
ｎｍのレーザを用いた光学系で行った。この条件下で、
マーク長０．３μｍ、マークピッチ０．６μｍの記録ビ
ットに対して、何らかのＣＮＲが得られるということ
は、本例の光磁気記録媒体の再生に磁気的超解像現象が
介在していることを意味している。

【００５７】表１において、図３（ｃ）に示す再生波形
と同様な矩形の再生波形の得られたディスクについて
は、再生特性の欄に○印をつけている。ここで実施した
膜厚の範囲においては、ＣＮＲの大小の差が存在するも
のの、すべてのディスクにおいて、磁気的超解像現象の
介在した再生動作が確認された。

【００５８】

【表１】

【００５９】次に、表２は、第１の再生層３１と第２の
再生層３２の組成を変えて、マーク長０．３μｍ、マー
クピッチ０．６μｍの記録ビットにおけるＣＮＲを調べ
た結果である。表２において、Ｘ１，Ｙ１は、第１の再
生層３１のＧｄ_X ₁ （Ｆｅ_Y ₁ Ｃｏ₁ _- _Y ₁ ）₁ _- _X ₁
の組成比を表し、Ｘ２，Ｙ２は、第２の再生層３２のＧ
ｄ_X ₂ （Ｆｅ_Y ₂ Ｃｏ₁ _- _Y ₂ ）₁ _- _X ₂ の組成比を表
している。ＣＮＲの調査は波長８３０ｎｍのレーザを用
いた光学系で行った。

【００６０】表２において、図３（ｃ）に示す再生波形
と同様な矩形の再生波形の得られたディスク、すなわち
磁気的超解像現象の介在した再生動作が見られたディス
クについては、再生特性の欄に○印をつけている。

【００６１】

【表２】

【００６２】表２より、Ｙ１＝０．６６かつＹ２＝０．
６６の場合には、０．１４≦Ｘ１≦０．２４であり、
０．２９≦Ｘ２≦０．３４であることが必要である。Ｘ
１が０．１４より小さくなると室温において、再生層の
微小磁区が安定に存在し、本発明に係る超解像動作を得
ることができなくなる。また、Ｘ１が０．２４より大き
くなると温度上昇に伴う微小磁区の安定化が起こらなく
なり、本発明に係る超解像動作を得ることができなくな
る。一方、Ｘ２が０．２９より小さくなるといかなる温
度範囲においても微小磁区が安定に存在しなくなり、磁
気的超解像動作を得ることができなくなる。また、Ｘ２
が０．３４より大きくなると温度上昇に伴う微小磁区の
消滅が発生せず、磁気的超解像動作を得ることができな
くなる。

【００６３】また、Ｙ１＝０．８０かつＹ２＝０．８０
の場合、０．１２≦Ｘ１≦０．２２であり、０．３１≦
Ｘ２≦０．３８であることが同様の理由で必要となる。
すなわち、Ｘ１及びＸ２の可能な範囲はＹ１及びＹ２の
値により変化する。

【００６４】透明誘電体層について、本実施例ではＡｌ
Ｎを用いて説明しているが、ＳｉＮ，ＭｇＯ，ＳｉＯ，
ＴａＯ等の透明誘電体を用いることが可能である。ただ
し、再生層・記録層を構成する希土類遷移金属合金薄膜
が酸化されやすいため、酸素を含有しないＡｌＮ，Ｓｉ
Ｎを透明誘電体層として用いることが望ましい。

【００６５】また、再生層として、本実施例ではＧｄＦ
ｅＣｏを用いたが、温度変化に伴い安定磁区幅の変化が
認められる材料であればよく、ＧｄＦｅＣｏに限定され
るものではない。例えば、ＧｄＦｅ，ＧｄＤｙＦｅ，Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金薄膜を使用する
ことが可能である。

【００６６】更に、非磁性中間層として、本例ではＡｌ
Ｎを用いたが、磁性を示さない材料であればその機能を
果たすことが可能であり、ＡｌＮの他に、Ａｌ，Ｓｉ，
Ｔａ，Ｔｉ等の金属、及び、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＳｉＯ，
ＴａＯ等の誘電体を使用することが可能である。但し、
上記した誘電体層の場合と同様に、酸素を含有しないＡ
ｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の金属、ＡｌＮ，ＳｉＮを用い
ることが望ましい。また、誘電体層としてＡｌＮを採用
した場合には、中間層としてＡｌ又はＡｌＮを使用し、
誘電体層としてＳｉＮを採用した場合には、中間層とし
てＳｉ又はＳｉＮを使用することにより、中間層を形成
するために新たなスパッタ用ターゲットを必要としない
という効果を得ることができる。

【００６７】また、中間層は、記録層と再生層との間に
働く交換結合力を解消することができればよく、中間層
として、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＦｅＣｏからなる面
内磁化膜を採用することも可能である。

【００６８】次に、記録層として、本実施例ではＤｙＦ
ｅＣｏを用いて説明しているが、再生時、再生層に対し
て磁化反転に必要な浮遊磁界を発生させることができれ
ばよく、ＤｙＦｅＣｏ以外の材料として、ＴｂＦｅＣ
ｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類遷
移金属合金薄膜を使用することが可能である。

【００６９】また、第１の再生層３１と第２の再生層３
２の配置を入れ替えても良い、この場合でも、上記した
本例の光磁気記録媒体と同様の効果を得ることができ
る。

【００７０】（第２の実施例）次に、本発明の光磁気記
録媒体の再生方法について図１１乃至図１９に基づいて
説明する。ここで、光磁気ディスクの構成は、図１に示
したものと同一のものとする。

【００７１】本発明の再生方法では、光ビームの照射さ
れていない部分において、再生層３の磁化方向が予め所
定の方向に揃っていることが望ましい。

【００７２】室温において、第１の再生層３１と第２の
再生層３２の間に交換結合力が働くため、図１，図２に
おいて、初期化状態における第１の再生層３１と第２の
再生層３２の磁化の方向が逆となる。第１の再生層３１
がＴＭｒｉｃｈであれば第２の再生層はＲＥｒｉｃｈと
なるが、この場合、再生層３は、室温で磁化が比較的大
きいＲＥｒｉｃｈの再生層により初期化方向が決定され
る。

【００７３】図１１は、初期化磁石１１を用いて、再生
に先立って、再生層３の磁化方向を所定方向に揃えるる
方法を説明する図である。

【００７４】室温において、ＲＥｒｉｃｈである第２の
再生層３２の保磁力以上、記録層４の保磁力以下の初期
化磁界Ｈ_i _n _i _t を、初期化磁石１１から加えることに
より、再生層の磁化方向を所定方向に揃えることができ
る。ここで、室温において、第１の再生層３１の安定磁
区幅が記録磁区幅より大きくなるよう設定されているた
め、第１の再生層３１の磁化は光ビーム８により温度上
昇させられて、安定磁区幅が記録磁区幅より狭くなるま
で、磁化反転することはない。このように、再生層の初
期化を行うことにより、他の再生層の磁化方向の影響を
軽減することができるため、磁気的超解像現象を実現す
るための再生層の組成範囲を第１の実施例より拡大する
ことが可能となる。

【００７５】図１２は再生磁界発生装置１３を用いる方
法を説明する図である。ここでは、再生磁界発生装置１
３を記録層４の裏側に配置しており、この再生磁界発生
装置１３から再生磁界１２を加えることにより、再生層
の初期化を行う。光ビーム８により温度上昇させられ、
第１の再生層３１の安定磁区幅が狭くなった部分は、記
録層４から発生する浮遊磁界により磁化反転するが、温
度上昇していない部分は、再生磁界１２により、常に所
定方向の磁化方向を持つことになる。この場合、上記の
初期化磁力１１を用いる場合と同様、磁気的超解像現象
を実現するための再生層の組成範囲を第１の実施例より
拡大することが可能となる。また、再生磁界発生装置１
３を記録磁界を発生する手段と共通化することにより、
装置の大型化・コストアップを伴うことなく本発明を実
施することができる。

【００７６】また、記録層４から発生する浮遊磁界１４
を用いて再生層３を初期化することも可能である。図１
３はその説明図である。記録層４からは、記録された磁
化方向と同一方向の浮遊磁界１４が発生するが、室温に
おいては幅の狭いほうの記録磁区による浮遊磁界に従っ
て、再生層３が磁化反転することは困難であり、結局、
再生層３は相対的にトータルの浮遊磁化１４が大きくな
る方向に初期化されることになる。即ち、再生層の磁化
方向は、記録層４においてより広い面積を有する磁化方
向に一致する。

【００７７】従って、記録層４に第１の記録磁区１０
１，第２の記録磁区１０２が形成される場合、非記録部
分（第２の記録磁区１０２）が記録部分（第１の記録磁
区１０１）よりも相対的に大きくなるように設定すれ
ば、浮遊磁界１４により再生層３の初期化を行うことが
できる。

【００７８】このように第２の記録磁区１０２が第１の
記録磁区１０１よりも相対的に大きくなるようにするた
めには、図１４に示すように、記録ビットの位置で情報
を記録するマークポジション記録が記録方式として望ま
しい。しかし、記録ビットの長さで情報を記録するマー
クエッジ記録においても、図１５に示すように、記録ビ
ットの幅１５を記録トラックの幅１６よりも狭くするこ
とにより、第２の記録磁区１０２が第１の記録磁区１０
１よりも相対的に大きくなるようにすることが可能であ
り、本例による磁気的超解像現象を実現することができ
る。

【００７９】次に、ランド部分３０１に記録を行うラン
ド記録方式でマークエッジ記録を行った場合において、
磁気的超解像現象を実現することのできる記録磁区幅に
ついて調べた。図１６は、ピッチ１．１μｍで０．９μ
ｍのランド幅を持つディスク基板上に光磁気記録媒体を
形成し、さまざまな幅（ａμｍ）の記録磁区を形成した
場合の様子を示しており、図１７は、それぞれの幅の記
録磁区におけるＣＮＲの再生パワー依存性を示したもの
である。記録磁区幅が０．９μｍの場合には、再生パワ
ーの増加に伴うＣＮＲの上昇が観測されないため、室温
において再生層３に記録層４の情報が転写されており、
磁気的超解像現象が実現されていないことが判る。

【００８０】一方、記録磁区幅が０．８μｍ、０．７μ
ｍ、０．６μｍ、０．５μｍ、０．４μｍと狭くなるこ
とにより、再生パワーの増加に伴うＣＮＲの上昇が観測
され、記録層４からの浮遊磁界１４により再生層３の初
期化を行うことによる本例の超解像現象を使った再生動
作が実現できていることが判る。即ち、本例の磁気的超
解像現象を実現するためには、記録磁区幅を、記録トラ
ックの幅つまりランド３０１の幅より狭く設定すればよ
い。

【００８１】図１８はピッチ１．４μｍで０．７μｍの
ランド幅とグルーブ幅を持つディスク基板上に、ランド
部分４０１とグルーブ部分４０２の両方に記録を行うラ
ンド・グルーブ記録方式でマークエッジ記録を行った場
合の様子を示す図である。また、図１９は、図１８の記
録磁区幅（ａμｍ）を変化させた場合におけるＣＮＲの
再生パワー依存性を示す図である。記録磁区幅が０．６
μｍの場合には、再生パワーの増加に伴うＣＮＲの上昇
が観測されず、記録層４からの浮遊磁界１４により再生
層３の初期化を行うという本例の磁気的超解像現象を使
った再生動作が実現できていないことが判る。

【００８２】一方、記録磁区幅が０．５μｍ、０．４μ
ｍ、０．３μｍと狭くなることにより、再生パワーの増
加に伴うＣＮＲの上昇が観測され、記録層４からの浮遊
磁界１４により再生層３の初期化を行うことによる本例
の磁気的超解像現象を使った再生動作が実現できている
ことが判る。すなわち、本例の超解像現象を実現するた
めには、記録磁区幅を、記録トラックの幅すなわちラン
ド４０１又はグルーブ４０２の幅より狭く設定すればよ
い。

【００８３】（第３の実施例）次に、本発明の再生方法
の他の例について図２０乃至図２４に基づいて説明す
る。ここで使用する光磁気記録媒体は、０．８μｍピッ
チで直径０．４μｍの記録磁区を図１８に示すようなラ
ンドグルーブ記録されたものとする。

【００８４】図２０は、再生時に得られる再生出力の信
号波形を示すものである。ここで、再生信号の立ち上が
りと立ち下がりが、第１の実施例で示したように、極め
て急峻であることが分かる。

【００８５】図２１は、現在一般に使用されている単層
の磁性層からなる光磁気記録媒体から得られる再生信号
の一例を示すものである。光ビームの移動に伴い光ビー
ムスポット内の記録磁区が移動することにより、サイン
カーブに近い形の再生信号が得られる。

【００８６】一般に、光磁気記録媒体においては差動検
出法が用いられるため、反射率変化による信号振幅の変
動がある程度抑制された形で再生信号が得られる。しか
し、副屈折変動等に伴う差動検出で抑制できない信号振
幅の変動が残っており、再生信号は図２１に示すような
緩やかな上下動を伴うことになる。この場合、定電圧レ
ベルをスライスレベルとすると、信号振幅のゆるやかな
上下動にともない、記録磁区の正確な位置を検出するこ
とができなくなってしまうことになる。このような上下
動による再生エラーを抑制するため、包絡線検波を行っ
て最終信号を得ることが一般に行われている。図２３
は、その信号処理回路を示すブロック図である。ここで
は、再生信号の包絡線２４を包絡線検出回路２０により
検出し、スライスレベル形成回路２１により平均レベル
を包絡線スライスレベル２５として、緩やかな上下動に
伴う記録磁区の位置変動を抑制し、マーク位置検出回路
２２で正確な位置検出を行っている。

【００８７】ところで、図２０に示す信号波形において
も同様にゆるやかな信号振幅の上下動を伴う。このよう
な上下動では、図２１の場合に比べて、再生信号の立ち
上がり及び立ち下がりが急峻であるため、定電圧レベル
でスライスした場合、図２１の場合よりもより正確な位
置検出が可能であるが、この場合も、図２１の場合と同
様に、図２３に示すような包絡線検波を行って最終信号
を得ることが望ましい。しかしながら、図２３の回路に
より包絡線検波を行って、再生信号の処理を行った場
合、包絡線検波による遅延に合わせて、再生信号も遅延
させる必要があり、回路が複雑化すると共に上記包絡線
検波によるスライスレベルと上記再生信号を同期させる
という手間を生じる。

【００８８】ところで、図２２は、本発明に係る図２０
に示す信号波形を微分処理した信号波形を示している。
図２１に示す従来の信号波形においては、微分処理して
も位相が変化するのみであり、波形自体に大きな変化を
発生させることは困難であるが、図２０においては、再
生信号の立ち上がり及び立ち下がりが極めて急峻である
ため、微分処理することにより、緩やかな再生信号振幅
の変動を取り除き、再生信号の変動が急峻な部分のみ、
すなわち、再生信号の立ち上がり及び立ち下がり部分の
みを微分出力として得ることが可能となる。このよう
に、本発明においては、微分処理することにより、緩や
かな信号振幅の上下動を伴わず、記録磁区の正確な位置
を有する再生信号を得ることが可能となる。図２４はそ
の再生信号処理回路を示すブロック図であるが、マーク
位置検出回路２２の前段に微分回路２３を設置するだけ
で、正確な再生信号の処理を行うことが可能となる。

【００８９】本発明によれば、図１５に示すようなマー
ク長記録に対しても良好な再生特性を得ることができ
る。例えば、図２２に示すように２種類の定電圧スライ
スレベル２６，２７を用いることにより、信号の立ち上
がりと立ち下がりの位置を別々に精度良く検出すること
が可能となる。更に、図２２に示す微分出力をさらに微
分することにより、一つの定電圧スライスレベルによ
り、信号の立ち上がりと立ち下がりの位置を同時に精度
良く検出することが可能となる。

【００９０】また、微分処理を用いることにより、再生
信号に要求される信号品質を低く抑えることが可能とな
る。従来では、信号処理前の信号品質が４５ｄＢ以下の
ものでは、光磁気ディスクとして要求される１×１０^-
⁵ 程度のエラーレートを得ることは不可能であるとされ
ていたが、微分処理を用いれば、信号処理前に３５ｄＢ
以上の信号品質を実現すれば、１×１０^- ⁵ 以下のエラ
ーレートを得ることができる。

【００９１】このような高密度な記録再生が可能となっ
たことを示す試験データを表３に示す。表中ＣＮＲ１・
Ｅｒ１（エラーレート）は、図２１に示す従来の光磁気
記録媒体の再生信号に対する結果を示しており、ＣＮＲ
２・Ｅｒ２は、図２０に示す光磁気記録媒体の再生信号
に対する結果を示している。Ｅｒ３は、図２０の再生信
号の微分処理信号（図２２）に対する結果を示してい
る。

【００９２】

【表３】

【００９３】

【発明の効果】請求項１に記載の光磁気記録媒体を使用
することにより、光ビームにより検出される記録磁区と
隣接する他の記録磁区の影響を回避できるため、記録磁
区の間隔や大きさを従来よりも小さくすることができ
る。従って、例えば画像情報記録等で必要とされる大容
量の光磁気記録媒体を実現することが可能となる。

【００９４】請求項２に記載の光磁気記録媒体を使用す
ることにより、初期化のための磁界発生機構が不要とな
り、装置の小型化を実現するとともに、コストアップを
抑えることができる。

【００９５】請求項３に記載の再生方法によれば、記録
磁区からの浮遊磁界により再生層の磁化反転を起こすこ
とが可能となる。

【００９６】請求項４に記載の再生方法によれば、再生
層に転写された磁化方向の検出を安定に行うことが可能
となる。

【００９７】請求項５に記載の再生方法によれば、再生
信号をより正確に検出することが可能となり、更に高密
度な大容量の光磁気記録素子を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体を示す概略構成図であ
る。

【図２】本発明の光磁気記録媒体の再生原理を示す説明
図である。

【図３】本発明の光磁気記録再生信号を示す図である。

【図４】第２の再生層の保持力の温度依存性を示すグラ
フである。

【図５】第２の再生層の安定磁区幅の温度依存性を示す
グラフである。

【図６】第１の再生層の保持力の温度依存性を示すグラ
フである。

【図７】第１の再生層の安定磁区幅の温度依存性を示す
グラフである。

【図８】第１の実施例のＣＮＲのマーク長依存性を示す
グラフである。

【図９】第１の実施例の再生信号を示す図である。

【図１０】第１の実施例のＣＮＲの再生パワー依存性を
示すグラフである。

【図１１】本発明の再生方法の説明図である。

【図１２】本発明の他の再生方法の説明図である。

【図１３】本発明の更に他の再生方法の説明図である。

【図１４】本発明の光磁気記録媒体に対する記録方法を
示す図である。

【図１５】本発明の光磁気記録媒体に対する他の記録方
法を示す図である。

【図１６】本発明の光磁気記録媒体に対する更に他の記
録方法を示す図である。

【図１７】図１６の記録方法により記録された光磁気記
録媒体のＣＮＲの再生パワー依存性を示すグラフであ
る。

【図１８】本発明の光磁気記録媒体に対する更に他の記
録方法を示す図である。

【図１９】図１８の記録方法により記録された光磁気記
録媒体のＣＮＲの再生パワー依存性を示すグラフであ
る。

【図２０】本発明の光磁気記録媒体の再生信号波形を示
す図である。

【図２１】従来の光磁気記録媒体の再生信号波形を示す
図である。

【図２２】図２０の再生信号波形の微分処理信号を示す
図である。

【図２３】再生信号処理回路を示すブロック図である。

【図２４】本発明の再生信号処理回路を示すブロック図
である。

【図２５】本出願人が先に提案した光磁気記録媒体を示
す概略構成図である。

【符号の説明】

３再生層３１第１の再生層３２第２の再生層４記録層８光ビーム９非磁性中間層１０ビームスポット１１初期化用磁石１２再生磁界１３再生磁界発生装置２３微分回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高橋明大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】情報が垂直な磁化方向によって記録される
記録磁区を有する記録層と、室温では安定磁区幅が前記記録磁区の幅よりも大きく、
第１の臨界温度よりも高い温度では安定磁区幅が前記記
録磁区の幅以下となる第１の再生層と、室温では安定磁
区幅が前記記録磁区の幅よりも小さく、前記第１の臨界
温度よりも高く設定された第２の臨界温度以上の温度で
は安定磁区幅が前記記録磁区の幅以上となる第２の再生
層と、からなり、前記記録磁区からの浮遊磁界により磁
化反転を起こす再生層と、前記記録層と前記再生層との間に形成された非磁性膜あ
るいは面内磁化膜からなる中間層と、を備えてなること
を特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】前記記録層は、垂直磁化方向が互いに反平
行となる第１の記録磁区と第２の記録磁区を有してな
り、前記第１の記録磁区の幅は、前記第２の記録磁区の幅よ
り小さくなるよう形成され、前記第１の再生層は、室温では安定磁区幅が前記第１の
記録磁区の幅よりも大きく、第１の臨界温度よりも高い
温度では安定磁区幅が前記第１の記録磁区の幅以下とな
るものであり、前記第２の再生層は、室温では安定磁区幅が前記第１の
記録磁区の幅よりも小さく、前記第１の臨界温度よりも
高く設定された第２の臨界温度以上の温度では安定磁区
幅が前記第１の記録磁区の幅以上となるものであること
を特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の光磁気記
録媒体の前記記録層に記録された情報を再生する再生方
法において、再生時に、光ビームにより、前記再生層を前記第２の臨
界温度以上に昇温する一方、前記記録層をキュリー温度
以上には加熱しないことを特徴とする再生方法。
【請求項４】請求項１に記載の光磁気記録媒体に、光ビ
ームを照射することにより、前記記録層に記録された情
報を再生する再生方法において、前記再生層の磁化状態を外部磁界により、初期化するこ
とを特徴とする再生方法。
【請求項５】請求項１または請求項２に記載の光磁気記
録媒体に、光ビームを照射することにより、前記記録層
に記録された情報を再生する再生方法において、前記再生層に光ビームを照射することにより得られる再
生信号の微分処理信号を用いて、前記情報を再生するこ
とを特徴とする再生方法。